「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(405ページ目) - Weblio英語例文検索

On the substrate face 23b of the transparent substrate main body 23 constituting a backlight 13, a first electrode 26, an organic EL layer 25, and the second electrode 27 are laminated toward the opposite side of a liquid crystal panel 12 from the transparent substrate main body 23 side in this order.例文帳に追加

バックライト１３を構成する透明基板本体２３の基板面２３ｂ上において、第１電極２６、有機ＥＬ層２５、及び、第２電極２７は、同順に透明基板本体２３側から液晶パネル１２と反対側に向かって積層されている。 - 特許庁

Protection layers 5, 13 composed of a compound of alkali metal (either of Li, Na, K, Rb, Cs) and halogen (either of F, Cl, Br, I) or alkali metal oxide are provided on the surfaces of a first plate and a second plate at least provided with a phosphor layer 10.例文帳に追加

第一プレートおよび少なくとも蛍光体層１０が設けられた第二プレート表面にアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのいずれか）とハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれか）の化合物あるいはアルカリ金属酸化物からなる保護層５、１３を設ける。 - 特許庁

The second layer preferably contains an IR absorbent under conditions of not causing ablation, e.g. the condition of an optical density of ≤1.0 and the formation of covalent bonds under the action of light or heat is preferably carried out by a crosslinking reaction.例文帳に追加

この第２の層には、アブレーションを起こさない条件、例えば、光学濃度１．０以下の条件で赤外線吸収剤を含有することが好ましく、光又は熱の作用による共有結合の形成は、架橋反応によるものであることが好ましい。 - 特許庁

In this case, a relay electrode pad RP connected to the coupling electrode pad P of a first chip 12 by a relay wiring 23 is further provided on the pad formation surface of the first chip 12 as a lower surface in such a way that the pad RP is exposed on a second chip 16 as an upper layer.例文帳に追加

このとき、下層になる第１チップ１２のパッド形成面には、中継配線２３によりその連結電極パッドＰと接続された中継電極パッドＲＰが、上層になる第２チップ１６に露出されるかたちでさらに備えられる。 - 特許庁

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

This semiconductor light-emitting element includes: a light-emitting structure having a plurality of compound semiconductor layers each having a rounded side surface on the outer side; a first electrode part disposed on the light-emitting structure; and a second electrode layer disposed under the light-emitting structure.例文帳に追加

本発明に従う半導体発光素子は、外側にラウンドされた側面を持つ複数の化合物半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に第１電極部と、上記発光構造物の下に第２電極層と、を含む。 - 特許庁

Also, this device is provided with an actuator 15 for a focus servo for moving the objective lens 13 to the direction of the optical axis 13a for allowing the objective lens 13 to converge the first light beam (a) and the second beam b in a prescribed size on the recording layer.例文帳に追加

対物レンズ１３に対しては、第１の光ビームａ及び第２の光ビームｂを記録層上で所定の大きさに焦合させるために、対物レンズ１３をその光軸１３ａ方向に移動させるフォーカスサーボ用アクチュエータ１５が設けられている。 - 特許庁

As the lower step switch 3 below the cover can not be used thereby when the cover 5 is not opened, the lower step switch is prevented from outputting carelessly and it is possible to arrange a number of the first and the second switches 3 and 6 being a two layer structure above and below the cover 5.例文帳に追加

これにより、カバー５を開けないとカバー５下部の下段スイッチ３が使用できないため下段スイッチ３の不用意な出力を防止できるとともに、カバー５の上下に二層構造で第１，第２のスイッチ３，６を多数配置することが可能となる。 - 特許庁

In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.例文帳に追加

該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁

This ceramics member is provided with substrate wherein first ceramics material is used as the main component, and a covering layer which covers the surface of the substrate which surface faces the inside of the reaction vessel and in which second ceramics material whose plasma etch-proof property is higher than that of the first ceramics material is made the main component.例文帳に追加

第１のセラミックス材を主成分とする基材と、基材の反応容器内に面した表面を被覆し、第１のセラミックス材より耐プラズマエッチング性が高い第２のセラミックス材を主成分とする被覆層とを有するセラミックス部材である。 - 特許庁

Assuming that a dimension in a direction perpendicular to a direction along which the first terminal region 16a and the second terminal region 16b are laid is a width, when viewed from above, a width of at least a part of the first silicon film 12c is larger than a width of the first metal silicide layer 15c.例文帳に追加

平面視において、第１の端子領域１６ａと第２の端子領域１６ｂとが並ぶ方向に垂直な方向の寸法を幅とするとき、第１のシリコン膜１２ｃの少なくとも一部の幅は、第１の金属シリサイド層１５ｃの幅よりも大きい。 - 特許庁

The first conductive wire 2a is arranged at the shaft center of the cable as the core wire, and the second to the seventh conductive wires 2b to 2g are arranged in parallel on the outer periphery of the first conductive wire 2a so as to surround the first conductive wire 2a as the outer layer wire.例文帳に追加

第１の導電線２ａは芯線としてケーブルの軸心に配置され、第２〜第７の導電線２ｂ〜２ｇは外層線として前記第１の導電線２ａを囲むように該第１の導電線２ａの外周に並列に配置されている。 - 特許庁

Current C injected from the p-side electrode 21 enters the n-type cladding layer 12 after lowering to the flat section 32 along the first level difference section 31, and flows toward the n-side electrode 22 laterally; and the path of the current C is separated from the second level difference section 33.例文帳に追加

ｐ側電極２１から注入された電流Ｃは、第１段差部３１に沿って平坦部３２まで下降してｎ型クラッド層１２に入ったのち、横方向にｎ側電極２２に向かって流れ、電流Ｃの経路が第２段差部３３から遠ざかる。 - 特許庁

The common mode choke coil 1 has a rectangular parallelepiped-like outer shape as a whole by forming an insulating layer 60, first/second helical coils 11, 12, and a closed magnetic circuit 141 on a silicon substrate 51, which is formed of single-crystal silicon, with a thin-film formation technique.例文帳に追加

コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。 - 特許庁

As shown by a manufacturing step chart in fig. 2 (b) to fig. 2 (h), a large difference does hot occur at the boundary of a semiconductor layer 4 and the second undercoat insulation film 3, and since step coverage is excellent, a gate leak current is not generated in a thin film transistor thus obtained.例文帳に追加

このため、図２（ｂ）〜（ｈ）の製造工程図に示す通り、半導体層４と第二アンダーコート絶縁膜３との境界部分において大きな段差が生じず、ステップカバレージが良好であるため、得られた薄膜トランジスタはゲートリーク電流を生じない。 - 特許庁

In such a design, the one or more second magnetic layers are antiparallel to the one or more first magnetic layers so that a zero total net magnetic moment is present for the multi-layer magnetic structure when current is removed from the write head pole.例文帳に追加

このような設計では、１つ以上の第２の磁性層は、電流が書き込みヘッド磁極から取り除かれるときに多層磁気構造についてゼロの合計の正味磁気モーメントが存在するように、１つ以上の第１の磁性層に対し反平行である。 - 特許庁

The plurality of plate materials are configured so that, out of two side plates 6c, 7a facing each other while sandwiching the outermost layer of the electrode group 2, one side plate 6c is included in a first plate material 6, and the other side plate 7a is included in a second plate material 7.例文帳に追加

電極群２の最外層を間に挟んで対向する二側板６ｃ，７ａのうち、一方の側板６ｃが第１の板材６に含まれ、かつ他方の側板７ａが第２の板材７に含まれるように複数の板材が構成されている。 - 特許庁

Iodine ^129I is stored in the first target 2, neptunium ^237 Np, americium ^241Am, and curium ^245Cm are stored in the second target 3, iodine ^129I, technetium ^99Tc, and cesium ^135Cs are stored in the third target 5, and the moderate layer 4 is filled with water.例文帳に追加

第一ターゲット２にはヨウ素^１２９Ｉを、第二ターゲット３にはネプツニウム^２３７Ｎｐ、アメリシウム^２４１Ａｍ、及びキュリウム^２４５Ｃｍを、第三ターゲット５にはヨウ素^１２９Ｉ、テクネチウム^９９Ｔｃ、及びセシウム^１３５Ｃｓをそれぞれ収納し、モデレート層４には水を満たす。 - 特許庁

This image sensor is provided with a first conductive semiconductor substrate where a trench is formed in a predetermined region, a second conductive impurity region formed in a semiconductor substrate at the lower part of a trench bottom face, and a first conductive epitaxial layer embedded in the trench.例文帳に追加

所定領域にトレンチが形成された第１の導電型の半導体基板と、トレンチ底面の下部の前記半導体基板内に形成された第２の導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれた第１の導電型のエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

An optical module 30 uses a multilayered substrate for a module substrate 33 with a capacitor 35 mounted in a hole 91 on the substrate for filtering out the noise, and the capacitor is connected in between a power line 73 and a ground line 82 formed in a second conductive layer m2.例文帳に追加

光モジュール３０は、モジュール基板３３として多層基板を用い、この基板に設けた孔９１内にノイズ除去用のコンデンサ３５を配置し、このコンデンサを第２の導体層ｍ２に形成した電源ライン７３とグランドライン８２との間に接続している。 - 特許庁

Then the parts of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b are etched by RIE similarly to the above-mentioned method using a part of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as masks to form a magnetic part 100.例文帳に追加

続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ(1) とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁

This optical packaging substrate is constituted by forming a substrate layer disposed with a first integrated circuit having light emitting sections from which signal light is emitted and light receiving sections from which the signal light is received by separating at least one second integrated circuits from each other.例文帳に追加

信号光が発光される発光部を備えた第１の集積回路と、前記信号光が受光される受光部を備えた少なくとも１つの第２の集積回路とを互いに離間して配設した基板層を形成してなる光実装基板である。 - 特許庁

An organic dye is held in a film hole of an anodic oxidation film 3, and the surface of the aluminum-based member 2 is uniformly colored to form a first colored layer 42, and thereafter, a second organic dye is diagonally sprayed to color a part of the surface of the aluminum-based member 2.例文帳に追加

陽極酸化皮膜３の皮膜孔に有機染料を保持させ、アルミニウム系部材２の表面を均一に着色して第１の着色層４２を形成した後、第２の有機染料を斜めに吹き付け、アルミニウム系部材２の表面の一部を着色する。 - 特許庁

Next, a portion of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b is etched by the similar RIE by using a portion of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as a mask to form a magnetic pole part 100.例文帳に追加

続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ（１） とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁

The air cleaner 10 itself is composed of a foam body such as foam urethane, and is formed into a two-layer structure for covering a side surface part 13 and an upper surface part 12 of a substantially truncated cone-shaped first foam body 15 for forming the hollow part 14 with a second foam body 16.例文帳に追加

エアクリーナ１０自体は、発泡ウレタンなどの発泡体から構成されており、中空部１４を形成する略円錐台形の第一発泡体１５の側面部１３と上面部１２を第二発泡体１６が覆う二層構造となっている。 - 特許庁

A half-wave retardation film 30 consisting of a uniaxially stretched single-layer polycarbonate film is joined with a photosetting adhesive 4 between the inclined end face 11 of the first light transmitting base material 10 and the inclined end face 21 of the second light transmitting base material 20.例文帳に追加

第１の透光性基材１０の傾斜端面１１と第２の透光性基材２０の傾斜端面２１との間には、一軸延伸された単層のポリカーボネートフィルムからなるλ／２位相差フィルム３０が光硬化性の接着剤４で接合されている。 - 特許庁

The organic EL panel 100 has an organic EL element 2 to become a picture element formed in a matrix form on a first transparent substrate 1, a second transparent substrate 3 is arranged on an organic light-emitting film of this organic EL element 2, and these are adhered by an adhesive layer 4.例文帳に追加

この有機ＥＬパネル１００は、第一透明基板１上に画素となる有機ＥＬ素子２をマトリックス状に成膜し、この有機ＥＬ素子２の有機発光膜上に第二透明基板３を配置し、これらを接着層４により固着した構造である。 - 特許庁

A mask 10 having a machining pattern for a laser machining is formed of a mask member layer 12 made of a metallic material having the machining pattern and a first and a second base plate members 11 and 13, composed of a laser beam transmissible material, which clamp the mask member layers on the upper and lower faces.例文帳に追加

レーザ加工用の加工パターンを持つマスク１０を、前記加工パターンを持つ金属材料によるマスク部材層１２と、該マスク部材層を上下両面から挟んでいるレーザ光の透過材料より成る第１、第２の基板部材１１、１３とで形成した。 - 特許庁

After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 by photolithography and dry- etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD apparatus.例文帳に追加

フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。 - 特許庁

The main fluorescent dichroic dye for the objective emission color is added to the liquid crystal layer to be sealed between a first substrate and a second substrate, and further an auxiliary fluorescent dichroic dye functioning as a sensitizer to emit light at the absorption wavelength of the main fluorescent dichroic dye is added.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶層に、目的の発光色の主蛍光二色性色素を添加し、さらに、主蛍光二色性色素の吸収波長の光を発光する増感剤となる副蛍光二色性色素を添加する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a conductive pattern forming substrate, a laser beam L of extremely short pulses with the pulse width being less than 1p second is irradiated in a given pattern on a transparent conductive layer A_1, made of an organic conductor formed on at least one surface of a transparent base material A_2.例文帳に追加

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、透明基材Ａ_２の少なくとも一方の面に形成された有機導電体製の透明導電層Ａ_１に、パルス幅１ｐ秒未満の極短パルスのレーザ光Ｌを所定のパターンで照射する。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加

半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁

In the middle of the intake stroke, an exhaust valve solenoid driving device 39a opens and closes an exhaust valve 39, and thereby, another part of the mixed gas Gm is mixed with an external EGR gas Go flowing backward in the combustion chamber 25, and a second temperature layer Gmo is formed.例文帳に追加

これとともに、吸気行程中期にて排気弁電磁駆動装置３９ａが排気弁３９を開閉させることにより、混合ガスGmの他の一部を逆流してくる外部ＥＧＲガスGoと燃焼室２５内において混合して第２温度層Gmoを形成する。 - 特許庁

A second information display part 5 where the name of a publisher, a pattern for design and the like are printed by offset printing or the like is provided on the surface of a medium base material 1 so as not to overlap with the first information display part 4 constituted by a leuco dye layer 2.例文帳に追加

メディア基材１の表面には、ロイコ染料層２により構成される第１の情報表示部４に対してオフセット印刷等により発行元名や、デザイン用の絵柄などを印刷している第２の情報表示部５と重ならないように設けてある。 - 特許庁

In addition, a part of the inner wall face of the cavity 11 is constituted, and first, second and third heat transmission bodies 17, 18, 19 whose ends 17D, 18D, 19D come into contact with the die attach layer 15 and in which the other ends 17U, 18U, 19U extend up to a substrate main face 2 are provided.例文帳に追加

また、キャビティ１１の内壁面の一部を構成し、一方の端部１７Ｄ，１８Ｄ，１９Ｄがダイアタッチ層１５に接触し、他方の端部１７Ｕ，１８Ｕ，１９Ｕが基板主面２まで延びる第１，第２，第３伝熱体１７，１８，１９を備える。 - 特許庁

The manufacturing method includes spraying Si particles having the average particle diameter of 0.3-25 μm onto the surface of a member made from aluminum (containing an alloy thereof) at a particle speed of 200 m/second or more with a cold spray method to form the layer of the soldering material having an Si-particle deposition amount of 0.4-12 g/m^2.例文帳に追加

アルミニウム（その合金を含む）からなる部材表面に、コールドスプレー法によって平均粒径０．３〜２５μｍのＳｉ粒子を２００ｍ／秒以上の粒子速度で吹き付けてＳｉ粒子付着量０．４〜１２ｇ／ｍ^2のろう材層を形成する。 - 特許庁

A uniform heating layer is formed between the first EL light-emitting part and the second EL light-emitting part, and since heat caused by light emission of one EL light-emitting part reduces the change with the passage of time in light emission of the other EL light-emitting part, occurrence of light emission unevenness is suppressed.例文帳に追加

第１のＥＬ発光部と第２のＥＬ発光部との間に均熱層を形成し、一方のＥＬ発光部の発光による熱が他方のＥＬ発光部の発光における経時的な変化を低減させて、発光むらが発生することを抑制した。 - 特許庁

In the imaging semiconductor device, an image cell is formed on the surface of a semiconductor layer 53, and the image cell is provided with a photodiode PD constituted of an n-type region 54 and a p-type region 55, and a second transistor for amplifying photodetection signals output from the photodiode PD.例文帳に追加

半導体層５３の表面に画像セルが形成され、画像セルはＮ型領域５４及びＰ型領域５５により構成されたフォト・ダイオードＰＤと、フォト・ダイオードＰＤから出力される光検出信号を増幅する第２トランジスタを有している。 - 特許庁

The consistency of the coating liquid forming the receiving layer has a viscosity in second measured by a Zahn cup (Rigo Co., Ltd., No.4) of less than 10 seconds in both conditions when the coating liquid is adjusted and produced and after 30 minutes stirring from the time of production.例文帳に追加

該受容層を形成するための塗工液において、該塗工液の粘度が、塗工液を調整して作製した時及び作製時から３０分間攪拌後の条件で、ザーンカップ（離合社、Ｎｏ．４）により測定した粘度秒数が、両者とも１０秒以下である。 - 特許庁

In the first and second configurations, the reflective section is formed by using a portion corresponding to the auxiliary capacitor section formed at the bottom end of a pixel region and the buffer layer corresponding to the reflection section is formed to a stripe shape extending to one direction when viewed from the entire part of the substrate.例文帳に追加

上記第1及び第2構成で、上記反射部は画素領域の下端に構成された補助容量部に対応する部分を使用し、上記反射部に対応するバッファ層は基板の全体から見た時一方向に延びたストライプ形状に構成される。 - 特許庁

Moreover, contact plug 10 for connecting the second electrodes 8 to upper-layer metallic wiring 14a are buried in areas surrounded by the sidewalls 9 and a metal silicide 12 and metal nitride films 13 are formed at the connections between the contact plugs 10 and metallic wiring 14a.例文帳に追加

また、第二電極８と上層の金属配線１４ａとを接続するためのコンタクトプラグ１０をサイドウォール９で囲まれる領域に埋め込み、コンタクトプラグ１０と金属配線１４ａとの接続部に、金属シリサイド１２と窒化金属膜１３とを形成する。 - 特許庁

To enable to make it unnecessary to form a second protection membrane on a surface of a protection layer, to make an aging process unnecessary, and to largely shorten time necessary for aging.例文帳に追加

保護層の表面に第２保護膜を形成する必要がなく、しかも、エージング工程を不要にすることができる、ないしエージングに要する時間を大幅に短縮することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法およびそれによって得られたプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

In addition, a counter electrode 6 is provided on the organic EL layer 5, the auxiliary electrode 3 is connected to one power supply through a first electrode extracting terminal 7, and the end part of the counter electrode 6 is connected to the other power supply as a second electrode extracting terminal.例文帳に追加

更に、有機ＥＬ層５上に対向電極６が設けられ、補助電極３は第１の電極取り出し端子７を通して一電源に接続し、対向電極６の端部が第２の電極取り出し端子として他電源につながるようになる。 - 特許庁

The third wiring layer includes a fifth wiring 17a located in the upper part of the first element region 1a, and a sixth wiring 17b located in the upper part of the second element region 1b and electrically connected to the third wiring 11b via the conductive pattern 14b for connection.例文帳に追加

第３配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第５配線１７ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて接続用導電パターン１４ｂを介して第３配線１１ｂに電気的に接続する第６配線１７ｂを具備する。 - 特許庁

When the thickness of the upper clad layer of a first actual refractive index-guiding type laser section is controlled to a prescribed value, the surface of the laser section can be planarized sufficiently and a second laser section having good crystallinity can be laminated upon the planarized surface.例文帳に追加

実屈折率ガイド型の第１のレーザ部の上側クラッド層の層厚を所定の厚みとすることにより、第１のレーザ部の表面を十分に平坦化することが可能となり、その上に結晶性の良好な第２のレーザ部を積層することができる。 - 特許庁