「surface process」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

By applying an etching process on the surface of a glass body after roughening it by sandblast, the crater-shaped unevennesses can be formed.例文帳に追加

ガラス基体の表面をサンドブラストで粗面化した後にエッチングを施すことによって、クレータ状の凹凸を形成することができる。 - 特許庁

To provide a heat treating plate which provides a uniformity of the substrate in-surface temperature distribution at a high accuracy over the entire heat treating process.例文帳に追加

熱処理工程の全般にわたって高い精度にて基板面内温度分布の均一性が得られる熱処理プレートを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer suitable for a semiconductor device which is made thin in a device post-process and has its reverse surface ground or polished.例文帳に追加

デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研削あるいは研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To finally make the quantity of developing liquid supplied on a substrate uniform over the substrate surface in a developing process for the substrate.例文帳に追加

基板を現像処理する際に，基板に供給される現像液の量が，最終的に基板面内において均一になるようにする。 - 特許庁

To provide adhesive for a wet type friction plate showing strong adhesive strength without surface treatment process of metal base material.例文帳に追加

金属基材の表面処理工程を行わなくても高い接着強度を有する、湿式摩擦板用接着剤を提供すること。 - 特許庁

A surface active agent application part 82 and a UV varnish application part 92 at the downstream side of the application part 82 are set in the posttreatment process part 13.例文帳に追加

この後処理工程部１３には、界面活性剤塗布部８２及びその下流側にＵＶニス塗布部９２が設けられている。 - 特許庁

To provide process release paper having a shaping face in which surface glossiness is 60 or higher in 60° reflection and excellent in heat resistance and a releasing property.例文帳に追加

表面光沢度が６０°反射で６０以上の賦型面を有し、耐熱性、剥離性に優れる工程剥離紙を提供する。 - 特許庁

To provide a pipe cutting device capable of preventing flatness of a cutting surface of a pipe and performing a cutting process causing little burr.例文帳に追加

パイプの切断面の偏平を防止でき、バリの発生の少ない切断工程を行うことが可能なパイプ切断装置を提供する。 - 特許庁

To maintain a clean environment and to favorably and reliably clean a surface of a roller with a simple process and a simple constitution.例文帳に追加

簡単な工程及び構成で、クリーン環境を維持するとともに、ローラ表面を良好且つ確実に洗浄することを可能にする。 - 特許庁

The thermal oxidation process is carried out under an atmosphere in which a substrate surface temperature is ≥850°C, and water concentration is ≥7% and ≤20%.例文帳に追加

熱酸化工程は、基板表面温度を８５０℃以上とし、水分濃度が７％以上で２０％以下の雰囲気下で行う。 - 特許庁

In an insulator applying process, an insulator made of an insulator 14 is applied to a first surface 12a of the semiconductor substrate 12.例文帳に追加

絶縁物塗布工程では、半導体基板１２の第１表面部１２ａに、絶縁材料から成る絶縁物１４が塗布される。 - 特許庁

To provide a descaling method to remove oxide scale generated on a surface of a steel plate in a manufacturing process of a stainless steel plate at high speed.例文帳に追加

ステンレス鋼板の製造過程で鋼板表面に生成した酸化スケールを高速に除去するための脱スケール方法の提供。 - 特許庁

To provide a sheet feeder which is hard to damage a sheet surface even if air is blown off to float a sheet and solve the adhesion of the sheet and then the sheet is fed to a next process.例文帳に追加

エアーを吹き付けてシートを浮揚させて密着を解いて次工程にシートを供給しても、シート表面を傷めにくい。 - 特許庁

To provide a laser marking method and a laser marking device capable of preventing deposition of fine particles generated in the laser marking process on a main surface of a substrate.例文帳に追加

レーザーマーキングの過程で発生した微少なパーティクルが、基板の主表面に付着することを防止することを目的とする。 - 特許庁

This conveyor 8 is used in the surface processing device 6 for processing the substrate material A while conveying it during a manufacturing process of a substrate.例文帳に追加

このコンベア８は、基板の製造工程中、基板材Ａを搬送しつつ処理する表面処理装置６において使用される。 - 特許庁

A silicon nitride film 5 exhibiting a high oxidation barrier characteristic is formed selectively on the surface of a silicon substrate 1 by subjecting the substrate 1 to a direct thermal nitriding process or the like.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に酸化バリア性の高いシリコン窒化膜をシリコン基板の直接熱窒化等で形成する。 - 特許庁

Next, a silicon thermal oxide film 5 is formed on the surface of the silicon nitride film 4 by executing the thermal oxidation process to the silicon oxide film 4.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜４に熱酸化処理を施すことにより、シリコン窒化膜４の表面にシリコン熱酸化膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which is small, and a substrate processing method which can process a substrate front surface promptly and satisfactorily.例文帳に追加

小型で、しかも基板表面を迅速に、かつ良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Introduction of oxygen to the surface layer is, preferably, conducted by the process of a rapid temperature drop continuing from the heat treatment in the oxygen-containing gas.例文帳に追加

表層部への酸素の導入は、酸素含有ガス中での熱処理と引続く急速降温の処理によりなされると好適である。 - 特許庁

This process removes such contaminants from the surface which is hydrophobic and hence difficult to clean with aqueous-based cleaning techniques alone.例文帳に追加

この処理は、水性系洗浄技術だけを用いて洗浄することが難しい、疎水性の表面から汚染物質を取り除く。 - 特許庁

To provide a processing apparatus and a processing method for a substrate which can process the substrate having a microstructure on the surface with high reliability.例文帳に追加

高い信頼性で、表面に微細構造を有する基板を加工可能な、基板の加工装置および加工方法を提供する。 - 特許庁

A silicon single crystal substrate 10 that a first epitaxial layer 11 is formed on one surface 10a is subject to a deposit removal process.例文帳に追加

一面１０ａ側に第一のエピタキシャル層１１を形成したシリコン単結晶基板１０は、次に、堆積物除去工程を行う。 - 特許庁

A process for forming an outermost surface resist 12e having a through pattern 12e1 on the outermost surfaces of the laminated layer units a to d is executed.例文帳に追加

積層単位ａ〜ｄの最表面に貫通パターン１２ｅ１を有する最表面レジスト１２ｅを形成する工程を実施する。 - 特許庁

A plurality of wavelengths reflected by the surface of the wafer to be etched are measured by a spectrometer during a plasma etching process.例文帳に追加

プラズマエッチングプロセス中、エッチングされるウェハの表面から反射される放射の複数の波長が分光計によって測定される。 - 特許庁

The process gas flows horizontally from the gas injector port across a major surface of a rotary susceptor 108 to an exhaust port 122 of the gas ring 106.例文帳に追加

プロセスガスはガス注入ポートから回転サセプタ１０８の主表面を越えガスリング１０６の排出ポート１２２へと水平に流れる。 - 特許庁

The presented semiconductor manufacturing method contains a process for forming hydrophobic films by using this surface hydrophobing method.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の表面疎水化方法によって、疎水性膜を形成する工程を含む。 - 特許庁

Nickel in the slurry is sintered to form a nickel porous body directly on the surface of the base plate 30 by the heating process.例文帳に追加

この加熱処理により、スラリーにおけるニッケルが焼結し、基板３０の表面にニッケル多孔質体が直接、焼結形成される。 - 特許庁

To produce a semiconductor device having a nano structure by producing a atom-level Schottky barrier on the surface of a semiconductor wafer using wet process.例文帳に追加

半導体ウエーハ表面に原子レベルのショットキー障壁を湿式法により作製し、ナノ構造の半導体素子を作製すること。 - 特許庁

The sides of the silicon electrode 5 exposed at the process are covered by an insulating film 21 with the surface of the silicon electrode 5 exposed.例文帳に追加

シリコン電極５の表面を露出させた状態で、先の工程で露出したシリコン電極５の側壁を絶縁膜２１で覆う。 - 特許庁

After a first gate oxide film 12 is formed on the surface of a substrate 11, a first acid nitriding process is performed to form a nitride layer 13.例文帳に追加

基板１１の表面に第１のゲート酸化膜１２を形成した後、第１の酸窒化処理を行い窒化層１３を形成する。 - 特許庁

An oxide film is formed in a surface of a silicon wafer 11 and a gate electrode (polysilicon) 14, before the formation of a titanium film 17 (a first process).例文帳に追加

チタン膜１７を形成する前に、シリコンウェハ１１とゲート電極（ポリシリコン）１４の表面に酸化膜を形成する（第１の工程）。 - 特許庁

To grasp in real time, a surface temperature of a substrate and its change, in a process for supplying ultraviolet light and ozone-including gas to the substrate.例文帳に追加

基板に紫外光及びオゾン含有ガスが供されるプロセスにおいて基板の表面温度及びその変化をリアルタイムで把握する。 - 特許庁

In the firing process, shrinkage of the ceramic green sheets 5 is retarded in the direction of major surface by means of the metal foils 11, 12.例文帳に追加

この焼成工程において、セラミックグリーンシート５は、金属箔１１，１２によって、その主面方向での収縮が抑制される。 - 特許庁

To provide a flocculant injection method in the membrane separation process that prevents the clogging of a membrane surface while suppressing the use of the flocculant.例文帳に追加

凝集剤の使用を抑制しつつ膜面の閉塞を防止できる膜分離法における凝集剤注入方法を提供する。 - 特許庁

After a Ta_2O_5 film has been deposited on (002) the surface of Ru and low-temperature oxidation is performed, rapid nitriding process is performed at about 800°C.例文帳に追加

Ｔａ_2Ｏ_5膜をＲｕの（００２）面上に堆積し、低温酸化を行なった後、約８００°Ｃで急速窒化工程を行なう。 - 特許庁

A follower surface of the follower integrating valve lifter 15 having a bottomed cylindrical shape is finished by barrel polishing in a manufacturing process.例文帳に追加

有底円筒形状を有するフォロワ一体バルブリフタ１５は、製造工程において、そのフォロワ面がバレル研磨により仕上げ研磨される。 - 特許庁

Absolute calibration data for the sphericity of the surface 13a is obtained from the third set of measured interference data and the first and second sets of absolute calibration data (process 3).例文帳に追加

これと第１、第２の絶対校正データとから被検面１３ａの真球度の絶対校正データを得る（第３の手順）。 - 特許庁

In the copper electroplating process, a negative potential is applied to a semiconductor wafer with the surface of the semiconductor wafer acting as the cathode.例文帳に追加

銅電気メッキ方法において、陰極として作用する半導体ウェハの表面を持つ半導体ウェハに負電位が印加される。 - 特許庁

Thereafter, an etching mask forming process providing a resist film 36 having a prescribed pattern on the surface of the conductive metal film 32 is performed.例文帳に追加

その後、導電性金属膜３２の表面に所定のパターンを有するレジスト膜３６を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process by selectively forming silicicided regions on a semiconductor substrate and the surface of a polycrystalline silicon film.例文帳に追加

半導体基板および多結晶シリコン膜の表面に選択的にシリサイド化する箇所を形成することで、製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To form a mirror face on which light is not scattered due to peeling or surface unevenness, by electroless plating without using a vacuum process.例文帳に追加

剥離や表面凹凸による光散乱が生じない鏡面を真空プロセスを用いることなく、無電解めっきにより形成する。 - 特許庁

In the preparing process, a first anisotropic-shape powder having an orientation plane lattice-matching with the crystal surface A is prepared.例文帳に追加

準備工程においては、結晶面Ａと格子整合性を有する配向面を有する第１異方形状粉末を準備する。 - 特許庁

The part in which the organic group is left in the organic SOG film in this process is located only about 200 nm from the bottom surface within the trench.例文帳に追加

この工程で前記有機ＳＯＧ膜中に有機基が残留している部分は、トレンチ内部の底面から２００ｎｍだけになる。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor wafer 1 is rotated and the etching process is conducted by supplying a chemical solution to the second principal surface S2 of the semiconductor wafer.例文帳に追加

その後、半導体ウェハ１に回転を施して、半導体ウェハの第２主面Ｓ２に薬液を供給することでエッチングを施す。 - 特許庁

The product is greatly influenced by the salt content; when too much salt is used the meat easily cracks during the stewing process and blisters are frequently produced on the surface. 例文帳に追加

塩量は製品に大きく影響し、多すぎると、煮熟中に亀裂が生じやすくなり、しばしば表面に水膨ができる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス