「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(412ページ目) - Weblio英語例文検索

The SOIMOSFET comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type, first insulation film (that is, a base oxide film) disposed on the semiconductor substrate, and SOI layer having a pair of source and drain of a second conductivity type which is disposed on the insulation film with a channel of a specified distance formed between the source and the drain.例文帳に追加

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴは、第１導電型の半導体基板と、この半導体基板上に位置する第１絶縁膜（すなわち下地酸化膜）と、第１絶縁膜上に位置し、所定距離のチャネルを挟んで一対の第２導電型のソースおよびドレインを有するＳＯＩ層を含む。 - 特許庁

The IPv6 address retrieval part 27 is provided with a plurality of repeating tables which store the addresses of the network layer protocols divided into first and second areas, and it retrieves the repeating table, based on the destination address of the received packet and repeats the packet, in accordance with the retrieval result.例文帳に追加

ＩＰｖ６アドレス検索部２７は、第１及び第２領域にそれぞれ分割されたネットワーク層プロトコルのアドレスを記憶する複数の中継テーブルを備え、受信したパケットの宛先アドレスに基づいて該中継テーブルを検索すると共に、この検索結果に従ってパケットの中継を行う。 - 特許庁

On the back surface of the film circuit board 13, an area corresponding to a joining area for electrically joining the semiconductor device 11 on the front side to a board terminal through the anisotropic conductive adhesive 17 is coated with a second organic layer 20 composed of an epoxy-based resin, etc.例文帳に追加

フィルム回路基板１３の裏面において、表側の半導体装置１１を異方性導電接着剤１７を介して基板端子部に導通接合する接合領域に対応する領域は、エポキシ系樹脂等からなる第２の有機質層２０で覆われている。 - 特許庁

The manufacturing method of the waveguide type optical device by which the core layer consisting of a polymer is patterned by dry etching to form the optical waveguide is characterized in that first, second and third etching gases used in respective steps have compositions respectively different from each other.例文帳に追加

ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第１、第２、及び第３のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。 - 特許庁

The method for producing the novolak type phenol resin comprises the following steps: a first step of reacting the phenols with aldehydes in the presence of phosphoric acids in the heterogeneous system and a second step of adding a water-insoluble organic solvent and water after the first step and recovering the separated aqueous layer.例文帳に追加

フェノール類とアルデヒド類とを、リン酸類の存在下で不均一系反応させる第一工程と、前記第一工程後に非水溶性有機溶剤及び水を添加し、分離した水層を回収する第二工程とを有するノボラック型フェノール樹脂の製造方法。 - 特許庁

In the substrate for liquid discharge head, an upper protective layer 107a which is formed in the region corresponding to a heating part is constituted by laminating two or more first layers which dissolve into a liquid by an electrochemical reaction with the liquid and two or more second layers which change into a passivity.例文帳に追加

発熱部に対応する領域に形成された上部保護層１０７ａは、液体との電気化学反応により、前記液体中に溶出する第１の層と、不動態となる第２の層とが其々２層以上積層された構成である液体吐出ヘッド用基板。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric element is formed under a condition of T1<T2 where T1 is a temperature for first heat treatment (baking) by stacking a plurality of piezoelectric ceramic sheets having an internal electrode layer formed, and T2 is a temperature for second heat treatment (baking) after the multilayer piezoelectric element is prepared by cutting it from the baked block.例文帳に追加

内部電極層が形成された圧電セラミックのシートを複数枚積層して第１の熱処理（焼成）を行う温度Ｔ１と、ブロック焼成体から切り出して多層圧電素子を作製した後に第２の熱処理（焼成）を行う温度Ｔ２において、Ｔ１＜Ｔ２のようにする。 - 特許庁

Using as a mask the mask pattern for selective growth, the imbedding layer is made to selectively grow under the conditions growing sideways from the side face of the mesa extending in the second direction opposite from the first direction with the first boundary position as a reference, with the front face of the growth becoming a slope.例文帳に追加

選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第１の境界位置を基準として第１の向きとは反対の第２の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。 - 特許庁

This organic EL display 20 is provided with stripe-like first electrodes 22, an insulating layer 23 formed with multiple opening sections 24 with a nearly rectangular shape in the plan view on the first electrodes 22, organic layers 25a-25c, and stripe-like second electrodes 26 on a transparent substrate 21.例文帳に追加

透明基板２１上に、ストライプ状の第１の電極２２…と、第１の電極２２上に平面視略矩形状の開口部２４を複数形成した絶縁層２３と、有機層２５と、ストライプ状の第２の電極２６…とが形成された有機ＥＬディスプレイ２０である。 - 特許庁

The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.例文帳に追加

スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the fourth virtual circulating line from the inner side is such an interval that three of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first, second and third virtual circulating lines from the inner side can be put around.例文帳に追加

内側から４番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目、２番目及び３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を３本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12 formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another is provided on a low- resistance silicon substrate 11 one main surface 11a of which is oriented in the (111) crystal plane.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成り且つ一方の主面１１ａの結晶面方位を（１１１）ジャスト面とした基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

The entire surface is coated with an organic coating film 20, such as resist by rotary coating and inside the hole for connection hole, the organic coating film 20 is left by a method such as full etch back, so that the surface of the organic coating film 20 can be higher than the lower surface of the second wiring correspondent inter-layer insulating film.例文帳に追加

回転塗布法により全面にレジスト等の有機塗布膜２０を塗布し、全面エッチバック等の方法により接続孔用の穴１３内で、有機塗布膜２０表面が第２配線対応層間絶縁膜下面よりも上になるように有機塗布膜２０を残す。 - 特許庁

On the peripheral part of the rear face of the inlet 8, as shown in Fig.2(a), a glue-less portion 9 where the second adhesive layer 10 is not provided or, as shown in Fig.2(b), an adhesive strength adjusting portion 12 where the adhesive strength is reduced or eliminated with a printing ink is formed.例文帳に追加

インレット８の裏面の周縁部には、図２（ａ）に示すように、第２の粘着剤層１０が設けられていない糊なし部９または、図２（ｂ）に示すように、印刷インキによって粘着力の減殺または消去を行った粘着力調整部１２が設けられている。 - 特許庁

A first, a second, a third base parts 22A, 22B, 22C are provided in a region of each the layer 24A, 24B, 24C higher than the other region of the base 22, and substantially cylindrical mound parts 25... are formed at specified intervals, while thereon ring-like small abrasive grain layers are provided.例文帳に追加

各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの領域に台金２２の他の領域より高さの高い第一台金部２２Ａ，第二台金部２２Ｂ，第三台金部２２Ｃを設け、所定間隔で略円筒状のマウンド部２５…を多数形成してその上にリング状の小砥粒層部２８を設ける。 - 特許庁

In a same manner, since when the materials of the luminescent layers 17R, 17G, 17B and the material of the electron injecting layer 19 are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, second diffusion areas 18R, 18G, 18B, the inclined composition area, can be formed.例文帳に追加

同様に、発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料と電子注入層１９の材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第２の拡散領域１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成することができる。 - 特許庁

A multilayer film made of a niobium oxide film with the film thickness of 5 nm and the refractive index of 2.30 and a silicon oxide film with the film thickness of 55 nm and the refractive index of 1.45 is formed on a lower layer side of the first light-transmitting electrode pattern 11 and the second light-transmitting electrode pattern 12.例文帳に追加

また、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、膜厚が５ｎｍで屈折率が２．３０のニオブ酸化膜、および膜厚が５５ｎｍで屈折率が１．４５のシリコン酸化膜からなる多層膜が形成されている。 - 特許庁

An Si-CH_3 group in the eluate component 101 from a silicon sealing material 100 is decomposed by the optical semiconductor 12 contained in the second layer C2 into a hydrophilic group Si-OH group, forming the coating film with an enhanced affinity with moisture such as rain water or the like to improve the permeability in the coating film.例文帳に追加

シリコーンシーリング材１００からの溶出成分１０１中のＳｉ−ＣＨ_３基は、第２層Ｃ２中に含まれる光半導体１２により分解され、親水基Ｓｉ−ＯＨ基となり、塗膜は雨水などの水分との親和性が高くなり、塗膜内部の浸透性が向上する。 - 特許庁

The carcass layer 4 is formed of a plurality of first carcass layers 4A folded back from inside of a tire to the outside thereof around a bead core 6 at both ends thereof and a plurality of second carcass layers 4B arranged outside of the first carcass layers 4A and having both ends 4b arranged outside of the tire around the bead core 6.例文帳に追加

カーカス層４が、両端部４ａをビードコア６の周りにタイヤ内側から外側に折り返した複数の第１カーカス層４Ａと、その第１カーカス層４Ａの外側で、両端部４ｂをビードコア６の周りにタイヤ外側から配置した複数の第２カーカス層４Ｂとからなる。 - 特許庁

The hardness after curing a first adhesive 11 for adhering an acoustic matching layer 14 and a case 12 to each other is selected differently from the hardness after curing a second adhesive 13 for adhering the case 12 and a piezoelectric body 16 to each other so as to prevent deterioration in the adhesion under an operating environment.例文帳に追加

音響整合層１４とケース１２を接続する第１接着剤１１およびケース１２と圧電体１６を接続させる第２接着剤１３で硬化後の硬度をそれぞれ変えることにより、使用環境における接続の劣化を防止することができる。 - 特許庁

Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.例文帳に追加

容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁

The electronic part 1 has a lower conductor 21 (a first conductor) formed on the planarizing layer 52 of a substrate 51, a dielectric film 31 formed on the lower conductor 21, and an upper conductor (a second conductor) 23 which is formed on the dielectric film 31 and is thinner than the lower conductor 21.例文帳に追加

電子部品１は、基板５１の平坦化層５２上に形成された下部導体（第１導体）２１と、下部導体２１上に形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成されて下部導体２１より薄い上部導体（第２導体）２３とを有している。 - 特許庁

When the assembly is placed in analyte solution, a detector of the apparatus is operated to detect a phase shift of the light wave reflected from the first and second reflection surfaces so as to detect a thickness change in a first reflection layer generated by the binding of the analyte to an analyte binding molecule.例文帳に追加

装置の検出器は、アセンブリを検体溶液内に置く場合、第１および第２反射面から反射される光波の位相シフトを検出することにより、検体の検体結合分子への結合から生じる第１反射層の厚さ変化を検出するように動作する。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.例文帳に追加

平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁

The welding machine, which welds a member to be welded (structural components of an inner layer of the multilayer printed wiring board) at predetermined places, includes a first welding bit 11a and a second welding bit 11b which press and heat the member to be welded by clamping it from both surfaces of the member for welding.例文帳に追加

被溶着部材（多層プリント配線板の内層の構成部材）を所定箇所において溶着する溶着機として、被溶着部材を両面から挟むように加圧及び加熱して溶着する第１溶着ビット１１ａ及び第２溶着ビット１１ｂを備える。 - 特許庁

This light emitting device 11 is configured by forming an organic EL element 16 where an organic EL layer 14 is interposed between a transparent electrode 13 and an opposed electrode 15 as a light emitter 17, and provided with a plurality of first regions 19 and a second region 20 interposed between the first regions 19.例文帳に追加

発光装置１１は透明電極１３と対向電極１５との間に有機ＥＬ層１４が挟まれた有機ＥＬ素子１６を発光部１７とし、複数の第１の領域１９及び第１の領域１９に挟まれた第２の領域２０を備えている。 - 特許庁

An end E4 of the auxiliary electrode 150 is formed so as to be positioned outer than an end E2 of the common electrode 72 in a face of a substrate 10, and the end E2 of the common electrode 72 is formed so as to be positioned outer than an end E1 of the second inter-layer insulating film 35.例文帳に追加

補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ２よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ２は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ１よりも外側に位置するよう形成される。 - 特許庁

To restrain occurrence of dielectric breakdowns, even if a dielectric layer is formed at a small thickness as the purpose in a PDP and prevent the occurrence of breakage or the like in a glass substrate in manufacturing the PDP even if the thickness of the glass substrate is reduced, as compared with the conventional cases as second purpose.例文帳に追加

ＰＤＰにおいて、誘電体層を薄く形成しても絶縁破壊が発生しにくいようにするこを第１の目的とし、ガラス基板の厚さを従来より薄くしても、ＰＤＰ製造時にガラス基板に割れなどが生じるのを防止することを第２の目的とする。 - 特許庁

The second wells are formed in the first conductivity type region formed extensively over the surface layer region of the side face of the step from a region adjacent to the impurity diffusion region of a flat region between the first well and the impurity diffusion region and having an impurity concentration lower than that of the first well.例文帳に追加

第２ウェルは、第１ウェルと不純物拡散領域との間に、平坦領域の不純物拡散領域に隣接する領域からステップ部の側面の表層領域にわたって形成された第１ウェルよりも不純物濃度が低い第１導電型の領域である。 - 特許庁

Thereafter, in the dry etching process of the second stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, a bottom part 4R of the hole 4a is removed in a state where pressure in the reaction chamber is set to 50-1,000 Pa, and the upper surface of the carbon nanotube layer 3 is exposed.例文帳に追加

その後、第２段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０以上１０００Ｐａ以下に設定されている状態で、ホール４ａの底面部４Ｒが除去され、カーボンナノチューブ層３の上面が露出する。 - 特許庁

Protection layers 1a, 1b are formed and arranged to be congruent with upper faces of the measuring electrodes 3,4, in a sensor element having the protection layers 1a, 1b, a measuring system 2 having the first measuring electrode 3 and the second measuring electrode 4 engaged with each other comb-likely, and an insulating layer 5.例文帳に追加

保護層１ａ；１ｂと、櫛状に相互に係合する第１の測定電極３および第２の測定電極４を有する測定電極システム２と、絶縁層５とを有するセンサ素子において、保護層１ａ；１ｂを測定電極３，４の上面と合同に形成および配置する。 - 特許庁

The pattern forming material formed on a substrate has first and second reaction layers reacted mutually by heating to be expanded in volume and a third reaction layer expanded in volume by heating.例文帳に追加

基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第１の反応層および第２の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第３の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。 - 特許庁

A sidewall P-conductivity-type region 4b having an impurity concentration higher than that of the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a is formed on the surface-layer part of the sidewall of a second trench that reaches the P-conductivity-type region 2a piercing the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a.例文帳に追加

このおもて面側Ｐ導電型領域４ａを貫通してＰ導電型領域２ａに達する第２トレンチの側壁の表層部には、おもて面側Ｐ導電型領域４ａよりも不純物濃度が高い側壁Ｐ導電型領域４ｂが設けられている。 - 特許庁

A wavelength conversion layer for converting a part of visible light emitted by a semiconductor light emitting element includes a first phosphor having an emission peak in a predetermined visible light range and a second phosphor having an emission peak in each of the predetermined visible light range and a predetermined near infrared light range.例文帳に追加

半導体発光素子の発する可視光の一部を変換する波長変換層が、所定の可視光域に発光ピークを有する第１の蛍光体と、所定の可視光域と所定の近赤外光域にそれぞれ発光ピークを有する第２の蛍光体とを含む。 - 特許庁

In the storage capacitance, a first capacitance electrode (13) which is formed of the same film as that of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) formed of the same film as that of a barrier layer (34) for relay-connecting between the pixel electrode and the TFT are arranged facing each other through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

More specifically, a power transmitting surface 46 of a transmitting member 43 interposed between first and second engagement members 41, 42 of a power transmitting joint 21 connecting the output shaft 20 of the electric motor 16 and the first end 18a of the worm shaft 18 is formed of the elastic layer 48.例文帳に追加

具体的には、電動モータ１６の出力軸２０とウォーム軸１８の第１の端部１８ａとを連結する動力伝達継手２１の、第１および第２の係合部材４１、４２間に介在する伝達部材４３の動力伝達面４６を、弾性層４８によって形成する。 - 特許庁

A reflection type exposure mask comprises a substrate 11, a reflective layer 14 and a mask pattern 15 formed on a first surface side of the substrate 11, a conductive film 12 formed on a second surface side of the substrate 11, and an elastically deformable body 13 formed in a part of a region on the conductive film 12.例文帳に追加

基板１１と、基板１１の第１の面側に形成された反射層１４及びマスクパターン１５と、基板１１の第２の面側に形成された導電膜１２と、導電膜１２上の一部の領域に形成された弾性変形体１３とを有する反射型露光マスクを提供する。 - 特許庁

Since a depletion layer being formed along the PN junction (11) is formed widely toward the inside of the second semiconductor region (2) having a relatively low concentration, the concentration of electric field to the side part junction face (11b) side can be mitigated from the bottom part junction face (11a) to the major surface (8).例文帳に追加

ＰＮ接合（１１）に沿って形成される空乏層が、比較的低濃度の第２の半導体領域（２）内に向かって幅広に形成され、底部接合面（１１ａ）から主面（８）まで側部接合面（１１ｂ）側での電界集中を良好に緩和することができる。 - 特許庁

The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated on the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.例文帳に追加

第二の窒化物半導体スタックの複数の六角形のピラミッド型の孔は、第一の透明導電性の酸化物層で満たされ、低い抵抗のオーミック接触は、操作電圧を減じ、発光装置の発光効率を改善するように、複数の六角形のピラミッド型の孔の内面で発生する。 - 特許庁

An upper magnetic pole layer 13 includes a first portion 13A of which one terminal is disposed on an air bearing surface 30, and which has a fixed width equal to a recording track width and includes a magnetic pole portion; and a second portion 13B which is linked to another terminal of the first portion 13A and includes a yoke portion.例文帳に追加

上部磁極層１３は、一端部がエアベアリング面３０に配置され、記録トラック幅に等しい一定の幅を有し、磁極部分を含む第１の部分１３Ａと、第１の部分１３Ａの他端部に連結され、ヨーク部分を含む第２の部分１３Ｂとを有している。 - 特許庁

A liquid crystal display which contains liquid crystal cells obtained by nipping the first polarizing film, the first phase difference region, the second phase difference region, and a liquid crystal layer with a pair of substrates and whose liquid crystal molecules are substantially oriented in parallel to the surfaces of a pair of the substrates, when displaying black.例文帳に追加

少なくとも、第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、液晶層を一対の基板で挟んだ液晶セルとを含み、黒表示時に液晶分子が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置。 - 特許庁

The second substrate 20 has a transparent substrate 20A, a polarizing plate 25 provided to the transparent substrate 20A on the opposite side from the liquid crystal layer 30, and a laminate film 40 provided between the transparent substrate 20A and polarizing plate 25 in contact with the transparent substrate 20A.例文帳に追加

第２基板２０は、透明基板２０Ａと、透明基板２０Ａにおいて液晶層３０と反対側に設けられた偏光板２５と、透明基板２０Ａと偏光板２５との間において透明基板２０Ａに当接して設けられた積層膜４０と、を有している。 - 特許庁

The first phase difference plate 13 is a uniaxial phase difference plate having negative refractive index anisotropy, has a thickness-directional phase difference value set to a range of 220 nm-1,320 nm, and has an optical axis perpendicular to the first and second glass substrates 4, 5 for sandwiching the liquid crystal layer 8.例文帳に追加

該第１の位相差板１３は、負の屈折率異方性を有する一軸性位相差板であって、厚さ方向の位相差値が２２０ｎｍ〜１３２０ｎｍの範囲に設定され、液晶層８を挟持する第１，第２のガラス基板４，５に垂直な光軸を有する。 - 特許庁

After an insulating film of the lower part of the external base polycrystalline silicon is etched to form a recess, a polycrystalline silicon layer doped with the impurity of the second conduction type is formed, and then etched back to leave the polycrystalline silicon only in the recess, thus obtainable the bipolar transistor.例文帳に追加

外部ベース多結晶シリコンの下部の絶縁膜をエッチングして窪みを作った後、第２導電型不純物をドープした多結晶シリコン層を形成し、エッチバックして窪み内にのみ第２導電型不純物をドープした多結晶シリコを残すことにより得られる。 - 特許庁