「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(417ページ目) - Weblio英語例文検索

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

Further, a through hole 5 reaching the transparent electrode 3 piercing through the p-type semiconductor substrate 1 and the n-type semiconductor layer 2 is formed, so that a current can be extracted from a rear surface by a metal electrode 7a as a rear electrode formed on the second main surface side of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

さらにｐ型半導体基板１およびｎ型半導体層２を貫通して透明電極３に至るスルーホール５を形成し、ｐ型半導体基板１の第２主面側に形成された裏面電極である金属電極７ａによって電流を裏面から取り出すことができるようにする。 - 特許庁

In the retention capacitance 1h of a liquid crystal device, a first retention capacitance 1i is composed of a first electrode 3c, a first dielectric layer 4c comprising a part superimposed with the first electrode 3c among a gate insulation film 4 and a second electrode 6c for retention capacitance comprising extension part of a drain electrode 6b.例文帳に追加

液晶装置の保持容量１ｈでは、第１の電極３ｃと、ゲート絶縁膜４のうち、第１の電極３ｃと重なる部分からなる第１の誘電体層４ｃと、ドレイン電極６ｂの延設部分からなる保持容量用の第２の電極６ｃとによって第１の保持容量１ｉが形成されている。 - 特許庁

After the thin-film device 140 is formed, the thin-film device 140 is joined to a primary transfer destination 180 via a second isolation layer 160 composed of water soluble adhesive, organic solvent soluble adhesive, or adhesive that has a stripping action through heating or ultraviolet irradiation, and then, a laser beam is projected from the back of the substrate.例文帳に追加

薄膜デバイス１４０の形成後、水溶性、有機溶剤溶融性、あるいは加熱または紫外線照射により剥離作用を有する接着剤からなる第２分離層１６０を介して薄膜デバイス１４０を一次転写体１８０に接合した後に、基板側からレーザー光を照射する。 - 特許庁

A first gate electrode 18 is provided on the first surface 14a via a first gate insulating film 19 so that one side of a first inversion layer 23 induced by application of a first gate voltage Vg1 contacts the first impurity region 15, and the other side is spaced apart from the second impurity region 16.例文帳に追加

第１ゲート電極１８は、第１ゲート絶縁膜１９を介して第１の面１４ａに、第１ゲート電圧Ｖｇ１が印加されると生じる第１反転層２３の一側が第１不純物領域１５に接触し、他側が第２不純物領域１６から離間するように配設されている。 - 特許庁

Detected signal obtained from the region of the first sheet corresponding to the region of the second sheet where the signal intensity of accelerated phosphorescent light emitted with excitation light of an accelerated phosphorescent phosphor layer of the first sheet is the saturation value or more is made as biochemical analysis data within the adsorbing region of the unit corresponding to the region.例文帳に追加

第一のシートの輝尽性蛍光体層を励起光によって放出された輝尽光の信号強度が飽和値以上の第二のシートの領域に対応する第一のシートの領域から得られた検出信号を、その領域に対応するユニットの吸着性領域の生化学解析用データとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity and a method that rarely produces the impurity layer in the interface between the first and second wiring layers, and can easily manufacture the above semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity with a high yield.例文帳に追加

本発明は、コンタクト抵抗が低く導電性に優れる半導体装置と、第一の配線層と第二の配線層との接合部に不純物層がほとんど生成されず、コンタクト抵抗が低く導電性に優れた半導体装置を容易に歩留まり良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solar cell in which at least an electrode 10 having a double-layered structure is formed on a substrate W and a finger electrode 2 of the second layer of the electrode 10 is a copper wire and especially the copper wire is plated on the surface with a soldering material, and the method for fabricating such solar cell are provided.例文帳に追加

少なくとも、基板Ｗ上に複層構造の電極１０が形成された太陽電池であって、電極１０の第２層目２が銅の細線であり、特に銅の細線は、その表面にはんだ性材料がメッキされたものである太陽電池及びそのような太陽電池を製造する方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light reflective metal layer 9 for reflecting incident light toward an interface between the front plate and atmosphere is arranged in a prism shape, and a prism-shaped vertex angle θx in a first region adjacent to the solar cells is larger than a prism-shaped vertex angle θy in a second region.例文帳に追加

入射光を前面板と大気との界面に向けて反射させる光反射金属層９はプリズム形状を配列して構成し、太陽電池セルに隣接する第一の領域におけるプリズム形状の頂角θｘが第二の領域におけるプリズム形状の頂角θｙより大きい。 - 特許庁

A second laminate sheet for molding has one or more ink layers (B) of an ink containing a fine metal piece obtained from an electrodeposited metal film treated with a cellulose derivative dispersed in a resin varnish on a first transparent or translucent film (A) wherein the film layer contains a fluorine resin.例文帳に追加

第二の構成は、透明又は半透明である第一のフィルム層（Ａ）上に、セルロース誘導体で表面処理した蒸着金属膜細片を樹脂ワニス中に分散したインキを１層以上設けたインキ層（Ｂ）を有する積層シートであって、該フィルム層がフッ素樹脂を含有することを特徴とする積層シート。 - 特許庁

The second concept prevents anti-phase domains from growing due to the growth of a polar material on a non-polar material using an off-cut corner Si substrate, this solving the problem of the diffusion between dissimilar atoms during growing a usual ZnSe layer on the Si substrate.例文帳に追加

第２のコンセプトは、オフカット角Ｓｉ基板を用いた非極性材料上に極性材料を成長させることに起因する反位相領域が生じないようにすることであり、それによってＳｉ基板上に一般的なＺｎＳｅ層を成長している間に異種原子間の拡散の問題が解決される。 - 特許庁

In manufacturing the organic electroluminescence element where a first electrode 12, one or more organic layers 13 containing a light emitting layer 13c and a second electrode 14 are provided on the transparent substrate 11, laser light L is radiated from the above transparent substrate side to eliminate the defective part s in the organic electroluminescence element.例文帳に追加

透明基板１１の上に、第１電極１２と、発光層１３ｃを含む１以上の有機層１３と、第２電極１４とが設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、上記の透明基板側からレーザー光Ｌを照射させて、有機エレクトロルミネッセンス素子中における欠陥部分ｓを除去した。 - 特許庁

This disposable makeup applicator A is provided with at least one layer of a porous/flexible material provided with a first surface 1a where at least a part 2 is impregnated with at least one slakable makeup product and a second surface 1b positioned on the opposite side of the first surface and covered with an impermeable film 3.例文帳に追加

使い捨てメーキャップアプリケーター（Ａ）は、少なくとも一部分（２）が少なくとも一つのスレーカブルメーキャップ製品で含浸されている第１面（１ａ）と、該第１面と反対側に位置し、不浸透性フィルム（３）で覆われている第２面（１ｂ）と、を有する多孔性・可撓性材料の少なくとも一つの層（１）を備えている。 - 特許庁

The drift layer 21 is configured by a first region 21A having an N type impurity concentration peak region P1, and a second region 21B being adjacent to the first region 21A and having an N type impurity concentration peak region P2 at a position deeper than that of the N type impurity concentration peak region P1.例文帳に追加

このドリフト層２１は、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１を有した第１の領域２１Ａと、この第１の領域２１Ａに隣接し、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１よりも深い位置にＮ型不純物濃度のピーク領域Ｐ２を有した第２の領域２１Ｂとにより構成されている。 - 特許庁

The probe includes: a piezoelectric element 2 for mutually converting an electrical signal and an ultrasonic signal; first and second flexible substrates 4 5 for transmitting an electrical signal for allowing the piezoelectric element 2 to transmit or receive the ultrasonic signal; and an acoustic matching layer 3 for matching the acoustic impedance between a subject under test and the piezoelectric element 2.例文帳に追加

電気信号と超音波信号とを相互に変換する圧電素子２と、圧電素子２に超音波信号を送信あるいは受信させるための電気信号を伝送する第１および第２フレキシブル基板５、４と、被検体と圧電素子２との音響インピーダンスを整合させる音響整合層３とを備える。 - 特許庁

Furthermore, the insulation film forms a contact hole (810) for electrically connecting the gate electrode and the scanning line having a first part (811) extending along a Y direction near the semiconductor layer and a second part (812) extending in an X direction in which part of the scanning line is overlapped and the scanning line extends.例文帳に追加

更に、絶縁膜には、半導体層の脇にＹ方向に沿って延在する第１部分（８１１）と、走査線の一部と重なると共に走査線が延びるＸ方向に沿って延在する第２部分（８１２）とを有する、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホール（８１０）が形成される。 - 特許庁

If second conductor powder for a wiring pattern layer 6 laminated and formed in a ceramic green sheet 5 is constituted of only metallic powder MP, it rapidly contracts at a baking temperature suitable for ceramic due to the diffusion of metallic particles and melting of the particles, thus causing warp or the like.例文帳に追加

セラミックグリーンシート５に積層形成する配線パターン層６用の第二導電体粉末は、金属粉末粒子ＭＰのみから構成されていると、セラミックに適合した焼成温度では、金属粒子間における拡散や粒子の溶融により収縮が急激に進行し、反り等を招くことにつながる。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor, formed by forming a photosensitive layer on the surface of a cylindrical base body, the cylindrical base body is obtained by molding the resin composition, and a second member is formed so as to be inscribed or to be embedded in the inside of the cylindrical base body, when or after the resin composition is molded.例文帳に追加

円筒状基体表面に感光層を形成してなる電子写真感光体において、該円筒状基体が樹脂組成物を成型することにより得られたものであり、該成型時または該成型後に該円筒状基体内部に第２の部材が内接または埋設されていることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 1 is configured by using: a charge storing layer 7 laminated on a semiconductor substrate 2 via a first insulation film 6; a second insulation film 13; a third insulation film 14; a fourth insulation film 15; a fifth insulation film 16; a sixth insulation film 17; and a control gate electrode 9.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１を、半導体基板２上に第１の絶縁膜６を介して積層して設けた電荷蓄積層７、第２の絶縁膜１３、第３の絶縁膜１４、第４の絶縁膜１５、第５の絶縁膜１６、第６の絶縁膜１７、および制御ゲート電極９を用いて構成する。 - 特許庁

In the composite fine structure, the inside of a compound layer of a first metallic element and one nonmetallic element selected from the group 16 elements is closest-packed with particulates with almost the same particle diameters composed of a compound of a second metallic element different from the first metallic element and the group 16 nonmetallic element.例文帳に追加

本発明の複合微細構造体は、第１の金属元素と１６族元素から選択される１の非金属元素との化合物層の内部に、この第１の金属元素とは異なる第２の金属元素と前記１６族非金属元素との化合物からなる略同一粒径の微粒子が最密充填されている。 - 特許庁

The extra-fine coaxial harness H includes: a multicore extra-fine coaxial line 10 in which a plurality of extra-fine coaxial lines 11 with central conductors 12 having exposed tips are linked in parallel; and an intermediate connector 30 having first and second conductive layers 32 and 33 connected via a through-hole conductive layer 34.例文帳に追加

極細同軸ハーネスＨは、先端部が露出された中心導体１２を有する複数本の極細同軸線１１を並列に連結させた多心極細同軸線１０と、スルーホール導電層３４を介して接続される第１導電層３２および第２導電層３３を有する中間接続体３０とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an input protective circuit disposed directly under the main power supply wiring 14, a via contact 18 for electrically connecting the first connecting wiring 12 to the main power supply wiring 14, and leader wiring 16 connected to one end of second connecting wring 13 and made of a first wiring layer.例文帳に追加

主電源配線１４直下に配置した入力保護回路と、第１の接続配線１２と主電源配線１４とを電気的に接続するビアコンタクト１８と、第２の接続配線１３の一端に接続され、第１の配線層からなる引出し配線１６とを有した半導体装置を構成する。 - 特許庁

A second encoder 17 divides each small area of the differential image signal 16 into classes according to the predefined reference, an encoding priority is imparted to a classified small area, an encoding parameter is determined in accordance with an encoding priority to perform encoding, and enhancement layer encoded data 18 are outputted.例文帳に追加

第２の符号化器１７では，あらかじめ定められた基準に従って差分画像信号１６の各小領域をクラス分けし，クラス分けされた小領域に符号化優先度を付与し，符号化優先度に応じて符号化パラメータを決定して符号化を行い，エンハンスメントレイヤ符号化データ１８を出力する。 - 特許庁

This thin laminated module is formed by mutually connecting, double layers of semiconductor devices H1, H2 which are constituted through formation of first and second semiconductor chips 4 in the face-up manner within the cavity formed on a resin substrate, and a multiple-layer wiring structure substrate 10 including solder balls 17, via an anisotropic conductive film 20.例文帳に追加

この積層モジュールは、樹脂基板に形成されたキャビティ内に第１及び第２の半導体チップ４をフェースアップで形成してなる２層の半導体装置Ｈ１，Ｈ２と、半田ボール１７を有する多層配線構造基板１０とを異方性導電フィルム２０を介して相互接続してなる薄型の積層モジュールである。 - 特許庁

A wafer level package process has steps of: providing a lower cover wafer 210 and an upper cover wafer 230; providing a semiconductor wafer including a plurality of MEMS devices on a substrate layer; joining the semiconductor wafer to a first surface of the lower cover wafer; and joining a second surface of the upper cover wafer to the semiconductor wafer.例文帳に追加

下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。 - 特許庁

The fuel cell has a power generation section in which a first electrode and a second electrode are installed, interposing an electrolyte layer, and comprises a water absorption and repellent section which has hydrophilicity for absorbing the water generated at the power generation section, as well as, hydrophobicity to dry the water absorbed.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極とが電解質層を挟んで設置された発電部を有する燃料電池であって、前記発電部で生成される生成水を吸収するための親水性ととともに、吸収された該生成水を乾燥させるための疎水性を有する吸撥水部を有することを特徴とする燃料電池。 - 特許庁

Rainwater W stored in the rainwater storage tanks 3 is vaporized to supply moisture to the soil dressing layer 6, and discharged through a hose connecting part 14 and a second drain hose 13 for use as living water at the time of disaster or for flowing restriction to rivers at the of rainfall.例文帳に追加

雨水貯留槽３に貯留した雨水Ｗは蒸発し、客土層６へ水分が供給されるとともに、雨水貯留槽３から第１排水ホース１２、ホース連結部１４、及び第２排水ホース１３を介し水が排出され、災害時に生活水として用いたり、降雨時の河川への流水制限に利用され得る。 - 特許庁

An internal gas space 17 wherein a first electrode 22 is arranged, which is sufficiently same as one or more other internal gas spaces 13, 19 in this sensor element exists in layer planes 13, 19 of the sensor element, and in this case, a second electrode 20 or a reference electrode 28 exists in the other internal gas spaces.例文帳に追加

第１の電極（２２）が配置されている内部ガス空間（１７）がセンサー素子の少なくとも１つの他の内部ガス空間（１３、１９）と十分に同じである、センサー素子の層平面（１１ｂ、１１ｄ）内に存在し、この場合この他の内部ガス空間内には、第２の電極（２０）または参照電極（２８）が存在する - 特許庁

A second liquid crystal polyester-impregnated base material is obtained by heat-treating a first liquid crystal polyester-impregnated base material 11 arranged on the supporting material 13 through a resin layer 12 which exhibits a melting point of ≥320°C by the measurement using a differential scanning calorimeter, or does not undergo decomposition at <320°C and also does not exhibit a melting point.例文帳に追加

示差走査熱量分析での測定により、３２０℃以上の融点を示すか、又は３２０℃未満で分解せずかつ融点を示さない樹脂シート１２を介して、支持材１３上に配置した第一の液晶ポリエステル含浸基材１１を熱処理することにより、第二の液晶ポリエステル含浸基材を得る。 - 特許庁

Then, the masks 20 are removed in (d), copper is plated on the surface of the intermediate copper plated layer 21 by performing a second plating process, copper is plated in a thin film form on the part, corresponding to a connection edge part 14a on the surface of the conductor pattern 12, and a copper plated electrode 14 is formed in (e).例文帳に追加

次に、マスク２０を除去し（ｄ）、第２のめっき工程を実行することにより、中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきを形成すると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部１４ａに対応した部分に銅めっきを薄膜状に形成し、銅めっき電極１４を形成する（ｅ）。 - 特許庁

On at least one side of the first electrode plate 6 and the second electrode plate 8, multiple projecting parts 10 are formed on a surface thereof in contact with the element body 4, and an embedding layer 14 without including a conductive material and having a higher gel fraction relative to the element body 4 is formed on recessed parts 12 formed between the projecting parts 10.例文帳に追加

第１電極板６および第２電極板８の少なくとも一方には、素子本体４が接触する表面に、凸部１０が多数形成してあり、凸部１０の間に形成してある凹部１２には、導電材を含まず素子本体４よりもゲル分率の高い埋込層１４が形成してある。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

A scroll compressor 100 is constituted by applying carbon bimetal wherein a sintered layer having a journal bearing part 94 and a main bearing part 72 on a surface of a steel plate is impregnated with a resin including carbon, and surface modifying treatment is applied to a driving bush (first bush) 95 and a bush (second bush) 73.例文帳に追加

スクロール圧縮機１００は、ジャーナル軸受部９４及び主軸受部７２を鋼板の表面上に形成された焼結層にカーボンを含む樹脂を含浸させたカーボンバイメタルを適用して構成し、駆動ブッシュ（第１ブッシュ）９５及びブッシュ（第２ブッシュ）７３に表面改質処理を施したことを特徴とする。 - 特許庁

Next, the protocol identification apparatus attempts to identify the next layer of encapsulation to be selected by performing similar collation to a second set of protocol bit patterns, due to information encoded into the previous encapsulated protocol, or due to the best estimation encoded into the apparatus on the basis of the previous collation or user estimation encoded into the apparatus.例文帳に追加

次に、プロトコルビットパターンの第２の組と同様の照合を行うか、先のカプセル化プロトコル内へ符号化された情報によるか、先の照合に基づいて装置内に符号化された最良の推定または装置内に符号化されたユーザの推定によるかして、選択する次のカプセル化層の識別を試みる。 - 特許庁

An expanded grid formed by expanding a rolled sheet 3 formed by arranging first coating layers 1 formed of a lead-tin-based alloy and second coating layers 2 formed of a lead-antimony-based alloy on one surface or each of both surfaces of a lead-calcium-based alloy layer is used as a positive electrode grid.例文帳に追加

鉛−カルシウム系合金層の片面または両面のそれぞれに鉛−錫系合金からなる第１の被覆層１と鉛−アンチモン系合金からなる第２の被覆層２とが並べて形成された圧延シート３をエキスパンド加工することにより作成したエキスパンド格子を正極格子として用いた。 - 特許庁

The first phosphor layer includes at least a first surface 30a and a second surface 30b on the opposite side to the first surface 30a, extends in the light guide direction, and can emit first wavelength conversion light Gy which absorbs the emission light and has a wavelength longer than the wavelength of the emission light.例文帳に追加

前記第１の蛍光体層は、少なくとも第１の面３０ａおよび前記第１の面とは反対側の第２の面３０ｂを含み、導光方向に延在し、前記放出光を吸収し前記放出光の波長よりも長い波長を有する第１の波長変換光Ｇｙを放出可能とされる。 - 特許庁

A liquid crystal layer 56 which is optically and uniaxially aligned is sandwiched between a first substrate B having at least one transparent electrode 54 and a second substrate A having an electrode 58 with a reflecting function, a retardation plate 52 is arranged on the first substrate, and a polarizer 51 is further arranged on the retardation plate.例文帳に追加

少なくとも透明電極５４を備えた第１の基板Ｂと、反射機能を有する電極５８を備えた第２の基板Ａとの間に光学的に一軸性の配向をなす液晶層５６を挟持すると共に、第１の基板上に位相差板５２を配置し、さらに位相差板上に偏光板５１を配置する。 - 特許庁

The secondary battery is provided which comprises an electrode assembly 200 in which a separator 230 is interposed between a first electrode plate 210 and a second electrode plate 220, a case 110 of metallic material which houses the electrode assembly 200 and has an insulating layer 250 formed, and a lid assembly for closing the case 110.例文帳に追加

本発明は，第１電極板２１０と第２電極板２２０との間にセパレータ２３０が介在された電極組立体２００と，電極組立体２００を収容する，絶縁層２５０が形成された金属材質のケース１１０と，ケース１１０を密閉する蓋体組立体とを含む二次電池を提供する。 - 特許庁

In the optical semiconductor integrated circuit device, the widths W1 and W2 of insulating layers for parasitic capacitance are formed with a fixed distance between them in the NPN transistor 21 and vertical PNP transistor 22 so as to reduce the parasitic capacitance which occur through almost a non-doped second epitaxial layer 26.例文帳に追加

本発明における光半導体集積回路装置では、ＮＰＮトランジスタ２１および縦型ＰＮＰトランジスタ２２において、ほぼノンドープである第２のエピタキシャル層２６を介して発生する寄生容量を低減するために、寄生容量の絶縁層幅Ｗ１、Ｗ２を一定の距離をもって形成する。 - 特許庁

The light emitting element comprises a substrate (1), a semiconductor active region (4) formed to cover the substrate (1) and generating first light, and a transparent conductive layer (9) containing first phosphor which is pumped by the first light to generate second light having a wavelength different from that of the first light.例文帳に追加

本発明の発光素子は、基板（１）と、基板（１）を被覆するように形成された、第１光を発生する半導体活性領域（４）と、前記第１光によって励起されて前記第１光と異なる波長を有する第２光を発生する蛍光体を含む第１蛍光体含有透明導電層（９）とを具備する。 - 特許庁

A second electrode 14 is connected to an upper layer wire at the upper surface via the contact holes 15a with a part thereof connected to a first electrode 12 via an insulating film 13 formed on the surface of the first electrode 12 and the other part thereof provided in parallel to be superimposed on the upper part of the first electrode 12.例文帳に追加

第２の電極１４を、第１の電極１２の表面に形成された絶縁膜１３を介してその一部が第１の電極１２間に、他の部分が第１の電極１２の上方に重畳されるように並設されてその上面がコンタクトホール１５ａを介して上層配線に接続される態様で形成する。 - 特許庁

Respective through hole wires 24 are formed in portions corresponding to the respective pad electrodes 25, one end of at least one part of the through hole wires 24 is positioned on an inner bottom face of the displacement recess 21, and the one end is connected to the second electric connecting metal layer 29 by an intermediate wire 26.例文帳に追加

各パッド電極２５に対応する部位にはそれぞれ貫通孔配線２４が形成され、少なくとも一部の貫通孔配線２４の一端は、変位用凹所２１の内底面に位置し、当該一端と第２の電気接続用金属層２９との間は中間配線２６により接続される。 - 特許庁

The lens liquid crystal layer is housed in the main lens and the sublens, is arranged between the first lens substrate and the second lens substrate, consists of liquid crystal molecules having anisotropic refractive indexes and refracts light polarized in a predetermined direction at a boundary face with the stereoscopic image lens part to change a planar image to a stereoscopic image.例文帳に追加

レンズ液晶層は、メインレンズ及びサブレンズに収容され、第１及び第２レンズ基板の間に配置され、異方性の屈折率を有する液晶分子からなり、所定の方向に偏光された光を立体画像レンズ部との境界面で屈折させ、平面画像を立体画像に変更させる。 - 特許庁

The multi-layer antenna further comprises: a micro stripe feed line 625 for making a signal propagate to the second micro-strip patch 610 via the slot 620 in the ground plane 615; and a back-lobe suppression reflector 630 which receives some signals and reflects the signals to the slot 620 in the ground plane 615.例文帳に追加

多層アンテナはさらに、グランド平面６１５中のスロット６２０を介して第２のマイクロストリップパッチ６１０に信号を伝搬させるためのマイクロストリップ給電ライン６２５と、幾らかの信号を受信しその信号をグランド平面６１５中のスロット６２０に反射する、バックローブ抑制反射器６３０とを含んでいる。 - 特許庁