「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(403ページ目) - Weblio英語例文検索

An alternating current drive type plasma display device comprises a first panel 10 having a discharge maintaining electrode 12 and a first dielectric layer 14 formed on its inside, and a second panel 20 stuck to the inside of the first panel 10 so as to form a discharging space.例文帳に追加

放電維持電極１２と第１誘電体層１４とが内側に形成された第１パネル１０と、第１パネル１０の内側に放電空間が形成されるように張り合わされる第２パネル２０とを有する交流駆動型プラズマ表示装置である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor laser device 1, a dielectric film 31 is formed which is a first layer in a high reflective film 21 by ECR plasma method; and dielectric films 32 and 33 are formed which are second and subsequent layers by IAD method.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体レーザ素子１の製造方法では、高反射膜２１における第１層目の誘電体膜３１をＥＣＲプラズマ法によって形成し、第２層目以降の誘電体膜３２，３３をＩＡＤ法によって形成している。 - 特許庁

The method of manufacturing an epitaxial wafer includes a first step (step S3) for performing hydrogen baking of a silicon wafer in a reactor, and a second step (step S4) for forming an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer subjected to hydrogen baking by introducing a silicon material gas and a dopant gas into the reactor.例文帳に追加

シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のＭＯＳ容量を用いた位相補償用回路６を備え、位相補償用回路は第１および第２のＭＯＳ容量１４、１５により構成される。 - 特許庁

Fuel supply efficiency to the fuel electrode 21 can be improved by drop of pressure from the first passage 31 through a diffusion layer 33 to the second passage 32, and exhaust efficiency of exhaust gas produced in the fuel electrode 21 can be improved.例文帳に追加

また、第１流路３１から拡散層３３を介して第２流路３２への圧力降下により、燃料極２１への燃料供給効率を向上させると共に、燃料極２１で生成された排出ガスの排出効率を向上させることができる。 - 特許庁

The composite for the organic semiconductor layer contains an organic semiconductor material having a principal chain containing a π conjugate system structure and a side chain, and satisfying predetermined conditions; and a solvent having a second virial coefficient of -1×10^-3 to 1×10^-3 (cm^3mol)/g^2 for this material.例文帳に追加

有機半導体層用組成物は、π共役系構造を含む主鎖と、側鎖とを有し、所定の条件を満たす有機半導体材料と、この材料に対する第二ビリアル係数が−１×１０^−３〜１×１０^−３cm^3・mol/g^2の溶媒を含む。 - 特許庁

In the groove forming process, a plurality of props 24 for discharging ink droplets with parting the piezoelectric members 36, 37 by grinding the groove 35 with such a depth as to reach the second ceramic layer 23 of the laminated substrate 12 from the surface 33A of the piezoelectric members 36, 37.例文帳に追加

溝形成工程では、圧電部材３６，３７の表層３３Ａから積層基板１２の第２のセラミックス層２３に達する深さの溝３５を研削加工することにより、圧電部材３６，３７を分断してインク滴吐出用の支柱２４を複数個形成する。 - 特許庁

Therefore, even when the depth of a recording layer of the optical recording medium using the luminous flux of the second wavelength is different from the recording medium making the luminous flux of the first wavelength a reproduction light, the problem of insufficient condensing caused by spherical aberration of the condenser lens can be reduced.例文帳に追加

このため、第２の波長の光束を用いる光記録媒体の記録層の深さが第１の波長の光束を再生光とする光記録媒体と相違しても、集光レンズの球面収差による集光不足の問題を軽減できる。 - 特許庁

The micro lens substrate 1A includes a substrate with recessed part for microlens 2A that has a recessed part 31A and a first alignment mark 71, substrate with projected part for microlens 8A that has a projected part 32A and a second alignment mark 72, a resin layer 9A, a microlens 4A and a spacer 5.例文帳に追加

マイクロレンズ基板１Ａは、凹部３１Ａと第１アライメントマーク７１とを備えたマイクロレンズ用凹部付き基板２Ａと、凸部３２Ａと第２アライメントマーク７２とを備えたマイクロレンズ用凸部付き基板８Ａと、樹脂層９Ａと、マイクロレンズ４Ａと、スペーサー５とを有している。 - 特許庁

The composition comprises: a mixture solvent including a first organic solvent (A) having a surface tension of 32 mN/m or more and a second organic solvent (B) having a surface tension of 32 mN/m or less; and a material for forming liquid crystal alignment layer dissolved in the mixture solvent.例文帳に追加

表面張力が３２ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第１有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁

Distribution of the cross section ratios of the superconducting wire with metal cover is calculated from an electric resistance actually measured depending on the electric resistance of a first material contained in the core part and the electric resistance of a second material composing the metal cover layer.例文帳に追加

金属被覆超電導線の断面積比の長さ方向の分布は、芯線部に含まれる第１の材料の電気抵抗値と金属被覆層を構成する第２の材料の電気抵抗値に基づき、実際に測定した電気抵抗値から算出される。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a first polarizer 10, the liquid crystal cell 11, a second polarizer 12, a heat control member 14 with a coefficient of thermal conductivity of 0.3 W/(m×k) or more, an air layer 15, and the backlight 13 are sequentially disposed.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、第１の偏光子１０、液晶セル１１、第２の偏光子１２、熱伝導率が０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である熱制御部材１４、空気層１５、およびバックライト１３が、前記順序で配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

Accordingly, raised portions 174 are formed by clear ink drops applied at the second application step, on the uniform layer 175 of clear ink formed at the first application step, and it is possible to cause light of various wavelengths (colors) to be included in the light reflected off of the print object.例文帳に追加

これにより、第１の付与工程で形成された一様な透明インクの層１７５の上に、第２の付与工程で付与された透明インク滴による凸部１７４が形成され、記録物の反射光に様々な波長（色）の光が含ませることが出来る。 - 特許庁

At least a part of an end face 710 of the light emitting part 71 in a second direction nearly orthogonal to a first direction along a center axis of luminous flux transmitted through the reflection type polarizing layer 715 is covered with a reflection part 72 reflecting incident luminous flux.例文帳に追加

そして、反射型偏光層７１５を透過する光束の中心軸に沿った第１方向に対して略直交する第２方向の発光部７１の端面７１０のうち、少なくとも一部を、入射光束を反射する反射部７２で覆った。 - 特許庁

The touch panel is characterized in that the optical film has a transparent electroconductive film provided on a reverse surface of the hard coating layer (A) from the optically transmissive substrate and in that a second transparent electroconductive film is disposed on a side of the transparent electroconductive film of the optical film.例文帳に追加

上記光学フィルムのハードコート層（Ａ）の光透過性基材とは反対側の面に、透明導電膜が設けられた光学フィルムの当該透明導電膜側に、さらに第二の透明導電膜が設けられていることを特徴とする、タッチパネル。 - 特許庁

The middle word regulation creation procedure creates a middle word regulation which arranges a first non-end symbol for the middle word in the left edge, and which arranges a second non-end symbol for the middle word that is a lower layer than the first non-end symbol for the middle word in the right edge.例文帳に追加

中間語規則生成手順は、左辺に第１の中間語用非終端記号を配置すると共に、右辺に第１の中間語用非終端記号よりも下位の階層となる第２の中間語用非終端記号を配置した中間語規則を生成する。 - 特許庁

On the lower side of the back electrode plate 16, a contact spring 18 elastically pressing it upward is arranged in a deflected and deformed state to bring its lower end into contact with a portion of the second conductive layer 36c on the upper surface of the annular substrate 36.例文帳に追加

また、背面電極板１６の下方に、これを上方へ向けて弾性的に押圧するコンタクトスプリング１８を、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形させた状態で配置する。 - 特許庁

The phase-change structure fills partially the HARS, fills a first phase-change substance layer pattern, including a first phase-change substance and the remainder of the HARS, and includes a second phase-change substance having a composition being different from the first phase-change substance.例文帳に追加

相変化構造物はＨＡＲＳを部分的に満たし、第１相変化物質を含む第１相変化物質層パターン、及び前記ＨＡＲＳの残りを満たし、前記第１相変化物質と相異なる組成を有する第２相変化物質を含む。 - 特許庁

As to one of the first LDD region and the second LDD region, the concentration of doped impurities changes stepwise in a channel length direction of the semiconductor layer, and as to the other, the concentration of doped impurities does not change stepwise as against the former one.例文帳に追加

第１ＬＤＤ領域及び第２ＬＤＤ領域のうち、一方はドープされた不純物の濃度が半導体層のチャネル長方向に沿って段階的に変化し、他方はドープされた不純物の濃度が前記一方と比べて段階的に変化しない。 - 特許庁

The upper end 3202 of the second rubber sheet layer 32 is lower than 0.6×SH and higher than a bead filler 26, and the lower end 3204 is lower than the bead filler 26 to overlap with the beat filler 26 by 5 mm or more and higher than the half height of the bead filler 26.例文帳に追加

第２ゴムシート層３２は、その上端３２０２が、０．６×ＳＨよりも低くかつビードフィラー２６よりも高く、その下端３２０４は、ビードフィラー２６と５ｍｍ以上オーバーラップするようにビードフィラー２６よりも低くかつビードフィラー２６の高さの１／２よりも高い。 - 特許庁

A template 10 is used in imprinting where a second irregular pattern consisting of a hardening agent is formed on a layer to be processed by filling a first irregular pattern with a hardening agent and then hardening the hardening agent thereby transferring the first irregular pattern to the hardening agent.例文帳に追加

実施形態のテンプレート１０は、第１凹凸パターンに硬化剤を充填して硬化させることにより第１凹凸パターンを硬化剤に転写して硬化剤からなる第２凹凸パターンを被加工層上に形成するインプリントに用いるテンプレートである。 - 特許庁

The storage capacitance is constructed by oppositely arranging a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) made up with the same film as a barrier layer (34), that relay connects the pixel electrodes and the TFTs, through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

In this opening frame 1, a plate material 24 arranged along the inner peripheral surface of the second frame body 20 is in a state in which inner and outer peripheral layers 26 and 28 are superposed on each other; and the inner peripheral layer 26 is fitted into the fitting groove 16 of the first frame body 10.例文帳に追加

開口枠１は、第２枠体２０における内周面に沿って配置される板材２４が、内周層２６および外周層２８を積層した状態となっており、この内周層２６が第１枠体１０における嵌合溝１６に嵌合する。 - 特許庁

A base pattern 10 having predetermined thickness is formed at a position corresponding to the contact hole 7, and a connection part (source region 3a and drain region 3b) to the second wiring 8 of the multi-crystal semiconductor layer 3 is formed on the base pattern 10.例文帳に追加

コンタクトホール７に対応する位置に所定の厚さを有する下地パターン１０が形成され、この下地パターン１０上に多結晶半導体層３の第２配線８との接続部分（ソース領域３ａ及びドレイン領域３ｂ）が形成されている。 - 特許庁

The lid may be formed using a two-shot injection molding process in which the lid is formed in a first step and the outer layer of a softer material is formed on the skirt of the lid during the second step of the two-shot injection molding process.例文帳に追加

ふたは、二段階射出成形工程を使用して形成することができ、この工程では、第１のステップでふたが形成され、二段階射出成形工程の第２のステップの間に、ふたのスカート上に、より軟かい材料の外層が形成される。 - 特許庁

The catalyst layer is provided which has a first carbon body of particle shape and a second carbon body of particle shape which carries a catalyst and of which central particle size is smaller than the first carbon body and which is adsorbed on the surface of the first carbon body.例文帳に追加

粒状の第１の炭素体と、触媒を担持し、前記第１の炭素体よりも中心粒径が小さく前記第１の炭素体の表面に吸着した粒状の第２の炭素体と、を備えたことを特徴とする触媒層が提供される。 - 特許庁

A liquid crystal display 21 consists of a simple matrix type and parts in which a liquid crystal layer 25 is held between first and second electrodes, each being a part of a plurality of scanning and signal electrodes 34, 39 respectively, constitute a plurality of display elements 61.例文帳に追加

液晶表示装置２１は、単純マトリクス型のものであり、複数の各走査および各信号電極３４，３９のそれぞれ一部分である第１および第２電極によって液晶層２５が挟持された部分が、複数の表示素子６１になる。 - 特許庁

The second process includes a process for flowing a formed pattern by heat treatment or a process for coating a formed pattern with a resin composition containing a crosslinking agent and framing it through chemical reaction at the interface of the pattern and an upper layer film.例文帳に追加

第２のプロセスとしては、形成されたパターンに熱処理を施してフローさせるプロセス、もしくは、形成されたパターンに架橋剤を含む樹脂組成物を塗布し、パターンと上層膜との界面での化学反応による枠付けを行なうプロセスを採用する。 - 特許庁

Forming the first insulating film 10 with a material that can be etched selectively against the second insulating film 14 makes the mask of photo-resist unnecessary in removing the first insulating film 10 in through holes 11 on the lower layer metal wiring 2.例文帳に追加

そして第１の絶縁膜１０は第２の絶縁膜１４に対して選択にエッチング可能な材料により形成することでスルーホール１１内の下層金属配線２上の第１の絶縁膜１０を除去する際フォトレジストによるマスクを不要とする。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 on a wiring layer is formed thicker than a silicon nitride film 7 between wiring layers by forming a second insulation silicon nitride film 7 all over on conditions of 1.0 to 30 Torr and 600 to 1100°C by employing a vacuum thermal CVD method.例文帳に追加

全面に第２の絶縁膜であるシリコン窒化膜７を減圧熱ＣＶＤ法を用いて、１．０〜３０Ｔｏｒｒ，６００〜１１００℃の条件にて成膜することにより、配線層上のシリコン窒化膜７を配線層間のシリコン窒化膜７よりも厚く形成する。 - 特許庁

With this high frequency induction-hardening, the high frequency induction-hardened structure having the higher average hardness than the basic material structure 12a near the second surface and composed of martensite and uniformly and finely dispersed austenite is given on the surface layer 11a near the first surface.例文帳に追加

この高周波焼入れにより、第２面近傍の母材組織１２ａよりも高い平均硬度を有する、マルテンサイトと均一に微細分散したオーステナイトとからなる高周波焼入れ組織を第１面近傍の表面層１１ａに与えることを特徴とする。 - 特許庁

Further, a diode chip 102, smaller than a cathode electrode 103 in the area thereof and consisting of the matrix of the wide gap semiconductor, is arranged on the cathode electrode 103, smaller than an anode electrode 105 in the area thereof, through a second conductive layer 109B.例文帳に追加

更に、陽極電極１０５よりも面積的に小さい陰極電極１０３の上に、第２導電層１０９Ｂを介して、陰極電極１０３よりも面積的に小さく且つワイドギャップ半導体を母材とするダイオードチップ１０２を配設する。 - 特許庁

The filter 3 is constructed by sequentially layering a heater wire 21, a first nonwoven fabric 22 formed by laminating ceramic fibrous materials, a catalytic layer 23 having a catalytic function of lowering combustion temperature, a second nonwoven fabric 24 formed by laminating ceramic fibrous materials, and retaining wire netting 25.例文帳に追加

フィルタ３は，ヒータ線２１，セラミック繊維材を積層した第１不織布２２，燃焼温度を低下させる触媒機能を有する触媒層２３，セラミック繊維材を積層した第２不織布２４，及び保持金網２５が順次積層して構成されている。 - 特許庁

Light is incident on the polarization organic photoelectric conversion device while a predetermined bias voltage is applied between the first electrode 11 and the second electrode 12, and the light polarized parallel to the orientation axis of the organic photoelectric conversion layer 13 is photoelectrically converted.例文帳に追加

第１の電極１１と第２の電極１２との間に所定のバイアス電圧を印加した状態で偏光有機光電変換素子に光を入射させ、有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光を光電変換する。 - 特許庁

A reflection electrode 68 for every cell formed with a minute surface irregular shape is formed on the second glass substrate 69 and the thickness of the liquid crystal layer 66A is set based on the maximum retardation given to the material described above in correspondence to the prescribed hue range.例文帳に追加

第２ガラス基板６９には微細な表面凹凸形状を形成したセルごとの反射電極６８が形成され、液晶層６６Ａの厚みは、所定の色相範囲に対応して上記材料に付与する最大リタデーションに基づいて設定されている。 - 特許庁

A dipole antenna consisting of a pair of a first conductor wire 41 and a second conductor wire 42 having directivity in a direction parallel with the principal surface is provided in a region between the antenna region and the side surface of the dielectric substrate where the ground layer is not formed.例文帳に追加

アンテナ領域と誘電体基板の側面との間におけるグランド層が形成されていない領域に設けられ、主面に平行な方向に指向性を有する一対の第１導体線４１と第２導体線４２とからなるダイポールアンテナとを有する。 - 特許庁

After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusion layer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート電極１０及び高濃度不純物拡散層１２等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第２の配線２２を形成し、その後、シリコン基板１の上にプラズマ窒化膜２３を形成する。 - 特許庁

After a ferroelectric substance 11 connected to one diffusion layer of the MOS transistor 4b, the wiring, an electrode 17 and the like are formed, heat treatment is performed about 300-500°C for about 5-60 minutes in nitrogen as second heat treatment.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタ４ｂの一方の拡散層に接続する強誘電体容量１１、配線及び電極１７等を形成した後、第２の熱処理として窒素中で３００乃至５００℃程度の温度で５乃至６０分程度の熱処理をする。 - 特許庁

The binder 10a is irradiated with active energy rays through the second releasing film 35 and, thereby, is cured, the lens shape of the transfer surface is transferred to the surface of a light diffusion layer 16 and, thereby, a diffusion lens part 19 on which cylindrical lenses 19a are arranged in parallel is formed.例文帳に追加

第２離型フィルム３５を通してバインダ１０ａに活性エネルギー線を照射して硬化させ、転写面のレンズ形状を光拡散層１６の表面に転写してシリンドリカルレンズ１９ａを並列させた拡散レンズ部１９を形成する。 - 特許庁

When the photosensitive layer 21 is charged by the same charging capability along with the axial direction of the substrate 20, the dark potential in the latent image forming area 22 becomes larger gradually toward a second end 22B from the first end 22A in an axis direction of the substrate 20.例文帳に追加

感光層２１は、基体２０の軸方向に沿って同一の帯電能力で帯電させた場合に、潜像形成領域２２における暗電位が、基体２０の軸方向において、第１の端部２２Ａから第２の端部２２Ｂに向かって漸次大きい。 - 特許庁

Then, the first surface layer wiring conductor 21 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0.2-1.0 wt.%, and the second surface wiring conductor 22 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0-0.1 wt.% (without including 0).例文帳に追加

そして、前記第１の表層配線導体２１は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０．２〜１．０ｗｔ％の範囲で含み、第２の表面配線導体２２は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０〜０．１ｗｔ％（０を含まない）の範囲で含むものである。 - 特許庁

Furthermore, the wafer is subjected to annealing for 10 seconds at 1,150°C under a gas atmosphere containing nitrogen as a third annealing step, and then it is cooled down at a cooling rate of 50°C/second so that a large quantity of vacancies are injected to the vicinity of the surface layer of the substrate thus enhancing the gettering capability.例文帳に追加

更に第３熱処理工程として窒素含有ガス雰囲気下にて１１５０℃で１０秒熱処理し、その後５０℃／秒の冷却速度で降温することで基板表層近傍に空孔を大量に注入することでゲッタリング能力も高まる。 - 特許庁

Next, the second beams SS of different kinds of radiation are patterned into a light region 1 and a dark region 2 similar to the projection beam PB, and the light region 1' is applied to the nonexposed region 2" of the resist layer R, and the dark region 2' is applied to the exposed region 1".例文帳に追加

次に、前記と異なる種類の放射線の第２ビームＳＢを投影ビームＰＢと同様に明領域１と暗領域２′にパターン化して、明領域１′をレジスト層Ｒの非露出領域２″に、暗領域２′を露出領域１″に当てる。 - 特許庁

The resistance is lowered by bringing the first amorphous silicon layer 2 having the highest impurity concentration into contact with a substrate 8, the HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4 having the lower impurity concentrations, and the surface is roughened.例文帳に追加

最も高不純物濃度の第１のアモルファスシリコン層２が基板８とコンタクトすることで低抵抗化が図られ、より低不純物濃度の第２，第３のアモルファスシリコン層３，４表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて粗面化が図られる。 - 特許庁

Micro mirrors 16 are movably placed on optical paths 20 of the optical signals received from the terminals of the base layer, respectively, in a direction intersecting with an optical signal to selectively re-route the optical signal from a first optical path to a second optical path.例文帳に追加

微小鏡１６は上記ベース層１０の入力端３から入力された光信号の伝達経路２０上に上記光信号と交差する方向に移動できるよう位置しながら、入力された光信号を選択的に他経路へ変更させる。 - 特許庁