「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(402ページ目) - Weblio英語例文検索

The linear structure bodies are arranged in parallel to each other so that they are electrically insulated from each other through a first insulation line, and a second linear conductor intersects the linear structure bodies, and are brought into electrical contact with the luminous layer structure at intersecting points arranged in matrix, and the linear conductors are electrically insulated from each other through a second insulation part.例文帳に追加

この線状構造体は、互いに電気的に第１の絶縁線で絶縁され、第２の導電体が線状構造体に対して交差するように互いに並列して配置され、マトリックス状に配置された交差位置において前記発光層構造に電気的に接触され、この線状の導電体は、互いに第２の絶縁部によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The second electrode is a platy conductive base material with at least a part covered by a nonconductive film 25, and the first electrode is in a linear shape and is composed of a first wire rod 11 having at least conductivity and a porous oxide semiconductor layer 12 arranged on an outer periphery of the first wire rod and carrying a colorant, and moreover is arranged so as to encircle the outer side of the second electrode.例文帳に追加

第二電極は、少なくとも一部が非導電性の膜２５で覆われた板状の導電性基材であり、第一電極は、線状をなし、少なくとも導電性を有する第一線材１１と、該第一線材の外周に配され色素を担持した多孔質酸化物半導体層１２とから構成され、かつ、第二電極の外側を巡るように配される。 - 特許庁

The semiconductor photodetector SP includes: a silicon substrate 21 that includes a first conductivity type semiconductor and has first and second main surfaces 21a, 21b opposing to each other and a second conductivity type semiconductor layer 23 formed at the side of the first main surface 21a; and a charge transfer electrode 25 that is provided on the first main surface 21a and transfers generated charges.例文帳に追加

半導体光検出素子ＳＰは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面２１ａ及び第２主面２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備えている。 - 特許庁

Such a difference in the radiopacity is caused by the followings: the helical pitch of the coil 6 in the second radiopaque region 72 is smaller than that in the first radiopaque region; and the content of the contrast medium in the coating layer 5 in the second radiopaque region 72 is less than that in the first radiopaque region 71.例文帳に追加

このような造影性の差は、第２の造影領域７２におけるコイル６の螺旋のピッチが第１の造影領域におけるコイル６の螺旋のピッチよりも小さく、かつ、第２の造影領域７２における被覆層５中の造影剤の含有量が第１の造影領域７１における被覆層５中の造影剤の含有量よりも少ないことによりなされている。 - 特許庁

To avoid the discharge breakdown of a first and second stripe electrodes caused when a DC voltage is applied for recording a radiation image in a solid state radiation detector, in which an electrode layer, to which an electromagnetic wave for retrieval is radiated, is formed by alternately arranging the first stripe electrode for transmitting the electromagnetic wave for retrieval and the second stripe electrode for shielding the same.例文帳に追加

読取用の電磁波が照射される電極層が読取用の電磁波を透過する第１ストライプ電極と読取用の電磁波を遮断する第２ストライプ電極とが交互に配列されてなる放射線固体検出器において、放射線画像の記録の際、直流電圧印加による第１ストライプ電極および第２ストライプ電極の放電破壊を回避する。 - 特許庁

The display device 100 has a plurality of first electrodes 11, a plurality of pixel electrodes 14 electrically connected respectively to at least one of the plurality of first electrodes via at least a bidirectional dual electrode element 12, a plurality of second electrodes 17, a display medium layer provided between the plurality of pixel electrodes 14 and the plurality of second electrodes 17.例文帳に追加

表示装置１００は、複数の第１電極１１と、それぞれが複数の第１電極のいずれか１つに少なくとも１つの双方向二端子素子１２を介して電気的に接続された複数の画素電極１４と、複数の第２電極１７と、複数の画素電極１４と複数の第２電極１７との間に設けられた表示媒体層とを有する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is constructed by arranging a first substrate with an Al reflection pixel electrode 12 formed thereon and a transparent second substrate with an ITO counter transparent electrode 9 formed thereon so as to place the reflection pixel electrode 12 and the counter transparent electrode 9 opposite to each other, and injecting a liquid crystal layer 8 in a gap between the first and second substrates.例文帳に追加

Ａｌ反射画素電極１２を形成してなる第１の基板と、ＩＴＯ対向透明電極９を形成してなる透明な第２の基板とを、反射画素電極１２と前記対向透明電極９とが対向するように配置し、これら第１の基板と第２の基板との間隙に液晶層８を注入してなる反射型液晶表示装置。 - 特許庁

The cathode has a cathode active material composition containing a conductive agent, a binder, and a cathode active material formed on one surface of a current collector, and the cathode active material contains a first lithium compound with the open potential of 3V or higher and a second lithium compound with potential smaller than 3V based on a lithium metal, and the second lithium compound includes a metal oxide coating layer.例文帳に追加

導電剤、バインダー及びカソード活物質を含むカソード活物質組成物が集電体の一面上に形成され、カソード活物質がリチウム金属を基準に、開放電位が３Ｖ以上である第１リチウム化合物と、３Ｖ未満である第２リチウム化合物とを含有し、第２リチウム化合物が金属酸化物コーティング層を含むことを特徴とするカソード。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device 1 constituted by joining the second substrate 200 to the first substrate 100 having the element region 110 to seal the element region 110 includes feeding electricity to a heating metal layer 150 when the first substrate 100 and second substrate 200 are joined together with a substrate joining member 160 interposed.例文帳に追加

素子領域１１０を有する第１基板１００に、前記素子領域１１０を封止するために、第２基板２００を接合してなる半導体装置１を製造する方法であって、第１基板１００と第２基板２００とを基板接合部材１６０を介して接合させる際に、加熱金属層１５０に通電させることを特徴とする半導体装置１の製造方法。 - 特許庁

Infrared rays emitted from an inner lid 4 are detected by an infrared sensor 8, it is provided with a sensor base material 20, a first thermal element 22, a second thermal element 23 and an infrared reflecting layer 25 for reflecting the infrared rays facing the second thermal element 23, and the infrared sensor 8 of the configuration is arranged inside a lid equipped with the inner lid 4.例文帳に追加

赤外線センサ８で内蓋４より放射される赤外線を検出するようにし、これはセンサ基材２０と、第１の感熱素子２２と、第２の感熱素子２３と、第２の感熱素子２３に相対して赤外線を反射する赤外線反射層２５とを有するとともに、これら構成の赤外線センサ８を、内蓋４を装備した蓋内に配置したものである。 - 特許庁

The laminate type dielectric filter comprises a strip line resonator L1 comprising a dielectric 2 composed of a plurality of dielectric layers; at least first and second mutually opposed strip line conductor layers 13, 16 embedded in the dielectric 2; ground conductor layers 22, 25 opposite to the first and second stripline conductor layers 13, 16; and an input/output conductor layer 28.例文帳に追加

積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層から成る誘導体２と該誘導体２に埋設され且つ互いに対向配置された少なくとも第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６と第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６に対向配置されたグランド導体層２２，２５と入出力導体層２８とから成るストリップライン共振器Ｌ１を具備している。 - 特許庁

If a first thin and small electrode 41aa and a second thin and small electrode 42aa which are electrically short-circuited via a pin hole P of a highly dielectric material layer 43 are present, the first electrode 41aa has no power supply post 61a nor via hole 61b formed, and the second electrode 42aa has no ground post 62a nor via hole 62b formed.例文帳に追加

高誘電体層４３のピンホールＰを介して電気的に短絡している第１薄膜小電極４１ａａと第２薄膜小電極４２ａａが存在している場合、第１薄膜小電極４１ａａには電源用ポスト６１ａやバイアホール６１ｂが形成されておらず、第２薄膜小電極４２ａａにもグランド用ポスト６２ａやバイアホール６２ｂが形成されていない。 - 特許庁

The capacitor type storage includes: a first conductive passage 21 and a second conductive passage 22 which are in parallel to each other; and a mixed layer 30 which is provided on the upper surface of the first conductive passage 21 and the upper surface of the second conductive passage 22 while having an insulating first substrate, a first conductive powder or first semiconductor powder dispersed in the first substrate.例文帳に追加

本発明にかかるキャパシタ型蓄電池は、互いに平行である第１導電路２１及び第２導電路２２と、第１導電路２１の上面及び第２導電路２２の上面それぞれに設けられ、絶縁性の第１基材と、第１基材中に分散された第１導電粉体または第１半導体粉体とを有する混合層３０とを備える。 - 特許庁

In the device chip 100C of the light emitting device 100, the base semiconductor layer 1 of light absorptivity has a body 1m where the inner face of the notch 1j is formed and a brim-like part 1g integrated with a second main surface side end of the body 1m.例文帳に追加

発光素子１００の素子チップ１００Ｃにおいて、光吸収性のベース半導体層１が、切り欠き部１ｊの内側面を形成する本体部１ｍと、該本体部１ｍの第二主表面側端部に一体化された鍔状部１ｇとを有する。 - 特許庁

The protection layer 102 is provided with a first protection film 106 formed by a plasma CVD method without damaging the organic element 101, and a highly adhesive high-density second protection film 107 formed on the first protection film 106 by a sputtering method.例文帳に追加

保護層１０２は、プラズマＣＶＤ法によって有機素子１０１にダメージを与えることなく成膜された第１の保護膜１０６と、第１の保護膜１０６上にスパッタリング法によって成膜された密着性が高く高密度な第２の保護膜１０７を有する。 - 特許庁

To enhance environmental durability of a composite optical element including a third optical element composed of a resin layer between a first optical element and a second optical element and a shading member for suppressing generation of flare generated at an end of the third optical element.例文帳に追加

第１の光学要素と第２の光学要素の間に樹脂層からなる第３光学要素を備え、かつ、第３の光学素子の端部において発生するフレアの発生を抑える遮光部材を備えた複合光学素子の環境耐久性を高める。 - 特許庁

A p-side electrode 24 is formed on slopes 26 and 28 of the upper clad layer 22 parallel to the first and second slopes 12 and 14 of the GaAs substrate 16, while an n-side electrode 30 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 16.例文帳に追加

ｐ側電極２４が、ＧａＡｓ基板１６の第１の傾斜面１２及び第２の傾斜面１４に平行な上クラッド層２２の傾斜面２６及び傾斜面２８上に、また、ｎ側電極３０がＧａＡｓ基板１６に裏面に、それぞれ、形成されている。 - 特許庁

At least one part of the data pads PD23 to PD0 is set into dual-purpose pads PD23, PD22 and first and second signals DP, DM constituting the differential signal are inputted to a receiver circuit 214 of the physical layer circuit via the dual-purpose pads PD23, PD22.例文帳に追加

データパッドＰＤ２３〜ＰＤ０の少なくとも一部が兼用パッドＰＤ２３、ＰＤ２２に設定され、差動信号を構成する第１、第２の信号ＤＰ、ＤＭが、兼用パッドＰＤ２３、ＰＤ２２を介して物理層回路のレシーバ回路２１４に入力される。 - 特許庁

After crystallization of the oxidized conductive film 26 through heat treatment, the oxidized conductive film 26 is reduced when forming the initial layer 27A of the ferroelectric film 27, thereby forming a second conductive film 26A, whose crystal grain is small and the orientation of the same is regulated.例文帳に追加

酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。 - 特許庁

In the second step, a light L2 with different transmission is used as a predetermined light L to control the distribution of light intensity, and a micro irregular structure 3a decided beforehand by device designing is precisely formed on a boundary surface from the one surface of the transparent substrate 2 in the semiconductor layer 3.例文帳に追加

第２工程は、所定の光Ｌとして、異なる透過率の光Ｌ２を用いて光の強度分布を制御して、半導体層３の透明基板２の一面との界面に予めデバイス設計にて決めた微細凹凸構造３ａを精度良く形成する。 - 特許庁

As a result, if a foreign material 300 is contained in the organic light emitting layer 240 of that pixel, the second electrode 250 is separated into a contact region 250a with the foreign material 300 and a region 250b which is contacted with neither that region 250a nor the foreign material 300.例文帳に追加

その結果、その画素の有機発光層２４０に異物３００が含まれていたら、第２電極２５０を、異物３００との接触領域２５０ａと、その領域２５０ａ及び異物３００１の双方に接触していない領域２５０ｂとに分離する。 - 特許庁

The second layer 11 is positioned on the side coming into contact with the cathode pellets.例文帳に追加

カソードペレット１３を挿入するカップ１０を、第一層１２がニッケル・クロム合金、第二層１１がニッケル・マグネシウム合金、ニッケル・マグネシウム・シリコン合金、ニッケル・マグネシウム・タングステン合金、ニッケル・マグネシウム・シリコン・タングステン合金のいずれかである二層の金属板で形成し、第二層１１がカソードペレットと接する側とする。 - 特許庁

The undercoat layer 26 is formed of a member having an adhesive feature with an electrode such as the first and second gate electrodes 34 and 41 higher than an adhesive feature between the electrode and the substrate body when forming the electrode on the one surface of the substrate body 25 by the coating method.例文帳に追加

下地層２６は、第１および第２ゲート電極３４，４１などの電極との接着性が、基板本体２５の一表面上に塗布法で電極を形成した場合の電極と基板本体との接着性よりも高い部材によって形成される。 - 特許庁

The electrolyte 30 is contained in spaces/a space of the porous oxide semiconductor layer 12 and/or the nonconductive film 25, and the second electrode 20 has a structure for exposing the plate-like nonconductive base material 22, in an angled part which is wound with the first electrode 10.例文帳に追加

電解質３０は、多孔質酸化物半導体層１２及び／又は非導電性の膜２５の空間部に含まれており、第二電極２０は、第一電極１０を巻き付ける角部において板状の非導電性基材２２を露出させている構造を有する。 - 特許庁

The composition contains a mixed solvent containing a first organic solvent A having a surface tension of 37 mN/m or more and a second organic solvent B having a surface tension less than 32 mN/m, and a material for forming the liquid crystal alignment layer dissolved in the mixed solvent.例文帳に追加

表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、この混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁

A detection part 8 consisting of a second conductivity type impurity area to which signal charges accumulated in a charge accumulation area are transferred is provided, corresponding to the charge storage area 7, in the semiconductor layer 1 while spaced apart from the charge storage area 7.例文帳に追加

電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。 - 特許庁

A light-transmitting organic EL display body 5 is formed by stacking a first electrode 5b made of a transparent conductive material, an organic EL luminescent layer 5c, and a second electrode 5e made of a transparent conductive material, in this order, on a transparent substrate 5a, such as, glass substrate.例文帳に追加

光透過型有機ＥＬ表示体５は、ガラス基板等の透明基板５ａ上に、透明な導電性素材による第１電極５ｂ、有機ＥＬ発光層５ｃ、透明な導電性素材による第２電極５ｅが順に積層されて形成される。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 which has a connection electrode 2 and is provided with a first metal film 4 and a second metal film 5, and an electrical connection projection 10 on the connection electrode 2 is provided with a metal protection layer 6 adjacently to an outer circumferential part of the electric connection projection 10.例文帳に追加

接続用電極２を有し、接続用電極２の上に第１金属膜４と第２金属膜５と電気接続突起１０を設けた半導体基板１において、電気接続突起１０の外周部に隣接するように、金属保護層６を設ける。 - 特許庁

The gas sensor element 100 is constituted so that at least the surfaces of the first and second solid electrolytes 17 and 19 (excepting the parts of a pump electrode 10 and a detection electrode 11) facing the inside of a first measuring chamber 5 are covered with an insulating layer 60.例文帳に追加

ガスセンサ素子１００は、少なくとも、第１測定室５内に面する第１固体電解質体１７及び第２固体電解質体１９の表面（ポンプ用電極１０、検知用電極１１の部分を除く）が、絶縁層６０で被覆されている。 - 特許庁

An insulator 30a which is formed on the side wall of a first trench 34a from the surface of a silicon layer 40b up to the specified depth is formed with a thickness larger than that of the insulator 30b of a second trench 34b from the specified depth up to an oxide film 40a.例文帳に追加

シリコン層４０ｂの表面から所定の深さまでの第一トレンチ３４ａの側壁に形成されている絶縁体３０ａを、所定の深さから埋め込み酸化膜４０ａまでの第二トレンチ３４ｂの絶縁体３０ｂより厚く形成する。 - 特許庁

This semiconductor device 202 is provided with concave portions 118 formed in a first region 104, a second region 106 and separation regions 108 respectively; and a dielectric layer 120 for backing the concave portions 118 so as to have a uniform thickness, on a substrate 102.例文帳に追加

本発明の半導体装置２０２は、基板１０２上に、第１領域１０４、第２領域１０６、及び分離領域１０８に形成された凹部１１８と、上記凹部１１８を均一な厚さで裏打ちする誘電体層１２０とを備えた半導体装置。 - 特許庁

The surface layer 3 is solidified by a composition in which a first component capable of forming an alkaline earth carbonate at the normal temperature and a second component capable of forming a solid hydrate at the normal temperature together with the first component or singly are at least mixed.例文帳に追加

表層３は、常温下でアルカリ土類炭酸塩を生成し得る第１成分と、この第１成分とともに又は単独で常温下で固体水和物を生成し得る第２成分とが少なくとも混合されてなる調合物により固化されている。 - 特許庁

In the buffer layer 3, the entire Al composition of one pair of the first buffer region 331 and the adjacent second buffer region 332 at the nitride-based compound semiconductor 4 side is set to be larger than the Al composition of one pair of the regions at the substrate side.例文帳に追加

バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 - 特許庁

After that, the unwanted first substrate 1 is peeled, by mechanically destroying the easily peelable layer 2 between the first substrate 1 and the shaped article 3 (and an electrode 4) and the device, such as a piezoelectric film type elements, is manufactured by transferring the shaped article 3 on the second substrate 5.例文帳に追加

その後に、第一の基板１と造形物３（および電極４）との間の易剥離層２を機械的に破壊することにより不要な第一の基板１を剥離し、第二の基板５上に造形物３を転写して、圧電膜型素子等のデバイスを作製する。 - 特許庁

Further, the barrier forming composite is applied on top of it and dried, then a second barrier 2 is formed using a barrier forming die in the direction crossing at right angles the first barrier, and after forming the protection layer and removing the unnecessary portion and calcination, a barrier of lattice shape is formed.例文帳に追加

更に、その上から隔壁形成用組成物を塗布乾燥後、第１の隔壁と直交する方向に、隔壁形成型を用いて第２の隔壁２を形成し、保護層形成と不要物の除去後に焼成を行って格子状の隔壁を形成する。 - 特許庁

In a third lamination process 101, the silicon steel plate 51 is pressed on the second laminated layer 92, then the I type plates 71 are laminated while being stamped to form the stators 15, and simultaneously the core type plates 72 are laminated while being stamped to form a magnet core 41.例文帳に追加

第３積層工程１０１にて、珪素鋼板５１を第２積層部９２上でプレスし、Ｉ型プレート７１を打ち抜きながら積層してステータ１５を形成すると同時に、コア型プレート７２を打ち抜きながら積層してマグネットコア４１を形成する。 - 特許庁

The electroluminescent device has a functional region to emit light of a first spectrum distribution and a filter layer which is arranged at the light path of the functional region and absorbs a prescribed spectrum portion region of the light of the first spectrum distribution, and thereby, light of a second spectrum distribution is emitted.例文帳に追加

第１のスペクトル分布の光を発光する機能領域と、この機能領域の光路に配置され第１のスペクトル分布の光の所定のスペクトル部分領域を吸収するフィルタ層とを有し、これにより第２のスペクトル分布の光が発光される。 - 特許庁

A flexible printed circuit 100 is formed by performing thermocompression bonding after first and second unit substrates 1 and 2 are disposed so that surfaces 11a and 21b are opposed to each other, and an adhesive layer 30 is formed by applying epoxy-based thermosetting adhesive to between the surfaces 11a and 21b.例文帳に追加

フレキシブルプリント回路１００は、第１及び第２の単位基板１，２を、面１１ａと面２１ｂとが対向するように配置し、間にエポキシ系の熱硬化型接着剤を塗布等して接着剤層３０を形成した上で熱圧着して形成される。 - 特許庁

In the pattern forming method in which the surface layer of a substrate 1 is patternwise etched using a resist pattern as a mask, the pattern forming region of the surface of the substrate 1 is divided into a dense first region 2a and a thin second region 2b in accordance with pattern forming density.例文帳に追加

基板１の表面層に対して、レジストパターンをマスクに用いたパターンエッチングを施すパターン形成方法において、基板１表面のパターン形成領域を、パターンの形成密度に応じて密な第１領域２ａと疎な第２領域２ｂとに分割する。 - 特許庁

The first under surface electrode 12 and the second under surface electrode 22 are formed mutually adjacently on the under surface of the solid electrolyte layer 4a, and the shape of an adjacent part in a plan view is a ridged and grooved shape, and the ridged portion is inserted into the grooved portion mutually.例文帳に追加

また、第１下面電極１２と第２下面電極２２は、固体電解質層４ａの下面に互いに隣接して形成され、隣接する部分を平面視したときの形状が凹凸状であって互いに凸部が凹部に入り込んでいるものである。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

The thin film magnetic head is equipped with; a magnetoresistive element 5; first and second reproduction shield layers 3 and 9 which are arranged so as to sandwich the magnetoresistive element 5; and a bias magnetic field impression layer to impress a bias magnetic field to the magnetoresistive element 5.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子５と、磁気抵抗効果素子５を挟むように配置された第１および第２の再生シールド層３，９と、磁気抵抗効果素子５に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層とを備えている。 - 特許庁

A contact hole 12 formed by removing portions of the first insulating film 2, the second insulating film 7 and the organic film 8, and a base layer metal thin film 13 formed so as to cover the contact hole and electrically connected to the first conductive film are provided.例文帳に追加

第１の絶縁膜２、第２の絶縁膜７及び有機膜８の一部を除去することにより設けられたコンタクトホール１２と、前記コンタクトホールを覆うように設けられ、第１の導電膜と電気的に接続された下地金属薄膜１３とを備えている。 - 特許庁

Since the position of the second insulation case 5b can be changed in two or more steps, the height of the assembly electrode 13 is adjusted, and occurrence of an electrical contact failure between the housed electric double layer capacitor element 12 and the armoring metal case 8 is prevented.例文帳に追加

第２の絶縁ケース５ｂの位置を２段階以上変化させることができるため、組み立て電極１３の高さは調節され、収容される電気二重層コンデンサ素子１２と外装金属ケース８との電気的な接触不良の発生が防止される。 - 特許庁

The liquid crystal display panel includes a first substrate provided with a pixel pattern piled up on a display area R and a dummy pattern 41 having two or more kinds of dummy pattern parts of mutually different thicknesses, a second substrate, a liquid crystal layer, and a plurality of spherical spacers 15.例文帳に追加

液晶表示パネルは、表示領域Ｒに重なった画素パターンと、互いに厚みの異なる複数種類のダミーパターン部を有したダミーパターン４１とを具備した第１基板と、第２基板と、液晶層と、複数の球状スペーサ１５とを備えている。 - 特許庁