「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

On a top surface of an epitaxial layer 2, N type impurities are ion-implanted to form N^+ semiconductor layers 5 and 6 as a photodetection portion.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。 - 特許庁

To provide a method to limit mechanically a wrist inclining angle to the robot installation surface for an industrial robot of articulated type having a wrist.例文帳に追加

多関節型の産業用ロボットの手首部の、ロボット設置面に対する傾き角を機構的に制限する方法を提供。 - 特許庁

The transmission type optical element is provided with transparent materials molded into prescribed surface shapes on both surfaces of the transparent substrate.例文帳に追加

本発明の透過型光学素子は、透明基板の両面に所定の表面形状に成形した透明材料を備えている。 - 特許庁

The polysilicon film is etched back until the polysilicon film comes below the main surface of an n-type substrate 100 in the element activation part.例文帳に追加

素子活性部においてポリシリコン膜がｎ型基板１００の主面よりも下になるまで、ポリシリコン膜をエッチバックする。 - 特許庁

To form a perovskite-type PLZT ferroelectric thin film having a uniform surface form and excellent in electrical characteristics.例文帳に追加

表面形態が均一で電気的特性の均質性にも優れたペロブスカイト型ＰＬＺＴ強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

BALLISTIC ELECTRON SURFACE-EMITTING DEVICE EMITTER, FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE AND FIELD EMISSION TYPE BACKLIGHT ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

弾道電子の表面放出装置エミッタ、それを採用した電界放出表示装置及び電界放出型バックライト素子 - 特許庁

Further, energy leakage as in a flat-type gyro can be prevented since the gyro is achieved by using a spherical elastic surface wave element.例文帳に追加

また、球状弾性表面波素子により実現するので、平面型ジャイロのようなエネルギーの漏洩を防ぐことができる。 - 特許庁

On the side of the piston 25, a contactless type position detecting sensor 51 is disposed to face the tapered surface 36a.例文帳に追加

ピストン２５の側方には、被検出面３６ａに臨むようにして非接触型の位置検出センサ５１が配置されている。 - 特許庁

An STI groove 60 is formed on the N-type epitaxial layer 3, and a thermal oxidation film 6 is formed on the concave inner surface of the STI groove 60.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３にはＳＴＩ溝６０が形成され、その凹部内面には熱酸化膜６が形成されている。 - 特許庁

The surface light emission type laser device has a mesa structure 120 composed of a semiconductor lamination film formed into a convex section form.例文帳に追加

面発光型レーザ素子は、断面凸状に形成された半導体積層膜からなるメサ構造体１２０を有している。 - 特許庁

After that, the surface photoelectromotive force on the p-type silicon epitaxial layer 16 is measured in the state that the oxide film is formed.例文帳に追加

その後、この酸化膜が形成された状態で、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６における表面光起電力を測定する。 - 特許庁

Thin-type light-emitting keypad is realized by guiding light through the thin waveguide film and carrying out surface light emission.例文帳に追加

本発明は、薄い導波路フィルムを通じて光を誘導し、面発光させることで発光キーパッドの薄型化を実現する。 - 特許庁

A gas contact combustion type hydrogen sensor 15 is tightened and secured at a mounting seat 16 provided on the inner surface of the roof of a vehicle.例文帳に追加

ガス接触燃焼式の水素センサ１５を、車両のルーフの内面に設けられた取付座１６に締め付け固定した。 - 特許庁

TWO-SURFACE GRASPING TYPE PALLET REPLACING DEVICE FOR STACKED FREIGHT OF CORRUGATED BOARD BOXES, CASES, CONTAINERS, RACKS, ETC., AND OPERATING METHOD USING SUCH DEVICE例文帳に追加

ダンボール箱，ケース，コンテナ，ラック等を積み上げた貨物の２面把持式パレット交換装置並びに該装置を用いる動作方法。 - 特許庁

A trench 6 penetrates through the body region 5 from a surface of the epitaxial layer 3 so that a deepest portion thereof reaches the N^- type region 4.例文帳に追加

トレンチ６は、エピタキシャル層３の表面からボディ領域５を貫通し、その最深部がＮ^−型領域４に達している。 - 特許庁

a type of immune cell that boosts immune responses by showing antigens on its surface to other cells of the immune system. 例文帳に追加

免疫細胞の一種で、細胞表面にある抗原を他の免疫細胞に提示することにより免疫反応を促進する。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

To provide a surface-mounting type surge absorption element with a small mounting area and being manufactured easily, and its method of manufacturing.例文帳に追加

実装面積が小さく、かつ製造も容易である表面実装型サージ吸収素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A toroidal type continuously variable transmission unit 33 is provided on the upper surface of the actuator body 30 utilizing these both struts 43.例文帳に追加

これら両支柱４３を利用して上記アクチュエータボディー３０の上面に、トロイダル型無段変速ユニット３３を設ける。 - 特許庁

A plurality of the modules each of which is thus constituted are connected side by side to form a two-dimensional array type radiation detector, having a large detection surface.例文帳に追加

このモジュールを複数個繋ぎ並べて大きな検出面を有する２次元アレイ型放射線検出器を形成する。 - 特許庁

The exit side lightguide head 7 of the lightguide is formed in an arbitrary shape (spot type) corresponding to the light receiving surface of the light receiving device 8.例文帳に追加

一方、射出側ライトガイドヘッド７は、受光デバイス８の受光面に対応して任意形状（スポットタイプ）に形成されている。 - 特許庁

In the transmission type transparent screen, light-diffusion fine particles are two-dimensionally disposed at least on one surface of a light transmission support.例文帳に追加

光透過性支持体の少なくとも一方の面に、光拡散微粒子が２次元配置された透視可能な透過型スクリーン。 - 特許庁

To provide a surface mount type crystal vibrator with stable mount performance by preventing rolling of the crystal vibrator when the vibrator is mounted on a substrate.例文帳に追加

基板実装時の転がりを防止し、安定した実装性を有する表面実装型水晶振動子を提供する - 特許庁

A GRIN lens 22 is connected to one end surface of a rod type glass substrate 21 to disperse the optical path of coherent input light.例文帳に追加

ＧＲＩＮレンズ２２を棒状ガラス基板２１の一方の端面に接続し、コヒーレントな入力光の光路を分散させる。 - 特許庁

To solve the problem wherein, when sludge or slime is piled on a bellofram surface of a throw-in type water gage, level measurement by the water gage is difficult.例文帳に追加

投込み式水位計のベロフラム面に堆積したヘドロや、汚泥があった場合、水位計のレベル計測が困難になる - 特許庁

The globe is also provided with a tape type ruler corresponding to the reduction scale of the globe so that the distance on the surface of the globe can be measured.例文帳に追加

更に、地球儀表面上の距離が測れるよう地球儀の縮尺に合わせたテープ状物指が備えられる。 - 特許庁

In a first light-emitting diode chip 2, an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer 6 are laminated, and one part of the p-type semiconductor layer 6 is removed in a part of surface of the chip 2 opposed to a mounting substrate 9 to form an electrode.例文帳に追加

第１の発光ダイオードチップ２は、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層６が積層されており、実装基板９との対向面の一部においてはｐ型半導体層６の一方が除去されて電極が形成されている。 - 特許庁

Then, while using the second photo resist 5 as a mask, phosphor (P+) ions are implanted into the surface of the semiconductor substrate 1 wherein the P-type impurity area 4 is removed, so as to form an N-type impurity area 6 adjacent to the P-type impurity area 4.例文帳に追加

そして、第２のホトレジスト５をマスクとして、Ｐ型の不純物領域４が除去された半導体基板１の表面に、リン（Ｐ＋）をイオン注入して、Ｐ型の不純物領域４に隣接したＮ型の不純物領域６を形成する。 - 特許庁

While using the fourth photo resist 26 as a mask, phosphor (P+) ions are implanted into the surface of the epitaxial layer 21 wherein the P-type impurity area 25 is removed, so as to form an N-type impurity area 28 adjacent to the P-type impurity area 25.例文帳に追加

第４のホトレジスト２６をマスクとして、Ｐ型の不純物領域２５が除去されたエピタキシャル層２１の表面にリン（Ｐ＋）をイオン注入して、Ｐ型の不純物領域２５に隣接したＮ型の不純物領域２８を形成する。 - 特許庁

To avoid an excessive load exerted on a chip type electronic component between connection lands of a circuit board and to support the chip type electronic component at a position nearby a top surface of the circuit board in a state wherein terminal electrodes of the chip type electronic component are arranged sideways.例文帳に追加

回路基板の接続ランド間でチップ形電子部品が過大な負荷を受けるのを回避し、かつ、チップ形電子部品の端子電極を横向きに配置したまま回路基板の表面に近い位置でチップ形電子部品を支持する。 - 特許庁

In the method of manufacturing fertilizer, the water-repellency of the powder type extinguishing agent waste is removed, thereby, characteristics as powder type extinguishing agent such as scattering property, floating property on water surface and hydrophobicity of the powder type extinguishing agent waste itself are eliminated and the hydrophilicity as a fertilizer is imparted.例文帳に追加

粉末消火薬剤廃棄物の撥水性を除去することで、それ自体の飛散性、水面浮遊性、疎水性等の粉末消火剤としての特性をなくし、肥料としての親水性を付与する肥料の製造法である。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a first conductive region (for example, an N-type well region 2) and a first second-conductive type region (for example, a P-type semiconductor substrate 1) disposed so as to cover the bottom surface of the first conductive region.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型領域（例えばＮ型ウェル領域２）と、第１導電型領域の下面を覆うように配置された第１の第２導電型領域（例えばＰ型の半導体基板１）と、を有している。 - 特許庁

A dry type joint filler M1 is projected before the front surface of a tile T in a joint treatment method in which the dry type joint sealer M1 is placed between tiles T and T to be fixed to a wall face by using a long-sized dry type joint sealer M1.例文帳に追加

長尺状をなす乾式目地材Ｍ１を用い、壁面に取り付けるタイルＴ、Ｔの間に乾式目地材Ｍ１を配設する目地処理方法において、乾式目地材Ｍ１がタイルＴの表面よりも手前側に突出するようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of the nonlinear voltage type resistor has a step for obtaining each compact by using a raw material of each nonlinear voltage type resistor body and has a step for applying the raw material of a first insulation layer to the side surface of each compact and baking it, to form the first insulation layer on each nonlinear voltage type resistor body.例文帳に追加

電圧非直線性抵抗体本体の素材を用いて成形体を得、上記成形体の側面に第１の絶縁層の素材を塗布して焼成し、電圧非直線性抵抗体本体に第１の絶縁層を形成する。 - 特許庁

A peak position of impurity density of the N-type impurity layer is at a depth of equal to or less than 100 nm from the surface of the P-type silicon substrate 1, and a film thickness of the P-type impurity layer 4 is larger than 0 nm and equal to or less than 20 nm.例文帳に追加

Ｎ型不純物層の不純物濃度のピーク位置が、Ｐ型シリコン基板１の表面からの深さが１００ｎｍ以下の位置に存在しており、Ｐ型不純物層４の膜厚は、０ｎｍよりも大きく且つ２０ｎｍ以下である。 - 特許庁

In the figure, 505 is an N type cathode of photo diode, 506 is a surface P type area to make the photo diode a buried structure, and a 508a is an N type high concentration area which forms a floating diffusion and is a drain area of a transfer MOS transistor, too.例文帳に追加

５０５はフォトダイオードのＮ型カソード、５０６はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面Ｐ型領域、５０８ａはフローティングディフュージョンを形成し転送ＭＯＳトランジスタのドレイン領域ともなっているＮ型高濃度領域である。 - 特許庁

The n^+ region 107 is so formed on the main surface 12 as to face the n type source region 103, with the p type base region 105 in between, to adjoin the p type base region 105, having an impurity concentration higher than the n^- region 101.例文帳に追加

ｎ^+領域１０７は、ｐ型ベース領域１０５と隣接するように、ｐ型ベース領域１０５を挟んでｎ型ソース領域１０３と向かい合うように主表面１２に形成され、ｎ^-領域１０１よりも高い不純物濃度を有する。 - 特許庁

Contact trenches Tc are formed between gate trenches Tg in such a way that the side walls of the contact trenches Tc may be made into whole surface of an n^+-type source region 5 and an n^++-type source region 5a, and also the cutting plane in the plane direction of an n^+-type silicon substrate 2 may be made into a lozenge shape.例文帳に追加

コンタクトトレンチＴｃを、その側壁が全面ｎ^+型ソース領域５とｎ^++型ソース領域５ａになるようにするとともに、ｎ^+型シリコン基板２平面方向の切断面がひし形になるようにして、ゲートトレンチＴｇ間に形成する。 - 特許庁

At the time of removing the secondn-type clad layer 23 located in the side of the n-type GaAs buffer layer 22, since an Al crystal mixing ratio of the secondn-type clad layer 23 is set to 0.500 (x = 0.500), whitening does not occur and mirror surface etching can be realized.例文帳に追加

こうして、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２側に位置する第２ｎ型クラッド層２３をＨＦでエッチング除去する際に、第２ｎ型クラッド層２３のＡl混晶比はｘ＝０.５００であるため白濁が起こらず、鏡面エッチングが可能である。 - 特許庁

A transparent part is formed on one surface of the information terminal so as to make the transparent part extend in at least one portion of a connection part with the card type device in the card type device housing part, thereby allowing a user to confirm the connection state of the card type device.例文帳に追加

情報端末の一面に透視部を形成し、この透視部をカード型機器収納部におけるカード型機器との接続部の少なくとも一部に延在させるようにしてカード型機器の接続状況を確認できるようにした。 - 特許庁

The photocatalyst film sheet is prepared by laminating a primer layer 14 on the surface of a substrate 12 by a chamber photogravure type applicator 38, laminating a protection layer 16 by a reverse type applicator 34 and laminating a photocatalyst layer 18 by the chamber photogravure type applicator 38.例文帳に追加

基材１２の表面にチャンバーグラビア式塗工装置３８によってプライマー層１４を積層し、リバース式塗工装置３４によって保護層１６を積層し、チャンバーグラビア式塗工装置３８によって光触媒層１８を積層する。 - 特許庁

The hologram forming layer 42 may be any of a phase type diffraction optical element having a rugged structure 43 on the surface, a phase type diffraction optical element having an index distribution within a layer, and an amplitude type diffraction optical element having an index distribution in the layer.例文帳に追加

ホログラム形成層４２が、表面に凹凸構造４３を持った位相型回折光学素子、層内部の屈折率分布を持った位相型回折光学素子、層の透過率の分布を持った振幅型回折光学素子の何れでもよい。 - 特許庁

In addition, an opposite type conductivity impurity layer 9a to which impurity ions of opposite type of conductivity in comparison with the conductivity type of ions introduced to polysilicon 9b on the surface side of the trench 5 is introduced, is provided on the bottom side of the trench 5 of the polysilicon forming the gate electrode 9.例文帳に追加

ゲート電極９を形成するポリシリコンのトレンチ５底部側に、トレンチ５表面側のポリシリコン９ｂに導入された不純物イオンとは反対導電型の不純物イオンが導入された逆不純物層９ａを備えている。 - 特許庁

A negative electrode material 4 and a positive electrode material 3 having electrode activating materials 6 and 11, and gel type electrolytes 7 and 12 applied to strip type current collectors 5 and 10 are wound around a film type core material 2 as a core in such a state as overlaid on the external surface of the core material 2.例文帳に追加

帯状集電体５，１０に極活物質６，１１とゲル状電解質７，１２を塗布してなる負極材４と正極材３とを、フィルム状のコア材２を巻芯としてその外周部に重ね合わせ状態で巻回してなる。 - 特許庁

Each of solar cell elements 2 is provided with a bar-like support bar 3, wherein a reflecting electrode 5, a P-type semiconductor layer 7, an I-type semiconductor layer 9, an N-type semiconductor layer 11 and a transparent electrode 13 are stacked sequentially on the external circumferential surface of the support bar 3.例文帳に追加

太陽電池素子２は、棒状の支持棒３を備え、支持棒３の外周面に、反射電極５、Ｐ型半導体層７、Ｉ型半導体層９、Ｎ型半導体層１１及び透明電極１３が順に積層されている。 - 特許庁

Projected type rectangular fitting blocks capable of being fitted to the upper surface and the bottom of the foam synthetic resin form are arranged zigzag to mold, and a projected type connecting section and a recessed type connecting section capable of being fitted to each other are molded at the left end and the right end.例文帳に追加

発泡合成樹脂型枠の上面及び底面に互いに嵌合可能な凸型長方体の嵌合ブロックを千鳥状に配列成型し、左端及び右端に互いに嵌合可能な凸型連結部と凹型連結部を成型する。 - 特許庁