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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > sub-oxideの意味・解説 > sub-oxideに関連した英語例文

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sub-oxideの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 64



例文

SOLID OXIDE FUEL CELL SUB-MODULE AND SOLID OXIDE FUEL CELL MODULE例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池サブモジュールおよび固体酸化物形燃料電池モジュール - 特許庁

The positive electrode mixture 1 contains at least either one of a complex oxide of silver, cobalt, and nickel expressed by Ag_xCo_yNi_zO_2 (x+y+z=2, x≤1.10, y>0), silver oxide (Ag_2O), and manganese dioxide (MnO_2).例文帳に追加

正極合剤1は、Ag<sub>x</sub>Co<sub>y</sub>Ni<sub>z</sub>O_2(x+y+z=2、x≦1.10、y>0である。)で表される銀とコバルトとニッケルとの複合酸化物と、酸化銀(Ag_2O)および二酸化マンガン(MnO_2)のうちの少なくとも何れかとを含む。 - 特許庁

SOLID OXIDE FUEL CELL SUB-MODULE, AND SOLID OXIDE FUEL CELL COMPOSITE MODULE例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池サブモジュールおよび固体酸化物形燃料電池複合モジュール - 特許庁

The varistor element body 10 includes praseodymium and/or its oxide, Ca oxide and Si oxide as a sub-component with zinc oxide as a main component.例文帳に追加

バリスタ素体10は、主成分として酸化亜鉛を、副成分としてプラセオジム及び/又はその酸化物とCa酸化物とSi酸化物とを含む。 - 特許庁

例文

SOLID OXIDE FUEL CELL SUB-MODULE AND SOLID OXIDE FUEL CELL MODULE USING IT例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池サブモジュールおよびこれを用いた固体酸化物形燃料電池モジュール - 特許庁


例文

The voltage nonlinear resistor porcelain composition which constitutes a voltage nonlinear resistor layer 11 has a main component containing zinc oxide, a first sub-component containing oxide of rare earth metal, a second sub-component containing oxide of Ca, and a third sub-component containing oxide of Si.例文帳に追加

電圧非直線性抵抗体層11を構成する電圧非直線性抵抗体磁器組成物は、酸化亜鉛を含む主成分と、希土類金属の酸化物を含む第1副成分と、Caの酸化物を含む第2副成分と、Siの酸化物を含む第3副成分と、を有している。 - 特許庁

The ceramic is formed by milling together suitable sub-micrometer rare earth oxide powders and sub-micrometer alumina powders in a desired ratio.例文帳に追加

セラミックは、適当なサブミクロン希土類酸化物粉末とサブミクロン・アルミナ粉末とを所望の比で合わせて微粉砕することにより形成される。 - 特許庁

Also iron oxide and cobalt oxide are weighed so as to be a composition of cobalt ferrite as a sub-component, which is calcined at 900°C after mixing.例文帳に追加

また、副成分として、コバルトフェライトの組成になるように酸化鉄と酸化コバルトを秤量し、混合した後、900℃で仮焼きを行なう。 - 特許庁

The method for producing the low temperature-firing type ceramic multilayer board excellent in thermal conductivity comprises previously reacting sub-components comprising at least three kinds of metal oxides selected from copper oxide, titanium oxide, silver oxide and manganese oxide by subjecting the components to heat treatment, and then adding the sub-components subjected to the heat treatment to aluminum oxide being a main component.例文帳に追加

酸化銅、酸化チタン、酸化銀および酸化マンガンより選ばれる少なくとも3種類以上の金属酸化物からなる副成分をあらかじめ熱処理によって反応させた後に主成分である酸化アルミニウムに添加することにより熱伝導性に優れた低温焼結タイプのセラミック多層基板の製造方法を提供できる。 - 特許庁

例文

On a silicon substrate 1, the high-density silicon oxide film 3 having a density of 2.25 g/cm^3 or higher is formed via a sub-oxide layer 2 formed of not more than several atomic layers.例文帳に追加

シリコン基板1上に数原子層以下のサブオキサイド層2を介して密度が2.25g/cm^3以上の高密度シリコン酸化膜3を設ける。 - 特許庁

例文

The laminate comprises a high dielectric constant layer 3 containing bismuth oxide, calcium oxide and niobium oxide as the main components, a low dielectric constant layer 1 containing aluminium oxide and glass as the main components, and a dielectric sub-layer 2 consists of glass and at least one of magnesium oxide, zirconium oxide, or aluminium oxide between the layers 1 and 3.例文帳に追加

酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化ニオブを主成分とする高誘電率層3と、酸化アルミニウムとガラスを主成分とする低誘電率層1との間に、酸化マグネシウムもしくは酸化ジルコニウムもしくは酸化アルミニウムの少なくとも一つから選ばれる酸化物とガラスからなる副誘電体層2を介して積層体を形成する。 - 特許庁

The dielectric-porcelain composition contains Mg_2SiO_4 as a main component and contains zinc oxide, boron oxide, an alkaline earth metal oxide, a copper compound, and a lithium compound as sub-components.例文帳に追加

本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、Mg_2SiO_4を含み、副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、アルカリ土類金属酸化物、銅化合物、及びリチウム化合物を含む。 - 特許庁

In the non-linear voltage resistor porcelain composition comprising a main component containing zinc oxide, a 1st sub-component containing a rare earth element, and a 2nd sub-component containing silicon oxide; the ratio of the 2nd sub-component to 100 mol of the main component is 1 atomic %<2nd sub-component<30 atomic % in the conversion of Si.例文帳に追加

酸化亜鉛を含む主成分と、希土類元素の酸化物を含む第1副成分と、Siの酸化物を含む第2副成分とを、有する電圧非直線性抵抗体磁器組成物であって、前記主成分100モルに対する前記第2副成分の比率が、Si換算で、1原子%<第2副成分<30原子%である。 - 特許庁

Lithium alumino-silicate is used as an essential component and one kind of either oxide of periodic table group 2a elements and titanium oxide is incorporated as a sub-component at 6 to 45 wt.% therein.例文帳に追加

リチウムアルミノシリケートを主成分とし、副成分として周期律表2a族元素の酸化物、酸化チタニウムのいずれか1種を6〜45重量%を含有させる。 - 特許庁

The dielectric ceramic composition contains ≤2 wt.% of a glass composition as a sub component to the main component containing bismuth oxide, calcium oxide and niobium oxide in specified proportions and further preferably contains copper oxide by ≤0.2 wt.% in terms of CuO.例文帳に追加

酸化ビスマス、酸化カルシウムおよび酸化ニオブ成分を所定の割合で含む主成分に対し、副成分としてガラス組成物を2重量%以下、さらに好ましくは酸化銅をCuOに換算して0.2重量%以下含む誘電体セラミック組成物とする。 - 特許庁

A high dielectric layer HK1 made of hafnium oxide is formed on the main surface of a substrate SUB, and then the main surface of the substrate SUB is heat-treated in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

基板SUBの主面上に酸化ハフニウムから構成される高誘電体層HK1を形成した後、基板SUBの主面を非酸化性雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

The first transparent electrode 8 is composed of a transparent material (e.g., ITO (indium tin oxide)) and formed in sub-pixel units.例文帳に追加

第1透明電極8は透明材料(例えばITO(インジウム錫酸化物))を材質とし、サブピクセル単位で形成されている。 - 特許庁

In order to implement a source-side injection programming method, a band-gap operating BE-SONOS device configuration having an AND architecture includes a control gate 110 stacked on stacked oxide 141-nitride 142-oxide 143-nitride 144-oxide 145, and a spacer oxide 120 interposed between the control gate 110 and a sub gate 130 stacked on a gate oxide 150.例文帳に追加

ソースサイドインジェクションプログラミング方法を実行するため、ANDアーキテクチャを有するバンドギャップ操作BE‐SONOSデバイス構造は、酸化物141‐窒化物142‐酸化物143‐窒化物144‐酸化物145スタックに重ねられる制御ゲート110と、ゲート酸化物150に重ねられるサブゲート130との間に配されるスペーサ酸化物120を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a high-density silicon oxide film, which suppresses the occurrence of a sub-oxide layer as much as possible without damaging a surface of a film formation substrate and improves insulating characteristics of an oxide film furthermore to make the oxide film thin, and a silicon substrate and a semiconductor device which include the high-density silicon oxide film manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁

The cathode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains as a cathode active material a main component of a first Li-content transition metal complex oxide and a sub component of a second Li-content transition metal complex oxide.例文帳に追加

非水電解液二次電池用正極は、正極活物質として、主成分である第1の含Li遷移金属複合酸化物と、副成分である第2の含Li遷移金属複合酸化物とを含む。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing an aluminum oxide single crystal having high quality and having a c-axis orientation while suppressing the occurrence of sub-grains or air bubbles.例文帳に追加

サブグレインや気泡の発生を抑制して、効率的に高品質なc軸方位の酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加

半導体基板SUBとゲート電極層GEとの間のゲート絶縁膜GIは、第1のシリコン酸化膜OX1と、第1のシリコン窒化膜NI1と、第2のシリコン酸化膜OX2と、第2のシリコン窒化膜NI2と、第3のシリコン酸化膜OX3とからなっている。 - 特許庁

The first positive electrode active material includes lithium composite oxide containing, for instance, Li, Co, M1, and M2 (M1 indicates a first element, and M2 indicates a second element), a first sub-component element, and a second sub-component element.例文帳に追加

第1の正極活物質は、例えば、Li、Co、M1、M2、(M1は第1元素、M2は第2元素を表す。)を含有するリチウム複合酸化物と、第1副成分元素と、第2副成分元素と、を含有するものである。 - 特許庁

A work function of the upper electrode can be reduced by applying tight on the upper electrode a coat 20 made of a sub-alkaline glass sputter target with a modification component of an alkaline metal oxide, an alkaline earth metal oxide or the like.例文帳に追加

上部電極上に、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物等を修飾成分とする亜アルカリガラスのスパッタターゲットを用いた被膜20を被着させることによって上部電極の仕事関数を下げることが出来る。 - 特許庁

The HCD-silicon nitride film 7 can reduce the ground dependence of the sub-atmospheric CVD, improve the film formation rate of the silicon oxide film in the trench 5, and improve the film quality.例文帳に追加

HCD−シリコン窒化膜7により、準常圧CVDの下地依存性が軽減され、トレンチ5内でのシリコン酸化膜の成膜速度が向上し、膜質も向上する。 - 特許庁

To provide a high temperature/high pressure treatment method capable of oxidation-decomposing a nitrogen-containing organic compound under a sub-critical condition without discharging nitrous oxide into an exhaust gas.例文帳に追加

含窒素有機化合物を排ガス中に亜酸化窒素を排出することなく亜臨界条件下で酸化分解することができる高温高圧処理方法を提供する。 - 特許庁

The electromagnetic wave material containing barium ferrite, which has the electromagnetic wave absorbing capability in the high frequency band from the sub-microwave (1-3 GHz) to the microwave (3-30 GHz), is formed by sintering powder such as barium sulfate waste or the like as barium oxide source and using red mud and titanium oxide waste which are industrial waste as iron oxide source.例文帳に追加

産業廃棄物である赤泥及び酸化チタン廃棄物を酸化鉄源とし、硫酸バリウム廃棄物などの粉末を酸化バリウム源として焼結し、準マイクロ波(1〜3GHz)からマイクロ波(3〜30GHz)の高周波帯域において電磁波吸収能力を有するバリウムフェライトを担持した電磁波材料とする。 - 特許庁

In a nonlinear resistor, a high-resistance layer 3 is applied to both side faces of a ceramic element 1, containing zinc oxide(ZnO) as the main element, and at least titanium oxide(TiO2) and bismuth oxide(Bi2O3) as sub-elements, with resistance of 10 to 150 V/mm and these elements are sintered.例文帳に追加

非直線抵抗体において、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、副成分として少なくとも酸化チタン(TiO_2 )と酸化ビスマス(Bi_2 O_3 )を含有し、10V/mm〜150V/mmの抵抗値を有することを特徴とするセラミック素体1の側面に、高抵抗層3が塗布され、焼結される。 - 特許庁

A resistive switching non-volatile memory element 1 is disclosed including a resistive switching metal-oxide layer 3 sandwiched between and in contact with a top electrode 4 and a bottom electrode 2, the resistive switching metal-oxide layer 3 having a substantially isotropic sub-stoichiometric metal-to-oxygen ratio.例文帳に追加

抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子1は、上部電極4と下部電極2の間に挟まれて接触し、実質的に等方性で半化学量論的な金属と酸素の比を有する抵抗スイッチング金属酸化物層3を含む。 - 特許庁

The current-voltage nonlinear resistor 10 includes a sintered body 20 of a mixture containing as a main component zinc oxide and containing at least bismuth (Bi) and antimony (Sb) as sub-components.例文帳に追加

電流−電圧非直線抵抗体10は、酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少なくともビスマス(Bi)、アンチモン(Sb)を含んだ混合物の焼結体20を備える。 - 特許庁

If cobalt oxide is used as a starting substance in this manner, particulates of sub-micron order may be adjusted, and all of this is reduced inside the battery to become cobalt metal.例文帳に追加

本発明のように、酸化コバルトを出発物質として用いれば、サブミクロンオーダーの微粒子を調整することも可能となり、これが電池内ですべて還元されてコバルト金属となる。 - 特許庁

A sub-stoichiometric oxide, nitride or oxynitride in an optical stack, alone or in direct contact with one or two stabilizing layers, stabilizes optical properties of the optical stack.例文帳に追加

光学スタック中の亜化学量論的酸化物、窒化物または酸窒化物は、単独で、または1つまたは2つの安定化層と接して、光学スタックの光学特性を安定化させる。 - 特許庁

The photocatalytic pigment particle B1 comprises titanium sub-oxide having a chemical composition of Ti_2O_3 and is obtained by firing a mixture of titanium hydride and titanium dioxide in an inert atmosphere except a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

この光触媒顔料粒子B1は、水素化チタンと、二酸化チタンとを混合した混合物を窒素雰囲気以外の不活性雰囲気において焼成することにより得たものである。 - 特許庁

Otherwise, the lithium alumino-silicate is used as an essential component and ≥2 kinds of both of oxides of the periodic table group 2a elements and titanium oxide are incorporated as the sub-component at 2.5 to 45 wt.% therein.例文帳に追加

または、リチウムアルミノシリケートを主成分とし、副成分として周期律表2a族元素の酸化物、酸化チタニウムのうち、いずれか2種以上を2.5〜45重量%含有させる。 - 特許庁

The solid oxide fuel cell comprises an anode collector layer containing CaZrO_3, and Ni or NiO; a cathode; an electrolyte layer between the anode collector layer and the cathode; and an anode active layer between the electrolyte layer and the anode collector layer.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池は、CaZrO<sub>3</sub>と、Ni又はNiOと、を含有する燃料極集電層と、空気極と、燃料極集電層と空気極との間に配置される電解質層と、電解質層と燃料極集電層との間に配置される燃料極活性層と、を備える。 - 特許庁

In the flat alkaline primary battery formed by separating the cathode mixture 5 and an anode mixture 7 by a separator 6, and housing them in a case 8, the cathode mixture 5 contains silver oxide as the main cathode active material, and nickel oxyhydroxide and silver-nickel complex oxide as a cathode sub-active material.例文帳に追加

正極合剤5及び負極合剤7をセパレータ6で分離してケース8内に収容した扁平形アルカリ一次電池において、正極合剤5は、主正極活物質として酸化銀を含み、副正極活物質としてオキシ水酸化ニッケル及び銀・ニッケル複合酸化物を含む。 - 特許庁

In the flat alkaline primary battery in which the positive electrode mixture 5 and a negative electrode mixture 7 are separated by a separator 6 and housed in a case 8, the positive electrode mixture 5 contains silver oxide as the main positive electrode active material, and nickel oxyhydroxide and silver-nickel complex oxide as the positive electrode sub-active material.例文帳に追加

正極合剤5及び負極合剤7をセパレータ6で分離してケース8内に収容した扁平形アルカリ一次電池において、正極合剤5は、主正極活物質として酸化銀を含み、副正極活物質としてオキシ水酸化ニッケル及び銀・ニッケル複合酸化物を含む。 - 特許庁

When forming a sub-mount 4, the pattern of an oxide film, which has a certain width of groove on the top, is made by growing an SiO2 film on the face (100) of a silicon substrate 41, both whose sides of top and bottom are polished.例文帳に追加

サブマウント4を形成するとき、上下両面が研磨されたシリコン基板41の(100)面にSiO_2膜を成長させて上面に一定幅の溝を有する酸化膜のパターンをつくる。 - 特許庁

In addition to the main component, at least one kind of matter selected from a hollow particulate matter of aluminum oxide, a hollow particulate matter of perlite, or glass chips may be added as a sub-component.例文帳に追加

さらに、前記主成分に加え、さらに酸化アルミニウム、パーライトの各中空粒状体もしくはガラスチップのうちから選ばれた一種もしくは2種以上を副成分として添加したものであっても良い。 - 特許庁

After forming the HCD-silicon nitride film 7 as the ground insulating film, a silicon oxide film is formed by sub-atmospheric CVD to form an embedding insulating film 10 to be embedded in the trench 5.例文帳に追加

HCD−シリコン窒化膜7を下地絶縁膜として形成した後に、準常圧CVDによりシリコン酸化膜を成膜して、トレンチ5を埋め込む埋め込み用絶縁膜10を形成する。 - 特許庁

Indium tin oxide (ITO) nanoparticles are produced from a metal salt aqueous solution or a hydroxide of indium (In) and tin (Sn) as a source material by using a hydrothermal reaction in supercritical or sub-critical water.例文帳に追加

超臨界、亜臨界水中での水熱反応を利用し、インジューム(In)およびスズ(Sn)の金属塩水溶液あるいは水酸化物を原料とし、インジュム酸化スズ(ITO)ナノ粒子を作成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the solid oxide fuel cell uses a method such as pressing, pattern printing, mechanical grinding, etching, or ultrasonic machining, when the porous electrode 30 equipped with either one or both of the gas inflow side gas sub-passage and the gas exhaust side gas sub-passage is formed.例文帳に追加

前記固体電解質型燃料電池の製造方法は、ガス流入側ガス副通路及びガス排出側ガス副通路のいずれか一方又は双方を備える多孔質電極30を形成するに当たり、プレス加工、パターン印刷加工、機械研削加工、エッチング加工、超音波加工などの方法を用いる。 - 特許庁

The dielectric porcelain composition comprises, as main components thereof, BaO, Nd_2O_3, TiO_2, MgO and SiO_2 in a given ratio, and comprises, as sub-components thereof, ZnO, B_2O_3 and CuO in a given ratio, and further comprises, as a sub-component thereof, manganese oxide (MnO).例文帳に追加

誘電体磁器組成物の主成分としてBaO、Nd_2O_3、TiO_2、MgO及びSiO_2を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてZnO、B_2O_3及びCuOを所定の比率で含有し、さらに副成分としてマンガン酸化物(MnO)を含有させるように構成する。 - 特許庁

The heater film 11 is a printed and baked film consisting of an antioxidant heating material of main component, a heat resisting metal oxide of sub- component, and glass of binder, and its specific resistance is regulated to 23-2,286×10-6 Ωm.例文帳に追加

ヒータ膜11は、主成分の耐酸化性発熱材料と副成分の耐熱性金属酸化物と結合材のガラスとからなる印刷焼成膜であり、比抵抗が23〜2286×10^-6Ωmに調整されている。 - 特許庁

The thermoelectric conversion material is formed of layered cobalt double oxide containing a CoO_2 layer of pseudo-CdI_2 structure as a sub-lattice, and contains 0.1 to 10 mol% fluorine to the number of moles of oxygen ion contained in the layered cobalt double oxide at a stoichimetric ratio.例文帳に追加

本発明に係る熱電変換材料は、擬CdI_2構造のCoO_2層を副格子として含む層状コバルト複酸化物からなり、かつ層状コバルト複酸化物に含まれる化学量論比の酸素イオンのモル数に対して、0.1mol%以上10mol%以下のフッ素を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is constituted of a memory sub-array with a memory cell unit, constituted of a series connection of a memory cell with one floating gate and one select transistor and a transistor, wherein the gate oxide film of a gate line driving transistor STD of a select transistor is thinner than a gate oxide film of a control gate line driving transistor CGD.例文帳に追加

1個の浮遊ゲートを持つメモリセルと1個のセレクトトランジスタとの直列接続から構成されるメモリセルユニットを有するメモリサブアレイと、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDのゲート酸化膜厚の方が、コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDのゲート酸化膜厚よりも薄いトランジスタで構成される不揮発性半導体記憶装置である。 - 特許庁

To provide a method which improves a characteristic deterioration caused by carbon, sub-oxide or dangling bond included in an inter-electrode insulating film of a capacity for use in a gate insulating film of a MOSFET or a memory device and enhances a characteristic of the insulating film.例文帳に追加

MOSFETのゲート絶縁膜やメモリーデバイスに用いられる容量の電極間絶縁膜中に含まれるカーボン、サブオキサイド、ダングリングボンド等に起因する特性劣化を改善し、絶縁膜の特性を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for uniformly depositing a silicon oxide layer having a low dielectric constant for use as a gap fill layer, a pre-metal dielectric layer, an inter-metal dielectric layer, a shallow trench isolation dielectric layer, etc., in sub-micron devices.例文帳に追加

サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。 - 特許庁

Organic wastes are gasified by a thermal decomposition furnace 11, a supercritical water treatment apparatus 21, or a sub-critical water treatment apparatus to produce a reducing gas which is fed to a cement firing apparatus 18 and used as a reducing agent for nitrogen oxide.例文帳に追加

有機性廃棄物を、熱分解炉11、超臨界水処理装置21又は亜臨界水処理装置等でガス化して還元性ガスを生成し、還元性ガスをセメント焼成装置18に投入して窒素酸化物の還元剤として利用する。 - 特許庁

例文

To determine whether an insulating film has been formed normally, by measuring the difference of sub-threshold characteristics of test transistors that have two kinds or more of insulating films, in a measurement to guarantee a metal oxide semiconductor capacity film in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置内のMOS容量膜保証は測定が困難で手間がかったが、2種類以上の絶縁膜をもつテスト用トランジスタのサブスレッショルド特性の差を測定し、絶縁膜が正常に形成されたか否かを判定できるようにする。 - 特許庁




  
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