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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single-layer typeに関連した英語例文

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single-layer typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 358



例文

In this light-receiving circuit and method of manufacturing the same, since the p-type light-absorbing layer of a single running carrier photodiode is formed in the undoped InGaAs layer corresponding to the collector of the heterojunction bipolar transistor, Be is doped into the p-type light- absorbing layer with the Be ion injection method having superior controllability of the doping profile in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、単一走行キャリアフォトダイオードのp形光吸収層をヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタに相当するアンドープInGaAs層中に形成するため深さ方向ドーピングプロファイルの制御性に優れたBeイオン注入法を用い、p形光吸収層にBeドープすることを特徴とする。 - 特許庁

The synthetic resin film is constituted by laminating a surface layer, comprising a synthetic resin composition compounded with anatase type titanium oxide, on at least the single surface of a base material layer mainly constituted of a synthetic resin substantially containing no anatase type titanium oxide, and the surface layer is subjected to blast treatment.例文帳に追加

アナターゼ型酸化チタンを実質的に含まず、主として合成樹脂から構成される基材層の少なくとも片面に、アナターゼ型酸化チタンが配合された合成樹脂組成物からなる表層が積層されたフィルムであって、該表層がブラスト処理されていることを特徴とする合成樹脂フィルム。 - 特許庁

An insulating layer 12 constituting the MIM type diode element is an amorphous oxide film formed by anodically oxidizing a surface of a lower electrode 11, the lower electrode 11 is formed with a single layer film of aluminum or an aluminum alloy or a laminated film having either of them as an outermost layer, and the anodically oxidized single layer film of aluminum or an aluminum alloy is formed into an amorphous body.例文帳に追加

MIM型ダイオード素子を構成する絶縁層12が下部電極11の表面を陽極酸化により形成した非晶質な酸化膜であり、下部電極11をアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜、あるいはそれらの何れかひとつを最表層にもつ積層膜で形成し、陽極酸化されるアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜を非晶質体とした。 - 特許庁

In the single layer type electrophotographic photoconductor obtained by disposing a single photosensitive layer on a conductive support directly or by way of an intermediate layer, the photosensitive layer contains an azo compound shown by formula (1), wherein at least one of Cp_1 and Cp_2 is a coupler residue selected from formula (2), formula (3) and formula (4).例文帳に追加

導電性支持体上に直接又は中間層を介して単層の感光層を設けてなる単層型電子写真感光体において、感光層に一般式(1)で示され、一般式(1)中のCp_1、Cp_2の少なくとも1つは一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)より選ばれたカップラー残基であるアゾ化合物を含有することを特徴とする単層型電子写真感光体。 - 特許庁

例文

A fuse element 31 for laser trimming, a breeder resistor 410, a complete depletion-type high-speed MOS transistor 201 and a partial depletion- type high breakdown strength-type MOS transistor 210 are formed of a single- crystal silicon device formation layer 103 on an SOI substrate.例文帳に追加

レーザトリミング用ヒューズ素子31とブリーダー抵抗410と完全空乏型の高速MOSトランジスタ201、及び部分空乏型の高耐圧型MOSトランジスタ210は、SOI基板上の単結晶シリコンデバイス形成層103で形成されている。 - 特許庁


例文

The electrophotographic photoreceptor provided with a single layered photosensitive layer directly or through an intermediate layer on a conductive substrate, in which the photosensitive layer comprises at least a charge generating material, a polymeric charge transport material, an acceptor type compound and acryl denatured polyorganosilixane.例文帳に追加

導電性支持体上に直接又は中間層を介して単層の感光層を設けてなる電子写真感光体において、該感光層が少なくとも電荷発生物質、高分子電荷輸送物質、アクセプター性化合物及びアクリル変性ポリオルガノシロキサンからなる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus in which an image carrier having a single layer type organic photosensitive layer can be contact-charged under actual operating conditions accompanied by environmental variation, while preventing damage of the organic photosensitive layer without impairing uniformity of charge or charge efficiency.例文帳に追加

環境変化を伴う実際の使用状況下で、単層の有機感光層を有する像担持体に対して、有機感光層の破損を防止し、且つ帯電の均一性や帯電効率を損なうことなく接触帯電できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

p型GaAlAs系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、PBNコーティングを施したグラファイト治具を用いて、n型GaAlAsクラッド層3中のカーボン濃度を1×10^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

The positive charge type electrophotographic photoreceptor has a single layer type photosensitive layer containing at least a binder resin, a charge generating material, an electron transport material and a hole transport material, wherein the electron transport material is selected from compounds represented by formula (1), formula (2), etc.例文帳に追加

単層型感光層を有する正帯電型電子写真感光体であって、単層型感光層中に少なくともバインダー樹脂、電荷発生材料、電子輸送材料、および、正孔輸送材料を含有し、電子輸送材料が式(1)〜(2)などで表される化合物から選ばれる。 - 特許庁

例文

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD.例文帳に追加

基板1に形成した結晶性サファイア薄膜50をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層7を形成し、この単結晶シリコン層7を表示部−周辺駆動回路一体型のLCDなどの電気光学装置のトップゲート型MOSTFTに用いる。 - 特許庁

例文

A light emitting diode 10, having a semiconductor substrate 11 and a single hetero-structure formed thereon and having at least a p-type active layer 13 and an n-type clad layer 14, is formed by forming an absorption layer 12 for absorbing light emitted by a light emitting layer, and having secondary light emitting intensity lower than the semiconductor substrate 11 between the active layer 13 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板11と、その上に形成された少なくともp型の活性層13及とn型のクラッド層14とを備えたシングルヘテロ構造の発光ダイオード10において、活性層13と半導体基板11との間に、発光層で発光した光を吸収すると共に、半導体基板11より二次発光強度が低い吸収層12を形成することにより、発光ダイオード10を構成した。 - 特許庁

In the semiconductor laser for oscillating laser light of a single vertical mode by a wavelength selected by an n-type distribution Bragg reflection layer 3, the reflection layer 3 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and provided with a waveguide including an active layer 5 formed on the surface of the reflection layer 3 and clad layers 4, 7 holding the active layer 5 between them.例文帳に追加

n型分布ブラッグ反射層3により選択された波長で単一縦モードのレーザ光発振を行う半導体レーザであって、n型分布ブラッグ反射層3は半導体基板上1に形成され、n型分布ブラッグ反射層3上に形成された活性層5と、活性層5を挟むクラッド層4、7とを含む導波路を備えている。 - 特許庁

To provide a double layer type elevator capable of installing two elevator cars which can be run separately from each other in a single elevator shaft without making the upper elevator car in a special form.例文帳に追加

上側エレベータかごを特殊な形状とすることなく、かつ単一昇降路内に独立して走行可能な2台のエレベータかごを設置できる二層形エレベータの提供。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor excellent in sensitivity characteristic and capable of effectively suppressing lowering of charging potential, and an image forming apparatus including the same.例文帳に追加

感度特性に優れるとともに、帯電電位の低下を効果的に抑制することができる単層型電子写真感光体及びそれを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor having good electrification ability and sensitivity, excellent in light resistance and durability and ensuring high stability of electrostatic property even after repetition of a copying process.例文帳に追加

帯電性、感度が良好で、かつ耐光性、耐久性に優れ、複写プロセスを繰り返しても静電特性の安定性に富んだ単層型電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor having good electrification ability and sensitivity, excellent in light resistance and durability and ensuring high stability of electrostatic property even after repetition of a copying process.例文帳に追加

帯電性、感度が良好で、かつ、耐光性、耐久性に優れ、複写プロセスを繰り返しても静電特性の安定性に富んだ単層型電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

A length (2a) of the coating region 1100 is nearly twice a length (a) of a part of the coating region 1100 that constitutes a single electrode plate 1 to constitute the lamination layer type secondary battery.例文帳に追加

塗工領域1100の長さ(2a)は積層型二次電池を構成する単一の極板1を構成する塗工領域1100の一部の長さ(a)のほぼ2倍である。 - 特許庁

A length (2b) of the non-coating region 1200 is nearly twice a length (b) of a part of the non-coating region 1200 that constitutes a single electrode plate 1 to constitute the lamination layer type secondary battery.例文帳に追加

非塗工領域1200の長さ(2b)は、積層型二次電池を構成する単一の極板1を構成する非塗工領域1200の一部の長さ(b)のほぼ2倍である。 - 特許庁

To turn a barrel vault type skeleton structural body into a single layer by enhancing the rigidity in-plane direction thereby reducing the number of parts, making the body lighter, reducing production cost and making beautiful appearance.例文帳に追加

面内方向の剛性を高めることにより、バレルヴォールト型骨組構造体の単層化を実現し、部品点数の削減、軽量化、製造コストの低減、美感の向上等を図る。 - 特許庁

The elastic body layer of the urethane roller consists mainly of a polyol component and isocyanate component and contains a single terminal type alcohol or amino denatured silicone oil having a siloxane bond at a main chain.例文帳に追加

弾性体層が主としてポリオール成分とイソシアネート成分とからなり、主鎖にシロキサン結合を持つ片末端型アルコールまたはアミノ変性シリコーンオイルを含有するウレタンローラである。 - 特許庁

A thick coating layer 4 of 37.5 μm film thickness is formed by a single coating method using a UV ray transmission type UV-curing resin on an optical fiber wire 1' consisting of a core and a clad.例文帳に追加

コア及びクラッドからなる光ファイバ素線1′に対し紫外線透過型紫外線硬化樹脂を用いて膜厚37.5μmの厚肉の被覆層4をシングルコートにより形成する。 - 特許庁

To provide single-and multiple-layer bar arrangement spacers applied to various types of bar arrangement and to provide transportation and arranging methods for screen type erection bars used for the arranging method and bar arrangement using them.例文帳に追加

各種の鉄筋配置に適用される単層・複層配筋用スペーサと、それを用いた配筋方法及び配筋に使用するスダレ式組鉄筋の搬送・配筋方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting diode has an SiC layer formed of a 6H type SiC single-crystal substrate doped with B and N, and a nitride semiconductor layer of ≤408 nm in light emission wavelength, and the SiC layer is excited with primary light from the nitride semiconductor layer to emit secondary light in the visible range.例文帳に追加

発光ダイオードにおいて、B及びNがドーピングされた6H型SiC単結晶蛍光体からなるSiC層と、発光波長が408nm以下である窒化物半導体層と、を備え、前記SiC層は、前記窒化物半導体層からの1次光により励起され、可視領域の2次光を発するようにした。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is obtained by preparing a coating liquid for forming a photosensitive layer containing a charge transport agent and a polyarylate resin having a specific bisphenol skeleton, applying the coating liquid onto a surface of a drum-like aluminum substrate on which an undercoat layer has been formed, and carrying out drying by heating to form a single layer type photosensitive layer.例文帳に追加

電荷輸送剤と、特定したビスフェノール骨格を有するポリアリレート樹脂とを含有している感光層形成用塗布液を調製し、これを、下引き層が形成されたアルミニウム製のドラム状基体の表面上に、塗布し、加熱乾燥して単層型感光層を形成し、電子写真感光体を得る。 - 特許庁

The optical writing type display medium includes at least a display layer and the optical switching layer between a pair of electrodes, wherein the optical switching layer has a single layered bipolar photosensitive body containing a charge generation material, a hole transport material, and an electron transport material as the optical switching layer.例文帳に追加

一対の電極の間に、少なくとも表示層と光スイッチング層とを含む光書き込み型表示媒体であって、前記光スイッチング層が、電荷発生材料、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料を含む単層の両極性感光体を光スイッチング層として有する光書き込み型表示媒体である。 - 特許庁

In the image forming apparatus in which a charging means, a developing means, and a transfer means are disposed around a single layer type electrophotographic photoreceptor, a conductive member serving as the charging means is a flat or curved member that follows along the external surface of the single layer type electrophotographic photoreceptor, and disposed in firm contact with the surface of the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

単層型電子写真感光体の周囲に、帯電手段と、現像手段と、転写手段と、が配置された画像形成装置において、帯電手段としての導電性部材が、単層型電子写真感光体の外表面に沿って追従する平板状部材あるいは湾曲状部材であるとともに、単層型電子写真感光体の表面に対して圧接させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系SiC単結晶薄膜からなるp型クラッド層11と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Eg=1.8eV以上、3.1eV未満のZnO系化合物半導体混晶からなり、クラッド層11とヘテロ接合をなす発光層12とを備える。 - 特許庁

A photoreceptor containing an azo compound of the formula Ar(-N=N-Cp)_n (where Ar is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group and Cp is a coupler residue) and a high molecular charge transport material are used and a single layer type photosensitive layer is disposed on an electrically conductive support directly or by way of an intermediate layer.例文帳に追加

アゾ化合物(Ar(−N=N−Cp)_n:Arは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、Cpはカップラー残基)と高分子電荷輸送物質とを含む感光体を用い、導電性支持体上に直接または中間層を介して単層の感光層を設ける。 - 特許庁

The single layer type electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer containing a binder resin, a hole transporting agent, and a charge generating agent, wherein the photoreceptor contains a water-repellent polycarbonate resin as the binder resin, and the contact angle of pure water with respect to the photoreceptor layer is specified to 100° or more at a measured temperature 25°C.例文帳に追加

結着樹脂と、正孔輸送剤と、電荷発生剤と、を含む感光体層を備えた単層型電子写真感光体であって、結着樹脂として、撥水性ポリカーボネート樹脂を含むとともに、感光体層に対する純水の接触角(測定温度:25℃)を100°以上の値とする。 - 特許庁

In the image forming device provided with a single layer positive electrification type organic photoreceptor and an electrifying member to perform an electrifying process required for an electrophotographic process at a photoreceptor thereof, the electrifying member is a non-contact type electrifying member.例文帳に追加

上記の単層正帯電型有機感光体と、この感光体に電子写真プロセスのために必要な帯電プロセスを実施する帯電部材を備えた画像形成装置において、帯電部材が非接触式帯電部材である画像形成装置とする。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したn形ZnOバルク単結晶基板10上に、p形層11として窒素をドープしたZnO系化合物からなる半導体薄膜を形成してpn接合させている。 - 特許庁

In the method, an n-type single-crystal silicon wafer 21 is placed on a first placing surface 50A of a first substrate tray 50 covered by an i-type amorphous silicon layer 28, in a step of forming an HIT-structure.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、HIT構造の形成工程において、n型単結晶シリコンウェハ21は、i型非晶質シリコン層28によって覆われた第1基板トレー50の第1載置面50A上に載置される。 - 特許庁

To provide an air-inflated membrane structure in which the closing properties of an internal space as the problem point of a single layer membrane type and low withstand-load performance as the problem point of a tube membrane type are eliminated by combining both types.例文帳に追加

一重膜形式とチューブ膜形式を組合せることにより、前者の問題点である内部空間の閉鎖性および後者の問題点である耐荷重性能の低さを解消した空気膜構造物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To eliminate a defect in a photoreceptor mounted directly with a negative charge type single layer photosensitive layer on a conductive substrate, and to form an image of high quality without generating a fog and a black point.例文帳に追加

負帯電型単層感光層を導電性基体上に直接設けた感光体における欠点を解消し、カブリや黒点の発生がなく、高品質の画像を形成しうる負帯電単層型電子写真感光体を提供するにある。 - 特許庁

A substrate made of single-crystal silicon is prepared, wherein a semiconductor layer that is made of P conductivity-type silicon having higher impurity concentration than a semiconductor substrate and is arranged on the surface of the semiconductor substrate, with a surface having (100) plane with an insulation layer in between.例文帳に追加

単結晶シリコンからなり、表面が(100)面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いP導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。 - 特許庁

Manufactured is a photoreceptor layer in single-layer structure containing all of a charge generating material, a charge transfer material, and a binding resin by using Y type titanyl oxy phthalocyanine as the charge generating material and a polyethylene terephthalate copolymer as the binding resin.例文帳に追加

電荷発生材料としてY形チタニルオキシフタロシアニンを用い,結着樹脂としてポリエチレンテレフタレート系共重合体を用い,電荷発生材料,電荷輸送材料,及び結着樹脂を共に含有する単層構造の感光層を製造する。 - 特許庁

A complete depletion-type high-speed MOS transistor 210 is formed in a single-crystal silicon device formation layer 103, and a high breakdown strength-type MOS transistor and an ESD preventive element 310 are formed on a silicon substrate from which the formation layer 103 on an SOI substrate and a buried oxide film 102 have been removed.例文帳に追加

完全空乏型の高速MOSトランジスタ210は、単結晶シリコンデバイス形成層103に形成されており、高耐圧型MOSトランジスタ及びESD保護素子310は、SOI基板上の単結晶シリコンデバイス形成層103及び埋め込み酸化膜102の除去されたシリコン基板上に形成されている。 - 特許庁

To provide an interconnect structure of a single or dual/damascene type which substantially reduces the surface oxidation problem of plating a conductive material onto a noble metal seed layer, and a method of forming the same.例文帳に追加

貴金属シード層上への導体めっきの表面酸化問題を実質的に低減する、シングルまたはデュアル・ダマシン型の相互接続構造体およびそれを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a self-excited oscillation circuit for a Rosen-type single layer piezoelectric transformer which does not transit to a completely different oscillation mode due to variation of a load, and can stably maintain a normal output.例文帳に追加

負荷の変動よって全く別な発振モードへ移行することがなく、安定して正常な出力を維持することができるローゼン型単層圧電トランス用の自励発振回路を提供する。 - 特許庁

To provide a single-layer type electrophotographic photoreceptor which has sufficient sensitivity even in an image forming apparatus using a blue semiconductor laser as an exposure light source, and to provide an image forming apparatus using the same.例文帳に追加

青色半導体レーザーを露光光源とする画像形成装置においても、十分な感度を有する単層型感光体およびそれを用いたが画像形成装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

An electrophotographic apparatus is mounted with this single layer type electrophotographic photoreceptor as a photoreceptor equipped with an electrifying device, an imagewise exposing device, a developing device, a transfer device, a cleaning device, a de-electrifying device, etc.例文帳に追加

この単層型電子写真感光体を帯電手段、像露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段などを備えた感光体として電子写真装置に搭載する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a photoelectric converter having excellent characteristics by controlling the quality of an ZnO film touching an n-type non-single crystal semiconductor layer.例文帳に追加

n型非単結晶半導体層に接触するZnO膜の膜質を制御することにより、優れた特性の光電変換装置を得ることを可能とする光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When silicon is a single crystal, a work function of n-type silicon is generally 4.05 eV, and therefore a work function of the material of the conductive layer 30 needs to be smaller than 4.05 eV.例文帳に追加

珪素が単結晶の場合、n型珪素の仕事関数は一般に4.05eVであるとされているから、導電性層30の材料の仕事関数は4.05eVよりも小さい必要がある。 - 特許庁

To provide a management method for a coating liquid for an electrophotographic photoreceptor by which the dispersed state of the coating liquid can stably be maintained over a prolonged period of time in order to manufacture single layer type photoreceptors at a low cost.例文帳に追加

単層型感光体を低コストで製造するために、長期間に亘って塗布液の分散状態を安定的に維持できる電子写真感光体用塗布液の管理方法の提供。 - 特許庁

The SiC semiconductor is characterized in that 3C-SiC is formed by an epitaxial growth method on the surface of a Si wafer interposing a buffer layer of BP being a sphalerite-type single crystal between the 3C-SiC and the Si wafer.例文帳に追加

Siウェーハの表面に、BPのバッファー層を介して、3C−SiCがエピタキシャル成長により形成されているSiC半導体であって、そのBPが閃亜鉛鉱型の単結晶である。 - 特許庁

The epitaxial growth method comprises interposing BP being the sphalerite-type single crystal as the buffer layer when the 3C-SiC is epitaxially grown on the surface of the Si wafer being the substrate.例文帳に追加

基板となるSiウェーハの上に3C−SiCをエピタキシャル成長させる際に、BPをバッファー層として介在させるSiCエピタキシャル成長方法であって、そのBPが閃亜鉛鉱型の単結晶である。 - 特許庁

Thus, the impurity concentration composed of the single crystal silicon film 15 provides a thin source/drain of stacking type, to allow a junction 21 to be shallower and also to allow the width of a depletion layer region 22 to be wider.例文帳に追加

こうして、単結晶シリコン膜15でなる不純物濃度が薄い積上げ型のソース・ドレイン領域を設けることによって、接合21を浅くし、且つ、空乏層領域22の幅を広くできる。 - 特許庁

To manufacture active-matrix type organic EL display bodies which use transistors (each of transistors which has a single-crystal semiconductor as the active layer) having little variations in characteristics on a transparent substrate having a large area, at low cost.例文帳に追加

特性のばらつきの少ないトランジスタ(単結晶半導体を活性層とするトランジスタ)を用いたアクティブマトリックス型有機EL表示体を大面積の透明基板上に安価で作製する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is characterized by the disposal of a photosensitive layer (a single photosensitive layer or the electric charge transporting layer of a laminate type photosensitive layer) or a protective layer containing a polyurethane, polyester or polycarbonate resin having a specified constitutional unit.例文帳に追加

特定の構成単位を有するポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂又はポリカーボネート樹脂を含有する、感光層(単層の感光層または積層型感光層の電荷輸送層)、又は保護層を設けたことを特徴とする電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真方法、この電子写真感光体を有する電子写真装置及びこの電子写真装置に用いるプロセスカートリッジ。 - 特許庁

例文

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるn型単結晶シリコン基板1からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、(222)面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における(222)のピークが、2つのピークを含む透明導電膜4とを備えている。 - 特許庁




  
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