「surface process」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photosensitive resin composition for a laser engravable substrate which facilitates the removal of sticky debris produced in surface treatment process.例文帳に追加

表面処理工程において発生する粘着性カスの除去が容易なレーザー彫刻可能な感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

Next, the method can include a process for cleaning the surface of the film using at least one of cleaning water and an air knife.例文帳に追加

次いで該フィルム表面を清浄水およびエアーナイフの少なくとも一つを使用して清浄化する工程を含むことができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic component for obtaining an appropriate surface reforming effect by an inexpensive process.例文帳に追加

低コストのプロセスによって適正な表面改質効果を得ることができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a component delivery mechanism for distributing a component inside a process chamber for producing uniform processing on a surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。 - 特許庁

The housing 301 of the photoreceptor unit 7 has a pressed surface 307 and the housing 201 of the process cartridge 5 has a rotatable holder 265.例文帳に追加

感光ユニット７のハウジング３０１には被押圧面３０７を備え、プロセスカートリッジ５のハウジング２０１にはホルダ２６５を回動自在に備える。 - 特許庁

In a tunnel lining process, band-shaped bag bodies 10 each with a predetermined length are first arranged along the inner surface of the tunnel T.例文帳に追加

トンネル覆工工程において、まず、所定の長さを有する帯状の袋体１０をトンネルＴの内面に沿って配置する。 - 特許庁

To provide a surface coated cutting tool having a hard coating layer exerting excellent resistance to abrasion during a high speed and high feed cutting process.例文帳に追加

高速高送り切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。 - 特許庁

Moreover, the uniform plasma process can be implemented to the processing object also by providing a gas charging port to the surface opposing to the processing object.例文帳に追加

また、被処理体対向面にガス吸入口を設けることでも、処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 - 特許庁

In this glass molding 11, a bar groove 12 having a V-shaped cross section is formed on its outer surface side along the cutting line L in a molding process.例文帳に追加

ガラス成型体１１には、成型工程で切断線Ｌに沿って外面側に断面ほぼＶ字状の条溝１２を形成する。 - 特許庁

An image forming process proceeds in a state where a nearly constant amount of the positively charged particles always adhere to the surface of the photoreceptor 2.例文帳に追加

感光体２表面には常時概ね一定量の正帯電粒子が付着した状態で画像形成プロセスが進行する。 - 特許庁

To provide a nickel fine powder which is fine, contains low levels of impurities and has a small specific surface area, and to provide a method for producing the same with an industrially simple process at a lower cost.例文帳に追加

微細で低不純物品位であるとともに、比表面積の小さいニッケル微粉を提供することを目的とする。 - 特許庁

Next, a silicon thermal oxide film 5 is formed on the surface of the silicon nitride film 4 by executing the thermal oxidation process to the silicon oxide film 4.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜４に熱酸化処理を施すことにより、シリコン窒化膜４の表面にシリコン熱酸化膜５を形成する。 - 特許庁

Then, a diaphragm 52 is pressurized and bonded to the surface of the lower piezoelectric layer 40 of the piezoelectric material 55 (bonding process), and a piezoelectric actuator is manufactured.例文帳に追加

次に、圧電体５５の下部圧電層４０の表面に、振動板５２を押圧して接合して（接合工程）、圧電アクチュエータを製造する。 - 特許庁

To provide a method for selectively and epitaxially growing a substance containing silicon on the surface of a substrate contained in a process chamber.例文帳に追加

プロセスチャンバ内に含む基板表面上にシリコン含有物質を選択的に且つエピタキシャル的に形成する方法が提供される。 - 特許庁

POROUS SILICA PARTICLE HAVING SURFACE SMOOTHNESS, MANUFACTURING PROCESS OF THE POROUS SILICA PARTICLE, AND COSMETIC MIXED WITH THE POROUS SILICA PARTICLE例文帳に追加

表面平滑性を備えた多孔質シリカ系粒子、その製造方法および該多孔質シリカ系粒子を配合してなる化粧料 - 特許庁

To provide a processing apparatus and a processing method for a substrate which can process the substrate having a microstructure on the surface with high reliability.例文帳に追加

高い信頼性で、表面に微細構造を有する基板を加工可能な、基板の加工装置および加工方法を提供する。 - 特許庁

A silicon single crystal substrate 10 that a first epitaxial layer 11 is formed on one surface 10a is subject to a deposit removal process.例文帳に追加

一面１０ａ側に第一のエピタキシャル層１１を形成したシリコン単結晶基板１０は、次に、堆積物除去工程を行う。 - 特許庁

This process removes such contaminants from the surface which is hydrophobic and hence difficult to clean with aqueous-based cleaning techniques alone.例文帳に追加

この処理は、水性系洗浄技術だけを用いて洗浄することが難しい、疎水性の表面から汚染物質を取り除く。 - 特許庁

This conveyor 8 is used in the surface processing device 6 for processing the substrate material A while conveying it during a manufacturing process of a substrate.例文帳に追加

このコンベア８は、基板の製造工程中、基板材Ａを搬送しつつ処理する表面処理装置６において使用される。 - 特許庁

A silicon nitride film 5 exhibiting a high oxidation barrier characteristic is formed selectively on the surface of a silicon substrate 1 by subjecting the substrate 1 to a direct thermal nitriding process or the like.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に酸化バリア性の高いシリコン窒化膜をシリコン基板の直接熱窒化等で形成する。 - 特許庁

Introduction of oxygen to the surface layer is, preferably, conducted by the process of a rapid temperature drop continuing from the heat treatment in the oxygen-containing gas.例文帳に追加

表層部への酸素の導入は、酸素含有ガス中での熱処理と引続く急速降温の処理によりなされると好適である。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which is small, and a substrate processing method which can process a substrate front surface promptly and satisfactorily.例文帳に追加

小型で、しかも基板表面を迅速に、かつ良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

A process for forming an outermost surface resist 12e having a through pattern 12e1 on the outermost surfaces of the laminated layer units a to d is executed.例文帳に追加

積層単位ａ〜ｄの最表面に貫通パターン１２ｅ１を有する最表面レジスト１２ｅを形成する工程を実施する。 - 特許庁

A plurality of wavelengths reflected by the surface of the wafer to be etched are measured by a spectrometer during a plasma etching process.例文帳に追加

プラズマエッチングプロセス中、エッチングされるウェハの表面から反射される放射の複数の波長が分光計によって測定される。 - 特許庁

The process gas flows horizontally from the gas injector port across a major surface of a rotary susceptor 108 to an exhaust port 122 of the gas ring 106.例文帳に追加

プロセスガスはガス注入ポートから回転サセプタ１０８の主表面を越えガスリング１０６の排出ポート１２２へと水平に流れる。 - 特許庁

The presented semiconductor manufacturing method contains a process for forming hydrophobic films by using this surface hydrophobing method.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の表面疎水化方法によって、疎水性膜を形成する工程を含む。 - 特許庁

Nickel in the slurry is sintered to form a nickel porous body directly on the surface of the base plate 30 by the heating process.例文帳に追加

この加熱処理により、スラリーにおけるニッケルが焼結し、基板３０の表面にニッケル多孔質体が直接、焼結形成される。 - 特許庁

After a first gate oxide film 12 is formed on the surface of a substrate 11, a first acid nitriding process is performed to form a nitride layer 13.例文帳に追加

基板１１の表面に第１のゲート酸化膜１２を形成した後、第１の酸窒化処理を行い窒化層１３を形成する。 - 特許庁

An oxide film is formed in a surface of a silicon wafer 11 and a gate electrode (polysilicon) 14, before the formation of a titanium film 17 (a first process).例文帳に追加

チタン膜１７を形成する前に、シリコンウェハ１１とゲート電極（ポリシリコン）１４の表面に酸化膜を形成する（第１の工程）。 - 特許庁

To grasp in real time, a surface temperature of a substrate and its change, in a process for supplying ultraviolet light and ozone-including gas to the substrate.例文帳に追加

基板に紫外光及びオゾン含有ガスが供されるプロセスにおいて基板の表面温度及びその変化をリアルタイムで把握する。 - 特許庁

In the firing process, shrinkage of the ceramic green sheets 5 is retarded in the direction of major surface by means of the metal foils 11, 12.例文帳に追加

この焼成工程において、セラミックグリーンシート５は、金属箔１１，１２によって、その主面方向での収縮が抑制される。 - 特許庁

To provide a flocculant injection method in the membrane separation process that prevents the clogging of a membrane surface while suppressing the use of the flocculant.例文帳に追加

凝集剤の使用を抑制しつつ膜面の閉塞を防止できる膜分離法における凝集剤注入方法を提供する。 - 特許庁

To produce a semiconductor device having a nano structure by producing a atom-level Schottky barrier on the surface of a semiconductor wafer using wet process.例文帳に追加

半導体ウエーハ表面に原子レベルのショットキー障壁を湿式法により作製し、ナノ構造の半導体素子を作製すること。 - 特許庁

The sides of the silicon electrode 5 exposed at the process are covered by an insulating film 21 with the surface of the silicon electrode 5 exposed.例文帳に追加

シリコン電極５の表面を露出させた状態で、先の工程で露出したシリコン電極５の側壁を絶縁膜２１で覆う。 - 特許庁

After a Ta_2O_5 film has been deposited on (002) the surface of Ru and low-temperature oxidation is performed, rapid nitriding process is performed at about 800°C.例文帳に追加

Ｔａ_2Ｏ_5膜をＲｕの（００２）面上に堆積し、低温酸化を行なった後、約８００°Ｃで急速窒化工程を行なう。 - 特許庁

Thereafter, an etching mask forming process providing a resist film 36 having a prescribed pattern on the surface of the conductive metal film 32 is performed.例文帳に追加

その後、導電性金属膜３２の表面に所定のパターンを有するレジスト膜３６を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process by selectively forming silicicided regions on a semiconductor substrate and the surface of a polycrystalline silicon film.例文帳に追加

半導体基板および多結晶シリコン膜の表面に選択的にシリサイド化する箇所を形成することで、製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To form a mirror face on which light is not scattered due to peeling or surface unevenness, by electroless plating without using a vacuum process.例文帳に追加

剥離や表面凹凸による光散乱が生じない鏡面を真空プロセスを用いることなく、無電解めっきにより形成する。 - 特許庁

In the preparing process, a first anisotropic-shape powder having an orientation plane lattice-matching with the crystal surface A is prepared.例文帳に追加

準備工程においては、結晶面Ａと格子整合性を有する配向面を有する第１異方形状粉末を準備する。 - 特許庁

The part in which the organic group is left in the organic SOG film in this process is located only about 200 nm from the bottom surface within the trench.例文帳に追加

この工程で前記有機ＳＯＧ膜中に有機基が残留している部分は、トレンチ内部の底面から２００ｎｍだけになる。 - 特許庁

A follower surface of the follower integrating valve lifter 15 having a bottomed cylindrical shape is finished by barrel polishing in a manufacturing process.例文帳に追加

有底円筒形状を有するフォロワ一体バルブリフタ１５は、製造工程において、そのフォロワ面がバレル研磨により仕上げ研磨される。 - 特許庁

Absolute calibration data for the sphericity of the surface 13a is obtained from the third set of measured interference data and the first and second sets of absolute calibration data (process 3).例文帳に追加

これと第１、第２の絶対校正データとから被検面１３ａの真球度の絶対校正データを得る（第３の手順）。 - 特許庁

In the copper electroplating process, a negative potential is applied to a semiconductor wafer with the surface of the semiconductor wafer acting as the cathode.例文帳に追加

銅電気メッキ方法において、陰極として作用する半導体ウェハの表面を持つ半導体ウェハに負電位が印加される。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor wafer 1 is rotated and the etching process is conducted by supplying a chemical solution to the second principal surface S2 of the semiconductor wafer.例文帳に追加

その後、半導体ウェハ１に回転を施して、半導体ウェハの第２主面Ｓ２に薬液を供給することでエッチングを施す。 - 特許庁

The product is greatly influenced by the salt content; when too much salt is used the meat easily cracks during the stewing process and blisters are frequently produced on the surface. 例文帳に追加

塩量は製品に大きく影響し、多すぎると、煮熟中に亀裂が生じやすくなり、しばしば表面に水膨ができる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス