「single-layer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The aluminum layer 7, the stress relief member 4, and the heatsink 5 are bonded together by means of the same type of brazing filler metal in a single process.例文帳に追加

アルミニウム層７と応力緩和部材４とヒートシンク５とが同一工程で同種ろう材によって接合される。 - 特許庁

Then a heat treatment is carried out to recrystallize the amorphous layer 12 into n-type silicon carbide 13 of cubic single crystal.例文帳に追加

次に、熱処理することで、アモルファス層１２を立方晶単結晶のｎ型炭化珪素１３に再結晶化させる。 - 特許庁

On the silicon carbide single crystal substrate 1, an n-type epitaxial layer 2 made of silicon carbide and a p-type semiconductor region 3 made of silicon carbide are stacked.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板１の上に、炭化珪素よりなるｎ型エピタキシャル層２および炭化珪素よりなるｐ型半導体領域３を積層する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor contains a hole transport compound having a fluorine-containing substituent within a molecule as a charge transport agent in the single layer type photosensitive layer.例文帳に追加

電子写真感光体は、単層型の感光層に、電荷輸送剤として、分子中にフッ素含有置換基を有する正孔輸送性化合物を含有させる。 - 特許庁

The coating material comprises a single layer of at least one type selected from the group consisting of a silicon oxide and a tantalum oxide vapor-deposited as a single layer in a range of a thickness of 0.2 to 3.0 μm on the surface of a transparent resin board.例文帳に追加

透明性樹脂基板の表面にシリコン酸化物およびタンタル酸化物のうちの少くとも１種が膜厚０．２μｍ〜３．０μｍの範囲で単一層として蒸着されているものとする。 - 特許庁

An N-type first single-crystal silicon layer (collector region) 10c is provided on a silicon substrate 10a via a first insulating film 10b, and a P-type first polysilicon layer (base extracting region) 12 is provided on the N-type first single-crystal silicon layer 10c through the intermediary of a second insulating film 11.例文帳に追加

シリコン基板１０ａの上に第１の絶縁膜１０ｂを介してｎ型の第１の単結晶シリコン層（コレクタ領域）１０ｃが設けられており、該第１の単結晶シリコン層１０ｃの上には第２の絶縁膜１１を介してｐ型の第１のポリシリコン層（ベース用引き出し領域）１２が設けられている。 - 特許庁

A one-conductivity type semiconductor layer 2 and an opposite- conductivity type semiconductor layer 3 are successively formed in each light emitting element on a single crystal substrate 1, an area of the one-conductivity type semiconductor layer 2 is made larger than the area of the opposite- conductivity type semiconductor layer 3 in the stacking, and an extended part 9 is provided.例文帳に追加

単結晶基板1上に、各発光素子ごとに一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３とが順次形成され、その積層において一導電型半導体層２の面積は逆導電型半導体層３の面積に比べて大きくして延在部９を設けている。 - 特許庁

To suppress the delay of starting time when the disk of a single layer type is loaded, and to smoothly identify a disk type even when the disk of a multilayer type is loaded.例文帳に追加

シングルレイヤータイプのディスクが装着されたときの起動時間の遅延を抑制でき、且つ、マルチレイヤータイプのディスクが装着されたときにも、ディスク種別を円滑に判別できるようにする。 - 特許庁

A so-called tandem-type photoelectric conversion device is obtained by stacking a unit cell including a non-single-crystal semiconductor layer over the detached thin part of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

薄板化された単結晶半導体基板上に非単結晶半導体層を有するユニットセルを積層して、所謂タンデム型光電変換装置とする。 - 特許庁

To provide a curtain coating dispersion, for manufacturing a single layer-type self-coloring pressure-sensitive recording paper, which can be stably applied using a curtain coating device and is free from curtain cracks, and a single layer-type self-coloring pressure sensitive recording paper obtained by applying the coating dispersion.例文帳に追加

カーテン塗工装置で安定に塗工可能で、カーテン割れが発生しない単一層型自己発色性感圧記録紙製造用カーテン塗工用分散液とそれを塗工してなる単一層型自己発色性感圧記録紙を提供する。 - 特許庁

Preferred aspects are that the photosensitive layer is of a single layer type or of a stacked-type having at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order, that the amount of antioxidants applied to the cross-linked surface layer is 0.2-10% by mass, etc.例文帳に追加

該感光層が単層型である態様、又は前記感光層が、少なくとも電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する積層型である態様、該酸化防止剤の架橋表面層における添加量が、０．２〜１０質量％である態様、等が好ましい。 - 特許庁

A semiconductor laminated structure is formed having a p-type GaN contact layer 11 etc., formed on a GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板１上にｐ型ＧａＮコンタクト層１１等が積層された半導体積層構造を形成する。 - 特許庁

This two layer type make-up cosmetic containing the powder is characterized in that the cosmetic is separated into a powder-containing layer and an emulsion layer when left to stand, and turned into an emulsified and dispersed single layer just after shaken.例文帳に追加

粉体を含有する化粧料であって、静置時は粉体を含む層とエマルション層の２層に分かれ、振とう直後は乳化分散された１層になることを特徴とする剤形に、化粧料を設計する。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口１０１の内部で真性ベース領域９の上にｎ型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にＢＳＧ層１３からｐ型不純物を導入してｐ型の外部ベース領域１４を形成する。 - 特許庁

In an SOI board 4 composed of a p-type silicon board 1, a buried oxide film 2 and a single-crystal silicon layer 3, a source region 10 and a drain region 11 are formed on the single-crystal silicon layer 3.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域１０およびドレイン領域１１を備える。 - 特許庁

An essentially intrinsic microcrystal silicon thin-film layer 5 and a P-type microcrystal silicon carbide layer 6 are formed on the N-type single-crystal silicon layer 4 and the microcrystal silicon thin-film layer 5, respectively by the plasma CVD method, and a transparent conductive film 7 is formed on the uppermost surface.例文帳に追加

前記Ｎ型単結晶シリコン層(4) の上に実質的に真性の微結晶シリコン薄膜層(5) と、同微結晶シリコン薄膜層(5) の上にＰ型微結晶シリコンカーバイド層(6) とをプラズマＣＶＤ法により成膜し、最表面に透明導電膜(7) を形成する。 - 特許庁

To provide a single polarizing plate type reflective liquid crystal display element having a projecting and recessing shaped reflection layer inside the liquid crystal display element used in a semitransparent type display.例文帳に追加

半透明タイプのディスプレイに使用できる液晶表示素子内面に凹凸のある反射層を持つ１枚偏光板方式の反射型液晶表示素子の提供。 - 特許庁

To provide a two-layer type optical recording medium of a single-sided recording and reproducing type capable of obtaining satisfactory recording signal characteristics from both first and second information recording layers.例文帳に追加

第１及び第２の情報記録層のいずれからも良好な記録信号特性が得られる、片面記録再生タイプの２層型光記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a lamination type element formed by laminating a plurality of single layer cells, by which yield of a good quality lamination type element is enhanced.例文帳に追加

単層のセルを複数積層してなる積層型素子を製造する製造方法であって、良品積層型素子の歩留りを向上させる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer with an epitaxially deposited layer which has especially low resistivity, and has a substrate wafer of single crystal silicon doped with dopant atoms of an n type or p type.例文帳に追加

比抵抗が特に低い、ｎ型又はｐ型のドーパント原子でドープされた単結晶シリコンからなる基板ウェハを有する、エピタキシャル層を備えた半導体ウェハ - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor capable of improving photosensitivity by lowering residual potential with respect to the electrophotographic photoreceptor provided with a single layer type organic photosensitive layer.例文帳に追加

単層型有機感光層を備える電子写真感光体において、残留電位を低くして光感度を向上させることができる電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

In the optical disk where information layers based on the plurality of different optical disk specifications are multi-layered on a single disk, a type of a given information layer is recorded in another information layer.例文帳に追加

複数の異なる光ディスク規格の情報層を一つのディスクに多層化した光ディスクにおいて、ある情報層の種類を別の情報層に記録する。 - 特許庁

This structure can be of a single or dual damascene type provided with high-density TDL (thin dielectric layer) between a metal barrier layer and the ULK dielectric.例文帳に追加

本構造は単一ダマシンまたはデュアル・ダマシン型であることができ、金属障壁層と超低Ｋ誘電体の間に高密度の薄膜誘電体層（ＴＤＬ）を備える。 - 特許庁

An n-type nitride semiconductor layer 32, active layer 33, and p-type nitride semiconductor layer 34 are formed sequentially on a nitride single crystal growth substrate 31, and at a nearly central region across the n-type nitride layer's surface, a high-resistance region 34a where the nitride single crystal is damaged is formed via a mask M whose middle is made open.例文帳に追加

窒化物単結晶成長用基板３１上に順次ｎ型窒化物半導体層３２、活性層３３、ｐ型窒化物半導体層３４を形成し、ｎ型窒化物層の表面の少なくとも一面のほぼ中央領域に中央が開放されたマスクＭを介して窒化物単結晶が損傷された高抵抗領域３４ａを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, double-layer epitaxial layers 7, 8 are formed on a p-type single-crystal silicon substrate 6, and the epitaxial layer 8 has impurity concentration that is higher than that of the epitaxial layer 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上に２層のエピタキシャル層７、８が形成され、エピタキシャル層８はエピタキシャル層７よりも高不純物濃度である。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor having a single-layer type photosensitive layer on a conductive base is characterized in that the photosensitive layer contains at least two or more kinds of triaryl-amine based diamine compounds having different chemical structures.例文帳に追加

導電性支持体上に単層型感光層を有する電子写真感光体において、該感光層に異なる化学構造のトリアリールアミン系ジアミン化合物を少なくとも２種以上含有させる。 - 特許庁

The second clad layer 109 and the p-type ZnO contact layer 110 are formed to have mesa-shaped cross sections which are made wider on the second clad layer 109 side than the p-type ZnO contact layer 110 side in the direction parallel to the surface of the n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

上記ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０は、ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１の表面と平行な方向の断面が、ｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０側よりもｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９側で広いメサ形状になっている。 - 特許庁

To provide a single-sided two layered recording and reproducing type optical recording medium wherein satisfactory recording signal characteristics are obtained also from a second recording layer.例文帳に追加

第２の記録層からも良好な記録信号特性が得られる、片面２層記録再生タイプの光記録媒体の提供。 - 特許庁

The single layer-type self-coloring pressure sensitive recording paper obtained by applying the dispersion to a support, shows excellent coloring properties and stain resistance.例文帳に追加

この分散液を支持体に塗布して得られた単一層型自己発色性感圧記録紙は、発色性及び耐汚染性に優れる。 - 特許庁

To provide an optical recording medium of a single-sided two layer recording/reproducing type which provides satisfactory recording signal characteristics from two information recording layers.例文帳に追加

二つの情報記録層から良好な記録信号特性が得られる、片面二層記録再生タイプの光記録媒体を提供。 - 特許庁

To provide an optical recording medium of a single-sided two layer recording and reproducing type capable of obtaining satisfactory recording signal characteristics from two information recording layers.例文帳に追加

二つの情報記録層から良好な記録信号特性が得られる片面二層記録再生タイプの光記録媒体の提供。 - 特許庁

To provide a single-sided dual layer recording and reproducing type optical recording medium for obtaining satisfactory recording signal characteristics from two information recording layers.例文帳に追加

二つの情報記録層から良好な記録信号特性が得られる、片面二層記録再生タイプの光記録媒体の提供。 - 特許庁

By this arrangement, the self-excited oscillation circuit is not oscillated in other than a λ/2-mode or a λ-mode of the Rosen-type single layer piezoelectric transformer 110.例文帳に追加

これにより、ローゼン型単層圧電トランス１１０のλ／２モードまたはλモード以外では発振しないようにすることができる。 - 特許庁

The single layer-type electrophotographic photoreceptor is provided with a photosensitive layer which contains a binder resin, a hole-transporting agent and a charge-generating agent, and the image-forming device uses the single layer-type electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

結着樹脂と、正孔輸送剤と、電荷発生剤と、を含む感光層を備えた単層型電子写真感光体及び及びそれを用いた画像形成装置であって、正孔輸送剤として、下記一般式（１）で表されるヒドラゾン化合物を含むとともに、結着樹脂の接触角（測定温度：２５℃、測定試料：純水）を９８°以上の値とする。 - 特許庁

In a positively charged single-layer type electrophotographic photoreceptor on which a photosensitive layer is provided in a conductive substrate form, polysiloxane oil is added to the photosensitive layer in the amount of 2-10 mass% of the total mass of the photosensitive layer material.例文帳に追加

導電性基体状に感光層が形成された正帯電単層型電子写真感光体において、感光層にポリシロキサンオイルを感光層の材料の全質量に対して２〜１０質量％となるように配合する。 - 特許庁

A Schottky diode 10 is provided with an n+ type single-crystal silicon carbide substrate 12 and an n-type epitaxial silicon carbide layer 14, while through-holes (micropipes) 16 exist in the substrate 12 and the epitaxial silicon carbide layer 14.例文帳に追加

ショットキーダイオード１０はｎ^＋型の単結晶炭化珪素基板１２とｎ^−型のエピタキシャル炭化珪素層１４とを有し、基板１２及びエピタキシャル炭化珪素層１４には貫通孔（マイクロパイプ）１６が存在する。 - 特許庁

The heat-sensitive recording layer is obtained by laminating a high-temperature color developing layer and a low-temperature color developing layer or of a single layer type obtained by coating at least one type of two or more types of electron donative dye precursors, with a color developing adjusting layer obtained by addition polymerizing a vinyl monomer.例文帳に追加

多色感熱記録層は、高温発色層と低温発色層を積層したもの、二種以上の電子供与性染料前駆体のうち、少なくとも一種が、ビニル単量体を付加重合することにより得られる発色調節層で被覆されてなる単層タイプであることを特徴とする。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3.例文帳に追加

圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。 - 特許庁

To provide a positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body that suppresses the occurrence of transfer memory so that the occurrence of an image defect is suppressed without impairing wear resistance of the positively charged single-layer electrophotographic sensitive body in an image forming apparatus that has a charging portion applying direct voltage by a contact charging method and uses the positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body.例文帳に追加

接触帯電方式により直流電圧を印加する帯電部を備え、正帯電単層型電子写真感光体を用いる画像形成装置において、正帯電単層型電子写真感光体の耐摩耗性を損なうことなく、転写メモリの発生を抑制することにより画像不良の発生を抑制できる正帯電単層型電子写真感光体を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a p type ZnO single crystal layer 107, a first metal layer 108a contacted with the layer 107 and containing at least one type selected from the group consisting of Ni, Rh, Pt, Pd and their alloys, and a second metal layer 108b formed on the layer 108a and containing a metal different from that of the layer 108a or their alloys.例文帳に追加

ｐ型ＺｎＯ系単結晶層１０７と、それに接触し、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄおよびこれらの合金の群から選択された少なくとも１種を含む第１金属層１０８ａと、その上に形成され、第１金属層１０８ａとは異なる金属、又はそれらの合金を含む第２金属層１０８ｂとを含む。 - 特許庁

The liquid resin is cured, adhered to the recording layer substrate and acts like a protection film to form the single-side recording and reproducing type optical disk.例文帳に追加

そして、前記液状樹脂は、硬化されて前記記録層基盤に接着すると共に保護膜となり、片面記録再生型光ディスクとなる。 - 特許庁

SINGLE-AND MULTIPLE-LAYER BAR ARRANGEMENT SPACER, LAYOUT AND ARRANGING METHOD FOR BAR ARRANGEMENT SPACER, AND TRANSPORTATION AND ARRANGING METHOD FOR SCREEN TYPE ERECTION BAR例文帳に追加

単層配筋用スぺーサーと複層配筋用スぺーサーと配筋用スぺーサーの配置・配筋方法及びスダレ式組鉄筋の搬送・配筋方法 - 特許庁

To provide a positive electrification single layer type electrophotographic photoreceptor which generates a little transfer image memory even when it is used for a reversal developing type image forming device and which has excellent resistance against gas such as ozone and NOX.例文帳に追加

反転現像式画像形成装置において使用しても転写画像メモリーが小さく且つオゾン、ＮＯＸ等の耐ガス性の優れた正帯電単層電写真感光体 - 特許庁