「thermal flash」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After a flash memory gate electrode 11 is formed, a thermal oxide film 12 is formed by thermal oxidation for protecting the gate electrode and stabilizing its characteristics.例文帳に追加

そしてフラッシュメモリーのゲート電極１１を形成した後、ゲート電極の保護と特性安定化のための酸化膜１２を熱酸化形成する。 - 特許庁

To provide method of measuring a thermal constant using a laser flash method capable of measuring accurately the thermal constant of a diathermic material.例文帳に追加

透熱性材料の熱定数を精度良く測定することが可能なレーザフラッシュ法を用いた熱定数の測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment apparatus and a thermal treatment method, capable of preventing emission of a flash lamp at inappropriate intensity.例文帳に追加

不適切な強度にてフラッシュランプが発光するのを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。 - 特許庁

In the thermal treatment apparatus 1, a flash lamp FL is disposed above a chamber 6 and a halogen lamp HL is disposed below the chamber 6.例文帳に追加

熱処理装置１は、チャンバー６の上側にフラッシュランプＦＬを配置し、下側にハロゲンランプＨＬを配置している。 - 特許庁

To provide a thermal treatment apparatus can prevent discoloration of a holding plate during flash light irradiation.例文帳に追加

フラッシュ光照射時における保持プレートの変色を防止することができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide thermal treatment equipment that can be adjusted easily in the intensity of irradiation even if the equipment uses a flash lamp.例文帳に追加

フラッシュランプを使用した熱処理装置であっても容易に照射強度を調節することができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compact flash drier of high drying performance and preventing thermal deterioration of the material.例文帳に追加

コンパクトで乾燥能力が高く、かつ原料の熱劣化が生じにくい気流乾燥機を提供することである。 - 特許庁

In measurement by a JIS standard laser flash method, a refractory (a fire-proof tile) formed of a material of thermal conductivity of 20 kcal/ mh°C or higher is used.例文帳に追加

ＪＩＳ規格のレーザフラッシュ法の測定で、熱伝導率が２０ｋｃａｌ／ｍｈ°Ｃ以上の材質からなる耐火物（耐火タイル）を使用する。 - 特許庁

The coiled parts 201, 202 become capable of preventing occurrence of the stress due to the difference of thermal expansion of the mounted part owing to flash of the filament 13.例文帳に追加

コイル状部２０１，２０２はフィラメント１３の点滅による被取付部に熱膨張の差による応力の発生を防止可能となる。 - 特許庁

To obtain a thermoplastic resin composition having excellent thermal conductivity, slight warpage and flash of a molded product, i.e., excellent molding processability.例文帳に追加

熱伝導性に優れるとともに、成形品のそり及びバリが少ない、即ち成形加工性に優れた熱可塑性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a tissue paper for an original paper for a thermal stencil printing plate used for a porous substrate of the original paper for the thermal stencil printing plate made by thermal perforation printing plate processing by a flash irradiation of a Xenon lamp or the like, an infrared rays irradiation from a laser oscillation element or a thermal head.例文帳に追加

キセノンランプ等の閃光照射、レーザー発振素子からの赤外線照射、またはサーマルヘッドによって加熱穿孔製版される感熱孔版原紙の多孔性支持体として用いられる感熱孔版原紙用薄葉紙を提供する。 - 特許庁

The thermal treatment equipment heats a semiconductor wafer W held by a thermal diffusion plate 73 and a heating plate 74 with flashlight by projecting the flashlight upon the wafer W from a light source 5 provided with a plurality of flash lamps 69.例文帳に追加

複数のフラッシュランプ６９を備える光源５から閃光を照射することによって、熱拡散板７３および加熱プレート７４に保持された半導体ウェハーＷに対するフラッシュ加熱を行う。 - 特許庁

To provide a laser light irradiation amount adjusting mechanism onto a measuring sample, and a thermal constant measuring device equipped with the mechanism, when measuring the thermal diffusivity by using a laser flash method.例文帳に追加

レーザフラッシュ法による熱拡散率測定を実施する際における、測定試料へのレーザ光照射量調節機構及びこの機構を備えた熱定数測定装置の提供。 - 特許庁

In this way, stable and significant suppression of the occurrence of slip dislocation or the breakage of the wafer or the like caused by the thermal stress in low thermal budget heat treatment, for example, such as flash lamp annealing and laser spike annealing.例文帳に追加

このようにして、例えば、フラッシュランプアニール、レーザスパイクアニール等の低サーマルバジェットの熱処理において、その熱応力起因のスリップ転位発生あるいはウェーハ割れ等は安定して大幅に抑制される。 - 特許庁

To provide a thermal caulking structure and a method for thermally caulking the same capable of preventing separation of excess resin (weld flash) leaked to the outside of a weld chip from a caulking part without having influence on strength of the weld chip in thermal caulking.例文帳に追加

熱カシメ留めにおいて、溶着チップの強度に影響せず、かつ、溶着チップの外部に漏れ出した余剰樹脂（バリ）がカシメ留め部から離脱しない熱カシメ留め構造及びそのカシメ留め方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment equipment which is capable of preventing ions from diffusing by heating a substrate, up to a processing temperature in a short time and making the substrate undergo a thermal treatment stably, even if a flash radiated from a flash heating means changes in light quantity.例文帳に追加

基板を短時間に処理温度まで昇温させることによりイオンの拡散を防止することができ、また、フラッシュ加熱手段から出射される閃光の光量に変化が生じた場合においても基板を安定して熱処理することが可能な熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁

When a roll paper 13 is set on the thermal printer 10 and the power is turned on, with the rotation of the roll paper 13, the bar code 15 of a winding core 14 is read by a bar code sensor 17, the manufacturing date of the thermal recording paper 12 is stored in a flash memory 21.例文帳に追加

ロール紙１３を感熱プリンタ１０にセットして電源を投入すると、ロール紙１３の回転に伴い、巻芯１４のバーコード１５がバーコードセンサ１７によって読み取られ、感熱記録紙１２の製造年月日がフラッシュメモリ２１に記憶される。 - 特許庁

To provide an unsaturated polyester resin composition which has a low odor and a high flash point and yields a coating film excellent in drying property, abradability, moisture resistance, thermal cycle resistance and adhesion to a substrate.例文帳に追加

低臭気性で高引火点を有し、かつ塗膜の乾燥性、研磨性、耐湿性、ヒートサイクル性及び基材との付着性にすぐれた不飽和ポリエステル樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

According to the programming method of the NAND flash memory device of the invention, a selection transistor is programmed by a thermal electron injection system, and a selected memory cell is programmed by using F-N tunneling.例文帳に追加

本発明のＮＡＮＤフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択トランジスタを熱電子注入方式でプログラムし、選択されたメモリセルをＦ−Ｎトンネルリングを用いてプログラムする。 - 特許庁

In the boron nitride sintered compact, bulk density calculated from mass and external diameter is 0.7 to 0.9 g/cm^3, and thermal conductivity measured by a laser flash method in JIS R 1611 is ≤20 W/m K.例文帳に追加

質量と外寸より算出された嵩密度が０．７〜０．９ｇ／ｃｍ^３、ＪＩＳ Ｒ １６１１のレーザーフラッシュ法により測定された熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である窒化ホウ素焼結体。 - 特許庁

To overcome a problem that the periphery of an element region becomes concave by repetition of thermal oxidation and etching processes in an integrated circuit device which includes flash memories and corresponds to multiple supply voltages.例文帳に追加

フラッシュメモリを含み、多電源電圧に対応した集積回路装置において、素子領域周辺が熱酸化処理工程とエッチング工程を繰り返すことによりくぼんでしまう問題を解決する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of flash regardless of the thermal strain of a mold in a manufacturing method of a molded product using the mold wherein the mold is heated at the production of the molded product.例文帳に追加

成形金型を用い、成形品の製造時に該金型が加熱される成形品の製造において、成形金型の熱ひずみにも関わらず、バリの発生を抑制し得る技術を提供する。 - 特許庁

The master and a manuscript 6 are superposed, the xenon lamp emits flash from a master side at an adjusted drive voltage, an manuscript image generates heat and thermal plate making of the master is carried out.例文帳に追加

マスターと原稿６が重ねられ、調整された駆動電圧でマスター側からキセノンランプが閃光を発し、原稿画像が発熱してマスターが感熱製版される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a fluorescent character display tube that can restrain thermal deformation of a frame caused by a getter flash without complicating the manufacturing processes.例文帳に追加

ゲッタ・フラッシュに起因するフレームの熱変形を、製造工程を複雑にすることなく抑制し得る蛍光表示管の製造方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum nitride sintered compact has thermal conductivity measured by the laser flash method of >190 W/mK, fracture toughness by the IF method of >3.0 MPa.m1/2, and 3-point bending strength of ≥450 MPa.例文帳に追加

レーザーフラッシュ法による熱伝導率が１９０Ｗ／mＫ超、ＩＦ法による破壊靭性が３．０MPa・ｍ^1/2超、３点曲げ強度が４５０ＭＰａ以上の窒化アルミニウム焼結体。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where flash is prevented when reflow soldering is performed, stability of a semiconductor element-connecting interface is ensured, and connection reliability with respect to thermal stress is improved.例文帳に追加

リフローはんだ付け時のフラッシュを抑止し、半導体素子接続界面の安定性を確保し、熱応力に対する接続信頼性を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, the current temperature of the device side is identified while the device side, for example, is irradiated by an irradiation flash which has a duration time shorter than a thermal conductive time of the wafer.例文帳に追加

装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。 - 特許庁

To provide a phenol resin molding material which produces much reduced flash in injection molding without impairing the thermal stability and mechanical strength of the material in the cylinder to be molded.例文帳に追加

射出成形において、シリンダ内の成形材料の熱安定性や機械的強度を損なう事なく、発生するバリが著しく少ないフェノール樹脂成形材料を提供する。 - 特許庁

In the flash discharge lamp having a translucent tube formed of translucent ceramics, thermal expansion buffer dents are formed on the inner face of the light-emitting tube.例文帳に追加

本発明の閃光放電ランプは、透光性セラミックスにより形成された発光管を備えてなる閃光放電ランプにおいて、前記発光管の内面には、熱膨張緩衝用凹所が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Since the fluid material is pressurized toward the cavity 3 from the passage 4 by air, even if a gap occurs along the mold registering surface by the thermal strain of the molds, the penetration of the fluid material into the gap is prevented to suppress the occurrence of flash.例文帳に追加

エアにより通路４からキャビティ３方向に加圧されているので、成形金型の熱ひずみにより型合わせ面で隙間が生じても、該隙間への流動物の侵入は防止され結果としてバリの発生が抑制される。 - 特許庁

When the semiconductor wafer W is warped in convex shape due to a sudden thermal expansion on the surface at the moment of flash light emission from the flash lamp, the circumferential edge of the wafer W can freely move, so that a strong stress does not act on the semiconductor wafer W to prevent crack of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

フラッシュランプからフラッシュ光が照射された瞬間、表面に急激な熱膨張が生じて半導体ウェハーＷが凸状に反ったときに、その周縁部が自由に動くことができるため、半導体ウェハーＷに強い応力が作用することはなく、半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。 - 特許庁

To provide an electrical equipment insulating resin composition capable of significantly reducing volatile organic compounds (VOC) generated in an electrical insulating step and having a higher flash point than a curing temperature, excellent safety and such a high thermal conductivity that higher heat dissipation of electrical equipment can be expected, and to provide electrical equipment using the same.例文帳に追加

電気絶縁処理工程で発生するＶＯＣを大幅に低減することができ、また、硬化温度よりも引火点が高く、安全性に優れ、更に、熱伝導率が高く、電気機器のより高い熱放散が期待出来る電気機器絶縁用樹脂組成物とこれを用いた電気機器を提供する。 - 特許庁

An electrification range of the heating resistor 7 is set by a control part on the basis of both distance data of the width direction B from a resistor position reference 53 of the heating resistor 7 to the measurement reference 52 of the thermal head position detecting part 51 that is preliminarily stored in a flash memory, and the position detection data.例文帳に追加

あらかじめフラッシュメモリに記憶されている、発熱抵抗体７の抵抗体位置基準５３からサーマルヘッド位置検知部５１の測定基準５２までの幅方向Ｂの距離データと、位置検出データとに基づいて、制御部にて発熱抵抗体７の通電範囲を設定する。 - 特許庁

To enable a thermal oxide film optimal in thickness to be grown on the surface of a transistor gate of each circuit without a large number of additional processes in a semiconductor device mounted with both a microcontroller circuit and a flash memory circuit.例文帳に追加

マイクロコントローラー回路とフラッシュメモリー回路を同時に搭載する半導体装置において、著しい工程増加なしに、それぞれの回路のトランジスタゲート電極表面に、それぞれ最適な膜厚の熱酸化膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a gate forming method of a flash memory element for preventing excessive oxidation and restricting ONO (Oxide-Nitride-Oxide) smiling, by carrying out nitrogen thermal process and RTO process, and reducing sheet resistance of a tungsten silicide film after a gate is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にゲートを形成した後、窒素熱処理とＲＴＯ工程を行ってタングステンシリサイド膜のシート抵抗を減少させ、過度な酸化を防止するうえ、ＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）スマイリングを抑えるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a long arc xenon flash lamp capable of repeatedly emitting light emission pulses, each having a tube length of 2 m or more and a width of 10 ms or more, one million times by optimizing structure/materials of the lamp in order to solve thermal destruction.例文帳に追加

熱破壊を解決するためにランプ構造・材料を最適化して、管長が２ｍ以上であって、１０ｍｓ幅以上の発光パルスを１００万回繰り返し発光することが可能なロングアークキセノンフラッシュランプを提供することにある。 - 特許庁

The second body portion 151 includes cooling passages 181 that extend along all the walls around the second body portion 151 to provide thermal damage resistance for occasional flame flash back into the second body portion 151.例文帳に追加

第２の本体部分１５１はまた、冷却通路１８１を含み、これらの冷却通路１８１は、第２の本体部分１５１の周りの全ての壁に沿って延びて、該第２の本体部分１５１内への偶発的逆火に対する耐熱損傷性をもたらす。 - 特許庁

The housing made of resin is obtained from a polyphenylene sulfide resin composition having thermal conductivity in the thickness direction of 4 W/m×K or more measured by laser flash method, preferably from a polyphenylene sulfide resin composition comprising polyphenylene sulfide, carbon fibers having thermal conductivity of 100 W/m×K or more, and metallic silicon powders, and is suitably used especially for portable apparatuses.例文帳に追加

レーザーフラッシュ法により測定した厚み方向の熱伝導率４Ｗ／ｍ・Ｋ以上のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、好ましくはポリフェニレンスルフィド、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する炭素繊維及び金属ケイ素粉末からなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物よりなり、特に携帯機器用として好ましく用いることが出来る樹脂製筐体。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁