| 例文 |
surface processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9599件
The photocatalyst-treated body whose surface is treated by a flame spraying process wherein the photocatalyst functional body comprising at least a photo-semiconductor powder is stuck on the surface of a base material by means of a flame spraying and an impregnation process wherein insides of fine holes of the photocatalyst layer formed by the flame spraying process are sealed by filling them with an impregnating liquid, is provided.例文帳に追加
少なくとも光半導体粉末からなる光触媒機能体を基材表面に溶射により付着せしめる溶射工程と、当該溶射工程により形成された光触媒層の微細孔内を含浸剤で満たすことにより封孔する含浸工程と、により表面処理されていることを特徴とする光触媒処理体を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the ceramic substrate 3 includes a blasting process for forming a curved surface 34 where the outer edge side is recessed more than the inside by blasting the outer edge side of the substantially flat backside in the ceramic substrate 3, and a wiring layer forming process for forming a wiring layer 6 on the curved surface 34 formed by the blasting process.例文帳に追加
セラミック基板3を製造するにあたり、セラミック基板3における略平坦な裏面の外縁側に、ブラスト加工を施して、内側より外縁側が凹んだ湾曲面34を形成するブラスト加工工程と、ブラスト加工工程により形成された湾曲面34に、配線層6を形成する配線層形成工程と、を有するようにした。 - 特許庁
The manufacturing method of the SiC semiconductor device includes a process in which a dopant is ion-implanted on at least a part of the surface of SiC monocrystal, a process in which an Si film is formed on the surface of the SiC monocrystal after ion implantation, and a process in which the SiC monocrystal on which the Si film is formed is heated at the melting temperature of the Si film or higher.例文帳に追加
SiC単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のSiC単結晶の表面上にSi膜を形成する工程と、Si膜が形成されたSiC単結晶をSi膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、SiC半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
The method of manufacturing the piezoelectric vibrator includes: a first etching process of processing a surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a first etchant consisting of a potassium hydroxide aqueous solution prior to a process of mounting the piezoelectric vibration piece 2; and a second etching process of processing the surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a second etchant consisting of a solution of potassium ferricyanide and potassium hydroxide.例文帳に追加
圧電振動片2をマウントする工程の前に、水酸化カリウム水溶液からなる第1エッチャントを用いて圧電振動片2の表面を処理する第1エッチング工程と、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第2エッチャントを用いて圧電振動片2の表面を処理する第2エッチング工程とを有することを特徴とする - 特許庁
The photocatalyst material having a base metal supported thereon is manufactured by a raw photocatalyst material producing process P1 for obtaining a photocatalyst material (raw photocatalyst material) in a state that the base metal is not yet supported on the surface of the photocatalyst material and a base metal supporting process P3 for supporting fine particles of the base metal on the surface of the raw photocatalyst material obtained by the process P1.例文帳に追加
卑金属がまだ表面に担持されていない状態の光触媒材料(原光触媒材料)を得る原光触媒材料作製工程P1と、工程P1により得られた原光触媒材料の表面に卑金属微粒子を担持する卑貴金属担持工程P3により、卑金属が担持された光触媒材料を製造する。 - 特許庁
The method has a process for making a region, which becomes the channel of a single-crystal silicon layer of a semiconductor substrate where the single-crystal silicon layer is formed in a surface thereof thinner than other regions, a process for introducing vacant lattice defects into the single-crystal silicon layer and a process for etching the surface of the single-crystal silicon layer chemically.例文帳に追加
表面に単結晶シリコン層が形成された半導体基板の前記単結晶シリコン層のチャネルとなる領域の膜厚を他の領域よりも薄くする工程と、前記単結晶シリコン層に空格子欠陥を導入する工程と、前記単結晶シリコン層の表面を化学的にエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁
The method of coating the ceramic with the metal includes a process for treating the the surface of the ceramic with molybdenum-manganese, a process for bringing a metallic coating agent containing a metallic particle coated with an organic compound into contact with the surface of the molybdenum-manganese-treated ceramic and fixing and a process for heating the ceramic with which the metallic coating agent is brought into contact and fixed.例文帳に追加
セラミックスを金属被覆する方法であって、セラミックス表面をモリブデン−マンガン処理する工程、前記モリブデン−マンガン処理されたセラミックスの表面に、有機化合物で被覆された金属粒子を含む金属被覆剤を接触・固定する工程、前記金属被覆剤が接触・固定されたセラミックスを加熱する工程、を含む方法を用いる。 - 特許庁
The method of manufacturing the organic semiconductor apparatus includes a process of preparing organic semiconductor powder and causing a film to attract the powder, a process of piling up the film on a substrate with the surface where the organic semiconductor power is attracted down, and a process of attaining the organic semiconductor layer by pressurizing the substrate from the surface of the film and packing an organic semiconductor powder layer.例文帳に追加
有機半導体粉末を用意しフィルムに吸着させる工程、基板上に該フィルムを有機半導体粉末が吸着した面を下側にして重ね合わせる工程及び該フィルム表面より基板を加圧して、有機半導体粉末層を押し固めることにより有機半導体層とする工程を含む有機半導体装置の作製方法である。 - 特許庁
The material can be manufactured by a method containing a process of forming a removable protruded pattern on the surface of a conductive base substrate, a process of forming an insulating layer made of DLC or inorganic material on the surface of the conductive base substrate on which the removable protruded pattern is formed, and a process of removing the protruded pattern to which the insulating layer is attached.例文帳に追加
これは、導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、DLC又は無機材料からなる絶縁層を形成する工程及び絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む方法により製造できる。 - 特許庁
The method comprises: a process of forming a photo epoxy buffer layer having a groove pattern on the rear surface of a wafer substrate for marking scribe lines to be diced; a process of etching the substrate along the marking groove in the photo epoxy layer; and a process of cutting the wafer along the etching groove by a mechanical force from the front or rear surface to separate the wafer into singulated IC packages.例文帳に追加
ダイシングされるスクライブ線をマーキングするためにウエーハの基板の裏面に溝パターンを有するフォトエポキシバッファ層を形成する工程、フォトエポキシ層中のマーキング溝に沿って基板をエッチングする工程、表面または裏面から機械的な力によりエッチング溝に沿ってウエーハを切断し、個別のICパッケージに分離する工程からなる。 - 特許庁
The method for producing a solid oxide sintered film having a laminate structure comprises an electrodeposition process for adhering solid oxide particles on the surface of the solid oxide sintered film as a substrate in a film-like shape by a migration electrodeposition method and a burning process for burning the solid oxide sintered film having the solid oxide particle film obtained in the electrodeposition process on the surface.例文帳に追加
基材としての固体酸化物焼結膜の表面上に固体酸化物粒子を泳動電着法により膜状に付着させる電着工程と、該電着工程で得られた固体酸化物粒子膜を表面に有する固体酸化物焼結膜を焼成する焼成工程とからなる積層構造の固体酸化物焼結膜の製造方法。 - 特許庁
After printing on ink jet recording medium having a surface layer containing at least a heat plastic resin with an ink jet, the ink jet recording medium is pressure processed by a post process having at least a pressure process, and a film thickness of the surface layer after the post process is compressed to 50-80% to that before printing.例文帳に追加
少なくとも熱可塑性樹脂を含有する表層を有するインクジェット記録媒体に、インクジェットにより印字した後、少なくとも加圧工程を有する後工程により該インクジェット記録媒体を加圧処理し、該後工程後の該表層の膜厚を、印字前に対し50〜80%に圧縮することを特徴とするインクジェット画像形成方法。 - 特許庁
The semiconductor film forming method comprises a first lamination process of laminating a transparent electrode layer 2, a semiconductor layer 3, and an oxide layer 4 successively on a support 1; an oxidation process of oxidizing the surface of the oxide layer 4; and a second lamination process of laminating a metal electrode layer 5 on the oxide layer 4 whose surface has been oxidized.例文帳に追加
支持体1上に透明電極層2と、半導体層3と、酸化物層4とを順次積層する第一の積層工程と、前記酸化物層4の表面を酸化する酸化工程と、表面を酸化された前記酸化物層4上に金属電極層5を積層する第二の積層工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
The crystal growth method includes: a process for growing a ZnO monocrystal buffer layer on the substrate in a condition that zinc (Zn) is rich or oxygen (O) is rich; a process for carrying out the surface flattening of the ZnO monocrystal buffer layer; and a process for growing a monocrystal ZnO layer on the ZnO monocrystal buffer layer carried out with the surface flattening.例文帳に追加
基板上に、亜鉛(Zn)リッチもしくは酸素(O)リッチの条件にてZnO単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ZnO単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したZnO単結晶バッファー層上に単結晶ZnO層を成長する工程とを含む。 - 特許庁
The pressurizing body is pressed with a weak force on the upper surface having much moisture in a first process prior to a predetermined dehydrating operation, is raised a little to guide air between the elastic pressurizing surface and the laundry in a second process, and is energized by a predetermined force and speed in a third process.例文帳に追加
所定の脱水操作に先立つ第1工程で、水分を多量に含んだ洗濯物の上面に弱い力で加圧体を押圧、次の第2工程で加圧体を少し上昇させることにより弾性加圧面と洗濯物との間に空気を導入し、次の第3工程で所定の力及び速度で加圧体を付勢して洗濯物の脱水を行なう。 - 特許庁
The method of manufacturing the SiC semiconductor device includes a process (a) of forming a mask 8 on the first principal surface of the SiC substrate 1, a process (b) of selectively forming the trench 4 on the SiC substrate 1 from the first principal surface using the mask 8, and a process (c) of selectively forming the CNTs 5 in the trench 4 using the mask 8.例文帳に追加
又、本発明に係るSiC半導体装置の製造方法は、(a)SiC基板1の第1主面上にマスク8を形成する工程と、(b)マスク8を用いて選択的に第1主面からSiC基板1にトレンチ4を形成する工程と、(c)マスク8を用いて選択的にトレンチ4内にCNT5を形成する工程と、を備える。 - 特許庁
This method comprises a process for forming a phosphor layer, including a thermoplastic resin on the inner face of a face plate, a process for plasticizing the thermoplastic resin by pressing the phosphor layer while heating, and smoothening the surface of the phosphor layer, and a process for forming a metal film on the phosphor layer having the smoothened surface, and heating the face plate.例文帳に追加
フェースプレート内面に熱可塑性樹脂を含有する蛍光体層を形成する工程と、前記蛍光体層を加熱しながら加圧して前記熱可塑性樹脂を可塑化し、該蛍光体層の表面を平滑化する工程と、前記表面平滑化された蛍光体層上に金属膜を形成し、フェースプレートを加熱処理する工程とを備える。 - 特許庁
This method of manufacturing the organic semiconductor film includes: an application liquid adjustment process of adjusting an application liquid containing a low-molecular organic semiconductor compound precursor and a macromolecular organic semiconductor compound; an application process of applying the application liquid to a surface of a support; and a heating process of heating the application liquid applied to the surface of the support.例文帳に追加
低分子有機半導体化合物前駆体及び高分子有機半導体化合物を含む塗布液を調整する塗布液調整工程と、前記塗布液を支持体表面に塗布する塗布工程と、前記支持体表面に塗布された前記塗布液を加熱する加熱工程と、を有する、有機半導体膜の製造方法。 - 特許庁
This manufacturing method of a semiconductor wafer should include a process that puts an adhesive sheet onto the surface of a semiconductor wafer where a pattern is formed, a process that performs thinning onto the back surface of the semiconductor wafer where the adhesive sheet has been applied, and a process that dices the semiconductor wafer where the adhesive sheet has been applied.例文帳に追加
パターンが形成された半導体ウエハ表面に、粘着シートを貼付ける工程、前記粘着シートを貼付けた状態の半導体ウエハの裏面に薄型加工を施す工程、次いで前記粘着シートを貼付けた状態の半導体ウエハにダイシングを行う工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。 - 特許庁
The method of inspecting a template for nanoimprints includes: the process for applying light to the template 100 from the back side of the template 100 for nanoimprints where patterns are formed on the surface; the process for detecting near-field light generated near the surface of the template 100 by irradiation with light; and the process for inspecting the template 100, based on the detected near-field light.例文帳に追加
表面にパターンが形成されたナノインプリント用のテンプレート100の裏面側からテンプレート100に光を照射する工程と、光の照射によってテンプレート100の表面近傍に発生する近接場光を検出する工程と、検出された近接場光に基づいてテンプレート100の検査を行う工程とを備える。 - 特許庁
This residual stress measuring is provided with a fining shot handling process of fining coarse crystal grains in the surface layer part 2 of a casting 1, and a next artificial aging treatment process of removing the residual stress generated at the fining shot handling process so as to measure the residual stress with irradiating the surface layer part 2 of the casting with the X-ray.例文帳に追加
微細化ショット処理工程により鋳物1の表層部2の粗大結晶粒を微細化し、次の人工時効処理工程により該微細化ショット処理工程により生じた残留応力を除去した後、当該鋳物表層部2にX線を照射して残留応力を測定するようにした残留応力測定方法である。 - 特許庁
The manufacturing method of the optical film comprises: a process of irradiating the surface of the cellulose acetate film with electron beams so that the contact angle of water dropped onto the surface comes to 50° or less; a process of forming the alignment film layer on the treated cellulose acetate film; and a process of forming the optically anisotropic layer comprising a liquid crystal compound on the alignment film layer.例文帳に追加
セルロースアセテートフィルムの表面に電子線を照射して、該表面に滴下した水の接触角が50°以下になるように照射処理する工程と、処理されたセルロースアセテートフィルム上に配向膜層を形成する工程と、配向膜層上に液晶化合物からなる光学異方性層を形成する工程と、を備える。 - 特許庁
The method of manufacturing the laminated body includes: a first process of forming an adhesive layer by applying an aqueous dispersion containing a polyolefin copolymer to at least a part of a surface of a substrate (A); a second process of irradiating microwave onto the adhesive layer; and a third process of pressure-bonding of other substrate (B) on a surface of the adhesive layer.例文帳に追加
基材(A)表面の少なくとも一部にポリオレフィン共重合体を含有する水性分散体を塗布して接着剤層を形成させる第一工程、該接着剤層にマイクロ波を照射する第二工程、及び該接着剤層表面に他の基材(B)を圧着させる第三工程を具備する積層体の製造方法。 - 特許庁
Next, a prescribed film is formed by a dry etching process on the through oxide film 5, after the dry etching process, an oxide film surface removing process removing the surface of the through oxide film 5 is performed, and thereafter, an impurity layer is effectively removed by injecting ions through the through oxide film 5 and the prescribed film downward of the films.例文帳に追加
次に、スルー酸化膜5上にドライエッチング工程によって所定の膜を形成し、ドライエッチング工程の後に、スルー酸化膜5の表面を除去する酸化膜表面除去工程を行い、その後、スルー酸化膜5および所定の膜を通してそれぞれの下方にイオン注入することことで、不純物層を効果的に取り除く。 - 特許庁
This manufacturing method for the electrooptical device includes a forming process for forming a pattern including wires, TFTs, etc., on the TFT array substrate, a process for flattening the top surface of a laminated body on the substrate including the pattern, and a process for forming the projections by processing the flattened top surface by photolithography and etching.例文帳に追加
このような電気光学装置の製造方法は、TFTアレイ基板上に、配線やTFT等を含むパターンを形成する形成工程と、このパターンを含む基板上の積層体の上面を平坦化する工程と、この平坦化された上面に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、凸部を形成する工程とを含む。 - 特許庁
To control degradation of conversion efficiency by suppressing the vexatious complication in a manufacturing process, while forming a character, a symbol and the like on the surface.例文帳に追加
製造工程の煩雑化を抑制しつつ、文字や記号などを表面に形成するとともに、変換効率の劣化を抑制する。 - 特許庁
To prevent deposits such as adhesive grains from being fixed and remaining on the machining surface of an optical part, in a machining process such as grinding, polishing, or the like.例文帳に追加
研削、研磨等の加工工程において、光学部品の加工面に砥粒等の付着物が固着残留するのを防止する。 - 特許庁
The heater for heating the wall surface 11 of the process container 10 is provided as a bottom side heating heater 13 at the bottom side of the container 10.例文帳に追加
処理容器10の壁面11を加熱するヒータは、処理容器10の底面部側に底面加熱ヒータ13として設ける。 - 特許庁
The depth of frosting 19 formed by applying a frosting process to the surface of a bulb 12 of silica glass is made slightly deeper than 4 μm.例文帳に追加
石英ガラスのバルブ12の表面にフロスト加工を施して形成されたフロスト19の深さを4μm超える程度とする。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus that can more uniformly and efficiently process the entire surface of a substrate.例文帳に追加
基板の表面全体に対する加工を更に均一化し、かつ更に効率的に行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁
After that, a coating process for applying top coating on the destaticized under coated surface of the pre-coated steel plate 13 is preformed by the coating apparatus 15.例文帳に追加
その後、塗装装置15により、除電されたプレコート鋼板13の下塗り面に上塗り塗装を施す塗装工程を行う。 - 特許庁
To determine exposure conditions so as to control a film thickness distribution in a wafer surface and variance in size corresponding to etching process change.例文帳に追加
ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する。 - 特許庁
In this process of the ultraviolet irradiation, ultraviolet rays are concentratedly or locally irradiated onto the surface of the left-side end part Gb of the substrate.例文帳に追加
この紫外線照射工程では、紫外線が基板左側端部Gbの表面に集中的または局所的に入射する。 - 特許庁
To prevent the occurrence of residue in a part with no formed resist pattern on a substrate in a positive type surface resolution process.例文帳に追加
ポジ型の表面解像プロセスにおいて、基板上におけるレジストパターンが形成されていない部分に残渣が発生しないようにする。 - 特許庁
A spontaneous oxide film, formed on the surface of the electrode 17A, is removed by a cleaning process using a mixed solution of hydrofluoric acid and water.例文帳に追加
下部電極17Aの表面に形成される自然酸化膜を、フッ酸と水の混合液を用いた洗浄処理により除去する。 - 特許庁
To provide a method for producing a molded article the surface of which is totally or selectively modified in the process of injection molding.例文帳に追加
射出成形加工時に表面を全体的又は選択的に改質された成形品を製造する方法及びを提供する。 - 特許庁
A surface active agent application part 22 and a precoating application part 32 at the downstream side of the application part 22 are set in the pretreatment process part 11.例文帳に追加
この前処理工程部11には、界面活性剤塗布部22及びその下流側にプレコート塗布部32が設けられている。 - 特許庁
The second step is to arrange the hole mask of the metal plate on one side of the illumination surface in the backlight panel in order to perform the sandblast process.例文帳に追加
第2の段階は、サンドブラスト工程を実施するために金属板の穴マスクをバックライト板の一方の照明面上に配置する。 - 特許庁
Thereby, a surface-protecting film 131b having the bonding pad 129a on the opening can be formed without using a photolithography process.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程を用いずにボンディング・パッド129aに開口部を有した表面保護膜131bを形成することが可能となる。 - 特許庁
Following to the boron dope process, the Si substrates are immersed into hydrofluoric aqueous solution and a boron doped layer formed on the side opposite to the boron doped surface is removed.例文帳に追加
ボロンドープ工程後は、Si基板をふっ酸水溶液に浸し、ボロンドープ面と反対面に形成されたボロンドープ層を除去する。 - 特許庁
To provide a developing device, a process cartridge and an image forming apparatus which can yield excellent image quality by preventing surface staining or toner scattering.例文帳に追加
地汚れやトナー飛散を防止し、良好な画質を得ることが可能な現像装置、プロセスカートリッジ、および画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a wafer polishing device in which change in surface temperature of a polishing pad in a wafer polishing process can be reduced.例文帳に追加
ウエハ研磨プロセスにおける研磨パッドの表面温度の変化を小さく抑えることを可能とするウエハ研磨装置を提供する。 - 特許庁
A cleaning member 52 which cleans the reverse surface 35a of the process frame body 35 which faces the conveyance path 50 is fixed to a drum cover 51.例文帳に追加
ドラムカバー51には、プロセス枠体35のうち搬送路50に面した下面35aを清掃するクリーニング部材52が固定されている。 - 特許庁
To provide buttons finely attached with decoration fabrics on the surface side by a simple manufacturing process, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
簡単な製造工程により、表側面にきれいに装飾用生地が取り付けられたボタン類とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method of the wooden material has a clear layer forming process of forming a clear layer on the right surface of the wooden base material.例文帳に追加
本発明の木質材の製造方法は、木質基材の表面側にクリア層を形成するクリア層形成工程を備えている。 - 特許庁
The outer ring body member 411 and the outer ring side raceway surface forming member 412 can be reliably integrated with each other in a simple process.例文帳に追加
簡単な工程で、外輪本体部材411と外輪側軌道面形成部材412を確実に一体化することができる。 - 特許庁
Thus, the modified substrate having a hydrophilic polymer immobilized on the substrate surface, and ensuring high blood compatibility, and the process for producing the same are provided.例文帳に追加
さらに親水性高分子が基材表面に固定化された、血液適合性の高い該改質基材およびその製造方法。 - 特許庁
Thus, in the subsequent charging process, a uniform thin film of an ionic conductive medium is formed on the surface of the charging member 11.例文帳に追加
これによって、その後の帯電処理においてイオン性導電性媒体の均一な薄膜を帯電部材11表面に形成させる。 - 特許庁
To improve the time-varying stability of polishing amount distribution in a wafer surface in a CMP process of a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加
半導体製造方法のCMP工程におけるウェハ面内の研磨量分布の経時的安定性を改善することを目的とする。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|