「tA B」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

The control signals tA, tB, tC and tD successively rise at each half clock of an external clock CLK.例文帳に追加

制御信号ｔ_A、ｔ_B、ｔ_C及びｔ_Dが外部クロックＣＬＫの半クロック毎に順次立ち上がる。 - 特許庁

If the exposing time has reached ta, an image sensor 27 is moved to a position B (S15).例文帳に追加

露光時間がｔａに達したときには、イメージセンサ２７を位置Ｂに移動させる（Ｓ１５）。 - 特許庁

When it becomes Tb>Ta, the neutral position candidates A, B are replaced at S23 and learning of the output of the neutral position sensor is carried out based on the neutral position candidate which becomes A after the replacement.例文帳に追加

これによりTb>Taになると、S23が中立位置候補A,Bの入れ替えを行い、入れ替え後にAとなった中立位置候補に基づき中立位置センサ出力の学習を行う。 - 特許庁

The holding pieces 21A-21D are formed with different thickness TA, TB, TC and TD between the rolling elements 13 so as to satisfy the inequalities TA>TB>TC>TD.例文帳に追加

保持ピース２１Ａ〜２１Ｄは転動体１３間の厚さＴ_A，Ｔ_B，Ｔ_C，Ｔ_DをＴ_A＞Ｔ_B＞Ｔ_C＞Ｔ_Dのようにそれぞれ異ならせて形成されている。 - 特許庁

On the other hand, in the case that the setup signal includes the special number for the incoming number, the ISDN exchange 1 sets a B channel between itself and the TA 3 and transmits by means of loopback the signal received through the set B-channel as it is through the B channel.例文帳に追加

一方、ISDN交換機は、呼設定に着番号として特殊番号が含まれている場合には、自身とTA３との間にBチャネルを設定し、設定したBチャネルで受け取った信号を、そのまま、そのBチャネルに折り返して送信する。 - 特許庁

Then each TA 10 sets up a new link according to the MRRU and ED having been stored uniquely to another B channel.例文帳に追加

そして、各TA１０は、独自に、保存しておいたMRRUとEDに従った新しいリンクをもう一つのBチャネル上に確立する。 - 特許庁

In one embodiment, the chemical formula of the lead based crystal is Pb(B'B")O3-PbTiO3, wherein B' is Mg2+, Zn2+, Ni2+ or Sc3+, and B" is Nb5+, Ta5+ or W6+.例文帳に追加

一実施態様では、鉛ベースの結晶の化学式が、Pb（Ｂ’Ｂ”）O_3−PbTiO_3であり、ここでＢ’が、Mg^2+、Zn^2+、Ni^2+又はSc^3+であり、Ｂ”が、Nb^5+、Ta^5+又はＷ^6+である。 - 特許庁

The microcapsule in which a mixture of a compound A to be released deliberately with another compound B having a phase transition point at its melting point Tb°C is involved, is given the heat history in the temperature range including the melting point (Ta+b°C) of the core material consisting of the mixture of the compound A with the compound B.例文帳に追加

放出を意図する化合物Ａと融点Tb℃で相変化する化合物Ｂの混合物が内包されたマイクロカプセルにおいて、化合物Ａと化合物Ｂの混合物からなる芯物質の融点Ta+b℃を挟む温度範囲で熱履歴を与える。 - 特許庁

The lead free piezoelectric ceramic is composed of a polycrystalline substance 1 containing an alkali-niobium based compound represented by a composition formula ABO_3 (A is Li+Na+K, B is Nb, Nb+Ta, Nb+Sb, Nb+Ta or Nb+Ta+Sb and O is oxygen) as a main phase.例文帳に追加

組成式ＡＢＯ_3（Ａは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋであり、Ｂは、Ｎｂ、Ｎｂ＋Ｔａ、Ｎｂ＋Ｓｂ、Ｎｂ＋Ｔａ、又はＮｂ＋Ｔａ＋Ｓｂ、Ｏは酸素）で表されるアルカリニオブ系化合物を主相とする多結晶体１よりなる鉛フリー圧電セラミックスである。 - 特許庁

The Facility has the following modalities: (a) interest payment assistance and technical assistance (TA) grants, and (b) guarantees. The Government of Japan will contribute 7.5 billion yen in cash for interest payment and TA grants, and 360 billion yen in Government notes for guarantees in FY 1998. 例文帳に追加

本資金は、利子補給及び技術援助、保証の供与に使用されるものであり、我が国は、利子補給及び技術援助分として75億円、保証分として3,600億円（拠出国債）を年度内に拠出する予定です。 - 財務省

When predetermined time B passes after full closing of the throttle opening TA (t3), the opening of the EGR valve is opened to an opening corresponding to the number of steps at the time of deceleration (F).例文帳に追加

スロットル開度TAの全閉から所定時間Ｂが経過した時点t3で、EGR弁の開度が減速時ステップ数に応じた開度まで開弁される（図３（Ｆ））。 - 特許庁

When the device judges that the target angle TA does not change at a time t2, the device judges whether or not a target error EA that an actual steering angle RA is deducted from the target angle TA is smaller than a predetermined range B.例文帳に追加

時刻ｔ２にて目標角ＴＡが変化していないと判断したとき、目標角ＴＡから実操向角ＲＡを差し引いた値である目標誤差ＥＡが所定範囲Ｂよりも小さいか否かを判断する。 - 特許庁

This Ta target for film-forming a barrier material is the one in which the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% are sintered.例文帳に追加

本発明は、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ__2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結してなるバリア材成膜用Ｔａ系ターゲットである。 - 特許庁

The pulse waves a, b are input in f-v conversion circuit a5, b6 and converted to voltages Va, Vb proportional to respective pulse widths ta, tb.例文帳に追加

このパルス波ａ、ｂをｆ−ｖ変換回路ａ５、ｂ６に入力しそれぞれのパルス幅ｔａ、ｔｂに比例する電圧Ｖａ、Ｖｂに変換する。 - 特許庁

A pixel P2 in which the columnar spacer SOC is arranged has a transparent area TA and a columnar spacer base SOC-B.例文帳に追加

柱状スペーサＳＯＣが設置された画素Ｐ２には透過領域ＴＡと柱状スペーサの台座ＳＯＣ−Ｂを有している。 - 特許庁

The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加

金属イオンは、Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁

The target material may contain 0<B≤25 at.% and 0<(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Ta+Mo+W+Mn+Re+Ru+Os+Rh+Ir+Ni+Pd+Cu+Ag+Au+C)≤40 at.%.例文帳に追加

さらに０＜Ｂ≦２５ａｔ％、０＜（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｍｎ＋Ｒｅ＋Ｒｕ＋Ｏｓ＋Ｒｈ＋Ｉｒ＋Ｎｉ＋Ｐｄ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｃ）≦４０ａｔ％含むことも可能である。 - 特許庁

The terminal TA of a member A, the terminal TB of a shop B and a sampling managing device C are connected through a network N.例文帳に追加

ネットワークＮを介して会員Ａの端末ＴＡ、店舗Ｂの端末ＴＢ及びサンプリング管理装置Ｃを接続する。 - 特許庁

If the communication time T is longer than the threshold value Ta, the mobile machine 10 switches the communication system used for the transceiving of the data to the system B.例文帳に追加

そして、通信時間Ｔが閾値Ｔａよりも大きい場合に、移動機１０がデータの送受信に用いている通信方式を方式Ｂに切り替える。 - 特許庁

TA means the chain transfer constant of the chain transfer agent A, and TB means the chain transfer constant of the chain transfer agent B.例文帳に追加

２≦ＴＡ／ＴＢ≦５００ ＴＡ：連鎖移動剤Ａの連鎖移動定数 ＴＢ：連鎖移動剤Ｂの連鎖移動定数 - 特許庁

Further, the FeCo soft magnetic target material is obtained by incorporating ≤30at% of one or more selected from among B, Nb, Zr, Ta, Hf, Ti and V into the above.例文帳に追加

さらに、上記にＢ，Ｎｂ、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｖのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下含有させてなるＦｅＣｏ軟磁性ターゲット材。 - 特許庁

If required, the steel furthermore contains Mo, W, Se, Pb, Bi, B, Ca, Mg, rare earth metals, Nb, V, Ti, Zr, Hf and Ta.例文帳に追加

必要に応じて、その他、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、ＲＥＭ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａを含有することができる。 - 特許庁

The voltage of the 5V power source starts dropping from time (tb) later than the time (ta) and becomes 0V at the time (tc) as shown by the characteristic (B).例文帳に追加

５Ｖ電源は、時刻ｔａよりも遅れて時刻ｔｂから電圧の低下が開始して、特性（Ｂ）のように時刻ｔｃで０Ｖとなる。 - 特許庁

The sum Lh of the axial lengths of the barrel 17 and the screwless part 6 is set the same as the sum of the thickness Ta+Tb of a workpiece A and die steel B.例文帳に追加

胴部１７とねじ無し部６との軸方向長さの和ＬｈをワークＡと型鋼Ｂとの厚みの和Ｔａ＋Ｔｂと同じにする。 - 特許庁

The element M is at least one kind selected from a group comprising Al, Mn, Mg, B, Zr, W, Nb, Ta, In, Mo and Sn.例文帳に追加

元素Ｍは、Ａｌ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｉｎ、ＭｏおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種である。 - 特許庁

The casting is performed within the re-pouring time Ta (min) shown in the following expression according to the reheating time Tb (hr), Ta (min)≤A-B×Tb (hr), wherein A is a coefficient determined by the thickness of a new immersed nozzle, and B is a coefficient determined by the method for reheating before the reuse and the material of the immersed nozzle.例文帳に追加

新品の浸漬ノズルの肉厚によって決まる係数をＡ、再使用前の再昇熱方法および浸漬ノズル材質によって決まる係数をＢとした場合、再昇熱時間Ｔｂ（hr）に応じた、下記式に示す再鋳込み時間Ｔａ（min）以内で鋳造する。 - 特許庁

When the smiling face icon 42 is clicked, an enlarged image 44 in which the smiling faces are enlarged is displayed in a thumbnail display area TA (Fig.6(b)) and when the face icon 41 is clicked, an enlarged image 45 in which the non-smiling faces are enlarged is displayed in the thumbnail display area TA (Fig.6(c)).例文帳に追加

笑顔アイコン４２をクリックすると、笑顔が拡大された拡大画像４４がサムネイル表示エリアＴＡに表示され（図６（ｂ））、顔アイコン４１をクリックすると、笑顔でない顔が拡大された拡大画像４５がサムネイル表示エリアＴＡに表示される（図６（ｃ））。 - 特許庁

Under the condition that the actual operating period T does not exceed the caution period Ta, a caution message is displayed when a change in the actual operating period T suddenly occurs (A), when the actual operating period continuously exceeds a third threshold Tc and also does not exceed the caution threshold Ta (B) or when the amplitude is large (C).例文帳に追加

実動作時間Ｔが注意時間Ｔａを超えていない場合には、さらに、実動作時間Ｔの変化が急激変化している場合（Ａ）や、連続して第３閾値Ｔｃを超えかつ注意閾値Ｔａを超えていない場合（Ｂ）や、振幅が大きい場合（Ｃ）には、注意メッセージを表示する。 - 特許庁

The drawing waiting time adjusting part 52 shortens the drawing waiting time Ta of a drawing waiting timer 4 to finely adjust the same so that the completion point of time of the drawing waiting time Ta does not become shorter than the detection point B of time of a set pressure value P1.例文帳に追加

引抜き待ち時間調整部５２は、引抜き待ちタイマ４の引抜き待ち時間Ｔａを短縮し、引抜き待ち時間Ｔａの終了時点が設定圧力値Ｐ１の検出時点Ｂよりも短くならないように引抜き待ち時間Ｔａを微調整する。 - 特許庁

When lift change in a direction to reduce the lift quantity VL of the intake valve is required, a throttle opening TA is controlled to be increased by predetermined quantity ΔTA over predetermined time Δt simultaneously with start of change in lift quantity VL (Figure 4 (B)).例文帳に追加

吸気弁のリフト量VLを小さくする方向のリフト変更要求が出された場合に、リフト量VLの変更の開始と同時に、スロットル開度TAが所定時間Δtに渡って所定量ΔTAだけ大きくなるように制御される（図４（Ｂ））。 - 特許庁

Mixed powder 11 of Mg and B is filled in an Nb pipe or an Nb-Ta alloy pipe 12 not forming a solid solution (not reacting) with Mg and reacting with B only in high temperature, and a Cu pipe 14 is covered on an outer circumference of the Nb pipe or Nb-Ta alloy pipe 12 for improving drawability.例文帳に追加

ＭｇとＢの混合粉末１１を、Ｍｇと固溶せず（反応せず）、かつＢとは高温でしか反応しないＮｂパイプまたはＮｂ−Ｔａ合金パイプ１２内に充填し、加えて伸線加工性を向上させるためＮｂパイプまたはＮｂ−Ｔａ合金パイプ１２の外周にＣｕパイプ１４を被覆した構造とする。 - 特許庁

The piezoelectric material comprises a perovskite type oxide expressed by general formula ABO_3; wherein, A includes sodium (Na), potassium (K) and lithium (Li) and B includes niobium (Nb), tantalum (Ta) and antimony (Sb).例文帳に追加

圧電材料として、一般式ＡＢＯ_3で示されるペロブスカイト型酸化物を含み、Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、およびリチウム（Ｌｉ）を含み、Ｂは、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ），およびアンチモン（Ｓｂ）を含む。 - 特許庁

The piezoelectric material contains a perovskite type oxide expressed by a general formula ABO_3 [wherein, A contains sodium (Na), potassium (K) and lithium (Li), and B contains niobium (Nb), tantalum (Ta) and antimony (Sb)].例文帳に追加

本発明に係る圧電材料は，一般式ＡＢＯ_３で示されるペロブスカイト型酸化物を含み、Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、およびリチウム（Ｌｉ）を含み、Ｂは、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ），およびアンチモン（Ｓｂ）を含む。 - 特許庁

It is preferable that the element is at least one selected from the group consisting of silicon (Si), chromium (Cr), titanium (Ti), vanadium (V), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), zirconium (Zr), boron (B) and calcium (Ca).例文帳に追加

この元素は、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ホウ素（Ｂ）およびカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。 - 特許庁

In pasta cooking, the magnetron repeats ON-OFF at the period TA in the first stage and at a period TB in the second stage as shown in (B).例文帳に追加

パスタ調理では、（Ｂ）に示すように、マグネトロンは、第１ステージでは周期ＴＡで、第２ステージでは周期ＴＢで、ＯＮ−ＯＦＦを繰返している。 - 特許庁

Also, the control signal tx rises at the same timing as the control signals tA and tC and the control signal ty rises at the same timing as the control signals tB and tD.例文帳に追加

また、制御信号ｔ_xは制御信号ｔ_A及びｔ_Cと同じタイミングで立ち上がり、制御信号ｔ_yは制御信号ｔ_B及びｔ_Dと同じタイミングで立ち上がる。 - 特許庁

The ferroelectric thin film-forming coating comprises (A) a heteropolyacid and (B) an organometallic compound having at least one selected from Ta, Bi, Sr, Nb, Pb, Zr and Ti as a element.例文帳に追加

（Ａ）ヘテロポリ酸と、（Ｂ） Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉから選ばれる少なくとも１つを構成元素として有する有機金属化合物とを含有することを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。 - 特許庁

An average thickness Tb of a part corresponding to the area B of the electrolyte sheet 1 is smaller than an average thickness Ta of a part corresponding to the area A of the electrolyte sheet 1.例文帳に追加

電解質シート１の領域Ｂに相当する部分の平均厚さＴｂは、電解質シート１の領域Ａに相当する部分の平均厚さＴａよりも小さい。 - 特許庁

The matrix-forming metal alloy is an alloy selected from the group consisting of W, Co, Cr, Fe, Ni, Mo, Al, Si, Cu, Y, Ag, P, Zr, Hf, B, Ta, V, Nb, and alloys thereof.例文帳に追加

マトリックス形成合金はW、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂから成るグループから選ばれる合金およびその合金類である。 - 特許庁

The alloy in the bonding layer can comprise at least one selected from the group consisting Ta, W, Si, Pt, Mn and B in the range of 0 to 20 wt.%.例文帳に追加

結合層の合金中にはＴａ，Ｗ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｍｎ及びＢからなるグループから選ばれた少なくとも１種を０〜２０重量％の範囲内で含有することができる。 - 特許庁

The alloy in the bonding layer can comprise at least one kind selected from the group consisting of Ta, Cs, W, Si, Pt, Mn and B in the range of 0 to 20 wt.%.例文帳に追加

結合層の合金中にはＴａ，Ｃｓ，Ｗ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｍｎ及びＢからなるグループから選ばれた少なくとも１種を０〜２０重量％の範囲内で含有することができる。 - 特許庁

Then, after driving the drive system refrigerant for the prescribed time, when any of the temperatures Tw, Tm, Ta, Tb has become a prescribed value B or less lower than the prescribed value A, scavenging is carried out.例文帳に追加

そして、駆動系冷媒を所定時間駆動させた後、温度Ｔｗ，Ｔｍ，Ｔａ，Ｔｂのいずれかが所定値Ａよりも低い所定値Ｂ以下になった場合、掃気を実施する。 - 特許庁

The detected clutch speed is compared with specified target speed a/Ta, b/Tb, c/Tc, etc., to perform the feedback control of the clutch every stroke width.例文帳に追加

そしてこれにより検出されたクラッチ速度を所定の目標速度ａ／Ｔａ，ｂ／Ｔｂ，ｃ／Ｔｃ…と比較してクラッチを上記ストローク幅毎にフィードバック制御する。 - 特許庁