「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(408ページ目) - Weblio英語例文検索

On the other hand, at least the inside of the wiring groove 22 is plasma-treated in a process doubling as the mask layer 21 removing step, then processed with a process liquid which can dissolve the second insulating film 16 to selectively remove an altered crown fence 25 altered by the plasma-treatment.例文帳に追加

これに対しマスク層２１の除去工程を兼ねるなどの処理において、少なくとも配線溝２２の内部にプラズマ処理を施した後、第２絶縁膜１６を溶解可能な処理液で処理し上記のプラズマ処理で変質したクラウンフェンス２５を選択的に除去する。 - 特許庁

The grid unit has a plurality of electron beam penetrating holes respectively confronting with the electron emitting sources, and is opposed to and arranged at the second plate board, and has a plate-shaped grid 42 to which a prescribed voltage is applied, and a first insulating layer 46 by which the outer face of the grid is covered.例文帳に追加

グリッドユニットは、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔４４を有し、第２基板と対向配置されているとともに、所定の電圧が印加される板状のグリッド４２と、グリッドの外面を覆った第１絶縁層４６と、を有している。 - 特許庁

A fine particle glass layer for the clad is formed over the material 1a by using a raw material gas which contains a second dopant F decreasing the refractive index, then is sintered, thus causing the result that optical fiber base material 1 having a clad region 30 in which the dopant F is added to the outside of the double core is formed.例文帳に追加

そして、その外周上に、屈折率を下げる第２ドーパントＦを含む原料ガスを用いてクラッド用ガラス微粒子層を形成し焼結して、２重コアの外側にＦが添加されたクラッド領域３０が設けられた光ファイバ母材１を作成する。 - 特許庁

The liquid crystal display is formed by encapsulating a liquid crystal layer 12 between a first substrate 14 provided with a TFT element (a switching element) 5 and a pixel electrode 3 connected to the TFT element 5 which are formed on the inner surface side and a second substrate 15 provided with a display electrode 18 on the inner surface side.例文帳に追加

本発明は、内面側にＴＦＴ素子（スイッチング素子）５、該ＴＦＴ素子５に接続する画素電極３を形成してなる第１の基板１４と、内面側に表示電極１８を備えた第２の基板１５との間に、液晶層１２を封入して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

The superheater tube of the marine boiler in the first invention is composed of a high temperature corrosion resistant material, and the superheater tube of the marine boiler in the second invention has the superheater tube body and a high temperature corrosion resistant coating layer formed on the outer surface of the superheater tube body.例文帳に追加

第１発明の船舶用ボイラの過熱管は、耐温度腐食性材料で形成されていることを特徴とし、第２発明の船舶用ボイラの過熱管は、過熱管本体と、該過熱管本体の外面に形成された耐熱腐食性の被覆層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A first insulating film 66a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 66b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 66c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 65 thus forming a gate insulating film 66 of three-layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板６５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜６６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜６６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜６６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜６６が形成される。 - 特許庁

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.例文帳に追加

各ＩＧＢＴセルのＰベース層２は、１）主トレンチ６によってその底部２ＢＦが貫通され且つエミッタ領域３を有する平坦領域２ＦＲと、２）平坦領域２ＦＲを挟み込む第１及び第２サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２を有している。 - 特許庁

The isolation film 77 includes a first isolation film 78 comprising a resin material, and a second isolation film 79 arranged closer to the piezoelectric layer 70-74 than the first isolation film 78 and comprising a material which is less susceptible to infiltration of ink than the first isolation film 78.例文帳に追加

さらに、隔離膜７７は、樹脂材料からなる第１隔離膜７８と、この第１隔離膜７８よりも圧電層７０〜７４側に配置されるとともに、前記第１隔離膜７８よりもインクを通しにくい材料で形成された第２隔離膜７９とを含んでいる。 - 特許庁

Al_2O_3 films 72 being antireflection film for reducing reflectance on first, third and fifth layers and TiOx films 73 being light absorbing layer for reducing transmittance on second, fourth and sixth layers are alternately laminated above a fine rugged periodic structure 33 on a transparent base plate 31.例文帳に追加

透明基板３１上の微細凹凸周期構造３３上には、第１、３、５層に反射率を低減させるための反射防止膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜７２と、第２、４、６層に透過率を低減させるための光吸収層であるＴｉＯｘ膜７３を交互に積層する。 - 特許庁

A second-conductivity-type collector region 16 delimited by element isolation regions 20 is formed on a first-conductivity-type semiconductor substrate 10, and a first-conductivity-type first base semiconductor layer 40 extends from the top face of the collector region 16 to the top faces of the element isolation regions 20.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０上に素子分離領域２０によって限定される第２導電型のコレクタ領域１６が形成され、第１導電型の第１ベース半導体層４０がコレクタ領域１６の上面から素子分離領域２０の上面まで延びている。 - 特許庁

The first ohmic electrode 107 is formed away from the electric field application electrode 106 in an area where a region where an electric field is not applied by the electric field application electrode 106, is formed in the second semiconductor layer 104 between the first ohmic electrode 107 and the electric field application electrode 106.例文帳に追加

また、第１オーミック電極１０７は、電界印加電極１０６との間の第２半導体層１０４に電界印加電極１０６による電界が印加されない領域が形成される範囲に電界印加電極１０６と離間して形成されている。 - 特許庁

This method for manufacturing an HVFET having one or more JFET condition channels comprises a process for successively implanting a dopant of a first conductivity type in a first epitaxial layer of a second conductivity type in order to form a plurality of first buried layers disposed at different vertical depths.例文帳に追加

１つ以上のＪＦＥＴ伝導チャネルを有するＨＶＦＥＴの作製方法は、垂直方向に異なる深さで堆積される第１の複数の埋込層を形成すべく、第２伝導型の第１エピタキシャル層に第１伝導型のドーパントを連続的に打込む工程を備える。 - 特許庁

Since at least one of the optical recording layers formed on a first and second plates consists of a metal layer mainly containing Ag, the ultraviolet ray irradiated to the plate can be controlled when curing the ultraviolet-ray curable resin.例文帳に追加

第１基板及び第２基板に形成された光記録層のうち、少なくとも一方の光記録層をＡｇを主成分とする金属層からなっているので、紫外線硬化性樹脂の硬化の際に基板に向けて照射される紫外線の線量を抑制することが可能となる。 - 特許庁

The apparatus has a control means 204 that controls the potential to be applied to the first electrode and the potential to be applied to the second electrode, the potential periodically changing between positive and negative with respect to the central potential, so as to periodically change the potential into positive and negative to be applied to the liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶層に与えられる電位差が正と負とに周期的に変化するように、第１電極に与える電位と、第２電極に与える、中心電位に対して正と負とに周期的に変化する電位とを制御する制御手段２０４を有する。 - 特許庁

Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) containing a (meta)acryloyl group in the molecule and two or more first functional groups, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.例文帳に追加

分子内に、（メタ）アクリロイル基及び、２個以上の第１の官能基を含み、該第１の官能基が電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する官能基である高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

The electrical device has a substrate 12 including a transmissive low reflectivity layer 14; a first conductor 16 on the substrate 12; an active material 20 on the first conductor 16; and a second conductor 18 on the active material 20.例文帳に追加

本発明の電子装置は、光透過性の低反射率層１４を有する基板１２と、この基板１２上の第１の導電体１６と、この第１の導電体１６上の活性材料２０と、この活性材料２０上の第２の導電体１８とを備えている。 - 特許庁

The method of forming a stable depletion layer on the surface of the semiconductor wafer comprises at least a first process of removing an organic matter attached to the surface of the semiconductor wafer and a second process of producing an electric charge on the surface of the semiconductor wafer after removal of the organic matter.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面に安定した空乏層を形成する方法であって、少なくとも半導体ウエーハの表面に付着した有機物を除去する工程と、有機物除去後の前記半導体ウエーハの表面に電荷を形成する工程とを有するようにした。 - 特許庁

A method of manufacturing the HVFET with one or more JFET conduction channels includes a step of successively implanting a dopant of a first conductivity type in a first epitaxial layer of a second conductivity type so as to form a first plurality of buried layers disposed at a different vertical depths.例文帳に追加

１つ以上のＪＦＥＴ伝導チャネルを有するＨＶＦＥＴの作製方法は、垂直方向に異なる深さで堆積される第１の複数の埋込層を形成すべく、第２伝導型の第１エピタキシャル層に第１伝導型のドーパントを連続的に打込む工程を備える。 - 特許庁

Since the gate electrode 11 on an element formation region comprises a lamination film of first and second silicon layers 3, 8 and a WSix film 9, and the gate electrode 11 on the isolation film 6 comprises the first silicon layer 3 and the WSix film 9, resulting in the relation h2<h1.例文帳に追加

すなわち、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１及び第２のシリコン層（３）（８）とＷＳｉｘ膜（９）の積層膜から成り、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１シリコン層（３）とＷＳｉｘ膜（９）から成るので、ｈ２＜ｈ１となる。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device has (a) a process of forming the impurity diffused layers 5, 8 on the surface of the silicon substrate 1, and (b) a process of forming a metal film 9 consisting of nickel on a second impurity diffused layer 8 in the impurity diffused layers.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）シリコン基板１表面に不純物拡散層５，８を形成する工程と、（ｂ）不純物拡散層のうち第２の不純物拡散層８上に、ニッケルからなる金属膜９を形成する工程とを備える。 - 特許庁

When the heating resistor element 30 in an element group 42 far from the electrode pad 20 is energized, the electric current is supplied thereto from a block 214 through a connection section 52 by passing through a connection section 50 and a second common electrode layer 410 from the electrode pad 20.例文帳に追加

これに対し、電極パッド２０から遠い素子群４２の発熱抵抗素子３０に通電する場合は、電極パッド２０から接続部５０介して第２共通電極層４１０を経由した後、接続部５２を介してブロック２１４から発熱抵抗素子３０に通電する。 - 特許庁

A conductive thin film 14 each is formed on a first electrode 24 connected to the wiring 18 and a second electrode 25 connected to the wiring 17, and an electron emission part 13 formed on the conductive thin film 14 is arranged on an insulating layer 51 with the barrier film 15 and the insulating film 16 laminated.例文帳に追加

配線１８に接続する第１電極２４と配線１７に接続する第２電極２５とに導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に形成された電子放出部１３が、バリア膜１５と絶縁膜１６とが積層した絶縁層５１の上に配置されている。 - 特許庁

A light-shieldable film 12 is provided on an optical film 15 such as a half-tone phase shift layer formed on one principal plane of an optically transparent substrate 11, and the light-shieldable film 12 is configured by sequentially laminating a first light-shieldable film 13 and a second light-shieldable film 14.例文帳に追加

光学的に透明な基板１１の一方主面に形成されたハーフトーン位相シフト膜などの光学膜１５上に遮光性膜１２が設けられており、この遮光性膜１２が第１の遮光性膜１３と第２の遮光性膜１４を順次積層させて構成されている。 - 特許庁

The main body 2 includes: a main part 2M including a plurality of layer portions; a plurality of first terminals 4 disposed on the top surface of the main part 2M and connected to the wiring; and a plurality of second terminals disposed on the bottom surface of the main part 2M and connected to the wiring.例文帳に追加

本体２は、複数の階層部分を含む主要部分２Ｍと、主要部分２Ｍの上面に配置されて配線に接続された複数の第１の端子４と、主要部分２Ｍの下面に配置されて配線に接続された複数の第２の端子とを有している。 - 特許庁

Semiconductor layers of p-tpe and n-type first and second thin film transistors constructed on a driving circuit section and a pixel region are formed particularly through a first mask step, and a first storage electrode comprising the semiconductor layer and an auxiliary electrode laminated with each other is formed.例文帳に追加

本発明は、特に、第１マスク工程によって、駆動回路部と画素領域に構成するｐ型及びｎ型の第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの半導体層を形成して、半導体層と補助電極が積層された第１ストレージ電極を形成する。 - 特許庁

When viewed in stacking direction of a dielectric layer 32, capacitance formation parts 48 and 51 of the first and fourth internal electrodes 42 and 45 do not overlap each other, while capacitance formation parts 49 and 50 of the second and third internal electrodes 43 and 44 do not overlap each other.例文帳に追加

誘電体層３２の積層方向で見たとき、第１および第４の内部電極４２および４５の各々の容量形成部４８および５１が重なり合わず、第２および第３の内部電極４３および４４の各々の容量形成部４９および５０が重なり合わない。 - 特許庁

Then the interconnection groove is completed by etching and removing the second insulation film 107 and the intermediate stopper film 106 using the upper groove 110 as a mask and the via hole is connected with the lower interconnection 101 by etching and removing the cap layer 104 exposing at the bottom of the via hole 112.例文帳に追加

そして、上溝１１０をマスクに第２絶縁膜１０７及び中間ストッパ膜１０６をエッチング除去して配線溝を完成すると共にビアホール１１２の底部に露出したキャップ層１０４をエッチング除去してビアホールを下層配線１０１と接続する。 - 特許庁

In the translucent electrode 170, through holes 180 are provided so that a ratio (an opening ratio) in which the surface of the p-type semiconductor layer 160 is exposed is different from a region (C) adjacent to a first-type electrode 190 and a region (A) adjacent to a second-type electrode 200.例文帳に追加

透光性電極１７０には、第１型電極１９０に近接した領域（Ｃ）と、第２型電極２００に近接した領域（Ａ）とで、ｐ型半導体層１６０の表面が露出する割合（開口率）が異なるように貫通孔１８０が設けられている。 - 特許庁

As the result, a detecting rotary part supporting the first drive mass part 29a and the second drive mass part 29b rotates in directions of (iii) and (iv) and the amount of this rotation is detected as a change in the capacitance of movable electrode parts 28 and a fixed electrode layer opposite to these parts.例文帳に追加

その結果、第１の駆動質量部２９ａと第２の駆動質量部２９ｂを支持している検出回動部が（ｉｉｉ）（ｉｖ）方向へ回動し、この回動量が可動電極部２８とこれに対向する固定電極層との静電容量の変化として検出される。 - 特許庁

Of a light shielding layer 11 formed in a light-screening row 13 between neighboring electrode pairs 12, the width W2 of a portion situated above a specific second-color phosphor 5 is set up to be smaller than the width W1(=W3) of portions situated above phosphors 6, 4 of other colors.例文帳に追加

隣り合う電極対１２間の遮光行１３に形成された遮光層１１の内で、特定の第２色蛍光体５上方に位置する部分の幅Ｗ２を、他の色の蛍光体６，４上方に位置する部分の幅Ｗ１（＝Ｗ３）よりも短く設定する。 - 特許庁

The user terminals 300 are respectively provided with a printer 302 for executing image formation and image erasure by heating to a rewritable recording medium P having a recording layer P2 presenting developing performance in accordance with the appliance of first thermal energy and presenting decolorable performance in accordance with the appliance of second thermal energy.例文帳に追加

利用者端末３００は、第１の熱エネルギーの印加により顕色性を呈して第２の熱エネルギーの印加により消色性を呈する記録層Ｐ２を有するリライタブル記録媒体Ｐに対して加熱により画像形成及び画像消去を実行するプリンタ３０２を備える。 - 特許庁

A negative electrode 112 comprises a negative electrode current collector 112a and a negative electrode active material layer 112b which is disposed at least on one surface of the negative electrode current collector 112a and which includes first active material particles and second active material particles disposed in a space between the first active material particles.例文帳に追加

負極集電体１１２ａと、該負極集電体１１２ａの少なくとも一面に配置され、第１の活物質粒子及び該第１の活物質粒子間の空隙に配置される第２の活物質粒子を有する負極活物質層１１２ｂとを備える負極１１２を含む。 - 特許庁

In an optical information recording medium equipped with an information recording layer in which information is recorded by using holography, a known pattern is recorded as a recording pattern of a specific page or block for a first reference light, and a data pattern is recorded for a second reference light.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録した情報記録層を備えた光情報記録媒体において、情報記録層には、特定のページ又はブロックの記録パターンとして、第１の参照光に対しては既知パターンが記録され、第２の参照光に対してはデータパターンが記録されている。 - 特許庁

Cell gaps are uniformized over the entire display area and the irregularity of display, etc., can be prevented by raising the bottom of the respective layers of the second light shielding area by providing the cell thickness adjustment layer and making the entire thickness as approximately equal to the entire thickness of the first light shielding area.例文帳に追加

セル厚調整層を設けて第２の遮光領域の各層を底上げし、全体の厚さを第１の遮光領域全体の厚さとほぼ等しくすることにより、表示領域全体に渡ってセルギャップが均一化され、表示ムラなどを防止することができる。 - 特許庁

When forming a lubricant layer 14 of the magnetic recording disk 1, a lubricant having the composition ratio: the first element=71.7%, the second element=15.7%, the third element=11.7%, the fourth element=0.3%, and the fifth element=0.6% is used in the perfluoro polyether compound.例文帳に追加

磁気記録ディスク１の潤滑層１４を構成する際、下式で表わすパーフルオロポリエーテル化合物において、組成比 第１成分＝７１．７％ 第２成分＝１５．７％ 第３成分＝１１．７％ 第４成分＝０．３％ 第５成分＝０．６％を有する潤滑剤を用いる。 - 特許庁

The display device comprises: an insulating substrate 100; dams 120a, 120b, 120c and a first color filter pattern formed on the insulating substrate; and a second color filter pattern which is defined by the dams and are formed on pixel regions, wherein the dams and the first color filter pattern are located on the same layer.例文帳に追加

表示装置は、絶縁基板１００、絶縁基板上に形成されたダム１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃおよび第１カラーフィルタパターン、およびダムによって区切られて画素領域に形成された第２カラーフィルタパターンを含み、ダムおよび第１カラーフィルタパターンは、同一層に位置する。 - 特許庁

A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の上に第１メサ部２ａおよび第２メサ部２ｂを形成し、開口部１３，１４を有するレジストパターン１５を形成し、レジストパターン１５をマスクとして半導体層２を所定の深さまでエッチングし、リセス１６とアライメントマーク用凹部１７を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display wherein display is performed so that first and second images on a common display screen can be visually confirmed from respectively different directions is characterized in that an anti-glare layer (122) is provided on the front surface side of a liquid crystal panel (110).例文帳に追加

本発明は、共通の表示画面上の第１の画像および第２の画像をそれぞれ異なる方向から視認できるように表示する液晶表示装置において、液晶パネル（１１０）の表面側にアンチグレア層（１２２）を具備することを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁

A second electrode segment (E2) is arranged on a first substrate so as to be electrically separated from a first electrode segment (E1) and to practically surround it, and a first alignment layer having a plurality of partitioned first alignment regions is formed on the first transparent electrode.例文帳に追加

第１の基板上には、第２電極セグメント（Ｅ２）が電気的に分離されて第１電極セグメント（Ｅ１）を実質的に囲むように配置され、この第１の透明電極上には、区画された複数の第１の配向領域を有する第１の配向膜が形成されている。 - 特許庁

This plasma display device comprises a first panel 10 with a plurality of pairs of discharge sustaining electrodes 12, and a dielectric layer 14 to cover the discharge sustaining electrodes 12 formed inside thereof, and a second panel 20 which is adhered to the inside of the first panel 10 so as to form a discharge space 4.例文帳に追加

複数対の放電維持電極１２と、放電維持電極１２を覆う誘電体層１４とが内側に形成された第１パネル１０と、第１パネル１０の内側に放電空間４が形成されるように張り合わされる第２パネル２０とを有するプラズマ表示装置である。 - 特許庁

By the above, as the complex body with a regulated relation between the sputtering resistant property and the electron emission property is adopted, and the second layer is made to serve as the main discharging surface, the discharge electrode hardly exfoliates and scatters compared with an emitter sintered on a base body.例文帳に追加

上記より、２層間の耐スパッタリング性能と電子放射性能の関係が規定された複合体を放電電極に採用し、第２の層を主な放電面とするから、その構成上、基体に焼結定着したエミッタに比べて剥離や飛散しがたい放電電極となる。 - 特許庁

To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁

At least, part of the substrate's surface has multiple undulations extending in one direction, and the epitaxial growth at and after the second time is performed after forming multiple undulations extending in one direction onto at least part of the surface of a compound single crystal layer formed immediately before.例文帳に追加

前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつ2回目以降のエピタキシャル成長は、直前に形成された化合物単結晶層の表面の少なくとも一部に一方向に延在する複数の起伏を形成した後に行う。 - 特許庁

Each light emitting element U comprises a light emitter 20 composed by the lamination of a plurality of functional layers including a light emitting layer 23 which emits light when a current is applied, and a first wiring 11 (a positive pole) and a second wiring 12 (a negative pole) which face each other while sandwiching the light emitter 20.例文帳に追加

各発光素子Ｕは、電流の供給により発光する発光層２３を含む複数の機能層を積層してなる発光体２０と、当該発光体２０を挟んで相互に対向する第１配線１１（陽極）および第２配線１２（陰極）とを備える。 - 特許庁