「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical element comprises the dielectric multilayer film MC having structure where high refractive index layers H and low refractive index layers L are alternately laminated on a synthetic resin substrate S.例文帳に追加

光学素子は、合成樹脂基板Ｓ上に高屈折率層Ｈと低屈折率層Ｌとが交互に積層された構造の誘電体多層膜ＭＣを有する。 - 特許庁

A continuous conductor structure penetrating the interposer is formed using an elastic continuous conductive element, such as a lead wire, metal piece or other appropriately shaped metals.例文帳に追加

弾性の連続した導電性素子、例えば導線、金属片、及び他の適当な形状の金属を用いて、インターポーザを貫通する連続した導体構造を形成する。 - 特許庁

The ink jet recording element has a support and an ink receiving layer containing a binder and a calcium phosphate pigment showing witlockite stone crystal structure.例文帳に追加

支持体と、結合剤およびウィトロック石結晶構造を示す燐酸カルシウム顔料を含んでなるインキ受容層とを含んでなるインキジェット記録要素が開示される。 - 特許庁

To attain an antenna element mount structure for an onboard antenna that maintains strong seal performance against a temperature change and whose manufacture cost can be reduced.例文帳に追加

温度変化に対しても強いシール性を維持することが出来るとともに製造コストの低廉化を図ることが出来る車載用アンテナのアンテナエレメント取付構造を提供する。 - 特許庁

To sufficiently improve responsiveness of a sensor output and to sufficiently prevent adhesion of water to a sensor element in a gas concentration detection sensor having a protection cover with double structure.例文帳に追加

二重構造の保護カバーを持つガス濃度検出センサーにおいて、センサー出力の応答性を十分高くすると共にセンサー素子への水の付着を十分防止する。 - 特許庁

To prevent the electron emission amount from each electron element from easily dispersing by the influence of voltage drop in driving and to simplify the structure of a driving circuit.例文帳に追加

駆動時の電圧降下の影響による各電子素子からの電子放出量にばらつきが生じにくくすると共に、駆動回路の構成を簡略化させる。 - 特許庁

The filter element 5 is composed of an ultraviolet curing liquid crystal layer having a torsional structure adjusted so that a spiral pitch after curing reflects light of a predetermined wavelength.例文帳に追加

フィルタ素子５は、硬化後の螺旋ピッチが所定の波長の光を反射するように調整されたねじれ構造を有する紫外線硬化型液晶層からなる。 - 特許庁

To obtain a piezoelectric element wherein impedance is low, electro- mechanical coupling coefficient is large and low loss characteristics at high frequency is ensured, when piezoelectric ceramics having a laminar perovskite structure is used.例文帳に追加

層状ペロブスカイト構造を有する圧電体セラミックスを用いても、低インピーダンスで、電気機械結合係数が大きく、高周波低損失の特性を有する圧電素子を得る。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source element which can effectively converge electron beams emitted from each emitter with a structure of a low manufacturing cost.例文帳に追加

各エミッタから放出された電子ビームを製造コストの安い構成によって有効に集束させることができる電界放出型電子源素子を提供する。 - 特許庁

The polarization element has a multi-layer grid structure of a dielectric with no free electron and a semiconductor with little free electron, and therefore excellent polarization throughput characteristics can be obtained.例文帳に追加

自由電子の存在しない誘電体や自由電子が非常に少ない半導体の多層グリッド構造であるため、優れた偏光スループット特性を得ることができる。 - 特許庁

To provide a mounting structure of an overcurrent protection element which can positively protect a load from an overcurrent by preventing heat of a PTC thermistor from escaping to a solid pattern.例文帳に追加

ＰＴＣサーミスタの熱がベタパターンに逃げることを防止し、負荷を過電流から確実に保護することができる過電流保護素子の実装構造を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active element structure 2 formed on a semiconductor substrate 1 and having a connecting region 3 formed on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１上に形成され、半導体基板の表面に形成された接続領域３を有する能動素子構造２を有する。 - 特許庁

The electrochemical element uses an nonaqueous gel composite containing at least a basic polymer and a polymer having a quaternary ammonium salt structure.例文帳に追加

塩基性重合体、四級アンモニウム塩構造を有する重合体を少なくとも含有している非水系ゲル状組成物および、これらを用いた電気化学素子。 - 特許庁

To provide the wavelength transformation element of a quasi-phase matching system adaptive to a plurality of exciting light wavelengths by using the period polarization reverse structure of a specific period.例文帳に追加

特定周期の周期分極反転構造を用いて、複数の励起光波長に対応可能な疑似位相整合方式の波長変換素子を提供する。 - 特許庁

This semiconductor element provided with a MOS transistor having an SOI structure and this signal processing device contain main MOS transistors and assistant MOS transistors.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有するＭＯＳトランジスタを備えた本発明による半導体素子及び信号処理装置は、メインＭＯＳトランジスタとアシスタンスＭＯＳトランジスタとを含む。 - 特許庁

In the production method, while forming an active CMOS element on a first silicon substrate, an SiGe superlattice structure is formed on a second SOI (Si-on-insulator) substrate.例文帳に追加

上記製造方法では、第１のシリコン基板に能動ＣＭＯＳ素子を形成するとともに、第２のＳＯＩ（Si-on-insulator）基板上にＳｉＧｅ超格子構造を形成する。 - 特許庁

Furthermore, 10 vol% or more of nitrogen gas is enclosed in the arc tube 1, and the filament 5 has a structure that a plurality of filament element wires are bundled.例文帳に追加

さらには、発光管内１に、窒素ガスが１０ｖｏｌ％以上封入され、フィラメント５は複数のフィラメント素線を束ね合わせた構造であることを特徴とする。 - 特許庁

In this method for manufacturing a color image-pickup element, the complementary color pigment of magenta in a rhodamine structure is applied as the color to be applied last.例文帳に追加

カラー撮像素子の製造方法において、マゼンタの補色顔料がローダミン構造の顔料であって、最後の入色としてローダミン構造の顔料を入色すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor package, which is an air-tight semiconductor package with a BGA mounting structure using a ceramic substrate, having improved heat dissipation characteristics of a semiconductor element.例文帳に追加

セラミック基板を用いたＢＧＡ実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。 - 特許庁

Next, reactive ion etching using CH4 and H2 as an etching gas is executed to remove the part of the thin-film lamination structure except a semiconductor element forming region selectively.例文帳に追加

次に、エッチングガスとしてＣＨ_4 及びＨ_2 を用いた反応性イオンエッチングで前記薄膜積層構造の半導体素子形成領域以外の部分を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element actualizing a counter electrode structure in which both electrodes face each other and high power without increasing voltage, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

両電極が向かい合う対向電極構造を実現させ、かつ電圧を上げることなく高出力の窒化物半導体素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor package for first bedewing a ceramic package part where influences upon internal element performance are little in the semiconductor package having a hollow structure.例文帳に追加

中空構造を有する半導体パッケージにおいて、内部の素子性能への影響が少ないセラミック・パッケージ部へ先に結露させる半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

The wide band antenna is constituted by including an antenna element in the shape which forms aperture cross sectional structure of a ridge waveguide with a GND 10 when it is developed on a plane.例文帳に追加

平面上に展開したときにＧＮＤ１０と共にリッジ導波管の開口断面構造をなす形状となるアンテナエレメントを含んで広帯域アンテナを構成する。 - 特許庁

The ferroelectric storage element having structure covering at least a part of the ferroelectric thin film is provided by the lamination of Ti(titanium) (9) which stores hydrogen and an oxidation film (8).例文帳に追加

水素を吸蔵するＴｉ（チタン）（９）と酸化膜 （８）の積層で、強誘電体薄膜（４）の少なくとも一部を覆う構造を持つ強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron.例文帳に追加

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。 - 特許庁

To provide an optical element which has a subwavelength grid-shaped antireflection structure section and has an antireflection effect and durability in combination.例文帳に追加

本発明の目的は、サブ波長格子状の反射防止構造部であって、反射防止効果と耐久性とを兼ね備えたものを有する光学素子を提供する。 - 特許庁

To reduce particles of residual polishing material after chemico- mechanical polishing, and equalize polishing for planarization, in the manufacture of a semiconductor device which has trench element isolating structure.例文帳に追加

トレンチ素子分離構造を有する半導体装置の製造において、化学機械研磨処理後の残留研磨材粒子の低減、及び平坦化研磨時の均一を図る。 - 特許庁

A bottom face contacting with a surface of the p-type boron phosphide semiconductor layer is constituted as a film of a platinum group metal element or its alloy to configure a p-type ohmic electrode structure.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の表面に接触する底面部を白金族金属元素またはその合金の膜としてｐ形オーミック電極構造を構成する。 - 特許庁

The cooling structure of the power semiconductor element is furthermore equipped with a controller which controls the current flowing in the chip 31 based on the temperature information of the chip 31D.例文帳に追加

パワー半導体素子の冷却構造は、そのチップ３１Ｄの温度情報に基づいて、チップ３１に流れる電流を制御する制御装置をさらに備える。 - 特許庁

A nitride semiconductor element includes a substrate 1 and a nitride semiconductor laminated structure 2 formed on one side of the substrate 1, and composes the punch-through transistor.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、基板１と、基板１の一方側に形成された窒化物半導体積層構造部２とを備え、パンチスルー型トランジスタを構成している。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element of the structure, in which the sensitivity can be improved and which can be inexpensively and stably manufactured, and to provided a method for manufacturing the same.例文帳に追加

感度を向上することができると共に、安価にかつ安定して製造することができる構造の固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stacked lithium ion secondary battery having a structure reasonably durable against unavoidable shock although a power generation element is stored in a soft battery case.例文帳に追加

軟質の電池容器に発電要素が収容されていながら、不可避的な衝撃にも適度に耐え得る構造を持った積層型リチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

The energy conversion element body of a bimorph structure receives light energy and heat energy, to cause resonance oscillation and converts the oscillation into electric power for driving an actuator, such as electrostatic actuator.例文帳に追加

バイモルフ構造エネルギー変換素子体は光及び熱エネルギーを受信して共振振動を起こし、これを電力に変換して静電アクチュエータ等のアクチュエータを駆動させる。 - 特許庁

To obtain an organometallic compound containing a quinoxaline structure excellent in emission spectrum and luminous efficiency and a light-emitting element containing the organometallic compound as a luminous substance.例文帳に追加

発光スペクトル特性及び発光効率に優れたキノキサリン構造を含む有機金属化合物及び該有機金属化合物を発光物質として含む発光素子を得る。 - 特許庁

A photoelectric conversion element having an ideal p/n junction interface profile, i.e., graded-junction structure, can be manufactured by employing such a micelle electrolysis method.例文帳に追加

このようなミセル電解法を採用することによって、理想的なp/n接合界面プロファイル、すなわち、傾斜接合の構造を有する光電変換素子を製造できる。 - 特許庁

To improve the generation efficiency of harmonics, when a wavelength converting element having a ridge-type optical waveguide with a periodic polarization inversion structure is formed.例文帳に追加

周期分極反転構造の形成されたリッジ型光導波路を有する波長変換素子を形成するのに際して、高調波の発生効率を向上させることである。 - 特許庁

Element separating structure 10a is formed in a semiconductor substrate 100 on which a silicon layer 1, a compound semiconductor layer 2 and a semiconductor layer 3 are laminated in order.例文帳に追加

シリコン層１と、化合物半導体層２と、半導体層３とがこの順で積層された半導体基板１００に素子分離構造１０ａが設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an active element structure 2 which is formed on a semiconductor substrate 1 and has a connecting region 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１に形成され、且つ半導体基板の表面に形成された接続領域３を有する能動素子構造２を有する。 - 特許庁

The heating element includes at least one carbon nanotube film having a self-standing structure and a base material, and the carbon nanotube film and base material are combined.例文帳に追加

前記加熱素子が少なくとも一枚の自立構造を有するカーボンナノチューブフィルム及び基体材料を含み、該カーボンナノチューブフィルム及び基体材料が複合される。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has a structure where an electrolyte layer 7 consisting of a porous film containing electrolyte is provided between a porous photoelectrode 3 and a counter electrode 6.例文帳に追加

光電変換素子は、多孔質光電極３と対極６との間に、電解液を含む多孔質膜からなる電解質層７が設けられた構造を有する。 - 特許庁

Multiple filter elements each consisting of one plane are combined to form zigzag filter structure 6, to form a filter unit 16 allowing regeneration and exchange of filters for every filter element.例文帳に追加

一の平面からなるフィルタエレメントを複数組み合わせてジグザグ状のフィルタ構造体６を形成し、フィルタエレメントごとにフィルタを再生・交換可能なフィルタユニット１６とする。 - 特許庁

To provide an optical path switching element which has a simple structure and high durability and can output half-tones, and to provide a spatial optical modulator and an image display using them.例文帳に追加

構造が簡単で、耐久性が高く、中間調の出力が可能な光路切替素子、空間光変調器、およびそれを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a correcting method for image that can correct differences in characteristics by rows of an acquired image by a solid-state imaging element whose pixel structure is asymmetrical.例文帳に追加

画素構造に非対称性を持つ固体撮像素子による取得画像における行ごとの特性の違いを補正可能な画像の補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide simple inexpensive structure by preventing breakage of image communicating element when an image display system is connected to a display controller through a connector.例文帳に追加

表示制御装置にコネクタを介して画像表示装置を接続する際の、画像通信素子の破壊を未然に防止し、そのための構成を簡単で安価に済ませる。 - 特許庁

The structure has no auxiliary magnetic pole 9 to be arranged in-between the reproducing element 11 of the reproducing head and the main magnetic pole 1 of a recording head when seen from a plane opposite to the recording medium.例文帳に追加

記録媒体対向面からみたときに再生用ヘッドの再生素子１１と記録用ヘッドの主磁極１との間に補助磁極９を配置しない構造とする。 - 特許庁