「surface process」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve treatment qualities in a flat rinsing system by preventing stains or residue on the surface of a substrate after a drying process.例文帳に追加

平流し方式において乾燥処理後の基板表面にシミや残渣が生じるのを防止して、処理品質を向上させること。 - 特許庁

An aluminum oxide film generated on the surface of an AlGaAs layer at the lower part GaAs in the recess etching process is removed (S106) in an aqueous phosphate.例文帳に追加

リセスエッチングプロセスでＧａＡｓ下部のＡｌＧａＡｓ層表面に生じたアルミの酸化膜はリン酸水で除去する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

The surface characteristics of a board, organic semiconductor material, and process parameters are so selected as to form required nucleuses and to grow crystals.例文帳に追加

基板表面の特性、有機半導体材料及びプロセスパラメータは、所望の核生成及び結晶成長が起るよう選択される。 - 特許庁

An image forming process proceeds while a nearly constant amount of the positively charged particles always adhere to the surface of the photoreceptor 2.例文帳に追加

このため、感光体２表面には常時概ね一定量の正帯電粒子が付着した状態で画像形成プロセスが進行する。 - 特許庁

To attract and remove dust which can be adhered to the surface of a car especially in a coating process in a car production plant.例文帳に追加

自動車製造工場の特に塗装工程において自動車の表面に付着する可能性のあるダストを吸着除去すること。 - 特許庁

Since the safety element 120 is adhered to the surface of the case 110, it is not necessary to apply a separate welding process on the case 110.例文帳に追加

また，安全素子１２０をケース１１０の表面に接着させるので，別途の溶接工程をケース１１０に行わなくてもよい。 - 特許庁

This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.例文帳に追加

研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理１１を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程１２と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第１洗浄液により洗浄する第１洗浄工程１７と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第２洗浄液により洗浄する第２洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁

To provide a cleaning agent used for a cleaning process after a planarization polishing process in a semiconductor device manufacturing process, by which dopant existing on the surface of a semiconductor device, especially on the surface of the semiconductor device on which a copper wiring is applied is removed effectively, without causing corrosion and oxidization of the copper wiring, or deterioration of the surface texture of the device planarized.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する不純物を、銅配線の腐蝕や酸化、或いは、平坦化されたデバイスの表面性状の悪化を引き起こすことなく、有効に除去することができる洗浄剤を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the glass substrate for the magnetic disk including the principal surface polishing process for polishing the principal surface of the substrate by using the polishing slurry, the polishing slurry including the buffer agent filtered by using a filter having ≤1 μm minimum catching particle diameter is used in the final polishing process of the principal surface polishing process.例文帳に追加

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、研磨用スラリーを用いて基板の主表面を研磨する主表面研磨工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記主表面研磨工程の最終研磨工程において、最小捕捉粒子径が１μｍ以下のフィルタを使用してフィルタリングした後の緩衝剤を含む研磨用スラリーを用いることを特徴とする。 - 特許庁

In the same solid-liquid separator, the filtering surface forms a closed circle, and the front and back of the filtering surface are alternately changed by rotating the filtering surface to repeat (1) a process for filtering the muddy water with the filtering surface, and (2) a process for peeling off the filtered solids from the filtering surface.例文帳に追加

本第２の発明は、泥水を濾過面に供給する供給配管と、泥水の固液分離を行う濾過面と、分離された水を集める排水溝からなる泥水の固液分離装置において、濾過面は１のシートが閉じた輪を形成し、濾過面を回転させることで、（１）泥水を濾過面にて濾別する工程、（２）濾別した固形物の濾過面からの剥離工程を繰り返し、濾過面が表裏交互に入れ替わる泥水の固液分離装置である。 - 特許庁

The method performs a process rotating this tool T and holding while rotating the workpiece 20 to a spindle to perform grinding work with the grinding wheel 50 coming into contact with the internal peripheral surface 24 and a process making the cutting tool 47 come into contact with the internal peripheral surface 29 to perform cutting work.例文帳に追加

この工具Ｔを回転させ、かつ、ワーク２０を主軸に保持して回転させながら、前記砥石車５０を内周面２４に接触させて研削加工する工程と、切削用バイト４７を内周面２９に接触させて切削加工する工程とを行う。 - 特許庁

This lens manufacturing method includes a first process for forming a layer comprising an optical material on a curved surface by the relative scanning of a nozzle with respect to the curved surface and the discharge of the optical material from the nozzle and a second process for curing the layer comprising the optical material to form a lens.例文帳に追加

レンズの製造方法が、曲面に対するノズルの相対走査と前記ノズルからの光学材料の吐出とによって前記曲面上に前記光学材料の層を形成する第１の工程と、前記光学材料の層を硬化してレンズを形成する第２の工程と、を含む。 - 特許庁

Further, this joining method is provided with a process for forming a butt surface 14 by butting aluminum alloy plates 11, 12 and a process for friction-stir the above alloy plates 11, 12 through the welding part W by shifting while rotating the above friction-stir tool 1 along this butt surface 14.例文帳に追加

また、アルミニウム合金板１１，１２を突き合わせて突き合わせ面１４を形成する工程と、この突き合わせ面１４に沿って上記摩擦攪拌ツール１を回転しつつ移動させることにより、上記合金板１１，１２を接合部Ｗを介して摩擦攪拌接合する接合方法も含まれる。 - 特許庁

The method for cutting the glass substrate material includes a removing process for removing a part or whole of the rear surface of the glass substrate material and a scribing process for forming the ruled line which causes a crack reaching the rear surface of the glass substrate material.例文帳に追加

本発明のガラス基板材の切断方法は、ガラス基板材の裏面の一部又は全体を除去する除去工程と、前記ガラス基板材の表面に、前記ガラス基板材の裏面まで到達するクラックを生じさせる罫書き線を形成するスクライブ工程と、を備える。 - 特許庁

An insertion process inhibition area 23 is set for insertion type parts 20 corresponding to the insertion machine tool for processing of the lead wire 22, and surface mounting process inhibition areas 24 and 25 are set in accordance with the height of the surface mounting type parts in relation to the operation.例文帳に追加

（ｂ）に示すような挿入型部品２０に対しては、リード線２２の処理を行う挿入機工具に対応して挿入工程禁止領域２３を設定し、動作に関連して、表面実装工程禁止領域２４，２５を表面実装型部品の高さに応じて設定する。 - 特許庁

Then an electrode film 10 is plated on the surface of the dielectric block in an electrode film formation process, and in a facing process, a projected part other than the electrode pattern formation programming area is removed by removing the prescribed thickness from the surface of the dielectric block to pattern the electrode film 10.例文帳に追加

その後、電極膜形成工程で誘電体ブロック表面に電極膜１０をメッキし、面出し工程で誘電体ブロック表面の所定厚み分の除去によって電極パターン形成予定領域以外の突出部を除去して電極膜１０をパターンニングする。 - 特許庁

This method includes a process providing a layer (a layer 108 in figures 1a-1d) which covers a substrate (a substrate 104 in figures 1a-1d), has an upper surface and contains tantalum pentoxide; and a process forming the structure containing tantalum and nitrogen by nitriding the upper surface of the layer of tantalum pentoxide.例文帳に追加

本方法は、基板（図１ａ−１ｄの基板１０４）を覆って、上部表面を有する五酸化タンタルを含む層（図１ａ−１ｄの層１０８）を提供する工程、および五酸化タンタルの層の上部表面を窒化して、タンタルおよび窒素を含む構造を形成する工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the multilayer-structured board comprises a process of disposing the electronic component on the surface such that terminals of the electronic component are directed upward, and a first inkjet process of providing a first insulating pattern on the surface so as to embed any step caused by the thickness of the electronic component.例文帳に追加

多層構造基板の製造方法が、電子部品の端子が上側を向くように前記電子部品を表面上に配置する工程と、前記電子部品の厚さに起因する段差を埋めるように第１絶縁パターンを前記表面上に設ける第１インクジェット工程と、を包含している。 - 特許庁

The method for manufacturing the retreaded tire includes: a process of injecting unvulcanized rubber from the outside of a tire mold 10 to the interior R of a tread molding space formed by an outer surface in the circumferential direction of a casing tire 1 and a tire mold molding surface 20A disposed in the tire mold 10; and a process of vulcanizing the injected unvulcanized rubber.例文帳に追加

タイヤモールド１０内に設置された台タイヤ１の周方向外側表面とタイヤモールド成型面２０Ａとにより形成されるトレッド成型空間内Ｒにタイヤモールド外から未加硫ゴムを注入する工程と、注入された未加硫ゴムを加硫する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the same carries out a sulfur termination process associating the sulfur atom with the substrate having the metal nitride layer at least on the surface or the surface of the substrate comprising the metal nitride, and a metal fixing process associating the transition metal or transition metal compound with the sulfur atom.例文帳に追加

また、製造方法は、少なくとも表面に金属窒化物層を有する基板又は金属窒化物からなる基板の表面に硫黄原子を結合させる硫黄終端処理と、該硫黄原子に遷移金属又は遷移金属化合物を結合させる金属定着処理とを行う。 - 特許庁

The method comprises a process that contacts an exposed copper surface with a gaseous compound comprising a noble metal, and a process that selectively forms a noble metal layer on the exposed copper surface by a copper substitution reaction or a noble metal selective depositing (for example, ALD or CVD).例文帳に追加

当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着（例えば、ALDまたはCVD）により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。 - 特許庁

The method comprises a process to form the resin sheet having blind holes which are opened in one sheet surface and extend in the direction of the other sheet surface and a process to remove a resin at the bottom and penetrate the blind holes through by applying ultrasonic wave to the bottom of the blind holes.例文帳に追加

一方の板面に開口し他方の板面方向に伸びる非貫通孔を有する樹脂板を形成する工程、及び該非貫通孔の底部に超音波を印加し、該底部の樹脂を除去して孔を貫通させる工程を有することを特徴とする孔構造体の製造方法。 - 特許庁

To provide a modified molded article applicable to e.g. whole or selective surface electroless plating with a simple process without roughening the surface and thus without using a large amount of a harmful substance, a molding process therefor and a molding apparatus used for production of molded article.例文帳に追加

簡単な工程で、表面を粗面化することなく、したがって多量の有害物質を使用することなく、表面を全体的又は選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能に改質した成形品、その成形方法、それに使用される成形装置を提供すること。 - 特許庁

The method comprises an underfill molding process of filling a gap between terminals, connecting a semiconductor chip 1 to a board 2 with a flowing liquid resin 4 and an overmolding process of sealing the surface of the board with resin before the surface layer of the liquid resin 4 is cured.例文帳に追加

半導体チップ１と基板２とを接続する端子間の隙間に液状樹脂４を流下させて充填するアンダーフィルモールド工程と、液状樹脂４の表層が硬化する前に半導体チップ１を覆って基板面を樹脂封止するオーバーモールド工程とを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the light-emitting element includes a process for forming the irregularities on the first main surface of the A1_20_3 substrate by using the self-organization pattern of the block copolymer or the graft copolymer and a process for forming the light-emitting layer on the first main surface of the A1_20_3 substrate.例文帳に追加

発光素子の製造方法はブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの自己組織化パターンを用いて、Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面に凹凸を形成する工程と、前記Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面上に発光層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a cast-coated paper less in reduction of white paper gross and excellent in surface state in finishing processes such as a winder treatment process, conveying process, etc., after its cast mirror surface finishing and also excellent in ink drying and blocking resistance in the production of the cast-coated paper by a coagulation method.例文帳に追加

凝固法キャスト塗被紙の製造において、キャスト鏡面仕上げ後のワインダー処理工程、搬送工程等後工程において白紙光沢度の低下が少なく面状に優れ、インキ乾燥性や耐ブロッキング性に優れたキャスト塗被紙の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This method comprises a process wherein a porous ink receiving layer containing a pigment and a binding agent and being in the coating amount of 1-100 g/m2 is formed on one surface of a paper base constituted mainly of pulp and a process wherein a resin layer in the covering amount of 1-100 g/m2 is formed on the opposite surface to the above.例文帳に追加

パルプを主成分とする紙基材上の片面に、顔料と結着剤とを含有する塗布量１〜１００ｇ／ｍ^２の多孔質インク受容層を形成する工程と、該片面の反対面に被覆量１〜１００ｇ／ｍ^２の樹脂層を形成する工程とからなる。 - 特許庁

A manufacturing method for a silicon wafer, which contains an etching process for removing a breaking layer of a degenerated layer on the surface of the silicon wafer made by a mechanical working, and in which the etching process is managed depending on variation of groove width of a micro-crack remaining on the surface of the silicon wafer, and the silicon wafer are provided.例文帳に追加

機械的加工によりシリコンウェーハの表面に生じた加工変質層の破砕層を除去するエッチング処理工程を有し、このエッチング処理の管理をシリコンウェーハ表面に残存するマイクロクラックの溝幅の変化で行うシリコンウェーハの製造方法、また、シリコンウェーハ。 - 特許庁

The surface treatment of the ZnTe-based compound semiconductor includes at least a first surface treatment process (process B) wherein, while at least Zn and atomic hydrogen are irradiated on the ZnTe-based compound semiconductor substrate, the compound semiconductor substrate is annealed at a temperature ranging between 150°C and 300°C.例文帳に追加

ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に少なくともＺｎおよび原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。 - 特許庁

With this method, a nuclear transmutation quantity from a nuclear transmutation device is increased by a process for applying electrolysis process or plasma treatment to a surface of a structure including a hydrogen occlusion metal, and adding a material causing nuclear transmutation to the surface.例文帳に追加

水素吸蔵金属を含む構造体の一方の表面に電気分解処理又はプラズマ処理を施した後、核種変換を施す物質を前記表面に添加する工程を含むことを特徴とする核種変換装置からの核種変換量を増大させる方法。 - 特許庁

The polarization inverted structure forming process is a process of applying a voltage between a ladder-type electrode formed on the principal surface of a ferroelectric crystal substrate and a metal electrode formed on the rear surface and forming a periodical polarization-inverted structure on the ferroelectric crystal substrate.例文帳に追加

分極反転構造形成工程は、強誘電体結晶基板の主面に形成された梯子型電極と裏面に形成された金属電極との間に電圧を印加して、強誘電体結晶基板に周期的分極反転構造を形成する工程である。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor element comprises a process (A) of cleaning the surface of the semiconductor layer 12 consisting of a wide band gap semiconductor using gas containing a halogen group element, and a process (B) of forming an oxide layer 14 on the surface of the semiconductor layer 12.例文帳に追加

本発明による半導体素子の製造方法は、ハロゲン族元素を含むガスを用いてワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層１２の表面を清浄化する工程（Ａ）と、半導体層１２の表面に酸化物層１４を形成する工程（Ｂ）とを含む。 - 特許庁

This manufacturing method for the microbe sensor 100 includes: a first process of preparing composite function molecule 4 containing an antibiotic substance 41; and a second process of supplying the composite function molecule 4 to one surface side of the electrode 121 and fixing the composite function molecule 4 to the surface of the electrode 121.例文帳に追加

微生物センサー１００の製造方法は、抗生物質４１を含む複合機能分子４を用意する第１の工程と、複合機能分子４を電極１２１の一方の面側に供給して複合機能分子４を電極１２１表面に固定化する第２の工程とを有する。 - 特許庁

The manufacture of this biological material includes the work process of forming an oxidized film on the surface of a magnesium base material by annealing it, and the work process of coating the surface of the magnesium base material thus obtained with a composite material of hydroxyapatite and titanium dioxide by a sol gel method.例文帳に追加

また、マグネシウム基材を焼鈍することにより、その表面に酸化皮膜を形成する工程と、この工程により得られたマグネシウム基材に、ゾルゲル法により、ハイドロキシアパタイトとニ酸化チタンからなる複合材を被覆する工程を含む生体材料の製造方法。 - 特許庁

When an emissivity in the rear surface of the wafer is within the detecting range of an optical detector in a process of irradiating light to the rear surface of the wafer to measure the temperature of the wafer based on the emissivity ε, the temperature is operated based on the emissivity ε measured in the process of heat treatment.例文帳に追加

ウェハ裏面に光を照射し、その放射率εに基づいてウェハ温度測定をする過程において、ウェハ裏面における放射率が光検出器の検出範囲内にある場合は、熱処理工程中に測定した放射率εに基づいて温度を算出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices, which prevents warpage of a wafer by forming an adhesive layer on the back surface of the wafer, after polishing the wafer back surface and allows the direct execution of a semiconductor chip attachment process, without executing a separate resin paste adhesive coating process.例文帳に追加

ウエハ裏面研磨工程後にウエハ裏面に接着層を形成することでウエハ反りを防止するとともに、別途の樹脂ペースト接着剤の塗布工程を経ずそのまま半導体チップ貼り付け工程を行なうことのできる半導体素子製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The second evaluation method of the emulsion stability includes a heating process and a hydrophobic degree measuring method for measuring the surface hydrophobic degree of protein contained in the emulsion, after the heating process and the emulsion stability of the emulsion is evaluated, on the basis of the surface hydrophobic degree.例文帳に追加

第二の乳化安定性の評価方法は、加熱工程と、加熱工程後の乳化物に含まれるタンパク質の表面疎水性の度合いを測定する疎水性度測定工程とを備え、該表面疎水性の度合いに基づいて乳化物の乳化安定性が評価される。 - 特許庁

To easily supply a moisture to a process gas in a vaporized state with a simple apparatus in the case of variously surface treating the surface of a semiconductor substrate of a silicon wafer or the like, by the gas supplied by a process gas supply conduit 2 in a vacuum container 1.例文帳に追加

シリコンウリハー等の半導体基板の表面を、真空容器１内でこれにプロセスガス供給管路２より供給したプロセスガスにて各種の表面処理を行う場合において、前記プロセスガスに水分を気化した状態で供給することが容易に簡単な装置にてできるようにする。 - 特許庁

The heat generation inspection method for the heater comprises a process used to measure surface-temperature distribution data on a region including a heat generation part of the heater electrified by a prescribed voltage, and a process used to decide whether an abnormal heat generation part of the heater exists on the basis of the measured surface-temperature distribution data.例文帳に追加

ヒータの発熱検査方法であって、所定電圧で通電されたヒータの発熱部を含む領域の表面温度分布データを測定する工程と、測定された表面温度分布データに基づいて前記ヒータの異常発熱部の有無を判定する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The rust prevention method of surface reforming workpiece by cavitation comprises: a process to dip the workpiece in fresh water and apply cavitation to the workpiece surface to reform it; and a process to dip the positive electrode in the fresh water and apply protective current between the workpiece and the positive electrode.例文帳に追加

清水中に浸漬した被加工物表面にキャビテーションを作用させて表面改質を行う工程と、前記清水中に陽極を浸漬して前記被加工物と前記陽極間に防食電流を流す工程とを備えたキャビテーションによる表面改質被加工物の発錆防止方法。 - 特許庁

The surface treatment method is provided with: a 1st shot-peening process where hard fine particles are peened on the surface 3a of a fitting 2 to form a first rust preventive layer; and a 2nd shot-peening process where soft fine particles are peened to form a second rust preventive layer on the first rust preventive layer.例文帳に追加

金具２の表面３ａに硬質系微粒子を打ちつけて第１防錆層を形成する第１ショットピーニングを行う工程と、軟質系微粒子を打ちつけて第１防錆層の上に第２防錆層を形成する第２ショットピーニングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the low reflective glass substrate comprises a process for colliding a grinding stone with the surface of glass substrate to form the compressive stress part and a process of chemical etching for the formation of concave and convex shapes on the surface of the glass substrate, and the low reflective glass substrate obtained by the method is provided.例文帳に追加

ガラス基材表面に砥粒を衝突させて圧縮応力部を形成し、次いで化学的エッチング処理により、前記ガラス基材表面に凹凸形状を形成させる低反射ガラス基材の製造方法、及びこの方法で得られた低反射ガラス基材である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a device of a semiconductor device capable of suppressing the variation of a reaching temperature in a wafer surface caused by a variation in the wafer surface of a radiation rate and suppressing the variation and deterioration of characteristics, in a heating treatment process of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程の加熱処理プロセスにおいて、輻射率のウェーハ面内のばらつきに起因するウェーハ面内の到達温度のばらつきを抑え、特性のばらつき、劣化を抑えることが可能な半導体装置の製造方法と半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ceramic sliding member which is capable of additionally improving the water-tightness between a sliding surface of the ceramic sliding member manufactured through a carbon film depositing process step in succession to a firing process step and a sliding surface slidingly contacting another member to be slid.例文帳に追加

焼成工程に続いて炭素皮膜付着工程を経て製造されるセラミックス製摺動部材の摺動面と他の被摺動部材と摺接する摺動面との間の水密性をより向上させることができるセラミックス製摺動部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for the rolling bearing, is the method for a used rolling bearing, and comprises a process of setting an margin of removal of a surface layer of at least either member of a bearing ring and a rolling element of the used rolling bearing, and a process of removing the margin of removal of the surface layer of the member.例文帳に追加

この転がり軸受の再生方法は、使用された転がり軸受の再生方法であって、使用された転がり軸受の軌道輪および転動体の少なくとも一方の部材の表面層の取り代を設定する工程と、部材の表面層の取り代を除去する工程とを備える。 - 特許庁