「solid-state type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the quality of a picture from being degraded due to a dark current generated when the shutter speed of an electronic still camera using a CCD type solid state image pickup element is extended.例文帳に追加

ＣＣＤ方式の固体撮像素子を用いた電子スチルカメラにおける、シャッター速度長秒時の暗電流による画質低下を防止する。 - 特許庁

To provide a CCD type solid-state image pickup device which is easy to drive, improves convenience, is capable of reducing power consumption of a camera and reduces power consumption and noise.例文帳に追加

駆動が容易で使い勝手が良く、カメラの低消費電力化が可能、かつ、低消費電力で低雑音のＣＣＤ型固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion film laminate type solid-state imaging apparatus which has a structure where noise signals generated when charges are stored are not entered.例文帳に追加

電荷蓄積時にこれらのノイズ信号が混入されない構造を有する光電変換膜積層型の固体撮像装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device provided with an embedded type photo diode, and having low noise, high sensitivity, and wide dynamic range.例文帳に追加

本発明は、埋込型フォトダイオードを備えるとともに、低雑音、高感度で広ダイナミックレンジを備える固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an amplification type solid state imaging apparatus which mounts a CDS circuit, while preventing a propagation loss of a pixel signal, to obtain an image of a high S/N ratio.例文帳に追加

ＣＤＳ回路を搭載しつつ、画素信号の伝播ロスを防止し、高Ｓ／Ｎ比の画像が得られる増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus using an amplification type MOS sensor capable of achieving an optimum OB clamp operation, even when a mixed function is used.例文帳に追加

混合機能を利用した場合でも最適なＯＢクランプ動作を実現できる増幅型ＭＯＳ型センサを用いた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To obtain image data having excellent color reproducibility of high sensitivity and high resolution by suppressing the occurrence of a false signal or a false color in a single board type color solid state imaging device.例文帳に追加

単板式カラー固体撮像装置で、偽信号や偽色の発生を抑え、高感度，高解像度の色再現性の優れた画像データを得る。 - 特許庁

To ensure excellent sensor output linearity when increasing a maximum charge amount that can be transferred from a photodiode in an amplification type solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

増幅型固体撮像装置において、フォトダイオードから転送できる最大の電荷量を増やすときに、良好なセンサ出力のリニアリティを確保する。 - 特許庁

To provide a fuel supply device for a direct methanol type fuel cell with solid-state methanol having enough airtightness and watertightness as fuel.例文帳に追加

十分な気密性又は水密性を有する固体状メタノールを燃料とする直接メタノール形燃料電池用燃料供給装置を提供する。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is provided with an n-type silicon substrate 8 and a plurality gate electrodes 6 provided for pixel 5 on the substrate 8.例文帳に追加

この固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板８と、ｎ型シリコン基板８上に、画素５ごとにそれぞれ複数設けられたゲート電極６とを備えている。 - 特許庁

To suppress deterioration of image quality caused by an afterimage due to photoelectric charges stored in previous imaging in a solid state imaging device of a threshold modulation type.例文帳に追加

しきい値変調型固体撮像素子において、前の撮像において蓄積された光電荷による残像によって発生する画質の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a bottom-surface electrode type solid-state electrolytic capacitor in which the volumetric efficiency of a capacitor element is improved, and to provide a lead frame used for the same.例文帳に追加

コンデンサ素子の体積効率を向上させた下面電極型固体電解コンデンサの製造方法およびそれに用いるリードフレームを提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensing device with a high-gain source- follower-type amplifier where a power supply voltage VDD with a higher potential than a substrate voltage Vs is supplied.例文帳に追加

基板電圧Ｖｓに比して高電位の電源電圧ＶＤＤが供給される高利得のソースフォロア型アンプを備える固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion film stacked type solid-state imaging device for preventing contaminations from adhering to a light reception surface and preventing the loss of incident light.例文帳に追加

受光面への汚れの付着を防止し、入射光の損失を防止することのできる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁

The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁

This solid-state imaging element is provided with each pixel 4 having: a P-type epitaxial growth layer 51; a P-type well 52 arranged on that; and an N-type charge accumulation part 53 arranged on the well 52 for accumulating photoelectrically converted charge.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型エピタキシャル成長層５１と、その上に配置されたＰ型ウエル５２と、ウエル５２に配置され光電変換された電荷を蓄積するＮ型電荷蓄積部５３を有する各画素４と、備える。 - 特許庁

Additionally, in the solid-state imaging device, there is a voltage application means for applying the voltage ϕV2 to the solid-state imaging element 10 and the p-type semiconductor region 14, and the voltage ϕV2 for shallowing the potential at the photosensor is applied to the p-type semiconductor region 14 from the voltage application means.例文帳に追加

また、上記固体撮像素子１０とＰ型半導体領域１４に電圧φＶ２を印加する電圧印加手段とを備え、読み出し期間において、電圧印加手段からＰ型半導体領域１４に受光センサ部のポテンシャルを浅くする電圧φＶ２が印加される固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

To obtain a stabilized bonded state when a semiconductor element chip (CCD solid-state image pickup element chip) is bonded to a TAB type by a TAB technique without causing a trouble such as bump damage.例文帳に追加

ＴＡＢ技術により半導体素子チップ（ＣＣＤ固体撮像素子チップ）にＴＡＢテープを接合する場合に、バンプの破損等の障害を生じることなく、安定した接合状態を得る。 - 特許庁

To provide a 4 cycle type image forming apparatus by which a color image of high quality can be obtained by keeping down unevenness in image density generated by unevenness in light quantity in a solid-state scanner type exposure device.例文帳に追加

固体走査型の露光装置における光量むらによって生じる画像の濃度むらを抑え、高品質なカラー画像を得ることができる４サイクル方式の画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To improve manufacturing efficiency and element accuracy by carrying out various positionings readily and properly during manufacturing of an amplification type solid-state image sensing element (CMOS image sensor) of a so- called backside illumination type.例文帳に追加

いわゆる裏面照射型の増幅型固体撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ）の作製時における各種の位置合わせを容易かつ適正に行い、製造効率および素子精度を改善する。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 1 is composed by successively laminating a p-type semiconductor layer 102, an interlayer insulating film 104, a polarization cut filter 108, and a condenser lens 109 on an n-type semiconductor layer 101.例文帳に追加

固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、偏光カットフィルタ１０８及び集光レンズ１０９が順次積層されてなる。 - 特許庁

In the solid-state imaging device 102, a p-type semiconductor layer 302, an interlayer insulating film 304, a multilayer film interference filter 306, and a condensing lens 307 are laminated successively on an n-type semiconductor layer 301.例文帳に追加

固体撮像装置１０２は、Ｎ型半導体層３０１上にＰ型半導体層３０２、層間絶縁膜３０４、多層膜干渉フィルタ３０６及び集光レンズ３０７が順次積層されてなる。 - 特許庁

In the amplification type solid state imaging apparatus as an active type minimum transistor configuration; a unit pixel 21 is constituted of a photodiode 50, a pixel driver transistor 36, a reset transistor 35, and a pixel power source 37.例文帳に追加

この増幅型固体撮像装置は、アクティブ型の最小トランジスタ構成としてフォトダイオード５０、画素ドライバトランジスタ３６、リセットトランジスタ３５、画素電源３７で単位画素２１を構成している。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion film lamination type solid-state imaging element of a hybrid type capable of imaging a bright image excellent in image quality even in the case of photographing incapable of using a flash light and even in the case of moving picture photographing or the like.例文帳に追加

フラッシュ光が使用できない撮影時や動画撮影時等でも明るく良好な画質の画像を撮像できるハイブリッド型の光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The solid skin care cosmetic comprises a water-in-oil type emulsion composition containing a hydrophilic medicine contained only in the water phase, and a powder contained only in the oil phase, and has a solid state caused by the solid oil component.例文帳に追加

親水性薬剤を水相のみに含有し、粉末を油相のみに含有する油中水型乳化組成物であって、固形油分により固形状形態を有することを特徴とする油中水型乳化組成物からなる固形状皮膚外用剤。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus improving transmittance of light in a transparent insulation film on a light entering surface side of a substrate, and having a dark current suppressing function and a quantum efficiency loss prevention function, in a back face irradiation type solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus and a method of manufacturing the same that improve the area efficiency of a photoelectric conversion part and reduce disturbance noise, in a back side irradiation type, and to provide an electronic device applicable to a camera or the like having the solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

裏面照射型における光電変換部の面積効率の向上、外乱ノイズ低減を図った固体撮像装置及びその製造方法、並びにかかる固体撮像装置を備えたカメラなどに適用される電子機器を提供するものである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element never causing a problem of noise or color mixture due to reflected light by preventing light entered through a space between photoelectric conversion elements from reflecting on a wiring layer, in a back emission-type solid-state imaging element; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像素子において、光電変換素子間の隙間を通して入射した光が配線層で反射することを防ぎ、反射光によるノイズや混色の問題を生じさせない固体撮像素子とその製造方法を提案すること。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes an electric charge storage region including an n-type intermediate impurity region 11 the depth of which is deeper than the depth of an n^+-type impurity region 12 of an n-type silicon substrate 8, and shallower than the depth of an n-type impurity region 10.例文帳に追加

この固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板８のｎ^＋型不純物領域１２の深さよりも大きく、かつ、ｎ型不純物領域１０の深さよりも小さい深さを有するｎ型中間不純物領域１１を含む電荷蓄積領域を備えている。 - 特許庁

A solid state imaging element is manufactured in a process having a step of introducing a second conductivity type impurity into a region having a less area than the second conductivity type semiconductor region 13 in the first conductivity type semiconductor region 12 beneath the second conductivity type semiconductor region 13.例文帳に追加

また、第２導電型半導体領域１３下の第１導電型半導体領域１２内の第２導電型半導体領域１３より小さい面積の領域に第２導電型の不純物を導入する工程を有して固体撮像素子１を製造する。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 403 is formed in a P^--type well region 402, a P^++-type hole storage region 407 is formed at a portion excluding the edge of the N-type photoelectric conversion region 403 and a P-type impurity region 430 is formed on a surface layer of the region including the edge.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域４０２内にＮ型光電変換領域４０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域４０３の端部を除く部分にＰ^++型正孔蓄積領域４０７を、当該端部を含む領域の表層部上にＰ型不純物領域４３０を形成する。 - 特許庁

The solid-state photographic apparatus has a primary pixel and a secondary pixel, wherein both the pixels have a p-type diffusion layer 301 formed in a semiconductor substrate 300 and an n-type diffusion layer 302 formed on the p-type diffusion layer 301, respectively.例文帳に追加

固体撮像装置は、第１画素と第２画素とを備えており、両画素は、半導体基板３００内に形成されたｐ型拡散層３０１と、ｐ型拡散層３０１上に形成されたｎ型拡散層３０２とをそれぞれ有している。 - 特許庁

To suppress a dark current component or a photoelectric conversion difference that may be generated during read processing by securing the identity of an exposure time in an X-Y address type solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

Ｘ−Ｙアドレス型の固体撮像装置において、露光時間の同一性を担保し、読出処理時に生じ得る暗電流成分や光電変換の違いを抑制する。 - 特許庁

To provide a practical illuminating device using solid-state light emitting elements such as a semiconductor laser exhibiting a Gaussian distribution, and to provide a projection type image display unit using the illuminating device.例文帳に追加

ガウス分布等が存在する半導体レーザ等の固体発光素子を用いても実用的な照明装置及びこれを用いた投写型映像表示装置を提供する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a first impurity diffusion region and a second impurity diffusion region of a first conductivity type.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板上に設けられた第１の第１導電型不純物拡散領域と第２の第１導電型不純物拡散領域とを有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus of a column AD conversion type, which easily meets an increase in the number of bits without using a high-speed DAC and also develops advantageously in terms of power consumption.例文帳に追加

カラムＡＤ変換方式の固体撮像装置において、高速ＤＡＣを用いずに、ビット数増加に簡単に対応し、消費電力面も有利に展開する。 - 特許庁

To provide an amplifying-type solid-state imaging apparatus in which complete transfer of signal charges (=with no residual image) from a photoelectric transducer to a signal charge accumulation unit can be easily performed in simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成で光電変換素子から信号電荷蓄積部への信号電荷の完全転送(＝無残像)が容易にできる増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus comprises an n-type semiconductor substrate 30 on which a photo-electric converter 32 and a signal detector 33 for detecting signal charges are formed.例文帳に追加

光電変換部３２と、信号電荷を検出する信号検出部３３とが形成されたｎ型の半導体基板３０を備える固体撮像装置を用いる。 - 特許庁

To obtain an address control type solid state imaging device in which the effect of unnecessary charges generated through blooming phenomenon or pseudo-blooming phenomenon is suppressed through a simple arrangement.例文帳に追加

アドレス制御型固体撮像装置において、簡単な構成により、ブルーミング現象や疑似ブルーミング現象により生じる不要電荷の影響を抑制する。 - 特許庁

The amplification type solid-state imaging apparatus is provided with photoelectric conversion sections 10 each comprising a photo diode 1 and a transfer transistor 2; and switched capacitor amplifier sections 20 each provided to k-sets of the photoelectric conversion sections 10.例文帳に追加

フォトダイオード１と転送トランジスタ２からなる光電変換転送部１０と、ｋ個の光電変換転送部１０毎にスイッチトキャパシタアンプ部２０を備える。 - 特許庁

To provide a CMOS type solid-state image pickup apparatus for preventing an electric charge from flowing into an optical black section for stabilizing a black level.例文帳に追加

本発明は、オプティカルブラック部への電荷の流れ込みを防止し、黒レベルの安定化を実現するＣＭＯＳ型固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid-state image pickup device of a rear surface radiation type improved in light collecting performance and suppressed in optical noise such as flare or smear.例文帳に追加

集光特性の向上が図られ、フレアやスミア等の光学的雑音が抑制された裏面照射型の固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By such a configuration, the dispersion by the temperature characteristics of the electron multiplication type solid-state imaging device is corrected in real time and the appropriate color reproduction is made possible.例文帳に追加

このような構成とすることで、電子増倍型固体撮像素子の温度特性によるバラツキをリアルタイムで補正することが可能となり、適切な色再現が可能となる。 - 特許庁

To provide a triple-plate type solid-state imaging apparatus for constantly maintaining a white balance change even when internal temperature elevation or use environmental temperature change occurs.例文帳に追加

内部温度上昇や使用環境温度の変化が生じた場合においてもホワイトバランスの変化を一定に維持できる３板式の固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pick-up device of a back irradiation type, which solves problem points of a smart cut method due to foreign matter, without depending on an SOI (Silicon On Insulator) substrate.例文帳に追加

本発明は、ＳＯＩ基板に依存せず、スマートカット法の異物による問題点を解決した裏面照射型の固体撮像装置を提供することを可能にする。 - 特許庁