「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(409ページ目) - Weblio英語例文検索

The method advances etching of a film to be etched by positioning a substrate (S) having laminated structure in which the film to be etched (F) is formed on a base layer (Z) in a space between a first electrode and a second electrode, and introducing etching gas into the space and generating a plasma.例文帳に追加

本方法では、被エッチング膜（Ｆ）が下地層（Ｚ）上に形成された積層構造を持つ基板（Ｓ）を第１電極及び第２電極間の空間に位置させ、該空間内にエッチングガスを導入するとともにプラズマを発生させることで、前記被エッチング膜のエッチングを進行させる。 - 特許庁

This conductive liquid crystal element is composed, by forming at least two first liquid crystal layers between two facing electrodes and by forming a second conductive liquid crystal layer 14, having a phase transition temperature to an isotropic phase which is lower than that of the first liquid crystal between the first oriented liquid crystal layers 13 and 15.例文帳に追加

二枚の対向した電極間に少なくとも二つの第一の液晶層を形成し、該第一の配向性液晶層１３，１５の間に第一の液晶よりも等方相への相転移温度が低い第二の導電性液晶層１４を形成してなる導電性液晶素子。 - 特許庁

By repeating processing in steps S2 to S5, the existence of even a communication device which the communication device cannot directly communicate with can be recognized on the basis of communication information from a communication device which the communication device can directly communicate with, and it can be recorded in the second layer of the communication table.例文帳に追加

このステップＳ２乃至Ｓ５の処理が繰り返しされることにより、直接的に通信可能である通信装置からの通信情報に基づき、直接的に通信不可能であった通信装置についてもその存在を把握することができ、通信テーブルの第２層に記録することができる。 - 特許庁

After forming vias 108 and wiring trenches 109 in an insulation film on a semiconductor substrate 100, a second Ru barrier metal film 110 and a copper seed layer 111 are deposited in this order to the bottoms and the walls of the vias 108 and the trenches 109.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜にビアホール１０８及び配線用溝１０９を形成した後、ビアホール１０８及び配線用溝１０９のそれぞれの底部及び壁面に、Ｒｕ膜からなる第２のバリアメタル膜１１０、及び銅シード層１１１を順次堆積する。 - 特許庁

The rare-earth magnet 1 can be obtained by forming the protection layer 4 so that, after the magnet element assembly 2 is processed with a first processing agent containing metal ions and subsequently a second processing agent having a different pH from the first processing agent, the inorganic particles 6 separated thereby are covered.例文帳に追加

この希土類磁石１は、磁石素体２を、金属イオンを含む第１の処理液、及び、第１の処理液とは異なるｐＨを有する第２の処理液で順に処理した後、これによって析出した無機粒子６を覆うように保護層４を形成することで得ることができる。 - 特許庁

Both of the scattering films 10a, 10b constituting the scattering film layer 10 are forward scattering films which scatter transmitted light from a second incident angle region containing no film normal stronger than transmitted light from a first incident angle region containing the film normal.例文帳に追加

この散乱フィルム層１０を構成する散乱フィルム１０ａ、１０ｂの双方を、フィルム法線方向を含む第１の入射角領域からの透過光よりもフィルム法線方向を含まない第２の入射角領域からの透過光を強く散乱させる前方散乱フィルムとする。 - 特許庁

Then, after a double-layer sheet 5 is obtained by pressing the exposed surfaces of the sheets 2 and 4 against each other, while the sheets 2 and 4 are respectively adhered to the carrier films 1 and 3, the second carrier film 3 is removed while the sheet 5 is adhered to the first carrier film 1.例文帳に追加

第１と第２のセラミックグリーンシート２，４をそれぞれ第１，第２のキャリアフィルム１，３に付けた状態で、その露出面どうしを対面圧着させ、複数層シート５を得た後、第１のキャリアフィルム１に複数層シート５を付けたまま、第２のキャリアフィルム３を剥がす。 - 特許庁

The intermediate layer (6) includes both modules connected in series, and the first formed body (4) of the both formed bodies is formed by at least a part of the insulating substrate and the second formed body (5) is formed by at least a part of the arc extinguishing medium.例文帳に追加

中間層(6) は直列に接続された両方のモジュールを含み、両方の成形体のうちの第一の成形体(4) は電気的に絶縁する基体の少なくとも一部により形成されかつ第二成形体(5) は消弧媒体の少なくとも一部により形成される。 - 特許庁

A packing and sealing member 42 of the epoxy adhesive, silicone adhesive, etc., having the relatively higher water absorptivity than that of the non-water absorptive insulating and sealing member 41 is packed as a packing and sealing member forming a second sealing layer on the circumference of the non-water absorptive insulating and sealing member 41.例文帳に追加

この非吸水性絶縁封止部材４１の周囲に第２封止層を形成する第２充填封止部材として非吸水性絶縁封止部材４１より比較的吸水性の高いエポキシ系接着剤又はシリコーン系接着等の充填封止部材４２が充填されている。 - 特許庁

The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.例文帳に追加

少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

A photodetector includes a silicon oxide layer whose thickness od 3 to 10 nm formed on a first conductive silicon substrate, a first conductivity-type depletion blocking region formed just under the silicon oxide film, and a second conductivity-type charge accumulation region formed under the depletion blocking region.例文帳に追加

本発明の受光素子は、第１導電型のシリコン基板上に形成された厚さ３〜１０ｎｍのシリコン酸化膜と、この直下に形成された第１導電型の空乏化阻止領域と、空乏化阻止領域の下方に形成された第２導電型の電荷蓄積領域とを有する。 - 特許庁

The composition comprises a mixture solvent of a first organic solvent (A) having a surface tension of than 32 mN/m or more and containing nitrogen in the molecule and a second organic solvent (B) having a surface tension of 32 mN/m or less, and a material for forming a liquid crystal alignment layer dissolved in the mixture solvent.例文帳に追加

表面張力が３２ｍＮ／ｍ以上の、分子内に窒素を有する第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第１有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、この混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁

The organic layer 14 is fitted between the first electrode 13 and the second electrode 15, so structured that a resistance value per unit length of the former 13 and that of the latter 15 are to be the same.例文帳に追加

有機層１４は第１電極１３と第２電極１５との間に設けられており、第１電極１３の単位長さ当たりの抵抗値と第２電極１５の単位長さ当たりの抵抗値とが等しくなるように第１電極１３及び第２電極１５は構成されている。 - 特許庁

In order to remove each gold plating layer 12 in the peeling region HE almost all over, relative movement (scanning) is performed between the YAG second harmonic laser beam SHG and each contact W as a work in a direction at a desired angle to the major axis direction of the elliptic beam spot SP_SHG.例文帳に追加

剥離領域ＨＥ内の金メッキ層１２をほぼ隈なく除去するために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧと加工対象のコンタクトＷとの間で楕円状ビームスポットＳＰ_SHGの長軸方向に対して所望の角度をなす方向に相対移動（走査）が行われる。 - 特許庁

The heat resistant inorganic oxide preferably consists of an oxide containing at least one of CeO2 and ZrO2, or of Al2 O3, and the second coating layer preferably contains at least one element selected from a group consisting of Ba, Ca, Cs, K, Mg, and La.例文帳に追加

好ましくは、耐熱性無機酸化物を、ＣｅＯ_2 およびＺｒＯ_2 のうちの少なくとも一方を含む酸化物、またはＡｌ_2 Ｏ_3 により構成し、また、第２被覆層に、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｓ、Ｋ、Ｍｇ、およびＬａからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含ませた。 - 特許庁

A coating process is added between the first and the second etching processes, and thereby the side-etching can be prevented even when not performing a plurality of etching processes, and consequently the layer 21 having a desired shape can be formed in a small number of processes.例文帳に追加

第１エッチング処理工程および第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、所望の形状の被処理層２１を、少ない工程数で形成することができる。 - 特許庁

An ink channel part 12 provided with an ink ejection opening 20 and a second ink chamber 64, and a substrate section 14 provided with a heating resistor element 24, an ink supply opening 44 and a first ink chamber 62 are fabricated independently on a dummy substrate 50 through a resist layer 52.例文帳に追加

ダミー基板５０上にレジスト層５２を介して、インク吐出口２０と第２インク室６４とが形成されたインク流路部１２と、発熱抵抗素子２４とインク供給口４４と第１インク室６２とが形成された基板部１４とを各々別々に製造する。 - 特許庁

An antenna device 2 is provided in a wrist watch 1 which can receive a positioning signal from a GPS satellite, and has a patch metal plate 2a (first electrode), a moving electrode part 2c (second electrode) and a dielectric layer 2b arranged between the patch metal plate 2a and the moving electrode part 2c.例文帳に追加

アンテナ装置２は、ＧＰＳ衛星からの測位用信号を受信可能な腕時計１に備えられていて、パッチ金属板２ａ（第１電極）と、ムーブ電極部２ｃ（第２電極）と、パッチ金属板２ａとムーブ電極部２ｃとの間に配置された誘電体層２ｂと、を有している。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes on a substrate 10 a group III-V nitride semiconductor layer 30 composed of a low defect region 30A made of a crystal having first average dislocation density and of a high defect region 30B made of a crystal having a higher second average dislocation density than the first one.例文帳に追加

基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。 - 特許庁

The light source 113 is adhered to be tightly in contact with the first and second transparent substrates 103, 107, and the light source 113 is disposed on one side facing slopes of a light controlling layer 102.例文帳に追加

視認側透明基板に凸凹を形成した液晶セルの両側に偏光層を設け、さらに対向面に反射層を有し、液晶セルの一辺の側面に光源を配置し、光源の発光は液晶セルに入射し、液晶セルの凸凹で反射層側に反射することを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁

On a second layer B of the ceramic multilayer substrate 1, resonant circuits (constituted by a pattern 6 capacity-coupled with the main line 4 between layers and an open stub 7 connected thereto) are arranged while being shifted by a very small dimension on 1-to-1 basis with respect to the coplanar lines, and each circuit is set at a resonance frequency corresponding to the amount of displacement.例文帳に追加

セラミック多層基板１の第２層Ｂに、コプレーナ線路と１対１の関係で、共振回路（主線路４と層間で容量結合させるパターン６とそれに接続されるオープンスタブ７とで構成）を、微小寸法ずつずらして配置し、ずれ量に応じた共振周波数に設定。 - 特許庁

In condition where the glass substrates 1, 2 are adhered to each other with a sealing member 5, the liquid crystal 3 is filled between the glass substrate 1, 2 so as to adjoin the diffraction grating surface (d), and an aligning layer 6 is disposed on the surface of the second glass substrate 2 on the side of the diffraction optical device 4 so that the liquid crystal 3 is aligned homogeneously.例文帳に追加

ガラス基板(1,2)がシール剤(5)で固着された状態でガラス基板(1,2)間には液晶(3)が回折格子面(d)に隣接するように充填されており、液晶(3)がホモジニアス配向するように第２ガラス基板(2)の回折光学素子(4)側の面に配向膜(6)が設けられている。 - 特許庁

The dummy layer of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate 401, an element separation film 402 for composing a dummy active region 403 in the logic region on the semiconductor substrate 401, a first dummy pattern 404 formed on the element separation film 402, and a second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層は、半導体基板(401)と、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)と、素子分離膜(402)上に形成された第１ダミーパターン(404)と、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

The scanning side driving circuit section of the active matrix substrate 2 is provided with the first circuit forming region existing on the outer peripheral side of the substrate, the second circuit forming region existing between the region and a pixel section 11, and a wiring layer forming region existing between the circuit forming regions.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１において、走査線駆動回路部は、基板外周側に位置する第１の回路形成領域と、この領域と画素部１１との間に位置する第２の回路形成領域と、これらの回路形成領域との間に位置する配線層形成領域とを備える。 - 特許庁

A bump electrode 30 made of metal body with a low fusing point for jointing a first component 10 and a second component 20; and a protective layer 40 formed on at least the side face of the bump electrode 30 for preventing transmission of substance which degrades the behavior of the bump electrode.例文帳に追加

低融点の金属単体によって形成され、第１の部品１０と第２の部品２０とを接合するバンプ電極３０と、バンプ電極３０の少なくとも側面に形成され、バンプ電極の特性を劣化させる物質の透過を防止する保護層４０とを有する。 - 特許庁

The soft magnetic alloy powder is heated in a weak-oxidizing atmosphere obtained by mixing a weak-oxidizing gas such as water vapor into an inert gas, and the second element in the surface layer part of the powder is selectively subjected to oxidation reaction while suppressing the oxidation of iron to form a thin oxide film having high electric resistance.例文帳に追加

この軟磁性合金粉末を、不活性ガスに水蒸気等の弱酸化性ガスを混入した弱酸化性雰囲気中において加熱し、鉄の酸化を抑制しつつ粉末表層部の第２の元素を選択的に酸化反応させて高電気抵抗の薄い酸化膜を形成する。 - 特許庁

A connection plate 18 for joining a beam 14 to a column 12 by connecting a column core material 20 and a beam core material 32 together is surrounded by a second burning stop layer 34 so that a rise in the temperature of the connection plate 18 in the case of fire and after fire extinguishment can be suppressed.例文帳に追加

柱心材２０と梁心材３２とをつないで柱１２に梁１４を接合する連結板１８を、第２燃え止まり層３４によって取り囲むことにより、火災時及び火災終了後における連結板１８の温度上昇を抑制することができる。 - 特許庁

A light shielding section is formed by applying coloring resists with a plurality of colors to a substrate for forming a light shielding section for a plurality of times in superposing, and making coloring pigments of the coloring resists applied at least on and after the second application be adsorbed to a coloring resist layer formed with the first application of the coloring resist.例文帳に追加

遮光部形成基板上に複数色の着色レジストを複数回重ねて塗布し、１回目の着色レジストの塗布により形成された着色レジスト層に、少なくとも２回目以降に塗布された着色レジストの着色顔料を吸着させて遮光部を形成する。 - 特許庁

The method of constituting the metal material includes a step of preparing the substrate including a region formed from a first semiconductor material, and a second material containing germanium separated by a pattern formed from a dielectric material, a step of performing deposition (F2) of a metal layer, and a step of performing a first thermal process (F3).例文帳に追加

第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。 - 特許庁

To provide an organic EL element for maintaining good luminescent display characteristics over a long period without giving defects to a second electrode layer and causing and expanding dark spots when there are foreign matters or steps such as the banks of a TFT substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

異物やＴＦＴ基板のバンクなどの段差があっても、第二電極層に欠陥が生じることがなく、ダークスポットが発生・拡大することがなく、長期にわたり良好な発光表示特性を維持できる有機ＥＬ素子および製造方法を提供すること。 - 特許庁

The IC includes a substrate having a top surface and a bottom surface, and a circuit formed on the top surface; a plurality of bonding pads formed along a periphery of the bottom surface; and a back metal layer (BML), formed on the bottom surface and electrically connected to second sub-set bonding pads in a plurality of bonding pads.例文帳に追加

ICは、上面と下面を有し、上面上に回路を有する基板と、下面の周辺に沿って形成された複数のボンディングパッドと、下面上に形成され、複数のボンディングパッド中の第二サブセットボンディングパッドに電気的に結合される背面金属層(BML)と、を備える。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

A control circuit 8 determines a target value for an input current to the second DC/DC converter 7, based on at least one of the generated power from a generator 1, the voltage of the power-generation bus A, the voltage of the battery bus B, and a charge voltage or voltage target value for the electric double-layer capacitor 6.例文帳に追加

制御回路８は、第２ＤＣ／ＤＣコンバータ７の入力電流の目標値を、発電機１の発電電力、発電母線電圧、バッテリ母線電圧、電気二重層コンデンサ６の充電電圧または電圧目標値の内の少なくとも１つに基づき定める。 - 特許庁

The electronic device contains a glass substrate 100, a patterned semiconductor substrate having at least one opening and disposed on the glass substrate, and at least one passive component having first conductive layers 104, 104a, and 104b and second conductive layer 112, 112a, 112b, and 112c, wherein the first conductive layers are disposed between the patterned semiconductor substrate and the glass substrate.例文帳に追加

電子装置は、ガラス基板と、少なくとも一つの開口を有し、ガラス基板上に設置されるパターン化半導体基板と、第一導電層と第二導電層を有し、第一導電層が、パターン化半導体基板とガラス基板間に設置される少なくとも一つの受動素子と、からなる。 - 特許庁

Second low electrical potential wiring conductors 39 arranged mutually separated along the arranged direction of the heating parts 11 are connected in common to one first low electrical potential wiring conductor 33 by a plurality of conductive connectors 43 piercing an electrically insulating layer 23.例文帳に追加

発熱部１１の配列方向に沿って互いに離間して配列された複数の第２層低電位配線導体３９が、電気絶縁層２３を貫通する複数の導電接続体４３によって１つの第１層低電位配線導体３３に共通して接続されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

In the fixing member 62, a surface layer 2 is composed of, for example: a first band section 4 (heat resistance resin section 4) composed of a resin composition containing a heat resistant resin having releasability; and a second band section 6 (reinforcing section 6) having a higher mechanical strength than the resin composition.例文帳に追加

定着部材６２において、例えば、離型性を持つ耐熱性樹脂を含む樹脂組成物で構成された第１の帯状部分４（耐熱性樹脂部４）と、樹脂組成物よりも機械的強度が高い第２の帯状部分６（補強部６）とで、表面層２を構成する。 - 特許庁

The seal material is provided so as to pile on a recessed part (200) formed so as to surround a region in which the electro-optical layer is provided at a plane facing the second substrate in the first substrate, and the recessed part is formed by at least non-organic insulating film being removed partially.例文帳に追加

シール材は、第１基板における第２基板と対向する面に電気光学層が設けられた領域を囲むように形成された凹部（２００）に重なるように設けられており、凹部は、少なくとも無機絶縁膜が部分的に除去されることにより形成されている。 - 特許庁

The thin film transistor (30) has on a substrate (10) a semiconductor layer (1a) having a source region (1s), a channel region (1c), a drain region (1d), a first LDD region (1sc), and a second LDD region (1cd), and a gate electrode (2a) arranged so as to face the channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（３０）は、基板（１０）上に、ソース領域（１ｓ）、チャネル領域（１ｃ）、ドレイン領域（１ｄ）、第１ＬＤＤ領域（１ｓｃ）及び第２ＬＤＤ領域（１ｃｄ）を有する半導体層（１ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（２ａ）とを備える。 - 特許庁

A channel region 108 of the MOS transistor 106 is provided with a distortion introduction element by a first trench structure 55a and a second trench structure 55b, and also with a silicon-nitride cap layer 130 conformally provided on a surface of the MOS transistor 106 as another distortion introduction element.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０６のチャネル領域１０８に、第１トレンチ構造５５ａ、第２トレンチ構造５５ｂによる歪み導入要素だけでなく、別の歪み導入要素として、ＭＯＳトランジスタ１０６表面上にコンフォーマルに設けられた窒化シリコンキャップ層１３０を設ける。 - 特許庁

The second layer 3a is formed by dispersing at least one or more among particles of a metal selected from a group of Si, Ge, Sn, In and Pb, alloy particles, and metal oxide particles in a solution obtained by dissolving the binder in a solvent, applying the coating liquid, and drying it.例文帳に追加

第二の層３ａは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＩｎおよびＰｂからなる群から選択される金属粒子、合金粒子、金属酸化物粒子の内、少なくとも一以上を、結着剤を溶媒に溶かした溶液中に分散し、その塗液を塗布、乾燥することによって形成する。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied onto the interlayer insulating film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, dried, irradiated with light through a mask patterned to form windows 6c in predetermined parts, and developed with an aqueous alkali solution to form a pattern.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

Since the low-temperature co-fired ceramic substrate contains a diopside-based crystallized glass, the dielectric loss in the high-frequency band is small, and the second dielectric layer makes up for the fluidity of a first glass powder forming diopside-based crystals due to rapid crystallization of the first glass powder.例文帳に追加

本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第２誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第１ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。 - 特許庁