「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(399ページ目) - Weblio英語例文検索

(1) The DRAW type magnetic recording medium is obtained by disposing at least a first light absorption layer essentially consisting of an organic material and a second light absorption layer essentially consisting of a metallic material and/or an inorganic material.例文帳に追加

（１）基板上に少なくとも、有機材料を主成分とする第一の光吸収層と、金属材料及び／又は無機材料を主成分とする第二の光吸収層を設けた追記型光記録媒体において、第一及び第二の光吸収層は、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下である追記型光記録媒体。 - 特許庁

The placing stand 12 of a plasma treatment apparatus 10 includes: a lower electrode 20 connected to a first high frequency power supply 28 and a second high frequency power supply 29; a dielectric layer 21 embedded at the center of the upper surface of the lower electrode 20; and an electrostatic chuck 22 placed on the dielectric layer 21.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２とを有し、該静電チャック２２が有する電極膜３７は以下の条件を満たす。 - 特許庁

To obtain a power generation unit which is effective in constituting inexpensively a photoelectric conversion device having a first spherical semiconductor and a plurality of photoelectric converting elements covering it except a portion thereof, a one-polarity-side first conductor layer supporting the elements, other-polarity-side second conductor layers, and an electric insulating layer for both the conductor layers.例文帳に追加

球状の第１半導体とその一部を残して被覆する第２半導体層を具備する複数の光電変換素子、前記素子を支持する一方極性側の第1導電体層、他方極性側の第２導電体層、並びに双方の導電体層間の電気絶縁層を具備する光電変換装置を低コストで構成するために有効な発電ユニットを得る。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。 - 特許庁

The mounting method and the mounting apparatus are so set as to recognize the alignment recognition mark attached to a first object to be bonded by a recognition means, through the intermediary of infrared rays penetrating through the first object to be bonded, the adhesive layer, and the second object to be bonded, since the adhesive layer is interposed between the objects to be bonded.例文帳に追加

被接合物同士を接合するに際し、被接合物間に接着材層を介在させた状態にて、第１の被接合物に付された位置合わせ用の認識マークを、該第１の被接合物、前記接着材層および第２の被接合物を透過する赤外線を介して認識手段により認識することを特徴とする実装方法、および実装装置。 - 特許庁

The transparent conductive laminate 10 has a rugged structure layer 2, a first dielectric thin film 3, a second dielectric thin film 4, and a transparent conductive thin film 5 laminated in turn on one of the faces of a transparent film base material, with a transparent base body 8 bonded to the other face of the film base material through a transparent adhesive layer 7.例文帳に追加

本発明の透明導電性積層体１０は、透明なフィルム基材１の一方の面に、凹凸構造層２、第１誘電体薄膜３、第２誘電体薄膜４および透明な導電性薄膜５が順次積層されており、前記フィルム基材１の他方の面に透明な粘着剤層７を介して透明基体８が貼り合わされていることを特徴とする。 - 特許庁

In a second partition region 40 thereof, a bipolar type semiconductor element 4 having a buried collector region 47 as the p-type deep layer 7a and having a base region 46 as the n-type shallow layer 6a is formed.例文帳に追加

活性層１４の第１区画領域２０にはｐ型の深層７ａをリサーフ領域２７とするとともにｎ型の浅層６ａをドリフト領域２６とするユニポーラ型の半導体素子２が形成されており、第２区画領域４０にはｐ型の深層７ａを埋め込みコレクタ領域４７とするとともにｎ型の浅層６ａをベース領域４６とするバイポーラ型の半導体素子４が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device consists of a substrate having a substrate surface; a first dielectric layer containing molecules of a first compound having first ends covalently bonded to a first region of the substrate surface and second ends including aromatic regions; and a polycrystalline semiconductor layer containing organic semiconductor molecules having aromatic portions and located on the first region of the substrate.例文帳に追加

本発明は、代表的には、基板表面を有する基板と、この基板表面の第１の領域に共有結合している第１の末端と芳香族領域を有する第２の末端とを有する第１の化合物の分子を含む第１の誘電体層と、芳香族部分を備えた有機半導体分子を含み、この基板の第１の領域上にある多結晶半導体層とを備える。 - 特許庁

In a transparent electrode 13 with an auxiliary electrode 16 between itself and a transparent substrate 14, a first low refractive index layer 17 having a lower refractive index than the transparent substrate 14 is provided on the transparent substrate 14 side of the auxiliary electrode 16, and a second low refractive index layer 18 having a lower refractive index than the transparent electrode 13 is provided on the transparent electrode 13 side of the auxiliary electrode 16.例文帳に追加

透明基板１４との間に補助電極１６を有する透明電極１３において、補助電極１６の透明基板１４側に透明基板１４よりも屈折率の低い第１低屈折率層１７を、補助電極１６の透明電極１３側に透明電極１３よりも屈折率の低い第２低屈折率層１８を設けた構成とする。 - 特許庁

The fuel cell is provided with: a base material layer 18, 26 having a porosity and conductivity, and also having different water repelling properties depending on its positions; fine hole layers 16, 24 which contain a first member having a porosity and conductivity and a conductive second member made of particles, and have a higher density than the base material layer and catalyst layers 14, 22 containing a catalyst having a catalyst action.例文帳に追加

多孔質で導電性を有し、部位によって異なる撥水性を有する基材層１８、２６と、多孔質で導電性を有する第１の部材と粒子状で導電性を有する第２の部材とを含み、基材層より高い密度を有する微孔層１６、２４と、触媒作用を有する触媒を含む触媒層１４、２２と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The transparent conductive composite film A (or the sheet B) has first conductive layers 2, 5 as a conductive polymer film or a carbon nanotube layer formed on one surface of a transparent film 1 (or a sheet 4), and further, second conductive layers 3, 6 as an ITO film (an indium tin oxide film) formed on the surface of the first conductive layer.例文帳に追加

透明フィルム１（またはシート４）の片面の表面に、導電性高分子膜またはカーボンナノチューブ層である第１の導電性層２，５が形成され、さらにその第１の導電性層の表面に、ＩＴＯ膜（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ膜）である第２の導電性層３，６が形成されていることを特徴とする透明導電性複合フィルムＡ（またはシートＢ）。 - 特許庁

The adhesive sheet comprises first release paper, an adhesive layer and second release paper that are laminated in this order, wherein the adhesive layer contains an adhesive; the adhesive contains at least an acrylic resin, an epoxy resin and a curing agent; and the content of the epoxy resin is in the range of 175 to 300 parts per 100 parts of the acrylic resin, in terms of mass.例文帳に追加

第１離型紙と、粘接着層と、第２離型紙とを、この順で積層してなる粘接着シートであって、前記粘接着層が、粘接着剤を含んでなり、前記粘接着剤が、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、および硬化剤を少なくとも含み、前記エポキシ樹脂の含有量が、アクリル系樹脂１００部に対して、質量基準において１７５〜３００部含まれている。 - 特許庁

An electroplating soln. is then supplied by the control part from an electroplating soln. feed line 3 to the surface Ws of the substrate W on which the seed layer is formed and held by the mechanism 10, power is supplied between a first electrode 131 and a second electrode 126, and an electroplating layer is formed on the surface Ws of the substrate W in a specified thickness.例文帳に追加

基板Ｗが基板保持機構１０に保持された状態で、制御部は、次に、シード層が形成された基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキ液供給系３から電解メッキ液を供給するとともに、第１電極１３１と第２電極１２６との間に給電して、基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing an organic electroluminescent element having a first electrode, at least one organic functional layer, a second electrode, and a sealing layer are laminated in sequence on a base material comprises a discharging process, where at least the discharging process is done in an environment with an oxygen concentration ranging from 100 to 1000 ppm.例文帳に追加

基材上に、第１の電極と、少なくとも１層の有機機能層と、第２の電極と、封止層とを順次積層した構成を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記製造方法は除電工程を含み、少なくとも前記除電工程の環境が、酸素濃度１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

The two-dimensional web material made of the layer material contains a non-woven material and first and second discrete regions, which are arranged relative to one another in such a way that they form a pattern in the form of inverted polygons and that the two-dimensional layer material has a Poisson's ratio of <0.2 during expansion in the machine direction.例文帳に追加

層状材料から作られた二次元のウェブ材料であって、該二次元のウェブ材料は、不織材料と第１の分離領域と第２の分離領域とを含み、それらが、反転した多辺形の形状のパターンを形成し、かつ、該二次元の層状材料が、機械方向への伸張の間に０．２未満のポアソン比を有するように互いに対して配列されている、二次元のウェブ材料。 - 特許庁

It is preferred that titanium in a titanium dioxide forming the first oxide layer is doped with one of niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, aluminum, and tungsten by 1 to 10% in terms of mol ratio, and titanium in a titanium dioxide forming the second oxide layer is doped with one of niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, aluminum, and tungsten by <1% in terms of mol ratio.例文帳に追加

第１酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％以上１０％以下ドープされ、第２酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％未満ドープされることが好ましい。 - 特許庁

In the transfer step, ferroelectric films 24b respectively formed by parts of the ferroelectric layer 124c are transferred by irradiating the second substrate 40 with the laser beam LB of a light intensity distribution PI which is set to transfer only a part corresponding to a predetermined pattern of the ferroelectric films 24b in the ferroelectric layer 124c from the other surface side thereof.例文帳に追加

転写工程では、強誘電体層１２４ｃのうち強誘電体膜２４ｂの所定パターンに対応する部分のみを転写するように設定した光強度分布ＰＩのレーザ光ＬＢを第２の基板４０の上記他表面側から照射することにより、それぞれ強誘電体層１２４ｃの一部からなる強誘電体膜２４ｂを転写する。 - 特許庁

The printed circuit board 100 includes: a core substrate 30 where a fiber base material is embedded in a first resin; a pair of second resin layers 10 arranged to hold the core substrate 30 between them; and a conductor 7 arranged on at least one of a surface 100a opposed to the core substrate 30 in the resin layer 10 or the interface of the resin layer and the core substrate.例文帳に追加

プリント配線板１００は、繊維基材が第１の樹脂に埋設されてなるコア基板３０と、コア基板３０を挟むように設けられる一対の第２の樹脂層１０と、樹脂層１０のコア基板３０側とは反対側の面１００ａ上または前記樹脂層と前記コア基板の界面の少なくとも一方に設けられる導体７とを備える。 - 特許庁

In two small regions (a first small region and a second small region) formed in a part located in an emission region and outside the central part of the emission region, a transparent layer 111A and a transparent layer 111B each being a transparent dielectric film for setting reflectivity of each small region lower than that of the central part of the emission region are formed at optical thickness of "oscillation wavelength/4".例文帳に追加

射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 - 特許庁

In the piezoelectric device 10, the principal surface side of a crystal vibrating piece 1 different from a principal surface where the external connecting terminal 16a of a base 13 of a fixed terminal is formed, is adhered and fixed by a silicone adhesive 39 as an elastic adhesive onto a second layer substrate 22 in the vicinity of a vibrating-piece connecting electrode 25a provided on the third layer substrate 23 of a package 20.例文帳に追加

圧電デバイス１０において、水晶振動片１は、固定端である基部１３の外部接続端子１６ａが形成された主面とは異なる主面側が、パッケージ２０の第３層基板２３に設けられた振動片接続電極２５ａ近傍の第２層基板２２上に弾性接着剤としてのシリコーン系接着剤３９により接着・固定されている。 - 特許庁

A UT array 21 includes a backing material 26, a lower electrode 27, a transmission/receiving piezoelectric body 28 transmitting/receiving ultrasonic waves and reflected waves, a first acoustic matching layer 29, a receiving piezoelectric body 30 receiving reflected waves, an upper electrode 31, a second acoustic matching layer 32 and an acoustic lens 33, which are sequentially layered on a plane-shaped pedestal 25 made of glass-epoxy resin, etc.例文帳に追加

ＵＴアレイ２１は、ガラス−エポキシ樹脂等の平板状の台座２５上に、バッキング材２６、下部電極２７、超音波および反射波を送受信する送受信用圧電体２８、第一音響整合層２９、反射波を受信する受信用圧電体３０、上部電極３１、第二音響整合層３２及び音響レンズ３３が順次積層された構造を有する。 - 特許庁

The water repellent area 45 consists of a first water repellent area 46 preventing formation of the adhesive layer 40 outside an outer circumferential edge area 90s where the translucent cover 90 and end edges 20e, 20f, 20g, 20h of the translucent substrate 20 overlap, and a second water repellent area 47 preventing formation of the adhesive layer 40 inside the area where a flexible wiring board 35 is connected.例文帳に追加

撥水領域４５は、透光性カバー９０と透光性基板２０の端縁２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈとが重なる外周縁領域９０ｓより外側への接着剤層４０の形成を阻止する第１撥水領域４６、およびフレキシブル配線基板３５が接続されている領域の内側への接着剤層４０の形成を阻止する第２撥水領域４７である。 - 特許庁

The capacity obtaining part 110 contains the first compound having a perovskite structure which includes an element A, an element B, and oxygen O and which is expressed as a formula ABO_3 as the main component, and the upper layer 121 and the lower layer 122 contains the second compound having a perovskite structure which includes an element A, an element B, and oxygen O and which is expressed as a formula ABO_3 as the main component.例文帳に追加

容量取得部１１０は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第一の化合物を主成分として含み、上層１２１と下層１２２は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第二の化合物を主成分として含む。 - 特許庁

The RFID label is formed by successively laminating an adhesive sheet composed of a label base material and a first adhesive layer, an RFID inlet configured by arranging an IC and an antenna on one side or both sides of a base material whose area is smaller than that of the adhesive sheet, a second adhesive layer formed on the surface of the RFID inlet which is the opposite side to the adhesive sheet, and a separator in the order.例文帳に追加

ラベル基材と第１の粘着剤層とからなる粘着紙と、前記粘着紙よりも面積が小さいベース基材の片面または両面にＩＣおよびアンテナを配置したＲＦＩＤインレットと、前記ＲＦＩＤインレットの前記粘着紙とは反対側の面に設けた第２の粘着剤層と、セパレータと、がこの順に積層されたＲＦＩＤラベルである。 - 特許庁

The second layer 40 is provided in contact with the well region 56 on a part of a top surface of a buried insulating layer 52, and has a plurality of concentration regions 41-43 of which impurity concentration is different from one another, the plurality of concentration regions 41-43 being arranged in the increasing order of the impurity concentration from the side of the body region 26 to the side of the well region 56.例文帳に追加

また、第２層４０は、埋め込み絶縁層５２の上面の一部にウェル領域５６に接して設けられ、さらに、不純物濃度がそれぞれ異なる複数の濃度領域４１〜４３を有しており、その複数の濃度領域４１〜４３は、ボディ領域２６側からウェル領域５６側に向けて不純物濃度が増加する順に配置されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel, allowing easy inspection using a general-purpose tester, for determining whether electrical connection is reliably carried out between an inside face shield layer arranged in a color filter and common routing wiring on an array substrate in production of an in-plane switching liquid crystal display panel where a liquid crystal layer is held between a first substrate (the array substrate) and a second substrate (the color filter substrate).例文帳に追加

第１基板（アレイ基板）と第２基板（カラーフィルタ基板）で液晶層を挟んでなる横電界方式の液晶表示パネルの製造時に、カラーフィルターに設けられた内面シールド層と、アレイ基板上のコモン引き回し配線との電気的接続が確実になされているか否かを、汎用のテスターを用いて簡単に検査できるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

A resistance circuit network is created by using resistance values RL11 to 14 and RL21 to 22 obtained by dividing the wiring resistance corresponding to the frame graphic in the first wiring layer and the second wiring layer and resistance values RCT1 to 3 respectively set in each frame area by using the positions of the through-holes respectively set in each frame area as a reference, and the resistance circuit network is synthesized with one resistance RS.例文帳に追加

各枠領域に１つに設定されたスルーホールの位置を基準として、第１配線層、第２配線層における枠図形に対応する配線抵抗を分割した抵抗値ＲＬ１１〜１４、ＲＬ２１〜２２と、各枠領域内で１つに設定されたスルーホールの抵抗値ＲＣＴ１〜３とを用いて、抵抗回路網を作成し、抵抗回路網を１つの抵抗ＲＳに合成する。 - 特許庁

This structure is constituted by combining integrally a first layer shielding material 11 formed of a light material of low density which generates hardly nuclear fragmentation by action of the charged particle of high energy incident from an outside to decelerate the charged particle of high energy with a second layer shielding material 13 formed of a heavy material of high density to decelerate the incident charged particle effectively.例文帳に追加

外から入射してくる高エネルギー荷電粒子の作用で核破砕を起こし難い密度が小さい軽材料で形成して前記高エネルギー荷電粒子を減速する１層目の遮蔽材１１と、密度が大きい重材料で形成して入射した荷電粒子を効果的に減速する２層目の遮蔽材１３とを一体的に組み合わせて構成した。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 3 includes a first semiconductor region 11, that is formed by selectively introducing impurities onto the main surface of an n^--type epitaxial layer 2, and is formed to a prescribed depth from the main surface of the n^--type epitaxial layer 2; and a plurality of second semiconductor regions 12, projecting toward the depthwise direction from a bottom surface 13 in the first semiconductor region 11.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域３は、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面上に不純物を選択的に導入することによって形成され、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面から所定の深さにまで形成された第１半導体領域１１と、第１半導体領域１１における底面１３から更に深部方向へと突出する複数の第２半導体領域１２とを含む。 - 特許庁

This rubber roller is featured by having a base body, a first covering layer covering this base body and being composed of a foaming elastic body formed by using polar rubber and a resistance adjusting conductive filler as a main raw material and a second covering layer covering the outside surface and using a non-polar resin and a resistance adjusting conductive filler as a main raw material.例文帳に追加

基体と、この基体を被覆し、有極性ゴムおよび抵抗調整のための導電性充填剤を主原料として生成された発泡弾性体からなる第１被覆層と、さらにその外表面を被覆し、無極性樹脂および抵抗調整のための導電性充填剤を主原料とする第２被覆層とを有することを特徴とするゴムローラ。 - 特許庁

To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

The liquid crystal display has pixel electrodes provided in a plurality of pixel regions on the side of a liquid crystal layer of a first substrate; a counter electrode provided on a second substrate and opposed to the pixel electrodes via the liquid crystal layer; switching elements electrically connected to the pixel electrodes; and scanning wiring and signal wiring at least one of which is provided on the first substrate.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第１基板の液晶層側に複数の絵素領域ごとに設けられた絵素電極と、第２基板に設けられ絵素電極に液晶層を介して対向する対向電極と、絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子と、少なくとも一方が第１基板上に設けられた走査配線および信号配線とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 mounted on a printed board 11 by flip-chip mounting through solder bumps 9 and the like is provided with a semiconductor substrate 1, the inductor 4 arranged with a first insulating resin layer 3 set between the semiconductor substrate 1 and itself, and a shield 6 arranged above the inductor 4 with a second insulating resin layer 5 set between the inductor 4 and itself.例文帳に追加

はんだバンプ９等によりプリント基板１１上にフリップチップ実装される半導体装置１０であって、半導体基板１と、前記半導体基板１との間に第１の絶縁樹脂層３を介して設けられたインダクタ４と、前記インダクタ４との間に第２の絶縁樹脂層５を介して前記インダクタ４の上部に設けられたシールド６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The plastic lens 10 comprises a plastic substrate 1 having a first main surface that is a convex surface 1A and a second main surface that is a concave surface 1B, a photochromic compound-containing photochromic layer 3 formed on the convex surface 1A side of the substrate 1, and an impact-absorbing primer layer 4 formed on the concave surface 1B side of the substrate 1.例文帳に追加

プラスチックからなる基材１によって構成されているプラスチックレンズ１０であって、一方の主面が凸面１Ａであり、他方の主面が凹面１Ｂである、基材１と、基材１の凸面１Ａ側に形成され、フォトクロミック化合物を含有するフォトクロミック層３と、基材１の凹面１Ｂ側に形成され、衝撃吸収性を有するプライマー層４とを含む、プラスチックレンズ１０を構成する。 - 特許庁

A first support 10 having a magnetic layer 10a on one surface, and a second support 12 having a magnetic layer 12a on one surface are stuck to each other with the other surfaces having no magnetic layers faced oppositely, and the magnetic layers 10a, 12a contain magnetic particles having CuAu type or Cu_3Au type ferromagnetic ordered alloy phases.例文帳に追加

一方の面に磁性層１０ａを有する第１の支持体１０と、一方の面に磁性層１２ａを有する第２の支持体１２とが、前記磁性層を有さない他方の面を対向させて貼り合わされており、前記磁性層１０ａ，１２ａがＣｕＡｕ型またはＣｕ_３Ａｕ型強磁性規則合金相を有する磁性粒子を含有することを特徴とする磁性粒子塗布物である。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a first film made of silicon oxide or silicon oxide nitride film on a silicon substrate, a step of forming a second film made of tetrachlosilane single molecular layer 1 in an ALD-CVD method, and a step of forming a third film made of silicon nitride single molecular layer by nitriding treatment or oxide-nitriding treatment in the ALD-CVD method.例文帳に追加

シリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第１の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法によりテトラクロロシラン単分子層１層からなる第２の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法により窒化処理または酸窒化処理して窒化ケイ素単分子層１層からなる第３の膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The invention relates to the discharge monitor equipped with a second insulation protective layer for protecting the discharge monitor elements on a discharge monitor substrate on which a plurality of discharge monitor elements constituted of at least two or more charge collection electrodes, a low melting point metal wire for connecting them, and a first insulation protective layer for protecting the low melting point metal wire are provided in parallel.例文帳に追加

本発明は、少なくとも２つ以上の電荷収集電極と両者をつなぐ低融点金属配線、および低融点金属配線を保護する第一の絶縁保護層から構成される放電モニタ要素が、複数並列に配置された放電モニタ基板において、放電モニタ要素を保護する第二の絶縁保護層を配置したことを特徴とする放電モニタに関する。 - 特許庁

In the method for producing a photosensitive lithographic printing plate material having on a support a photosensitive layer containing (A) a photopolymerization initiator, (B) a polymerizable ethylenic double bond-containing compound and (C) a polymer binder, drying air in the first half and drying air in the second half of a drying zone for the photosensitive layer have a temperature distribution.例文帳に追加

支持体上に、（Ａ）光重合開始剤、（Ｂ）重合可能なエチレン性二重結合含有化合物、（Ｃ）高分子結合材を含有する感光層を有する感光性平版印刷版材料の製造方法において、該感光層の乾燥ゾーンの乾燥前期と乾燥後期の乾燥風に温度分布があることを特徴とする感光性平版印刷版材料の製造方法。 - 特許庁

A silicon carbide semiconductor device includes a silicon carbide substrate 1 and a silicon carbide drift layer 2 laminated on a first principal surface 1a of the substrate 1, which has a removal region 15 reaching the drift layer 2 from a second principal surface 1b, a region on the removal region 15 being an IGBT region 14 and the other region being a MOSFET region 13.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、基板１の第１主面１ａ上に積層された、炭化珪素ドリフト層２を備え、基板１は、第２主面１ｂからドリフト層２に達する除去領域１５を備え、除去領域１５上の領域がＩＧＢＴ領域１４、それ以外の領域がＭＯＳＦＥＴ領域１３である。 - 特許庁

The laminated film is constituted by laminating the first resin layer comprising the acrylic resin on the second resin layer comprising a resin composition which is prepared by adding an inorganic filler to a butadiene- containing resin containing an aromatic vinyl compound, a vinyl cyanide compound and butadiene as essential monomers and contains 1-40 wt.% of inorganic filler and 5-40 wt.% of an acetone-insoluble resin component.例文帳に追加

アクリル系樹脂からなる第一の樹脂層及び、芳香族ビニル化合物とシアン化ビニル化合物とブタジエンを必須の単量体とする含ブタジエン樹脂に無機フィラーを含有する樹脂組成物であって、無機フィラーの含量が１〜４０重量％であり、アセトン不溶樹脂分が５〜４０重量％である第二の樹脂層が積層された積層フィルムが提供される。 - 特許庁

The laminated chip varistor 11 comprises a varistor element 21 composed of a varistor layer, and of a plurality of internal electrodes disposed to sandwich the varistor layer; and first external electrodes 22, 23 and second external electrodes 25 to 28 formed on the outer surface of the varistor element 21, and respectively connected with the corresponding internal electrodes among the plurality of the internal electrodes.例文帳に追加

積層型チップバリスタ１１は、バリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有するバリスタ素体２１と、バリスタ素体２１の外表面に形成されると共に、複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される第１の外部電極２２，２３及び第２の外部電極２５〜２８と、を有している。 - 特許庁

The method of manufacturing a fuel cell catalyst layer includes a first step of applying a catalytic ink S containing a catalyst carrying conductive carrier, an electrolyte and a dispersion solvent on a surface of a base material T in layers to form a coating film and a second step of drying the coating film in a pressure reduced atmosphere to form a catalyst layer on the surface of the base material T.例文帳に追加

本発明の燃料電池用触媒層の製造方法は、触媒が担持された導電性担体と、電解質と、分散溶媒と、を含む触媒インクＳを、基材Ｔ表面に層状に塗布して塗膜を形成する第１の工程と、塗膜を減圧雰囲気下で乾燥させて基材Ｔ表面に触媒層を形成する第２の工程と、からなるものである。 - 特許庁

The first doped semiconductor regions 18 and the second doped semiconductor regions 28 are electrically grounded or forward-biased relative to the bottom semiconductor layer at a voltage that is insufficient to cause excessive current due to forward-biased injection of minority carriers into the bottom semiconductor layer, i.e., at a potential difference not exceeding 0.6V to 0.8V.例文帳に追加

第１のドープされた半導体領域１８及び第２のドープされた半導体領域２８は、共にグランド電位に接続されるか、又は底部半導体層への少数キャリアの順方向バイアス注入に基づく過剰な電流を生じるには不十分は電圧、即ち、０．６Ｖ乃至０．８Ｖを越えない電位差を保って底部半導体層に対して順方向バイアスされる。 - 特許庁

A static charge which is injected in the substrate 100 via the pad 170 is chiefly discharged through a first discharge route 190, and a second discharge route 192 which goes via a silicide layer 130 little functions as a discharge route as the contact resistance value between the layer 130 and the region 114 is higher than the resistance value of the region 114.例文帳に追加

パッド１７０より注入される静電気の電荷は、第１の放電経路１９０を主に経由して放電され、シリサイド層１３０を経由する第２の放電回路１９２は、シリサイド層１３０と第１の拡散領域１１４との接触抵抗値が、第１の拡散領域１１４の抵抗値よりも大きいため、放電経路としてほとんど機能しない。 - 特許庁

In the solder paste printing process, a first pad 22B where a solid layer 21 is formed in the projection region of the pad 22 on the rear surface through one or a plurality of resin insulation layers is coated with a smaller quantity of solder paste than a second pad 22C where the solid layer 21 is not present in the projection region of the pad 22 on the rear surface.例文帳に追加

ハンダペースト印刷工程では、そのパッド２２が、自己を裏面側に投影した領域に１又は複数の樹脂絶縁層を介してベタ層２１が形成されている第１パッド２２Ｂであるか、自己を裏面側に投影した領域にベタ層２１は存在しない第２パッド２２Ｃであるかによって、第１パッド２２Ｂには、第２パッド２２Ｃよりも少量のハンダペーストを塗布する。 - 特許庁