「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor wafer has constitutionally a semiconductor substrate 100 made of a single-crystal silicon (Si), and a semiconductor layer 200 made of a similar single-crystal silicon (Si) and so formed as to be laminated on the top surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体ウエハは、単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１００と、該半導体基板１００の上表面に積層されるようにして形成された、同じく単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる半導体層２００とを有して構成される。 - 特許庁

A laminate is constituted by laminating a plurality of single layer units 18 and arranging busbars 16 each having pin insertion holes at positions that correspond to the pin insertion holes of the slender terminals 12 in a direction where at least one of the plurality of single layers intersects with the slender terminal.例文帳に追加

この単層ユニット18を複数層積層し、少なくとも１層の単層ユニットに前記端子12と交差する方向に、前記端子のピン挿通孔に対応する位置にピン挿通孔を有するたバスバー16を配置して、積層体を構成する。 - 特許庁

The floor material has a plywood 2 composed of a plurality of superimposed thin plates, a single plate 4 stuck to the plywood 2 through an adhesive layer 3 and a transparent or translucent resin film printed with a grain and stuck to the single plate 4.例文帳に追加

複数枚の薄板を重ねた合板２と、合板２に接着剤層３を介して貼り付けられた単板４と、木目を印刷され、単板４に貼り付けられる透明又は半透明の樹脂フィルム５と、を有することを特徴としている。 - 特許庁

To solve the problem that, when automatic duty insurance is executed, logical equalization for checking whether logical matching is attained or not before and after modification of a single circuit cannot be insured because a logical changed is made in a single circuit in each layer.例文帳に追加

Ｄｕｔｙ保証を自動化した場合、各階層単体では論理が変わり単体での回路が変更前と変更後で論理的に一致しているか否か確認する論理等価性の保証ができない、などの課題を解決すること。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer includes a step for pulling a single crystal from a boron-added silicon melt by a Czochralski method in a chamber and a step for forming an epitaxial layer on the surface of a silicon wafer obtained by slicing the single crystal.例文帳に追加

ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

This wall paper is made of a single side or double side corrugated board sheet having the number of corrugations of ≥90 every 30 cm and thickness of ≤1.2 mm, wherein the single side liner is a synthetic resin sheet, or a synthetic resin layer is formed on the surface of the base paper of the liner.例文帳に追加

段の山数が３０ｃｍあたり９０以上、厚さが１．２ｍｍ以下の片面または両面段ボールシートから成り、片側ライナーが合成樹脂シートであるか、または、ライナー原紙表面に合成樹脂層を設けた段ボール製壁紙。 - 特許庁

In the method of manufacturing a floating gate memory structure, the floating gate is composed of a single crystal semiconductor material, and is grown epitaxially on a single crystal substrate by selective epitaxial growth for growing in the lateral direction on a tunnel oxide layer 2.例文帳に追加

フローティングゲートメモリ構造を作製する方法に関し、フローティングゲートは単結晶半導体材料からなり、トンネル酸化物層２の上に横方向に成長する、選択エピタキシャル成長により、単結晶基板上にエピタキシャル成長される。 - 特許庁

Subsequently, the temperature of the reaction chamber is again raised up to 1,040°C and a GaN single crystal film with a thickness of about 20 μm is obtained on the base crystal substrate through the CrN film and the GaN buffer layer by growing the GaN single crystal film.例文帳に追加

次いで、再び反応室の温度を１０４０℃まで上げ、ＧａＮ単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にＣｒＮ膜、ＧａＮバッファー層を介して厚さが約２０μｍのＧａＮ単結晶膜を得た。 - 特許庁

This pad 1 for garment has the following structure: single fibers are nearly three-dimensionally arranged against the plane, and a three dimensional fiber layer 2 comprising fiber clusters where the single fiber is partially bonded or joined to each other, is heated and compressed to form a core material thereof.例文帳に追加

単繊維が平面に対し略立体的に配列し、かつ該単繊維が部分的に接着または結合している繊維集合体からなる立体的繊維層２が、加熱圧縮されて芯材を形成している衣服用パット１である。 - 特許庁

A basic bottom layer 20 is formed by arbitrary times repeating a cycle of stacking a buffer layer composed of a group III nitride-based compound semiconductor formed at a temperature at which not single crystal is grown and a group III nitride-based compound semiconductor layer formed at a temperature at which a crystal is grown.例文帳に追加

単結晶が成長しない温度で形成されたIII族窒化物系化合物半導体から成る緩衝層と、単結晶が成長する温度で形成されたIII族窒化物系化合物半導体層とを１周期として任意周期繰り返し積層した基底層２０を形成する。 - 特許庁

A vertical transfer register 120 is provided with a transfer electrode 122 formed of metal electrode with a single-layer structure, and a horizontal transfer register 130 is provided with a lower-layer transfer electrode 132 made of polysilicon film and an upper-layer transfer electrode 133 formed of metal electrode made of tungsten or the like.例文帳に追加

垂直転送レジスタ１２０は、単層構造のメタル電極よりなる転送電極１２２を有し、水平転送レジスタ１３０は、ポリシリコン膜よりなる下層転送電極１３２と、タングステン等のメタル電極よりなる上層転送電極１３３を有している。 - 特許庁

The single layer type electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer containing a binder resin, a hole transporting agent, and a charge generating agent, wherein the photoreceptor contains a water-repellent polycarbonate resin as the binder resin, and the contact angle of pure water with respect to the photoreceptor layer is specified to 100° or more at a measured temperature 25°C.例文帳に追加

結着樹脂と、正孔輸送剤と、電荷発生剤と、を含む感光体層を備えた単層型電子写真感光体であって、結着樹脂として、撥水性ポリカーボネート樹脂を含むとともに、感光体層に対する純水の接触角（測定温度：２５℃）を１００°以上の値とする。 - 特許庁

A GaN substrate 28 comprises a substrate 14 constituted of GaN single crystal, an intermediate layer constituted of AlGaN (0<x≤1) epitaxially grown on the substrate 14, and an upper layer 26 constituted of GaN epitaxially grown on the intermediate layer 24.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The hard coat treated article formed by laminating a hard coat layer on at least the single surface of a substrate, for example, the hard coat film wherein the surface elastic modulus of the hard coat layer is 4.5 GPa or more and the thickness of the hard coat layer is 5% or more of the total thickness of the film is 5% or more is cut by irradiation with a laser beam.例文帳に追加

基材の少なくとも片面にハードコート層を積層してなるハードコート処理物品、例えば、ハードコート層の表面弾性率を４．５ＧＰａ以上、ハードコート層の厚みがフィルム総厚の５％以上であるハードコートフィルムをレーザー照射により裁切断する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

A TFT for composing a differential amplification circuit 15 has a single-crystal silicon layer, thus speedily processing first and second potential signals and rapidly outputting high-potential and low-potential signals as compared with a TFT having, for example, a high-temperature polysilicon layer as a channel layer.例文帳に追加

差動増幅回路１５を構成するＴＦＴは、単結晶シリコン層を有しているため、例えば高温ポリシリコン層をチャネル層として備えるＴＦＴに比べて、第１電位信号及び第２電位信号を高速で処理し、高電位信号及び低電位信号を迅速に出力できる。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

Preferably, the illuminance equalization element 20 contains a single core layer 21 formed with a first translucent material, and a cladding layer 22 formed with a second translucent material having a lower refractive index than the first translucent material, and covering a periphery of the core layer 21.例文帳に追加

照度均一化素子２０は、第１の光透過性材料で形成された単一のコア層２１と、第１の光透過性材料よりも屈折率が低い第２の光透過性材料で形成され、且つ、コア層２１の周囲を覆うクラッド層２２とを備えているのが好ましい。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter of high power generation efficiency by improving light transmittance to a photoelectric conversion layer by inserting a single layer of transparent thin film, having both of a reflection prevention function and an alkali-barrier function, between a translucent substrate and a transparent electrode layer.例文帳に追加

反射防止機能とアルカリバリア機能を兼ね備えた単層の透明薄膜を、透光性基板と透明電極層との間に挿入することによって、光電変換層への光透過率を向上させ、発電効率の高い光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Forming an overcoat layer 20a and a spacer part 20b in one body (an overcoat part 20) eliminates the need for newly patterning the spacer part 20b after having formed the overcoat layer 20a, and forming the overcoat layer 20a and the spacer 20b can be made in a single step.例文帳に追加

オーバーコート層２０ａとスペーサ部２０ｂとを一体的に形成する（オーバーコート部２０）ことにより、オーバーコート層２０ａを形成した後であらためてスペーサ部２０ｂをパターニングする必要が無く、オーバーコート層２０ａとスペーサ２０ｂとを一の工程で形成することができる。 - 特許庁

Ground surface layers consisting of single or a plurality of layers and magnetic domain control layers designed to control the magnetic domains of a soft magnetic backing layer are imparted between a nonmagnetic substrate and the soft magnetic backing layer, by which the spike noise occurring in the formation the domain wall of the soft magnetic backing layer can be suppressed.例文帳に追加

また、非磁性基体と軟磁性裏打ち層の間に、１層あるいは複数層からなる下地層、及び、軟磁性裏打ち層の磁区制御を目的とした磁区制御層を付与したことにより、軟磁性裏打ち層の磁壁形成に起因するスパイクノイズを抑制することが可能となる。 - 特許庁

Following to the epitaxial growth of an n^+-GaAs layer 8 of GaAs single crystal 10, an Si layer 11 is grown epitaxially in the same epitaxial growth furnace and then an aluminum electrode 12 is formed, as an ohmic electrode, on the Si layer 11.例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶１０のｎ^＋ −ＧａＡｓ層８をエピタキシャル成長により成膜した後、引き続きＳｉ層１１を同一のエピタキシャル成長炉内においてエピタキシャル成長させ、しかる後アルミニウムの電極１２をオーミック電極としてＳｉ層１１上に形成する。 - 特許庁

To provide a layer structure having an extremely thin semiconductor layer, in addition, extremely low HF defect density in manufacturing a semiconductor substrate having a support wafer 2 and a layer 8 comprising a single-crystal semiconductor material provided on a surface of the support wafer 2.例文帳に追加

支持体ウェハ２とこの支持体ウェハ２の１つの面に設けられた単結晶半導体材料から成る層８を有する半導体基板の製造にあたり、きわめて薄い半導体層をもち同時にＨＦ欠陥密度も著しく僅かな層構造を提供する。 - 特許庁

An entire support substrate of the polycrystalline compound semiconductor layer is polished to manufacture a polycrystalline compound semiconductor layer single body, and an electrode of a metal thin film is formed on the polycrystalline compound semiconductor, whereby the attenuation of X rays made incident on the polycrystalline compound semiconductor layer can be reduced.例文帳に追加

多結晶化合物半導体層の支持基板を全て研磨することで多結晶化合物半導体層単体を製作して、これに新たに金薄膜の電極を形成することで多結晶化合物半導体層に入射されるＸ線の減衰を低減することができる。 - 特許庁

The compact metal cord has two layers (C1, C2) of construction 1+N, comprising a core or inner layer (C1) comprising a single core wire 10 of diameter d1, and a saturated outer layer (C2) of N wires 12 of diameter d_2 wound together in a helix at a pitch p_2 around the inner layer (C1).例文帳に追加

１＋Ｎ構造の２つの層（Ｃ１，Ｃ２）は、直径ｄ_1の単一コアワイヤ１０から成るコア又は内側層（Ｃ１）及び内側層（Ｃ１）にピッチＰ_2で螺旋をなして巻き付けられた直径ｄ_2のＮ本のワイヤ１２の飽和外側層（Ｃ２）を有するコンパクトな金属コードに関する。 - 特許庁

The light-emitting element includes a first light-emitting layer 13a and a second light-emitting layer 13b emitting light of a single color or two or more kinds of different colors of a visible light region in an organic layer 13 pinched between a first electrode 11 and a second electrode 12.例文帳に追加

発光素子は、第１の電極１１と第２の電極１２との間に挟持された有機層１３に、可視光領域の単色または２色以上の互いに異なる色の光を発光する第１の発光層１３ａおよび第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁

This photoelectric conversion element 1 includes: a first electrode layer 20; a single power-generating laminated body 22 that is provided with an nip structure formed of a-Si (amorphous silicon); and a second electrode layer 26 of Al formed on the power-generating laminated body 22 with a nickel layer 24 interposed therebetween.例文帳に追加

光電変換部材１は、第１の電極層２０、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）によって形成されたｎｉｐ構造を備えた単一の発電積層体２２、及び、当該発電積層体２２上に、ニッケル層２４を介して成膜されたＡｌの第２の電極層２６を有している。 - 特許庁

The co-extrusion film can be separated, at a boundary (1) of an internal layer, into a support film (3) as one side and an elastic film (2) with a single layer including thermoplastic elastomer or an extensible film (7) including a layer (2') formed of thermoplastic elastomer as the other side.例文帳に追加

本発明は、内部の層の境目（１）で、一方としての支持フィルム（３）と、他方としての熱可塑性エラストマーから成る単層の弾性フィルム（２）または熱可塑性エラストマーから成る層（２’）を備えた伸長可能なフィルム（７）とに分離することができる共押出フィルムに関する。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁

To provide a laminate comprising a release layer, a substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer, which can be manufactured in a single step, exhibits releasing performances of an equal or superior level to conventional laminates obtained by applying a release agent and can be well unwound while hardly causing abnormality such as noise or the like.例文帳に追加

剥離層、基材層、粘着層とから成る積層体が単一工程で生産が出来、得られた積層体は在来の剥離剤塗布タイプのものより同等レベル以上の剥離性能を有し、これら積層体の巻出しが騒音等の異常発生も少なく良好に出来ること。 - 特許庁

The window laminating biaxially oriented polyester film is a coextrusion laminated polyester film consisting of at least three layers including an intermediate layer containing a dye and has an antistatic coating layer on at least the single surface thereof, and the surface resistivity of the coating layer is 1.0×1013 Ω or less.例文帳に追加

中間層に染料を含有する少なくとも３層の共押出積層ポリエステルフィルムであり、少なくとも片方の表面に帯電防止塗布層を有し、当該塗布層の表面固有抵抗値が１．０×１０^13Ω以下であることを特徴とする窓貼り用二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a resin composition for forming a bag with a fastener made of a film with sufficient sealing strength, cold resistance and heat resistance, and substantial transparency only of a single layer film consisting of a resin composition mainly containing polyamide without the need of another resin layer serving as a sealant layer.例文帳に追加

ポリアミドを主体とする樹脂組成物からなる単層フィルムのみで、シーラント層となる他の樹脂層を必要とすることなく、充分なシール強度、耐寒性、耐熱性および実質的に透明性を有するフィルムからなるチャック付き袋体成形用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A carcass layer 4 is constituted by a single ply, its both end parts are folded back to wrap a bead filler 8 around right and left bead cores 7, and its folded-back part 4f is lapped on an inner side of an end part of a belt layer 5 in a scope of 10% or less of the maximum width of the belt layer.例文帳に追加

カーカス層４を単一プライで構成すると共に、その両端部を左右のビ−ドコア７の周りにビードフィラー８を包み込むように折り返し、その折り返し部４ｆをベルト層５の端部内側に該ベルト層最大幅の１０％以下の範囲にラップさせる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the epitaxial wafer having a single hetero structure, an active layer 23 and a clad layer 24 are sequentially formed on a substrate 22 by a liquid phase epitaxial method, and before an epitaxial layer is grown, the raw material solution composed of a compound is stepwise purified in a range of 100 to 420°C.例文帳に追加

基板２２上に、活性層２３、クラッド層２４を液相エピタキシャル法により順次形成するシングルへテロ構造のエピタキシャルウエハの製造方法において、エピタキシャル層の成長前に、化合物からなる原料溶液を１００〜４２０℃の範囲で段階的に純化する方法である。 - 特許庁

This base paper for a paper container with the sealant layer has at least the laminated resin layer comprising a straight-chain polyethylenic resin composition for lamination obtained by a single site catalyst and the sealant layer formed of the polyester resin composition sequentially laminated on the paper base material.例文帳に追加

紙基材上に、少なくとも、シングルサイト触媒から得られる直鎖状ポリエチレン系ラミネート用樹脂組成物からなるラミネート樹脂層と、ポリエステル樹脂組成物からなるシーラント層とを、順次積層したことを特徴とするシーラント層を有する紙容器用原紙である。 - 特許庁

Each of single cells constituting a stack of the fuel cell includes a solid polymer film 20, an anode catalyzer layer 21 and a cathode catalyzer 22 sandwiching the film, an anode gas diffusion layer 23 and a cathode gas diffusion layer 24 sandwiching the above and separators 3 sandwiching the above.例文帳に追加

燃料電池の積層体を構成する各単電池は、固体高分子膜２０と、これを挟み込むアノード触媒層２１およびカソード触媒層２２と、これらを挟み込むアノードガス拡散層２３およびカソードガス拡散層２４と、これらを挟み込むセパレータ３と、を有する。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

The in-molding label consists of an olefin-based resin substrate layer, having a wetting index of 34-74 mN/m, and in which an absolute value of the initial friction-charged voltage for a single sheet offset print blanket is 0 to 15 kV, and a heat sealing resin layer includes a charge preventive layer having a wetting index of 30 to 54 mN/m.例文帳に追加

ヌレ指数が３４〜７４ｍＮ／ｍで枚葉オフセット印刷用ブランケットに対する初期摩擦帯電圧の絶対値が０ｋＶ〜１５ｋＶであるオレフィン系樹脂基材層と、ヌレ指数が３０〜５４ｍＮ／ｍの帯電防止層を有するヒートシール性樹脂層よりなるインモールド成形用ラベル。 - 特許庁

The light-emitting element includes, in an organic layer 13 sandwiched between a first electrode 11 and a second electrode 12, a first light-emitting layer 13a and a second light-emitting layer 13b which respectively emit light, in a single color or two or more colors in a visible light range, differing from each other.例文帳に追加

発光素子は第１の電極１１と第２の電極１２との間に挟持された有機層１３に可視光領域の単色または２色以上の互いに異なる色の光を発光する第１の発光層１３ａおよび第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

The GaN substrate 28 includes a GaN single crystal substrate 14, an AlGaN (0<x≤1) intermediate layer 24 epitaxially grown on the substrate 14, and a GaN upper layer 26 epitaxially grown on the intermediate layer 24.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

An ink layer 12a having the same color as a car paint is printed and laminated on a transparent protective film 12b to form a laminated sheet 12, and the ink layer of the laminated sheet 12 is bonded to the single surface of a resin substrate 11 through a hot melt layer 13 to produce a colored raw material resin sheet 10.例文帳に追加

有色原料樹脂シート１０は、自動車塗料と同一色のインク層１２ａを透明の保護フィルム１２ｂ上に印刷積層して構成された積層シート１２のインク層をホットメルト層１３を介して樹脂基板１１の片面に熱圧着したものである。 - 特許庁

The MFIS transistor structure is provided with a semiconductor substrate 12 like a silicon substrate, a layer of an insulating film 14 like ZrO_2 which is arranged on the semiconductor substrate 12, and a ferroelectric layer 16 which is a single phase (c) axis Pb_5Ge_3O_11 (PGO) film arranged on the layer of the insulating film 14.例文帳に追加

シリコン基板のような半導体基板１２と、その半導体基板１２上に配置されたＺｒＯ_2のような絶縁膜１４の層と、絶縁膜１４の層上に配置された単一相のｃ軸Ｐｂ_5Ｇｅ_3Ｏ_11（ＰＧＯ）膜である強誘電体層１６とを有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a solid-state imaging apparatus provided with the transfer electrodes having single-layer structures, sacrificial layer patterns 6 are formed along the charge transferring direction v and electrode material layers 7 are formed by burying the layers 7 among the sacrificial layer patterns 6 in a state where the patterns 6 are exposed.例文帳に追加

単層構造の転送電極を備えた固体撮像装置の製造方法であって、電荷転送方向ｖに沿って犠牲層パターン６を形成し、犠牲層パターン６を露出させた状態で犠牲層パターン間に電極材料層７を埋め込み形成する。 - 特許庁