「solid-state type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To perform suppression of vertical stripes and suppression of white points and black points in a solid-state imaging apparatus which adopts a double slope type column ADC (Analog/Digital Converter) system.例文帳に追加

ダブルスロープ型カラムＡＤＣ方式を採用した固体撮像装置において、縦筋の抑制と白点、黒点の抑制とを図ること。 - 特許庁

To provide a MOS type solid state imaging device which can read signal charges of a photodiode under a low voltage condition without any signal charge left unread.例文帳に追加

低電圧でフォトダイオードの信号電荷の読み出しが行え、かつ信号電荷の取り残しのないＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To package a high-speed A/D converter having circuit configuration consisting of an N-type MOS transistor only in an NMOS solid-state image pickup device.例文帳に追加

ＮＭＯＳ型固体撮像装置に、Ｎ型ＭＯＳトランジスタのみで回路構成された高速なＡＤ変換器を搭載できるようにする。 - 特許庁

A MOS type solid-state imaging device has a plurality of pixels which consist of a light receiver 11 and a detector 12 formed on a substrate 14.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置は、基板１４上に形成された受光部１１と検出部１２とからなる複数のピクセルを備える。 - 特許庁

To improve pixel characteristics of a CMOS solid-state imaging apparatus having a lateral type overflow structure, by suppressing variance of an overflow barrier.例文帳に追加

横型オ−バーフロー構造を有するＣＭＯＳ固体撮像装置において、オ−バーフローバリアのばらつきを抑制し、画素特性を向上させる。 - 特許庁

To suppress malfunction and an image defect by lowering an STI level difference of a semiconductor device, especially a MOS-type solid-state imaging device.例文帳に追加

半導体装置、特にＭＯＳ型固体撮像装置のＳＴＩ段差を低くすることによって、誤作動及び画像欠陥を抑制する。 - 特許庁

To provide an endoscope apparatus in which an observation image of a suitable brightness is obtained without depending upon a type of an endoscope containing a solid state imaging element.例文帳に追加

固体撮像素子を内蔵した内視鏡の種類によらず適正な明るさの観察画像が得られる内視鏡装置を提供する。 - 特許庁

To attain a mechanism with which power consumption is reduced in a solid-state imaging apparatus adopting a reference signal comparison type AD conversion method.例文帳に追加

参照信号比較型ＡＤ変換方式を採用する固体撮像装置において、消費電力の低減が可能な仕組みを実現する。 - 特許庁

A lens 21 of a CCD type solid-state imaging device is constituted by combining the lens base portion 19 and lens coating portion 20 together.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像装置におけるレンズ２１は、レンズ土台部１９とレンズ皮膜部２０との組み合わせを以って構成されることになる。 - 特許庁

To provide a rear-side irradiation type solid-state imaging apparatus, capable of obtaining noise-reduced image characteristics and forming a peripheral circuit with stable waveforms.例文帳に追加

周辺回路が安定した波形を作り、ノイズが少ない画像特性を得ることが可能な裏面照射型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging element 11 is a MOS-type image sensor, and has a light-sensitive section 13 formed at one surface side of an Si substrate 12.例文帳に追加

固体撮像素子１１は、ＭＯＳ型イメージセンサであって、Ｓｉ基板１２の一方面側に形成された光感応部１３を有する。 - 特許庁

To improve irregular colors caused by an oblique incident light when an interference-type infrared-cut filter is used combined with a color solid-state imaging element.例文帳に追加

干渉型赤外線カットフィルタをカラー固体撮像素子に組み合わせて用いたとき、斜め入射光に起因する色ムラを改善する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser exciting slab-type solid-state laser oscillating device which is high in exciting light utilization efficiency and prevents an LD device as excitation source from degrading in characteristics.例文帳に追加

励起光の利用効率が高く、励起源のＬＤ素子の特性を劣化させない半導体レーザ励起スラブ型固体レーザ発振装置。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element and imaging apparatus using the same in which a pixel state can be read in an arbitrary region from a MOS-type image sensor without increasing a circuit scale.例文帳に追加

回路規模を増大させることなく、ＭＯＳ型イメージセンサから画素状態を任意の領域で読出すことができる固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置を提供する。 - 特許庁

The invented solid-state image sensing device has a p-type region 37 only in the neighborhood of a source region 36 and an n-type (n-well) region 33 in the other region under the ring-shaped gate electrode 35.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、ソース領域３６の近傍にのみｐ型領域３７があり、リング状ゲート電極３５下の他の領域はｎ型（ｎウェル）３３になっている。 - 特許庁

An XY address type solid-state image pickup element such as a CMOS image sensor is used, and only one predetermined light receiving element among a plurality of light receiving elements arranged like a matrix in the solid-state image pickup element is made to output a light reception signal.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサなどのＸＹアドレス型の固体撮像素子を用い、その固体撮像素子において行列状に配置されている複数の受光素子のうち、所定の一の受光素子のみが受光信号を出力するようにしておく。 - 特許庁

To provide a lens integrated type solid-state image pickup device which is easily assembled and by which an excellent image is obtained by preventing the optical axis center of light made incident on the photodetecting surface of a solid-state image pickup device by passing through an optical lens from being angularly inclined.例文帳に追加

組み立てが容易で、光学レンズを通って固体撮像素子の受光面に入射される光の光軸中心の角度的な傾きを防いで良好な画像を得ることができるレンズ一体型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

An electronic endoscope 10 incorporates the solid-state image sensor 42 of a CCD type which performs analog output in a distal end portion, and a processor apparatus 11 receives output signals from the solid-state image sensor 42 through a signal line 49d and generates an image.例文帳に追加

電子内視鏡１０は、アナログ出力を行うＣＣＤ型の固体撮像素子４２を先端部に内蔵しており、プロセッサ装置１１は、信号線４９ｄを介して固体撮像素子４２からの出力信号を受信して画像を生成する。 - 特許庁

To provide a solid-state photovoltaic device of an interpenetration structure which maintains sufficient photovoltaic performance at a low manufacturing cost and is based on a total of three solid inorganic components (two transparent n-type semiconductors and a transparent p-type semiconductor).例文帳に追加

低い作成コストで、十分な光起電性能を保つ、三つの全固体無機成分（二つの透明ｎ型半導体および透明ｐ型半導体、そして一つの吸収体）をベースとする相互浸透構造の固体光起電装置を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the whipped o/w type emulsion cosmetic is characterized in that an o/w type emulsion containing the high molecular material, the solid oil solid at the normal temperature, and the nonionic surfactant is foamed, and the resultant product in a foamed state is packed.例文帳に追加

前記高分子物質と、常温で固体の固形油分と、非イオン性界面活性剤とを含むＯ／Ｗ型乳化物を泡立て、泡立った状態で充填することを特徴とするホイップドＯ／Ｗ型乳化化粧料の製造方法。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device mobile type camera unit CUa, a solid-state image pickup device P whose image pickup area is smaller than an image circle is arranged in the image circle of an objective lens L, the objective lens L is fixed, the solid-state image pickup element P is moved in the image circle, and at least two positions in an object can be photographed.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子移動型カメラユニットＣＵａは、対物レンズＬのイメージサークル内に、撮像エリアが前記イメージサークルの面積より狭い固体撮像素子Ｐを配置し、対物レンズＬは固定し、固体撮像素子Ｐを前記イメージサークル内で移動させて、被写体の少なくとも２箇所の位置を撮影できるように構成されている。 - 特許庁

To suppress the deterioration in image quality generated by an after-image due to photoelectric charges accumulated in former image pickup, in a threshold modulation-type solid-state imaging element.例文帳に追加

しきい値変調型固体撮像素子において、前の撮像において蓄積された光電荷による残像によって発生する画質の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide an image input device employing an X-Y address type solid-state image pickup element that corrects distortion of an image caused by camera-shake without increasing the power consumption.例文帳に追加

Ｘ−Ｙアドレス型の固体撮像素子を用いた場合に、消費電力を増加させることなく、手ぶれによって発生する画像の歪みを補正する。 - 特許庁

The solid state image sensor also has a light-receiving surface on the rear surface 22b side of a semiconductor substrate which is the reverse side of a multilayer wiring layer 33, and is constituted as a rear surface irradiation type.例文帳に追加

さらに、多層配線層３３とは反対の半導体基板裏面２２ｂ側の受光面を有し、裏面照射型として構成される。 - 特許庁

To reduce registration deviation caused by an ambient temperature in a configuration for mounting a surface type solid-state imaging device on a color separation prism.例文帳に追加

本発明の目的は、面付け型の固体撮像素子を光分解プリズムに取付ける構成で、かつ周囲温度によるレジストレーションずれを少なくすることにある。 - 特許庁

To provide a rear-surface irradiation type solid-state imaging element which can surely separate signal charges between photoelectric conversion regions, and which has high sensitivity.例文帳に追加

光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することができ、かつ高感度の裏面照射型撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS-type solid-state image sensing device that allows hole pockets to be formed and aligned easily and is suitable for high integration, and provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ホールポケットの形成及びその位置合わせが容易であって高集積化に適したＭＯＳ型固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor having a multi-stage source follower type amplifier, a high gain, and a broad band.例文帳に追加

多段のソースフォロア型アンプを有する固体撮像素子において、高いゲイン及び広帯域を有する固体撮像素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a rear surface irradiation type solid-state imaging element having an oxide film in which its film thickness is closely controlled while using an SOI wafer.例文帳に追加

本発明は、ＳＯＩウエハを使用しながら、綿密に膜厚が制御された酸化膜を有する裏面照射型固体撮像素子を得ることを目的とする。 - 特許庁

The amplification type solid-state imaging apparatus includes a plurality of pixel groups X(n) each comprising a plurality of pixels 10, and a switched capacitor amplifier section 20 is provided respectively corresponding to each pixel group.例文帳に追加

複数の画素１０からなる画素群Ｘ（ｎ）が複数設定され、各画素群に対応してそれぞれスイッチトキャパシタアンプ部２０が設けられている。 - 特許庁

To accurately detect a flicker component in an image picked up by an XY address scan type solid-state imaging device, using an image processing apparatus of small circuit scale.例文帳に追加

ＸＹアドレス走査型の固体撮像素子により撮像された画像のフリッカ成分を、回路規模の小さな画像処理装置で、精度よく検出する。 - 特許庁

To suppress a fixed pattern due to electron multiplication in a picked-up image as to a CCD type solid-state imaging device which performs the electron multiplication using a vertical transfer path.例文帳に追加

垂直転送路で電子増倍を行うＣＣＤ型固体撮像素子で、撮像画像中の電子増倍に起因する固定パターンを抑制する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion film stacked type solid-state imaging device a stain-resisting layer 101 and an electrification prevention layer 102 are provided on a light reception surface.例文帳に追加

受光面に防汚性層１０１および帯電防止層１０２を設けたことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。 - 特許庁

To realize improved charge transfer performance and prevention of punch-through at the same time, even if a MOS element is shrunk in size, in a MOS-type solid-state image pickup device.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置に関し、ＭＯＳ素子が微細化されても、電荷転送能力向上とパンチスルー防止を同時に実現する。 - 特許庁

To provide a structure that prevents the generation of color mixture in a solid-state imaging device where the depth of an n-type diffusion layer that serves as a light-receiving region for each color is changed.例文帳に追加

色毎に受光領域となるｎ型拡散層の深さを変化させた固体撮像装置において、混色の発生を防止した構造を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes photodiodes 1-1, first and second impurity diffusion layers 206-10, 206-12 of a first conductive type, and first and second transistors 2-1, 3-1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード1-1と、第１導電型の第１、第２不純物拡散層206-10,206-12と、第１、第２トランジスタ2-1,3-1とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a rear surface irradiation type solid-state image pickup device for reducing manufacturing steps to improve productivity.例文帳に追加

工程数を削減して、生産性を向上させることのできる裏面照射型の固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diode laser pump array suitable for exciting high-output solid-state laser and a diffraction type homogenizer used for the diode laser pump array.例文帳に追加

高出力な固体レーザの励起に適したダイオードレーザポンプアレイ、およびダイオードレーザポンプアレイに使用する回折型ホモジナイザの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the backside irradiation type solid-state imaging device, wiring for substrate electric potential is formed on the backside of a semiconductor substrate 20 which becomes the light receiving surface.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、半導体基板２０の受光面となる裏面側に基板電位用配線が形成されている。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion film stack-type solid-state imaging device which can obtain a high-quality picked-up image signal and can enhance manufacturing yields.例文帳に追加

高品質の撮像画像信号を得ることができ、製造歩留まりを高めることができる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To widen the area isolated electrode film of a CCD-type solid-state image pickup device thus increasing the degree of arrangement freedom for the contact part between the isolated electrode film and shunt wiring.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子の孤立電極膜の面積を広くし、孤立電極膜とシャント配線とのコンタクト部の配置自由度を増大させる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion layer laminate-type solid-state imaging element having high versatility and capable of preventing destruction of an MOS circuit due to excessive light.例文帳に追加

過大光によるＭＯＳ回路の破壊を防ぐことが可能な汎用性の高い光電変換層積層型の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a separator for solid-state polymer type fuel cell which can keep the contact resistance low in a usage environment of the separator and is also excellent in durability.例文帳に追加

セパレータの使用環境下で接触抵抗を低く保持でき、また耐久性にも優れた固体高分子形燃料電池用セパレータを提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SUPER-THIN SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUPER-THIN BACKLIGHTING TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE例文帳に追加

超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置 - 特許庁

The male side socket 4 has a plurality of pads 6 electrically connected to a solid state imaging device 1 and a plurality of male type terminals 5 positioned on the opposite side.例文帳に追加

オス側ソケット４は、固体撮像素子１と電気的に接続される複数のパッド６と、その反対側に位置する複数のオス型端子５とを備えている。 - 特許庁