「sputter-deposited film」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The protective film 34 is, in an ion beam sputter method, deposited in relatively small ion beam input power density in the initial stages, and then deposited in relatively large ion beam input power density.例文帳に追加

保護膜３４は、イオンビームスパッタ法により、初期には、相対的に小さいイオンビーム投入電力密度で成膜し、その後、相対的に大きいイオンビーム投入電力密度で成膜することを特徴とする。 - 特許庁

A contact hole 8 and a wiring groove 9 are made, an Al film 14 in (111) orientation by an ionizing sputter method or the like is deposed, and then an MOCVD-TiN film 10 as a barrier film is deposited there on by an MOCVD process.例文帳に追加

コンタクトホール８および配線溝９を形成後、イオン化スパッタ法等により（１１１）配向したＡｌ膜１４を堆積した後、ＭＯＣＶＤ法によりバリア膜としてＭＯＣＶＤ−ＴｉＮ膜１０を堆積する。 - 特許庁

The first thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and 0.5 to 10.0wt% Sn to Ag and the second thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and ≤2.0wt% Sn to the Ag.例文帳に追加

第一薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び２．０ｗｔ％以下のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 - 特許庁

Since the phase of the high frequency power on the target 12 is controlled by the variable capacitor 17 as shown in the voltage distribution 204, a difference in the sputter rate is generated between a center portion of the lens 4d where the film is deposited and a circumferential portion thereof, and a deposited film of the uniform film thickness is formed.例文帳に追加

可変コンデンサ１７によりターゲット１２上の高周波電力の位相が第４の電圧分布２０４のように制御されることで、被成膜用レンズ４ｄの中央部分と周辺部分のスパッタレートとに差が生じ、均一な膜厚の堆積膜が形成される。 - 特許庁

To prevent the short circuit between an electrically conductive first film 22 deposited on the surface of a base and a similarly electrically conductive second film deposited on a mask in sputter film deposition, to evade the ignition of arc discharge by heat generation in the short-circuited part and to evade the damage of the films attendant thereon.例文帳に追加

スパッタ成膜において、下地表面に形成される導電性の第１被膜２２と、マスク上に形成される同じく導電性の第２被膜３２の短絡を防止し、該短絡部が発熱してアーク放電を点孤すること、およびそれに伴なう被膜の損傷を回避する。 - 特許庁

In a film deposition system 1, the incident angle θ_2 of sputter particles to be film-deposited on a substrate 17 at the first time is ≤86° by the relative positional relation between a shielding board 53 and targets 42 and 45.例文帳に追加

本発明の成膜装置１では、遮蔽板５３とターゲット４２、４５との相対的な位置関係により、基板１７に最初にするスパッタ粒子の入射角度θ_2が８６°以下になっている。 - 特許庁

In the method for manufacturing sputter film, the optical thin film is deposited while setting the temperature of the cooling water for a cathode for target in the sputtering system to the predetermined value between 30 and 80°C.例文帳に追加

スパッタリング装置のターゲット用カソード冷却水の温度を３０℃〜８０℃の間で一定に設定して光学薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング膜の製造方法。 - 特許庁

A barrier film 114 made of tantalum (Ta) is deposited by a sputter method inside a connection hole 108, and a wiring groove 110 formed on a semiconductor substrate for connecting to first wiring 102.例文帳に追加

半導体基板上に第１配線１０２に接続するように形成された接続孔１０８と配線溝１１０の内部に、タンタル（Ｔａ）からなるバリア膜１１４をスパッタ法で堆積する。 - 特許庁

After a sputter film 5 is deposited thereon, the laminated resist patterns are removed as the mask patterns for lift-off by lift-off, by which the high-accuracy metallic patterns are obtd.例文帳に追加

スパッタ膜５を成膜した後、積層レジストパターンをリフトオフ用マスクパターンとしてリフトオフにより除去することで高精度なメタルパターン５を得る。 - 特許庁

The sputter particles of aluminum emitted in the direction of the substrate 6 are subjected to the chemical reaction with the neutral particle beams of nitrogen on the surface of the substrate 6, and an aluminum nitride thin film by a reaction product is deposited on the surface of the substrate 6.例文帳に追加

基板６方向へ放出されたアルミのスパッタ粒子は、基板６表面で窒素の中性粒子ビームと化学反応し、その反応生成物による窒化アルミ薄膜が基板６の表面に形成される。 - 特許庁

An Ni plating layer 2 is formed on a Cu electrode part 1 by nonelectrolytic plating, Au is deposited on the Ni plating layer 2 by a sputter film forming method, and an Au layer 6 is formed.例文帳に追加

Ｃｕ電極部１上に無電解めっきによりＮｉめっき層２を形成し、スパッタ成膜法によりＮｉめっき層２上にＡｕを堆積させＡｕ層６を形成した。 - 特許庁

The high frequency discharge is generated in the gas introduced by a gas introduction system 72 to form the plasma, and the deposited film on the surface of the holding claw 91 is sputter-etched by the ion impulse, and removed in the vacuum.例文帳に追加

ガス導入系７２により導入されたガスに高周波放電が生じてプラズマが形成され、保持爪９１の表面の堆積膜がイオン衝撃によりスパッタエッチングされて真空中で除去される。 - 特許庁

The material of the beam diaphragm is predetermined such that a deposited film on an optical element surface downstream of the beam diaphragm which is generated by sputter particles emitted from the beam diaphragm is conductive.例文帳に追加

本発明は、ビーム絞りの材料として、ビーム絞りから放出されるスパッタ粒子により生成した、ビーム絞りの下流にある光学素子表面上の付着膜が、導電性を示す材料を用いることに関する。 - 特許庁

An intermediate layer of a specified metal or compound can be deposited or a metal effective for reducing the coefficient of friction under the lubricating atmosphere can be added to the amorphous carbon film by using the sputter evaporation source 14 between the film and the base material 28.例文帳に追加

また、その被膜と基材２８との間にスパッタ蒸発源１４を用いて特定の金属や化合物の中間層を形成したり、非晶質炭素被膜中に潤滑雰囲気下での摩擦係数低減に有効な金属を添加することも可能ならしめた。 - 特許庁

Successively, by applying the voltage to the target 40 by a sputter power source 70, atoms of the raw material for film deposition are emitted from the target 40, passed through a slit 60, and deposited on the TFT array substrate 10 to form a recovered film 12.例文帳に追加

続いて、スパッタ電源７０によりターゲット４０に電圧を印加することにより、ターゲット４０から成膜用原料の原子が飛び出し、スリット６０を通過してＴＦＴアレイ基板１０上に堆積し、修復膜１２が形成される。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

An optically opaque silicon film 2 is deposited on an optically transparent base substrate 1 using a sputter deposition apparatus or the like, and then a portion of the silicon film 2 serving as a passage of light is removed with the specified slit width using a photolithography technique and an etching technique so as to produce the slit 3.例文帳に追加

光学的に透明な基台１上にスパッタ成膜装置等により光学的に不透明なＳｉ膜２を成膜した後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、所定の幅で光の通路となる部分のＳｉ膜２の一部を取り除き、スリット３を作製する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sputter target by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the ions whose incident angle to the scattering plate 11 is deep sputter the scattering plate 11, but, the direction of a substrate 5 in the ion trap 9 is close, and the sputtered particles are not scattered to the direction of the substrate 5, thus they are not taken into a multilayer film deposited on the substrate 5.例文帳に追加

一方、散乱板１１に対する入射角が深いイオンは散乱板１１をスパッタするが、イオントラップ９の基板５の方向は閉じていて、スパッタされた粒子は基板５の方向には飛散しないため、基板５に成膜される多層膜中に取り込まれることはない。 - 特許庁

To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this process, an amorphous thin piezoelectric substance film layer is deposited in the state that the crystallization rate R is smaller than the deposition rate S by making the substrate heating temperature lower than the crystallization temperature after the nucleation time C_1 when the sputter deposition is performed by heating to the crystallization temperature of a piezoelectric material.例文帳に追加

この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間Ｃ_1 の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。 - 特許庁

Each film deposition source 21 to 23 has electrodes 31 to 36 and targets 41 to 46 two by two, respectively, and negative potentials are alternatively applied to the electrodes at the frequency of 10 to 100 kHz, so that, electric charges do not accumulate on the surfaces of the targets 41 to 46 even when insulating thin films are deposited, and sputter efficiency is high.例文帳に追加

各成膜源２１〜２３は電極３１〜３６と、ターゲット４１〜４６とを２個ずつ有しており、電極には１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の周波数で交互に負の電位がかかるようになっているので、絶縁性薄膜を成膜する場合であっても、ターゲット４１〜４６表面に電荷集積が起こらずスパッタ効率が高い。 - 特許庁

The transparent conductive film can be deposited at low sputter voltage by applying DC voltage alternately to at least a couple of targets provided inside a vacuum chamber to move electrons between the targets, synchronously applying, when negative voltage is applied to one target, high-frequency voltage to the target to which negative voltage is applied, and repeating the above procedure.例文帳に追加

真空チャンバ内に設けられた少なくとも一対のターゲットに、交互に直流電圧を印加してターゲット間で電子を移動し、一方のターゲットに負の電圧がかかっている時に、その負の電圧がかかっている一方のターゲットに高周波電圧を同期して印加することを繰り返すことで、低いスパッタ電圧で透明導電膜を成膜することにある。 - 特許庁

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for producing a tungsten sputtering target having high density and fine crystal structure so far impossible to attain by the conventional pressure sintering method alone and also having greatly improved transverse rupture strength by the improvement of the sintering characteristics and manufacturing conditions of tungsten powder to be used, hereby suppressing the occurrence of particle defect on a sputter-deposited film, and stably manufacturing the tungsten target at a low cost.例文帳に追加

使用するタングステン粉末の焼結特性及び製造条件を改善することによって、従来の加圧焼結法だけでは達成できなかった高密度かつ微細結晶組織を有し、抗折力を飛躍的に高めたスパッタリング用タングステンターゲットを作成し、これによってスパッタリングによる成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、同タングステンターゲットを低コストかつ安定して製造できる方法を得る。 - 特許庁