「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of crystallizing a semiconductor thin-film includes steps of depositing an amorphous semiconductor thin-film on the insulation layer, bringing the monocrystalline semiconductor layer into contact with part of the former thin-film, and single-crystallizing the amorphous semiconductor thin-film with crystallinity of the monocrystalline semiconductor layer reflected by heat treatment.例文帳に追加

絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。 - 特許庁

This nonwoven fabric is a composite nonwoven fabric obtained by laminating a synthetic fiber layer and a hydrophilic fiber layer so as to form substantially two or more layers, and is regulated so that a nonwoven fabric layer including ≥50 mass% ultrafine fiber having ≤0.5 dtex single fiber fineness is present at least in a part of the nonwoven fabric.例文帳に追加

合成繊維層と親水性繊維層が実質的に二層以上に積層されてなる複合不織布であって、該不織布の少なくとも一部に単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の極細繊維を５０質量％以上含む不織布層が存在する複合不織布。 - 特許庁

The single-layer electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on a substrate; the image forming apparatus including the same and the image formation method are also provided; and the photosensitive layer contains titanyl phthalocyanine crystals as a charge-generating agent and also contains an antioxidant and an ultraviolet absorber as additives.例文帳に追加

基体上に、感光層を有する単層型電子写真感光体、それを含む画像形成装置及び画像形成方法であって、感光層が電荷発生剤として、チタニルフタロシアニン結晶を含むとともに、添加剤として、酸化防止剤及び紫外線吸収剤を含む。 - 特許庁

To manufacture a wafer for a group III nitride semiconductor light emitting element by forming a buffer layer composed of a BP base material tightly adhered with an Si single crystal substrate provided with a composed of a {100} plane on the substrate and forming a group III nitride semiconductor layer on the buffer layer further.例文帳に追加

｛１００｝面からなる表面を有するＳｉ単結晶基板上に、該基板との密着したＢＰ系材料からなる緩衝層を形成し、さらに該緩衝層上にＩＩＩ族窒化合物半導体層を形成してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用ウェハを製造する。 - 特許庁

At least on the surface of a base layer 40 and a drift layer 30 at the side face of a gate trench 60 provided in a single crystal silicon carbide semiconductor substrate 12, a channel layer 70 composed of a thin film of Si_1-xA_xC mixed crystal (A:Ge, Sn 0<x<1) is provided.例文帳に追加

単結晶炭化珪素半導体基板１２に設けられたゲート溝６０の側面における少なくともベース層４０及びドリフト層３０の表面には、Ｓｉ_１−ｘＡ_ｘＣ混晶（Ａ：Ｇｅ，Ｓｎ ０＜ｘ＜１）の薄膜からなるチャネル層７０が設けられている。 - 特許庁

The laminated film is constituted by providing at least one conductive layer (A) 2 containing conductive inorganic particles on the single surface of a base material film 1 and further providing at least one resin layer (B) comprising a fluorine-containing copolymer having a vinyl ether structure in its main chain on the conductive layer (A) 2.例文帳に追加

基材フィルム１の片面側に導電性無機粒子を含有する導電層（Ａ）２を少なくとも１層設け、かつ該導電層（Ａ）上に、主鎖中にビニルエーテル構造を含む含フッ素系共重合体からなる樹脂層（Ｂ）３を少なくとも１層設けてなる積層フィルムである。 - 特許庁

An amorphous silicon region part is formed nearby the interface of the bulk layer with the embedded silicon oxide film, and then the region part is irradiated with laser light under a condition that an active layer made of single-crystal silicon and the bulk layer are not fused, but amorphous silicon having a high coefficient of light absorption is fused.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近にアモルファスシリコン領域部を形成し、その後、この領域部に単結晶シリコンからなる活性層やバルク層は溶融しないが、高吸光係数のアモルファスシリコンは溶融する条件でレーザ光を照射した。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

At the place adjacent to the part where the nickel adhesive layer is formed in the internal surface of the water passages 11a, 11b of the single water cock 10, a drain cock 18a of a top 18 where a zinc plated layer and a zinc alloy layer are formed on the surface and a straightening plate 25B are freely detachably installed.例文帳に追加

単水栓１０の通水路１１ａ，１１ｂにおける内部表面においてニッケル付着層が形成される部位の近傍には、亜鉛めっき層や亜鉛合金めっき層を表面に形成したこま１８のケレップ１８ａや整流板２５Ｂが着脱自在に装着されている。 - 特許庁

On the surface of a sapphire (Al_2O_3 single crystal) substrate 1, for example, semiconductor layers 2 to 8 constituting a light-emitting layer are arranged in layers and a p-side electrode 10 is formed on the surface thereof via a light-transmitting conductive layer 9.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_2 Ｏ_3 単結晶）などからなる基板１の表面に発光層を形成する半導体層２〜８が積層されて、その表面に透光性導電層９を介してｐ側電極１０が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, it is exactly discriminated that if a small count value is obtained, its DVD 1 is of the single-layer and while, if a large count value is obtained, its DVD 1 of the multi-layer.例文帳に追加

従って、小さなカウント値が得られた場合はそのＤＶＤ１は単層のＤＶＤであると、また、大きなカウント値が得られた場合はそのＤＶＤ１は多層のＤＶＤであると、それぞれ正確に判別することができる。 - 特許庁

(B) The shoulder cover layer is constituted by using a single-twisted cord arranged near the edge of the belt layer and twisted in one direction in a state that one or a plurality of yarns including at least one high elastic yarn are aligned.例文帳に追加

（Ｂ）ショルダーカバー層：前記ベルト層のエッジ付近に配置され、少なくとも１本の高弾性ヤーンを含む１本または複数本のヤーンを引き揃えた状態で一方向に撚糸した片撚りコードを用いて構成される。 - 特許庁

An ITO layer with a silicon oxide film thereon is separated by single dry etching, and further the ITO layer is overetched to a passivation film 7 so that the pixel electrode 6 under the passivation film 7 can be reliably separated from the adjacent pixel electrode 6.例文帳に追加

この原因は、ＩＴＯ層からなる画素電極が導電性の異物により短絡されるために発生するためで、２個対点欠陥が生じた場合、パネルは不良品となるので、歩留まりを著しく悪化させていた。 - 特許庁

All the electrode terminals are gathered on one side of the liquid crystal panel so as to correspond to be of a single side mounting, by forming conversion wiring on the same resin layer as a resin layer with rugged cross sectional form serving also as a ground of a reflecting electrode.例文帳に追加

反射電極の下地も兼ね、断面形状が凹凸である樹脂層と同一の樹脂層上に変換配線を形成し、液晶パネルの一辺に全ての電極端子を集約させて一辺実装対応とする。 - 特許庁

To provide a production process of a surface decorated molded member, which welds at least a surface part of a molded member with a decorative film under electromagnetic incident by applying the electromagnetism to a single layer or multi layer film.例文帳に追加

単層又は多層のフィルムに電磁線をもたらすことにより成形部材の表面の少なくとも一部分を装飾フィルムと電磁線に入射下に溶着する表面装飾された成形部材の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium having an inorganic recording layer formed by a sputtering or a vapor deposition by solving defects that it is low yield and impossible to tracking in a single sided two-layer DVD-R disk.例文帳に追加

片面２層DVD-Rディスクにおける低歩留まりとトラッキングできない等の欠点を解決し、スパッタリングまたは蒸着によって形成された無機記録層を有する、光情報記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口１０１の内部で真性ベース領域９の上にｎ型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にＢＳＧ層１３からｐ型不純物を導入してｐ型の外部ベース領域１４を形成する。 - 特許庁

A red colored layer 14R is roughly divided into a color filter portion 14R forming a red color filter and a spacer portion 14RS, and both the portions 14RC and 14RS are formed by patterning the single color layer.例文帳に追加

赤色着色層１４Ｒは赤色のカラーフィルタを成すカラーフィルタ部分１４ＲＣとスペーサ部分１４ＲＳとに大別され、両部分１４ＲＣ，１４ＲＳは単一の着色層をパターニングすることによって形成される。 - 特許庁

In alignment treatment of the alignment layer applied to a support body, the alignment layer is irradiated with a laser beam, formed by combining a plurality of laser beams emitted respectively from a plurality of semiconductor lasers via a multi-mode optical fiber from a single direction.例文帳に追加

支持体上に塗布した配向膜の配向処理において、複数の半導体レーザーからそれぞれ出射された複数のレーザービームを合波したレーザービームを、マルチモード光ファイバーを介して単一方向から照射する。 - 特許庁

In the light-emitting element 100 in which a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate as the substrate 1, a substrate having an off-angle is used.例文帳に追加

単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成した発光素子１００において、単結晶基板１としてオフアングルを有するものを使用する。 - 特許庁

As shown in Fig.(a), in this semiconductor substrate, a single-crystal silicon layer 30 for forming elements thereon has an SOI structure wherein the layer 30 is provided on a silicon oxide film 20 covering a silicon substrate 10 used as a supporting substrate.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、この半導体基板においては、素子の形成される単結晶シリコン層３０が、支持基板としてのシリコン基板１０の上面を覆うシリコン酸化膜２０上に設けられるＳＯＩ構造を有している。 - 特許庁

An analysis method is provided for an X-ray locking curve obtainable from a single crystal for detecting a work-affected layer, namely, the method is provided for evaluating the work-affected layer based on a ratio of a skirt-part strength vs peak intensity.例文帳に追加

単結晶の加工変質層を検出するための単結晶から得られるＸ線ロッキングカーブの解析方法であって、ピーク強度に対する裾部分の強度の比率に基づいて前記加工変質層を評価する方法である。 - 特許庁

In the step S30, at least a part of the Si layer is changed into silicon carbide by heating the assembly and the adjacent SiC single crystal ingots are bonded with each other by a portion changed into silicon carbide in the Si layer.例文帳に追加

工程Ｓ３０では、集合体を加熱することにより、Ｓｉ層の少なくとも一部を炭化珪素化するとともに、Ｓｉ層において炭化珪素化した部分により、隣接するＳｉＣ単結晶インゴット同士を接続する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor and a manufacturing method of the capacitor for increasing an electrostatic capacity, even if a single-layer carbon nanotube refined after being synthesized through arc discharging is used as a polarizing electrode material.例文帳に追加

アーク放電法によって合成した後に精製した単層カーボンナノチューブを分極性電極材料として使用しても、静電容量を増大させることができる電気二重層キャパシタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a single crystal semiconductor layer 21 is completely buried in the trench 14 of the PN column region 13, while a part of the semiconductor layer 21 is formed so that a gap is formed in the trench 16 of the alignment mark region 15.例文帳に追加

続いて、ＰＮコラム領域１３のトレンチ１４に単結晶半導体層２１を完全に埋め込みつつアライメントマーク領域１５のトレンチ１６に隙間が残るように単結晶半導体層２１の一部を形成する。 - 特許庁

The tandem organic solar cell A includes a plurality of organic solar single cells 1 and 2 having the photoelectric conversion layer 3 formed by blending a donor material 12 and an acceptor material 11, which are laminated via the intermediate layer 4.例文帳に追加

タンデム型有機太陽電池Ａは、ドナー材料１２とアクセプター材料１１をブレンドして形成される光電変換層３を有する複数の有機太陽電池単セル１，２を、中間層４を介して積層したものである。 - 特許庁

The cemented carbide body is coated with a PVD Ti_xAl_1-xN film existing as a single layer or multiple layer film having the whole thickness of more than 1 μm and not thicker than 6.0 μm and having an average composition of 0.4<x<0.9.例文帳に追加

前記超硬合金ボディは、全厚さが１μｍを超えるが６．０μｍ未満である単一または多層被膜として存在する、平均組成が０．４＜ｘ＜０．９であるＰＶＤ Ｔｉ_xＡｌ_1-xＮ被膜により被覆されている。 - 特許庁

To provide a light-emitting thyristor in which variation in the amount of emitted light due to temperature variation is reduced when compared with a case where the gate layer is composed of a luminous layer of single peak wavelength, and to provide a light source head and an image forming apparatus.例文帳に追加

ゲート層をピーク波長が単一の発光層で構成する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A single-plate lead-acid battery Va of the present invention has a cathode-side capacitor layer 5a and an anode-side capacitor layer 5b respectively formed on surfaces of a cathode plate 1a and an anode plate 6a containing an active substance.例文帳に追加

本発明の単板鉛蓄電池Ｖａは、活物質を含む正極板１ａおよび負極板６ａのそれぞれの表面に正極側キャパシタ層５ａおよび負極側キャパシタ層５ｂが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Such a wall bump structure is given at the same time, when the wall bump structure is formed on the electrode layer of a single substrate, formed on the electrode layer on two pieces of parallel substrates, or a slit is formed in the electrode.例文帳に追加

ウォールバンプ構造が単一基板の電極層の上に形成されるか、或いは２片の平行基板上の電極層の上に形成されるか、或いは電極にスリットが形成されると同時に、このようなウォールバンプ構造を有する。 - 特許庁

The sense region 9 has a rectangular plane and the Y direction intersecting the X-direction for arranging the first semiconductor layer 15 and the second semiconductor layer 17 alternately in the single crystal semiconductor portion 19 becomes the longitudinal direction.例文帳に追加

センス領域９の平面は長方形であり、第１半導体層１５と第２半導体層１７が交互に配置されるＸ方向に対して単結晶半導体部１９上で交差するＹ方向が長手方向となる。 - 特許庁

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface.例文帳に追加

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。 - 特許庁

The unburning layer 3 is formed by arranging a plurality of heat insulating materials 6 with the heat insulating property and the same shape as the single wood members 5, to continuously surround the whole periphery of the load support layer 2 and integrating them through the adhesive.例文帳に追加

燃え止まり層３は、木材単材５と同一形状であり断熱性を有する複数の断熱材６を荷重支持層２の全周を連続的に囲うように配置し、接着剤を介して集積したものである。 - 特許庁

The transfer material for the organic electroluminescent element, having at least a single organic layer on the surface of a support body, has a contact angle of the surface of the support body contacting with the organic layer with respect to deionized water of ≥50°.例文帳に追加

支持体の面上に少なくとも一層の有機層を有する転写材料であって、前記支持体の前記有機層と接する面の純水に対する接触角が５０°以上である有機電界発光素子用転写材料。 - 特許庁

The wires or electrodes are made into a single layer of an aluminium alloy film, without aiming an excellent ohmic junction with the ITO by adjusting the composition of the aluminum alloy film, and a three-layer structure is provided.例文帳に追加

本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。 - 特許庁

The liner 15 is configured by overlapping a cloth-like inner layer 16 which is knitted out of Teflon (R) fiber and has excellent slidability and an outer layer 17 which is knitted out of polyester fiber and has a single yarn weaving rate of 425 to 475 denier.例文帳に追加

ライナー１５は、内側のテフロン繊維で編まれた摺動性の良好な布状の内層１６と、外側のポリエステル繊維で編まれた単糸織度４２５〜４７５デニールの外層１７とを重ね合せて構成されている。 - 特許庁

The water soluble waterproof film is constituted by providing a resin layer (biodegradable resin layer), which is formed from a biodegradable resin composition containing an aliphatic polyester resin and a cellulose derivative, on at least the single surface of a water soluble polyvinyl alcohol film.例文帳に追加

水溶性ポリビニルアルコール系フィルムの少なくとも片面に、脂肪族ポリエステル樹脂とセルロース誘導体を含有する生分解性樹脂組成物から形成される樹脂層（生分解性樹脂層）を設けてなる水溶性防水フィルム。 - 特許庁

In the gas barrier laminate wherein a gas barrier layer is formed on at least the single surface of a support, the gas barrier layer contains a slicic acid condensate and magnesium hydroxide fine particles with a mean particle size of 10 nm-5 μm.例文帳に追加

支持体の少なくとも片面にガスバリアー層を形成したガスバリアー性積層体において、ガスバリアー層が珪酸縮合物及び平均粒子径が１０ｎｍ〜５μmの水酸化マグネシウム微粒子を含む層であるガスバリアー性積層体。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting material includes a process for mixing single layer carbon nanotubes or two-layer carbon nanotubes 40 in elastomer 30 and dispersing them by shearing force to obtain a carbon fiber composite material 1.例文帳に追加

本発明の電子放出材料の製造方法は、エラストマー３０に、単層カーボンナノチューブまたは２層カーボンナノチューブ４０を混合させ、かつ剪断力によって分散させて炭素繊維複合材料１を得る工程を含む。 - 特許庁

The coated film is constituted by providing a coating layer on the single surface of a film and the coating layer contains at least one kind of a binder resin (A), a polycarbodiimide compound (B), a melamine compound (C) and a reaction product of (A)-(C).例文帳に追加

フィルムの片面に塗布層を有し、当該塗布層が、少なくとも１種のバインダー樹脂（Ａ）、ポリカルボジイミド化合物（Ｂ）、メラミン系化合物（Ｃ）と（Ａ）〜（Ｃ）による反応生成物とを含有することを特徴とする塗布フィルム。 - 特許庁

Since the lattice constant of CaF2 is substantially the same as that of single-crystal silicon, the recrystallinity of the layer 3 due to annealing allows a device forming layer of high crystallinity to be provided at a low cost.例文帳に追加

ＣａＦ_２の格子定数は単結晶シリコンの格子定数と略同一の格子定数をもつため、シリコン層３のアニール処理による再結晶化により、結晶性に優れたデバイス形成層を低コストで提供することができる。 - 特許庁

The fixing device 22 is heat insulated by being enclosed by a fixing casing formed by a heat insulating member obtained by constructing a heat insulator formed with a polymeric resin layer of a polyimde, etc., as a single layer or multilayered structures on a rolled steel sheet.例文帳に追加

定着装置２２は、圧延鋼板上にポリイミド等の高分子樹脂層を形成した断熱体を一層もしくは多層構造とした断熱部材によって形成した定着筐体２３で包囲され熱絶縁されている。 - 特許庁

Also, the impurity diffusing layer to be the anode of the protection thyristor 20 interposed between its power-supply terminal and its GND terminal, and the impurity diffusing layer to be the anode of the protection thyristor 10 interposed between its I/O terminal and its GND terminal, are formed in a single well.例文帳に追加

また、電源端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ２０のアノードとなる不純物拡散層とＩ／Ｏ端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ１０のアノードとなる不純物拡散層とを１つのウェル内に形成する。 - 特許庁

In this thin film bulk acoustic resonator, an acoustic reflection film 11 made of a material having an acoustic reflection function in a single layer is formed on a substrate 10, and an elastic resonance film 15 is formed on an upper layer of the acoustic reflection film 11.例文帳に追加

基板１０上に、単層で音響反射機能を有する材料からなる音響反射膜１１が形成されており、その上層に弾性共振膜１５が形成されている構成の薄膜バルク音響共振子とする。 - 特許庁

To provide a single layer electrophotographic photoreceptor which realizes uniform dispersion of phthalocyanines in a photosensitive layer and has high sensitivity to a digital light source, and the electrostatic charge stability under the high-temperature environment, weatherability, and NOx resistance.例文帳に追加

感光層中でのフタロシアニン類の均一な分散を実現し、デジタル光源に対して高感度で、しかも高温環境下での帯電安定性、耐候性および耐ＮＯｘ性に優れた単層型の電子写真感光体を提供する。 - 特許庁