「selected array」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A designated conversion element is selected from conversion elements of a ultrasonic wave generating part 21 by a conversion element select part 12 and connected in common to form an annular array type conversion element group.例文帳に追加

超音波発生部２１の変換素子から所定の変換素子を変換素子選択部１２によって選択して共通接続し、アニュラアレイ型変換素子群を形成する。 - 特許庁

Determination of a RAID (redundant array of independent disks)-configuration disk or not is performed by data showing RAID configuration, so that a starting disk can be selected based on the result.例文帳に追加

ＲＡＩＤ構築されたディスクであるかどうかの判定を、ＲＡＩＤ構築を示すデータにより行うようにし、その結果に基づき起動ディスクを選択できるようにした。 - 特許庁

The wirings for short-circuit 11, 12 are short-circuited to the selected gate lines SL0, SL1 in a wiring short-circuit region 13 deployed at a prescribed interval in the column direction of a memory cell array.例文帳に追加

短絡用配線１１，１２は、メモリセルアレイの列方向に所定間隔をおいて配置された配線短絡領域１３において選択ゲート線ＳＬ０，ＳＬ１に短絡させる。 - 特許庁

A transducing element which constitutes an array transducer 12 is selected one by one by the operation of a transmitting section 18 and a receiving section 20, and the ultrasonic waves are transmitted or received by each transduing element.例文帳に追加

送信部１８及び受信部２０の作用によりアレイ振動子１２を構成する振動素子が１つずつ選択され、当該振動素子によって超音波が送受波される。 - 特許庁

In accordance with this construction, light other than the light with an optical frequency of the selected optical signal is removed with the third array waveguide grating, and thereby the crosstalk is reduced.例文帳に追加

この構成に従って、選択した光信号の光周波数以外の光については第３のアレイ導波路格子によって除去され、これによりクロストークの低減が図れるようになる。 - 特許庁

Characters in a selected lyrics phrase are drawn one by one in the order of array along the track of a touch pen 42 after the touch pen 42 touches the photographic image until it gets off the photographic image.例文帳に追加

タッチペン４２が写真画像に接触してから離れるまでの間、タッチペン４２の移動軌跡に沿って、選択された歌詞フレーズ中の文字を配列順に順次描画する。 - 特許庁

Coordinates of a multilevel pixel within an image is used to specify an input from the selected bit mask array and to then set a corresponding pixel value in a halftone image 310.例文帳に追加

画像内のマルチレベル画素の座標は、選択されたビットマスクアレイの中から入力を特定し、次に、ハーフトーン画像３１０における対応する画素値を設定するため用いられる。 - 特許庁

In a period when a reading control line GT(n+1) or a reading control line GT(n-1) for controlling a reading switch for pixels of a semiconductor imaging element array is selected, a refresh control line GR(n) for controlling a refresh switch for pixels is selected.例文帳に追加

半導体撮像素子アレイの画素の読出用スイッチを制御する読出用制御線ＧＴ（ｎ＋１）又は読出用制御線ＧＴ（ｎ−１）が選択されている期間に、画素のリフレッシュ用スイッチを制御するリフレッシュ用制御線ＧＲ（ｎ）を選択する。 - 特許庁

Row selection in array is controlled by resetting the floating diffusion of a unit pixel in non-selected row during a period when a power supply voltage is at a Low level and resetting the floating diffusion of a unit pixel in selected row during a period when the power apply voltage is at a High level.例文帳に追加

非選択行の単位画素のフローティングディフュージョンは電源電圧をLow レベルにしている間にリセットされ、選択行の単位画素のフローティングディフュージョンは電源電圧をHighレベルにしている間にリセットされることによってアレイにおける行選択が制御される。 - 特許庁

When any of the function badges 3 displayed in the function badge area 2A is selected, the display processor re-displays the function badge array 300 so that the selected function badge 3 is placed at an end of the function badge area 2A.例文帳に追加

機能バッジエリア２Ａに表示されている機能バッジ３の中からいずれかの機能バッジ３が選択されると、この選択された機能バッジ３が機能バッジエリア２Ａの端に配置されるように機能バッジ列３００を表示し直す処理を、表示処理装置に実行させる。 - 特許庁

The flash memory device includes a memory cell array comprising memory cells arranged in rows and columns, a page buffer circuit having a single latch structure and configured to read data from a selected memory cell in the memory cell array, and a controller controlling the page buffer circuit having the single latch structure so as to detect a memory cell in which electric charges loss is caused out of memory cells of the selected row.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、行と列で配列されたメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルからデータを読み出すように構成されたページバッファ回路と、前記選択された行のメモリセルのうち、電荷損失が生じたメモリセルを検出するように前記単一のラッチ構造を有する前記ページバッファ回路を制御する制御器と、を含む。 - 特許庁

In a write control circuit 113, after memory cells in a unit region, selected from a main array 100 and a monitor bit region 101 corresponding to the unit region, are erased when writing data, data are written in the unit region selected from the main array 100 and data determined in accordance with the number of times of rewriting of the unit region is written in the monitor bit region 101.例文帳に追加

書き込み制御回路１１３は、データ書き込み時に、メインアレイ１００から選択された単位領域と、当該単位領域に対応するモニタービット領域１０１内のメモリセルを消去した後、メインアレイ１００から選択された単位領域にデータを書き込み、当該単位領域の書き換え回数に対応して定められたデータをモニタービット領域１０１に書き込む。 - 特許庁

Data access by the memory address calculation formula in an address range to be efficiently treated by an instruction system as a given 16-bit fixed length instruction is grouped (S3), a base address formed by commonizing address calculation is selected to the grouped array reference (data access) and array as plural data access is made possible to be referred by the sum of the selected base address and offset (S4).例文帳に追加

与えられた１６ビット固定長命令のような命令体系で効率よく扱えるアドレス範囲にあるメモリアドレス算出式によるデータアクセスをグループ化し（Ｓ３）、グループ化された配列参照（データアクセス）に対してアドレス計算を共通化したベースアドレスを選び、選ばれたベースアドレスとオフセットの和により複数データアクセスとしての配列を参照可能にする（Ｓ４）。 - 特許庁

A time series signal is extracted as a section signal (S3), correlation between the section signal and two ore more standard frequencies is determined and stored (S4), then the greatest correlation value in the correlation array is selected, and is added to the intensity value of the corresponding standard frequency in the intensity array (S6).例文帳に追加

時系列信号を区間信号として抽出し（Ｓ３）、区間信号に対して複数の標準周波数との相関を求め、格納し（Ｓ４）、次に相関配列中で最大の相関値を選出し、強度配列中に対応する標準周波数の強度値に加算する（Ｓ６）。 - 特許庁

The distance between the spherical centers or the rotary axes of the composite planar lens 21 is selected so that the interval of split images formed on the light receiving element array 12 with lights passing through a plurality of the spherical surfaces or the rotational aspherical surfaces is nearly equal to the element interval of the light receiving element array 12.例文帳に追加

合面レンズ２１の球心間または回転軸間の距離は、複数の球面または回転非球面の各々を通過した光によって受光素子アレイ１２上に形成される分離像の間隔が、受光素子アレイ１２の素子間隔とほぼ等しくなるように設定される。 - 特許庁

When matching is determined by the repair determination circuit RJ0, the access control circuit AC selects any of the memory array ARY0 or ARY1 in accordance with an external signal CX13T<1:0> which is input to the access control circuit AC, and selects the spare area 110 included in the selected memory array ARY for access.例文帳に追加

アクセス制御回路ＡＣは、救済判定回路ＲＪ０により一致判定がなされたときには、CX13T<1:0>にしたがってメモリアレイＡＲＹ０、ＡＲＹ１のいずれかを選択し、選択した側のメモリアレイＡＲＹに含まれる予備領域１１０をアクセス先として選択する。 - 特許庁

When the memory cell array U is accessed, the reference cell RCELLL is selected; when the potential of the bit line BITLn is reduced to an L level, a pre-charge signal PCGU becomes the L level, a read operation from the memory cell array U is stopped, and the next precharging is performed.例文帳に追加

メモリセルアレイＵがアクセスされるときには、リファレンスセルＲＣＥＬＬＬが選択され、ビット線ＢＩＴＬｎの電位がＬレベルに低下すると、プリチャージパルス信号ＰＣＧＵがＬレベルになり、メモリセルアレイＵからの読み出し動作が停止するとともに次のプリチャージが行われる。 - 特許庁

When a READ command in inputted one clock cycle after an ACTV command is inputted, a row decoder 22 activates only a sub-array having a memory cell selected by a row address AX and a column address AY out of the sub-array 17i, 17j, and performs read- out operation of data.例文帳に追加

ロウデコーダ２２は、ＡＣＴＶコマンドが入力された後の１クロックサイクル後にＲＥＡＤコマンドが入力された場合には、サブアレイ１７ｉ、１７ｊのうちのロウアドレスＡＸとカラムアドレスＡＹにより選択されるメモリセルを有するサブアレイのみを活性化して、データの読み出し動作を行う。 - 特許庁

The thermal expansion suppressing member 15 has a smaller linear expansion coefficient and a higher Young's modulus than those of the light guide array 12 and the flatness of the contact face 15a of the thermal expansion suppressing member 15 with the light guide array 12 is selected to be smaller than that of the other faces 15b, 15c.例文帳に追加

熱膨張抑制部材１５は光導波路アレイ１２よりも線膨張係数が小さく、ヤング率が大きく、熱膨張抑制部材１５の光導波路アレイ１２との接触面１５ａの平面度は他の面１５ｂ，１５ｃよりも小さくなるように選ばれる。 - 特許庁

A switching circuit 7 is provided between a row decoder 6 and a memory cell array 1 and a decision can be made whether a fault detected through test is present in a row decoder or a memory cell array by switching a word line 3 selected by the row decoder 6.例文帳に追加

行デコーダーとメモリセルアレイとの間に切り替え回路を設け、行デコーダで選択されたワード線の切り替えを行うことにより、テストにおいて検出された行選択線不良の故障箇所の範囲が行デコーダなのか、又はメモリセルアレイの内部であるのかを特定することができる。 - 特許庁

The color difference data in a direction, where it is decided that correlation is high, are selected for each unit array of the four pixels, and a plurality of pixels of the selected color difference data are filtered, thus greatly reducing a false color even if there are diagonal line and figure corner (edge component).例文帳に追加

相関が高いと判定された方向の色差データを前記４画素の単位配列毎に選択し、選択された色差データを複数画素分集めたものに対してフィルタ処理を行う事により、斜め線、図形の角（エッジ成分）がある場合にも偽色を大幅に軽減することができる。 - 特許庁

The light beam (30) emitted from the facet of a first selected optical fiber (22a) is refracted by one of the lenses (24a), reflected by the mirror (28), returns to the lens array (24), is refracted by another lens, and focused on the facet of a selected second optical fiber (22b).例文帳に追加

選択された第１の光ファイバ（２２ａ）の切子面から発した光ビーム（３０）は、レンズ（２４ａ）の一つにより屈折され、ミラー（２８）により反射されてレンズ列（２４）へ戻り、他の一つのレンズにより屈折され、選択された第２の光ファイバ（２２ｂ）の切子面に合焦される。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor storage device relating to one embodiment includes a memory cell array provided with a plurality of memory cells, and a control circuit for applying read-out voltage to a selected memory cell and also applying read-out pass voltage to a non-selected memory cell to execute read-out operation.例文帳に追加

一の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイと、選択メモリセルに読み出し電圧を印加するとともに、非選択メモリセルに読み出しパス電圧を印加して読み出し動作を実行する制御回路とを備える。 - 特許庁

The 3D array includes a region that behaves as a metamaterial in a selected frequency when the circuit elements of the region are one of circuit states and as a normal refractive medium in the selected frequency when the circuit elements of the region are another set of circuit states.例文帳に追加

３Ｄアレイは、或る領域の回路素子が回路状態の一方のセットにあると選択された周波数でメタマテリアルの挙動を示し、その領域の回路素子が回路状態の他方のセットにあるとその選択された周波数で通常の屈折媒質の挙動を示すような領域を有する。 - 特許庁

To achieve a structure of an array whose size is small enough to reduce the leakage current of the non-selected memory cells and does not increase its layout area in a nonvolatile storage device using resistance change elements.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。 - 特許庁

Thus, an operation of moving a needle to a selected vial container to suck a sample or the like is performed in the automatic sampler, and dark-current measurement of a photodiode array PDA detector is performed during a period in the spectrophotometer.例文帳に追加

これにより、オートサンプラでは選択されたバイアル瓶へのニードルの移動・試料吸引などが実行され、その期間中に分光光度計ではＰＤＡ検出器の暗電流測定が実行される。 - 特許庁

To achieve a structure in which array size is small and layout area does not increase so that leak current of non-selected memory cell can be substantially reduced in a nonvolatile memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。 - 特許庁

Selection of connecting the optical signals for respective wavelengths that are inputted from individual input ports group to the output port 1 or the output port 2 can be selected by the optical switch array 433.例文帳に追加

個別入力ポート群から入力された各波長の光信号は、光スイッチアレイ４３３によって、出力ポート１へ接続するか、あるいは出力ポート２へ接続するかを選択することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that prevents a defective memory cell to be selected, without storing information on the defective memory cell by using the space for storage in a memory cell array.例文帳に追加

不良メモリセルに関する情報をメモリセルアレイの記憶容量を割いて記憶させなくても、不良メモリセルを非選択とすることが可能な半導体記憶装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

One of addresses (selected by order of priority logic on the basis of hit-miss information from the upper level cache) is gated to a work line driver of a memory array of the cache at the lower level by a multiplexer.例文帳に追加

アドレスの１つ（上位レベルのキャッシュからのヒット／ミス情報に基づいて優先順位論理によって選択）は、マルチプレクサによって、下位レベルのキャッシュのメモリ・アレイのワード線ドライバにゲートされる。 - 特許庁

The mirror array is formed of mirrors which can be deformed, and transmits each optical signal beam to individual 2nd optical fiber cables of other computers selected in the network.例文帳に追加

ミラー配列は、変形可能なミラーの配列で形成され、分割された各光信号ビームを、光電気コンピュータ・ネットワーク内の選択された他のコンピュータのそれぞれの第２の光ファイバ・ケーブルに個別に向けて送る。 - 特許庁

The optical waveguide array 1 receives signal light and reference light from two waveguides optionally selected out of the waveguides and projects the signal light and reference light on the lens 3 from different positions.例文帳に追加

光導波路アレー１は、複数の導波路から任意に選択された２つの導波路から信号光と参照光とを入射し、信号光と参照光とを異なる位置からレンズ３へ出射する。 - 特許庁

An offset correction preamplifier leading to an analog-digital converter is replaced with a 5th SC5, to which an offset voltage is applied and supplied from a resistor array SRSa selected by a reference voltage.例文帳に追加

Ａ／Ｄコンバータへのオフセット補正用前置増幅器が第５のＳＣ５で置き換えられこれにオフセット電圧が印加され、基準電圧と共に選択可能な抵抗器列ＳＲＳａにより供給される。 - 特許庁

The base member 2 and the base member 3 are selected corresponding to the coefficients of linear expansion of a ceramic BGA (ball grid array) 4 and a plastic BGA 5 to be mounted, whereby a plurality of the surface layers suitable for mounting are disposed and formed on the same substrate.例文帳に追加

実装するセラミックＢＧＡ４、プラスチックＢＧＡ５の線膨張係数に応じて、基材２と基材３を選定し、実装に適した複数の表面層を、同一基板上に配置形成する。 - 特許庁

The controller is operable during a write operation to receive a word of data bits and detect a defective array in the selected virtually aligned set of memory arrays (302, 312, and 322).例文帳に追加

前記コントローラは、データビットのワードを受け、且つ、メモリアレイ(302,312,322)における選択された仮想的に位置合わせされたセット内において欠陥のあるアレイを検出するように、書き込み動作中に動作可能である。 - 特許庁

To provide a plate working machine control device capable of controlling which raw is to be selected from a tool array having plural rows without specially adding any command, and easily preparing a work program.例文帳に追加

複数列の工具配列からどの列を選択するかの制御が、特に指令を付加することなく行えて、加工プログラムの作成が容易に行える板材加工機制御装置を提供する。 - 特許庁

When a given row in an array of a liquid crystal display having a toggling backplane voltage is de-selected, the row select line voltage also toggles to prevent capacitive current in the pixel capacitance.例文帳に追加

トグリングバックプレーン電圧を有する液晶ディスプレイのアレーの所与の行が選択解除された場合、画素容量の中の容量性の電流を防ぐため、行選択ライン電圧もまたトグリングする。 - 特許庁

Similarly, when a horizontal signal line 204 (3, 1) is selected, the pixel signal of G-pixel 400 (5, 4) of Bayer array 201 (3, 2) and the pixel signal of R-pixel 400 (5, 5) of Bayer arrays 201 (3, 3) are read out.例文帳に追加

同様に、水平信号線２０４（３，１）が選択されているときには、ベイヤ２０１（３，２）のＧ画素４００（５，４）の画素信号と、ベイヤ２０１（３，３）のＲ画素４００（５，５）の画素信号が読み出される。 - 特許庁

More particularly the light adjustment plates varying in the light transmission holes and/or array are prepared and the desired light adjustment plates 12 selected from these light adjustment plates are freely attachably and detachably disposed within the lamp house 10.例文帳に追加

特に、透光孔及び／又は配列の異なる光調節板を用意し、この光調節板の中から選ばれた所望の光調節板１２をランプハウス１０内に着脱自在に配設する。 - 特許庁

At the same time, an equalized error vector is computed from the target signal derived from the binary bit array and the reproduced signal, and the inner product of the equalized error vector and the selected error vector is operated.例文帳に追加

また、評価ビット列に対応する目標信号と、２値化ビット列から生成される目標信号から得られるエラーベクトルを予め用意しておき、判定処理結果によってそれらを選択する。 - 特許庁

The keyboard to be operated for inputting key information to electronic equipment is composed of a substrate 10 and a key array 20, composed of 55 enter keys 21 arranged in a matrix form on the substrate, and when 2×2 pieces, namely, four adjacent enter keys 21 are selected arbitrarily from among the key array 20, four selected enter keys 21 are operated singly or while simultaneously combining two to four keys.例文帳に追加

電子機器にキー情報を入力するために操作されるキーボードにおいて、基板１０と、基板上にマトリクス状に配設された５５個の入力キー２１で構成されたキーアレイ２０とを備え、キーアレイ２０から隣接する２×２個の４つの入力キー２１を任意選択したときに、選択された４つの入力キー２１は、単独で、又は２つから４つを同時に組み合わせて操作されるようになされたものである。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a memory cell array MA having memory cells MC arranged therein at respective intersections between bit lines BL and word lines WL, a plurality of memory blocks 1 in which the memory cell arrays MA are laminated, and a control circuit configured to apply a voltage to a selected memory cell MC positioned at an intersection between the selected bit line BL and the selected word line WL so that a certain potential difference is applied thereto.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣがビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、メモリセルアレイＭＡが積層された複数のメモリブロック１と、選択ビット線ＢＬ及び選択ワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう電圧を印加する制御回路とを備える。 - 特許庁

A transfer control circuit 152 reads image element data from a selected pattern image data area in a CGROM 142 according to a selected pattern read command, writes them in the selected pattern data buffer 155A of a VRAM 155, also reads image element data from a common pattern image data area in the CGROM 142 according to a common pattern read command and writes them in a pattern array data buffer 155B.例文帳に追加

転送制御回路１５２は、選択図柄読出コマンドに応じてＣＧＲＯＭ１４２における選択図柄画像データエリアから画像要素データを読み出して、ＶＲＡＭ１５５の選択図柄データバッファ１５５Ａに書き込む一方で、共通図柄読出コマンドに応じてＣＧＲＯＭ１４２における共通図柄画像データエリアから画像要素データを読み出して、図柄配列データバッファ１５５Ｂに書き込む。 - 特許庁

Array conversion data obtained from the image data of a collated window 31 by mirror conversion, flip conversion and mirror and flip conversion in an array conversion part 33, is selected by time sharing and collated with one template pattern 34 to obtain the same action as the case of providing a maximum of four templates.例文帳に追加

被照合ウインドウ（３１）の画像データをミラー変換、フリップ変換、ミラー＆フリップ変換したものを配列変換部（３３）で生成し、時分割で選択し、１枚のテンプレートパターン（３４）と照合することで、最大４枚のテンプレートを設けた場合と同じ作用がえられ、テンプレートパターンを大幅に圧縮削減できる。 - 特許庁

Therefore, a necessary element can be selected based on a signal input to the signal processing section 3 from a phased array antenna 1 via a transmitting/receiving section 2, and since an adaptive element selection can be carried out by the array selection processing section 5 using the own-machine movement information and the pulse repetition time interval, the optimum filter processing is realized.例文帳に追加

これによって、フェイズドアレイアンテナ１から送受信部２を介して信号処理部３に入力される信号から、必要な素子を選び出すことが可能となり、このアレイ選択処理部５は自機移動情報とパルス繰り返し時間間隔からアダプティブな素子選択が行えるため、最適なフィルター処理を実現する。 - 特許庁