「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(410ページ目) - Weblio英語例文検索

According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.例文帳に追加

本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁

The imaging apparatus includes: a plurality of pixels constituted by including a photoelectric converting section; color filters for a plurality of colors provided for each color correspondingly to each of the plurality of pixels; a photographing sensitivity setting section for setting an photographing sensitivity; a charge absorbing layer of a second conduction type; and a voltage applying section.例文帳に追加

撮像装置は、光電変換部を含んで構成される複数の画素と、複数の画素のそれぞれに対応して色毎に設けられる複数色のカラーフィルタと、撮影感度を設定する撮影感度設定部と、第２導電型の電荷吸収層と、電圧印加部とを有している。 - 特許庁

The gate insulator has a first insulating film 6 that is formed on the active layer 3 and includes at least one compound selected from the group consisting of Al_2O_3, HfO_2, ZrO_2, La_2O_3, and Y_2O_3, and a second insulating film 7 that is formed on the first insulating film 6 and is made of SiO_2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 - 特許庁

The second electrode layer may include at least any one selected from a group consisting of Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu and Co.例文帳に追加

前記第２電極層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｎａ、Ｓｂ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｏよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。 - 特許庁

The holographic recording and reproducing device which records and reproduces information on the holographic recording medium 1 equipped with a holographic recording layer which records information by holography using incident recording light, has a first light generation part, a second light generation part, a third light generation part and a rotation part.例文帳に追加

入射される記録光を用いてホログラフィにより情報を記録するホログラフィック記録層を備えるホログラフィック記録媒体１に情報を記録し、再生するホログラフィック記録再生装置は、第１の光発生部と第２の光発生部と第３の光発生部と回転部を備える。 - 特許庁

An organic EL element 10 has a dielectric lamination film 20 formed by alternately laminating each n-pieces of silicon oxide layers functioning as first dielectric 21 and second dielectric 22 between an anode layer and a substrate, and the dielectric lamination film functions as an optical resonator 30.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０は、陽極層１２と基板１１との間に、第１の誘電体２１としてのシリコン窒化膜と第２の誘電体２２としてのシリコン酸化膜がｎ層ずつ交互に積層された誘電体積層膜２０が形成され、誘電体積層膜２０が光共振器３０として機能する。 - 特許庁

Gate leak current can be decreased by tunnel magnetic resistance effect, because the magnetization direction of the ferromagnetic layer 6 in the gate electrode is fixed in substantially the reverse direction to each of the magnetization directions of the first ferromagnetic electrode 3 and the second ferromagnetic electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極の強磁性体層６の磁化方向が、第１強磁性体電極３及び第２強磁性体電極４のそれぞれの磁化方向と実質的に反対の方向に固定されているので、トンネル磁気抵抗効果によりゲート・リーク電流を低減化することができる。 - 特許庁

The first liquid crystal layer differentiates phase states of light transmitted between the first substrate and the second substrate upon ascending and descending of potential difference between both substrates from each other and maintains the phase state upon the ascending after being changed from the ascending to the descending.例文帳に追加

第１液晶層は、第１基板および第２基板間の電位差の上昇時と下降時とでこれら両基板間を透過する光の位相状態が異なるとともに、電位差上昇時から前記下降時に変わった後に上昇時の前記位相状態を維持する。 - 特許庁

When the recording layer 18 is irradiated with a laser beam of a blue wavelength, the main component metals contained in the first and second subrecording layers 18A, 18B are diffused by irradiation to be mixed and, by this mixing, a recording mark of an irreversibly changed reflectance is formed.例文帳に追加

青色の波長のレーザ光を記録層１８に対して照射すると、第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂに含まれる主成分金属が照射により拡散して混合され、この混合によって反射率が不可逆的に変化した記録マークが形成される。 - 特許庁

At least one of first and second electrodes having a liquid crystal layer interposed therebetween has a plurality of aperture parts regularly disposed in the pixel area, and its sub pixel area is defined by a sub electrode area having aperture parts at at least one of the corners and sides of a polygon.例文帳に追加

液晶層を挟持する第１電極および第２電極の少なくとも一方は、絵素領域内に、規則的に配置された複数の開口部を有し、サブ絵素領域は、多角形の角および辺の少なくとも一方に開口部を有するサブ電極領域で規定される。 - 特許庁

At least two or more interfaces are formed by a solution containing a first solvent in which carbon fullerenes are dissolved in a saturated state and a second solvent having lower solubility to the fullerenes than that of the first solvent, and then a two-layer separation state is formed at each interface to deposit the fullerene nanowhiskers.例文帳に追加

炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第１溶媒を含む溶液と、前記第１溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第２溶媒で、少なくとも２以上の界面を作り、それぞれの界面において２層分離状態を形成してフラーレンナノウィスカーを析出する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method includes the step of polishing a second surface 6 opposite to the first surface 4 of a semiconductor wafer 2 where a plurality of integrated circuits 10 are formed on the first surface 4, and then forming a resin layer 12 on the circumference 8 of the semiconductor wafer 2.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１の面４に複数の集積回路１０が形成された半導体ウエハ２の、第１の面４とは反対の第２の面６を研削すること、及び、その後、半導体ウエハ２の周縁部８に樹脂層１２を形成すること、を含む。 - 特許庁

An optoelectronic device includes a passivation layer of a dielectric material having a graded composition that varies with depth, whether continuous or stepwise, to provide a first index of refraction proximate to a semiconductor or conductor material and provide a second index of refraction adjacent to a surrounding material, such as an encapsulant.例文帳に追加

光電子デバイスは、深さと共に連続的または段階的に変化し、半導体または導体材料に近い第１の屈折率を備えるとともに、封入剤などの周囲材料に隣接する第２の屈折率を備える、傾斜組成を有する誘電体材料のパッシベーション層を含む。 - 特許庁

The decorative plate for the wireless apparatus has metallic luster and a resin sheet lamination construction, and includes: a first resin sheet A where gradation 1b is given by printing; and a second resin sheet B where a metal layer 2a of sea island structure is disposed.例文帳に追加

金属光沢を有し、かつ樹脂シートの積層構成である無線機器用化粧板において、印刷による階調１ｂを付与した第１の樹脂シートＡと海島構造の金属層２ａを配設した第２の樹脂シートＢを構成に含むことを特徴とする無線機器用化粧板である。 - 特許庁

A carcass ply is manufactured by disposing a strip-like part having thread-like elements of longitudinal direction associated in a layer of elastomer material of first and second series strip-like sections 13, 14 cut in a predetermined size.例文帳に追加

所要寸法に切断された第一及び第二の系統のストリップ状部分１３、１４であって、各々がエラストマー的材料の層内に組み込まれた長手方向の糸状要素１５を備える、上記ストリップ状部分を円環状の支持体の上に配置することにより、カーカスプライの製造が為される。 - 特許庁

A logic gate cell includes a special terminal structure and then when logic gate cells are arranged at specified near positions, a wiring connection is made using only first and second metal wiring layers to increase wiring re sources of an upper layer, thereby reducing the layout area.例文帳に追加

論理ゲートセルの端子構造を特別なものとし、論理ゲートセル同士を特定の近接位置に配置したときに、第一および第二の金属配線層のみで配線接続を完結することにより、上層の配線資源を増加させることでレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

In a roll-like stacked electrode 1 constituted with a first electrode 4, a second electrode 6, and insulating layers 8, 10 for separating these electrodes, a coating layer 14 is formed in a region selected at one end of the first electrode 4 in a thermal spray coating process.例文帳に追加

第１の電極４、第２の電極６及びこれらの電極を分離するための絶縁層８，１０から構成されるロール状の積層電極１において、第１の電極４の一端部の選択された領域にサーマルスプレイコーティング法を用いてコーティング層１４を形成する。 - 特許庁

Namely, this slide type variable resistor has excellent durability by using the mixture of the first polymer having high adhesiveness to the resistor and the second polymer having a thermally stable structure as the protective layer of the contact surface between the resistor and the slider.例文帳に追加

つまり、本発明の摺動式可変抵抗器は、抵抗体と密着性の高い第１高分子と、熱的に安定な構造を有する第２高分子との混合物を抵抗体と摺動子との接触面の保護層として用いることによって、耐久性がよいものとなっている。 - 特許庁

At least one of the contact regions 5, 6 and other regions 9, 10 consisting of two conductive type material layers arranged between the contact regions 5, 6 and different from each other are encircled by a second conductive type material layer 8.例文帳に追加

上記接点領域（５、６）の少なくとも１つおよび上記接点領域（５、６）の間に配置され相互に対して相違する導電型式の材料の２枚の層からなる別の領域（９、１０）が第２の導電型式の材料の層（８）によって包囲されている。 - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁

In forming the sealing film, the metal mask 2 is first formed on the lower surface 1a of the substrate 1, and then the sealing film 9 is formed to cover a first electrode 6, a light emitting layer 7, and a second electrode 8 on the substrate 1 via the opening of the metal mask 2 by the plasma CVD method.例文帳に追加

封止膜の形成時には、まず基板１の下面１ａ上にメタルマスク２を配置し、次にメタルマスク２の開口を介してプラズマＣＶＤ法により基板１上の第１電極６、発光層７及び第２電極８を覆うように封止膜９を形成する。 - 特許庁

To provide an air-conditioner for a vehicle with reduced cost by simplifying a second partition means mechanism, capable of accurately controlling circulation and shielding of air, reduce the number of parts and the size, and set an inside and outside two-layer air flow mode.例文帳に追加

第２仕切手段を簡易的な機構にして低コスト化を図ると共に、確実に空気の流通および遮断を制御することが可能とし、さらに、小型化が可能で部品点数の削減が可能な内外気２層流モードの設定が可能な車両用空調装置を提供する。 - 特許庁

The belt layer 3 is formed by laminating a first belt material 31 restraining a growth phenomenon of a tire diameter due to an internal pressure and a second belt material 32 made of a steel wire material and forming an angle in a steel wire direction of the steel wire material in a range of 30 to 45 degrees relative to a tire peripheral direction.例文帳に追加

ベルト層３は、内圧によるタイヤ径の成長現象を抑止する第１ベルト材３１と、スチールワイヤ材から成ると共にスチールワイヤ材のスチールワイヤ方向がタイヤ周方向に対して３０度から４５度の範囲内の角度を成す第２ベルト材３２とを積層して成る。 - 特許庁

In a diode cell 20, a P-type resurf region 52 is formed as an anode having a depth deeper than a trench 38 of an IGBT cell 10 and a surface density lower than that of a channel layer 37, and a P+ type second contact region 55 is formed on a surface part of the resurf region 52.例文帳に追加

ダイオードセル２０において、ＩＧＢＴセル１０のトレンチ３８よりも深く、チャネル層３７よりも面密度が小さいアノードとしてのＰ型のリサーフ領域５２が形成され、このリサーフ領域５２の表層部にＰ＋型の第２コンタクト領域５５が形成されている。 - 特許庁

A radiation imaging device 1 includes, in a pixel portion 12, a photoelectric conversion part 111 including a pixel transistor and a photodiode, an insulation film 112, a protective film 113, a second substrate 114, a lens array 115, a planarization film 116, and a scintillator layer 117 in this order on a first substrate 11.例文帳に追加

放射線撮像装置１は、画素部１２において、第１基板１１上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部１１１、絶縁膜１１２、保護膜１１３、第２基板１１４、レンズアレイ１１５、平坦化膜１１６およびシンチレータ層１１７がこの順に設けられている。 - 特許庁

The spin valve magnetic head has a magnetic domain control structure where a first and a second antiferromagnetically coupled magnetic domain control layers 19 and 21 both having the same magnetization are stacked on a soft magnetic free layer 17, and can make both the high output level and stabilization.例文帳に追加

反強磁性結合した磁化量の等しい第一の磁区制御層１９及び第二の磁区制御層２１を軟磁性自由層１７上に積層した磁区制御構造を有するスピンバルブ型磁気ヘッドで高い再生出力と高い安定性を両立することを実現した。 - 特許庁

In this process, in the upper of the part where the second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown laterally in epitaxial manner, propagation of through dislocation which group III nitride-based compound semiconductor layer 31 has is restrained and a region where through dislocation is reduced can be made in the filled steps.例文帳に追加

このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。 - 特許庁

The optical scattering layer 20 may be substituted for an adhesive material (transparent resin) for sticking the first and the second optical retardation plates 17 and 18 to each other, and the adhesive material is made to have a haze degree of 48-67, by incorporating plastic beads 21 to be transparent fine particles into the adhesive material.例文帳に追加

この光散乱層２０は、第１位相差板１７と第２位相差板１８とを貼り合わせる粘着材（透明樹脂）でもって代用してもよく、この粘着材中に透明微粒子であるプラスチックビーズ２１を含有させることで、ヘイズ度を４８〜６７にする。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted so that it has a plurality of core material layers, lands 31 installed onto the surfaces of each core material layer, first vias 32 passing through the lands 31 on one surface of the core material layers 13, and second vias 34 isolated from the lands 31 on one surface of the core material layers 13.例文帳に追加

半導体装置は、複数のコア材層と、各コア材層の表面に設けられたランド３１と、コア材層１３の一つの表面においてランド３１を通る第１のビア３２と、コア材層１３の一つの表面においてランド３１とは独立した第２のビア３４とを備えた構成とする。 - 特許庁

The bandpass filter 1 includes: a first capacitance electrode 13 electrically connected to a resonance electrode 7; and a second capacitance electrode 15 electrically connected to the first capacitance electrode and facing the first capacitance electrode via a dielectric layer.例文帳に追加

また、これらの電極パターンの形状を変化させて共振周波数を小さくした場合、共振周波数と共振周波数の２倍の周波数帯域の間であって減衰量の小さい帯域が通過帯域から外れてしまうため、通過帯域における信号が大きく減衰してしまう。 - 特許庁

The transistor 13 for switching is constituted in such a manner that a second conductivity type source region 13S and a drain region 13D are formed on the semiconductor substrate 11 and a gate electrode 13G is formed via an insulation layer 12a on the region between the source region 13S and the drain region 13D.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタ１３は、半導体基板１１上に第２導電型のソース領域１３Ｓおよびドレイン領域１３Ｄを形成し、ソース領域１３Ｓとドレイン領域１３Ｄの間の領域上に絶縁層１２ａを介してゲート電極１３Ｇを形成して構成する。 - 特許庁

A first latching movable shuttle 103 is formed in the second layer, and, in response to predetermined acceleration of the MEMS device, is moved to a first direction with respect to the wafer to change the operation condition of the MEMS device from a first switch state to an intermediate switch state.例文帳に追加

第１ラッチング可動シャトル１０３は第２層内に形成され、第１可動シャトルはＭＥＭＳ装置が所定の加速されることに応答して、ウェハに対する第１の方向に移動され、ＭＥＭＳ装置の動作条件を第１のスイッチ状態から中間のスイッチ状態へと変更する。 - 特許庁

A copper foil 23, which is combined with a polyamide tape 21, is smoothed by applying a first etching treatment (b) to the copper foil 23, then, a photo resist coating (d), a light exposure/developing (e), and a second etching treatment (f) are applied in order, for a specified pattern on a wiring layer 4 to be formed.例文帳に追加

ポリイミドテープ２１と複合化された銅箔２３に第１のエッチング処理（ｂ）を施すことにより銅箔２３の表面を平滑化した後、フォトレジスト塗布（ｄ）、露光・現像（ｅ）および第２のエッチング処理（ｆ）を順に施し、所定のパターンの配線層４を形成する。 - 特許庁

The surface layer of the development roller contains a polysiloxane containing a fluoroalkyl group and an oxyalkylene group and a polysiloxane comprising a first unit represented by SiO_0.5R^1(OR^2)(OR^3), a second unit represented by SiO_1.0R^4(OR^5) and a third unit represented by SiO_1.5R^6.例文帳に追加

現像ローラの表面層が、フッ化アルキル基及びオキシアルキレン基を含有するポリシロキサンを含有し、かつ、ＳｉＯ_0.5Ｒ^1（ＯＲ^2）（ＯＲ^3）で示される第１のユニット、ＳｉＯ_1.0Ｒ^4（ＯＲ^5）で示される第２のユニット及びＳｉＯ_1.5Ｒ^6で示される第３のユニットを有するポリシロキサンを含有する。 - 特許庁

A first identification mark is formed at the leading part of the ground of the metal pattern layer obtained from the first shot S1, a second identification mark is formed at the rear part of the ground obtained from the n-th shot Sn, and surfaces of the shielding material area between the two identification marks are counted to grasp the number of surfaces.例文帳に追加

第１ショット部Ｓ１から得られる金属パターン層のアース部の先頭部に第１識別マークが形成され、第ｎショット部Ｓｎから得られるアース部の後尾部に第２識別マークが形成されるようにし、２つの識別マークの間のシールド材領域をカウントして面数を把握する。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

The first filter layer is used to receive a biological sample and disk-shaped, has a size deposited in the sealing space provided by mutually engaging the bulge portion of the first sheet and the depression of the second sheet, and comprises components such as sodium azide (NaN_3), sodium dihydrogen phosphate (NaH_2PO_4), and urea.例文帳に追加

第１ろ過層は検体の受けに用い、円盤状の構造を有し、その大きさは第１片体の凸部と該第２片体の凹部の相互に嵌合する密閉空間内に収容され、アジ化ナトリウム（ＮａＮ_3）、リン酸二水素ナトリウム（ＮａＨ_2ＰＯ_4）、尿素（Ｕｒｅａ）等の成分を具備する。 - 特許庁

The bandpass filter has a plurality of first parallel resonance circuits, in which a coil and a capacitor are connected in parallel with a serial arm and a second parallel resonance circuit, in which a coil and a capacitor are connected in parallel with a parallel arm in a laminate, in which an insulator layer and a conductor pattern are laminated.例文帳に追加

絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、直列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された複数の第１の並列共振回路を接続し、並列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された第２の並列共振回路を接続したバンドパスフィルタが形成される。 - 特許庁

The electrode system comprises a first part 25 made of a metal film 31 whose thickness is 1,000Å or less; and a second part 26 having a metal foundation film 27 whose thickness is 1,000 Å or less and a metal upper layer film 28 whose thickness is at least 300 Å on the metal foundation film.例文帳に追加

電極系が、厚さ１０００オングストローム以下の金属膜３１からなる第一の部分２５と、厚さ１０００オングストローム以下の金属下地膜２７およびこの金属下地膜上の厚さ３００オングストローム以上の金属上層膜２８を備える第二の部分２６とを含む。 - 特許庁

The ultrasonic probe includes a plurality of ultrasonic transducers, a flexible printed wiring board including a plurality of first wiring portions, on the upper surface of a base member, each of which has a width smaller than the width of each ultrasonic transducer in the array direction, and a lining layer provided on the second surface of the base member.例文帳に追加

複数の超音波振動子と、ベース材の上面に各超音波振動子の配列方向幅よりも狭い幅を有する複数の第１の配線部を有するフレキシブル印刷配線基板と、ベース材の第２の面に設けられる裏打ち層と、を具備する超音波プローブである。 - 特許庁

The substrate for sealing comprises a first substrate 10, a recessed part 12 formed on one surface side of the first substrate 10, a coating layer 20 formed on the bottom surface of the recessed part 12 to be thinner than the depth of the recessed part 12, and a second substrate 40 provided on the other surface side of the first substrate 10.例文帳に追加

封止用基板は、第１の基板１０と、第１の基板１０の一方の面側に形成された凹部１２と、凹部１２の底面に凹部１２の深さよりも薄くなるように形成された被覆層２０と、第１の基板１０の他方の面側に設けられた第２の基板４０と、を含む。 - 特許庁

An input and output port of a processing module PM, respective memory interfaces IF and respective memory banks are connected by connection wires wired in matrix (lattice) shape along a Y-direction (the first direction) and an X-direction (the second direction) in an arrangement area (upper layer thereof) for a plurality of memory macros.例文帳に追加

処理モジュールＰＭの入出力ポートと、各メモリインタフェースＩＦと、各メモリバンクとは、複数のメモリマクロの配置領域（の上層）にＹ方向（第１方向）およびＸ方向（第２方向）にマトリクス状（格子状）に配線された接続配線により接続されている。 - 特許庁

The heat generation structure 1 comprises: a first sheet 3; a heat generation body 6 placed on an upper surface of the first sheet 3; a second sheet 7 adhered to the first sheet 3 in a state that it covers the heat generation body 6; and an adhesion layer 10 coated on a lower surface of the first sheet 3.例文帳に追加

発熱構造体１は、第１シート３と、第１シート３の上方面に配置された発熱体６と、発熱体６を覆った状態で第１シート３と接着された第２シート７と、第１シート３の下方面に塗布された粘着層１０とから構成されている。 - 特許庁

In stationarily fixing the magenta thermal coloring layer of a rear end in the fixing direction of a recording area, an emission intensity of the second fixing lamp M2 for magenta disposed at the uppermost stream side in the fixing direction is made stronger than that of the first fixing lamp M1, so that a fixing shortage part is fixed promptly.例文帳に追加

記録エリアの定着方向後端のマゼンタ感熱発色層を静止定着する際には、定着方向の最上流側に配置したマゼンタ用第２定着ランプＭ２の発光強度を第１定着ランプＭ１よりも強くして、定着不足部分の定着を迅速に行なう。 - 特許庁

The laminated material has a core material 11, which comprises a porous material having an adhesive layer 12 comprising a liquid adhesive applied to its surface, as a first sheet material and also has a backing material 17, as a cover material for covering the undersurface being the surface of the core material 11, as a second sheet material.例文帳に追加

積層材１０は、第１のシート材として、表面に塗布された液状接着剤からなる接着層１２を有する多孔質体からなる芯材１１と、第２のシート材として、該芯材１１の表面である下面を被覆する被覆材としての裏皮材１７とを有している。 - 特許庁