「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

The problem is solved by a thin film transistor device being fluorene oligomer in which a semiconductor layer has the molecule amount of under 2000 and which is constituted of one to ten fluorene ring units.例文帳に追加

前記課題は、半導体層が、２０００未満の分子量を有し、かつ１〜１０個のフルオレン環ユニットからなるフルオレンオリゴマーである薄膜トランジスタデバイスにより解決される。 - 特許庁

This organic thin film with the first organic molecule 61 and the second organic molecule 62 being organic semiconductor molecules is provided as an organic semiconductor layer to provide a field-effect transistor.例文帳に追加

第一の有機分子６１及び第二の有機分子６２が有機半導体分子である、かかる有機薄膜を、有機半導体層として設け、電界効果トランジスタとする。 - 特許庁

To stably and uniformly coat a developing sleeve with a developer into a thin layer, especially upstream even in the case of using magnetic one-component developer.例文帳に追加

磁性一成分現像剤を用いる場合でも、特に上流側の現像スリーブ上に安定して均一に現像剤を薄層にコートすることができるようにする。 - 特許庁

The liquid crystal display panel is provided with the color filter substrate and the thin-film transistor array substrate, which are disposed parallel to each other and a liquid crystal layer between the substrates.例文帳に追加

本発明の液晶ディスプレイパネルは、並行に配置されたカラーフィルタ基板と薄膜トランジスタアレイ基板、及びそれらの基板の間の液晶層を備えている。 - 特許庁

To provide a development controller for an image forming apparatus capable of successfully forming an image over a long term by appropriately peeling a toner thin layer on a developing roller.例文帳に追加

現像ローラのトナー薄層の剥ぎ取りを適切に行い、長期間にわたって良好な画像形成を行うことができる画像形成装置の現像制御装置の提供。 - 特許庁

This color filter has filter layers formed inside a panel 3, and at least one color filter layer is a thin film of the oxide matrix dispersed with the gold minute particle.例文帳に追加

また、本発明のカラーフィルターは、パネル３の内面に形成された少なくとも１色のフィルター層が、酸化物マトリクス中に金微粒子が分散された薄膜となっている。 - 特許庁

A developing roller 25 is disposed opposite a photoreceptor drum of the developing device, and the lower end of a blade member 35 is pressed to the developing roller to form a thin layer of toner.例文帳に追加

現像装置の感光体ドラムに対向させて、現像ローラ２５を配置し、ブレード部材３５の下端部を押圧してトナーの薄層を形成するものとして用いる。 - 特許庁

In addition, a coil 2 of a metal layer 2b is also present on which a corrosion preventive metal thin film 23 is formed by an electroless plating method on the second metal film 22.例文帳に追加

更に第２の金属膜２２の表面に無電解メッキ法により腐蝕防止用金属薄膜２３が形成された金属層２ｂによるコイル２も存在する。 - 特許庁

The contacting section of the contacts is made of Ag alloy that contains Sn 3-9 mass%, In 3-9 mass%, and an oxide, and a thin layer of the oxide is formed at the central part.例文帳に追加

この接点の接触部は、Snを3〜9質量％と、Inを3〜9質量％と、酸化物とを含むAg合金からなって、中央部には酸化物の希薄な層が形成される。 - 特許庁

Then, a conductive particulate layer 4 composed of conductive particulates 3 is arranged on the insulating substrate 1 so as to cover a region located on the side of the thin wire 2.例文帳に追加

次に、絶縁性基板１の、細線２の側方に位置する領域を被覆するように、導電性微粒子３からなる導電性微粒子層４を配置する。 - 特許庁

Then, a mutual ratio in each wavelength is determined and compared with a film thickness-interference ratio characteristic acquired beforehand, to thereby estimate the film thickness of the thin film layer of the measuring object 31.例文帳に追加

その後各波長ごとの相互比率を求め，予め取得していた膜厚−干渉比特性と比較して，測定対象物３１の薄膜層の膜厚を推定する。 - 特許庁

After the sheet material is formed like the thin layer sheet by press working or when the sheet material is pressed, a finishing material can also be integrally superposed on the surface of the sheet material.例文帳に追加

プレス加工によりシート材を薄層シート状に形成した後、もしくはプレス加工する際に、シート材の表面に仕上げ材を一体に積層することもできる。 - 特許庁

The structure consists of a Ge absorbing layer on a thin SOI substrate, and utilizes isolation regions, alternating n- and p-type contacts, and low-resistance surface electrodes.例文帳に追加

本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。 - 特許庁

The polarizing sheet 1 for the polarizing plastic lens with the power is formed by bending a laminated sheet laminated with support layers of a polycarbonate on both sides of a polarizable thin layer.例文帳に追加

度付き偏光プラスチックレンズ用偏光シート１は、偏光性薄層の両面にポリカーボネートの支持層が積層された積層シートに曲げ加工を施して形成される。 - 特許庁

To provide a spraying reduction material for molten steel tundish, having excellent stuck strength even in the formation of a thin layer and high sticking ratio and providing sufficient reducing effect.例文帳に追加

薄層の形成でも優れた接着強度を有し、且つ付着率が高く、しかも十分な還元効果を備えた溶鋼タンディッシュ用吹付け還元材を提供すること。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic capable of being advantageously used in a laminated ceramic electronic part having an extremely thin ceramic layer having a thickness of 1 μm or less, and its manufacturing method.例文帳に追加

１μｍ以下の極めて薄いセラミックス層を備える積層セラミック電子部品において有利に用いられ得る、誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After a separation layer (120) is provided on a highly reliable laser light-transmitting substrate (100), a thin film element (140), such as the TFT etc., is formed on the substrate (100).例文帳に追加

信頼性が高く、かつレーザー光が透過可能な基板（１００）上に分離層（１２０）を設けておき、その基板上にＴＦＴ等の薄膜素子（１４０）を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film PCIL at a slit center between adjoining striped pixel electrodes PE is made thin to allow a liquid crystal layer to be nearer to a common electrode CE.例文帳に追加

隣接するストライプ状の画素電極ＰＥの間のスリット部中央の層間絶縁膜ＰＣＩＬも膜厚を薄くして共通電極ＣＥと接近させる。 - 特許庁

The metal films of the same kind or different kinds are formed of thin metal films so that irregularity of the surface of the uppermost layer of the metal films that constitute the wiring structure can be reduced.例文帳に追加

その同種又は異種の金属膜は、配線構造を構成する最上層の金属膜表面の凹凸を低減するように、薄膜の金属膜で形成される。 - 特許庁

A gate electrode 39 consisting of polysilicon is formed on the base region 35 between the silicon layer 33 and source region 37 via a thin silicon oxide 38.例文帳に追加

シリコン層３３とソース領域３７との間のベース領域３５上に薄いシリコン酸化膜３８を介してポリシリコンからなるゲート電極３９が形成される。 - 特許庁

Further, the thin-film semiconductor layer 3 is partially eliminated from the separation surface side of the separated semiconductor device, and the semiconductor device and other semiconductor devices are electrically insulated.例文帳に追加

更に、分離された半導体デバイスの分離面側から薄膜半導体層３を部分的に除去し、半導体デバイスと他の半導体デバイスとの間を電気的に絶縁する。 - 特許庁

To manufacture a p-type thin-film transistor having element characteristics improved by minimizing the residual quantity of an infinitesimal metal catalyst (Ni, or the like) remaining in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層に残っている微量の金属触媒（Ｎｉ等）の残留量を最少にすることで素子特性を向上させたＰ型薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

A so-called tandem-type photoelectric conversion device is obtained by stacking a unit cell including a non-single-crystal semiconductor layer over the detached thin part of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

薄板化された単結晶半導体基板上に非単結晶半導体層を有するユニットセルを積層して、所謂タンデム型光電変換装置とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film solar cell with a low manufacturing cost, which can reliably and sufficiently diffuse an alkali metal to a light absorbing layer.例文帳に追加

光吸収層へのアルカリ金属の拡散を確実にかつ十分に行うことができるとともに、製造コストが安価な薄膜太陽電池の製法を提供する。 - 特許庁

Ultra-violet rays contained in subject light passing through the first and second lenses 7, 8 are shielded by the thin film layer 15 and does not reach the inner part of the third lens 9.例文帳に追加

第１レンズ７、第２レンズ８を通過してきた被写体光に含まれる紫外線は薄膜層１５で遮断され、第３レンズ９の内部まで達することがない。 - 特許庁

To provide a thin film gas sensor enhanced in response, selectivity and environmental resistance by forming voids having a larger volume than before to a first gas selective combustion layer.例文帳に追加

第一ガス選択燃焼層に従来よりも容積が大きい空隙を形成し、応答性、選択性および耐環境性を向上させた薄膜ガスセンサを提供する。 - 特許庁

To provide an electrode foil which functions as a support base, an electrode, and a reflective layer and is useful for an electronic device such as a flexible, lightweight and thin organic solar cell.例文帳に追加

支持基材、電極および反射層としての機能を兼ね備え、かつ、フレキシブル、軽量、薄型の有機太陽電池等の電子デバイスに有用な電極箔を提供する。 - 特許庁

The first phase difference compensation layer 12 is constituted by laminating two kinds of high and low deposition films which are sufficiently thin with respect to wavelength and is turned to a negative C-plate.例文帳に追加

第一位相差補償層１２は波長に対して充分に薄い高・低二種類の蒸着膜を積層して構成され、負のＣ−ｐｌａｔｅとなる。 - 特許庁

The single particle laminated thin film has a single particle layer deposited, on a supporting body having a surface with hydrophilic graft polymer chains, with particulates in a single particle state.例文帳に追加

親水性グラフトポリマー鎖が存在する表面を有する支持体上に、微粒子を単粒子状態で付着させた単粒子層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To realize a manufacture method in which a thin film transistor(TFT) having an crystal silicon active layer with a reliability and a superior performance is manufactured and the TFT is manufactured at an inexpensive cost.例文帳に追加

信頼性と特性に優れた結晶性シリコンの活性層を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および、そのようなＴＦＴを安価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tatami mat stitching device which achieves 'kamachi' stitching and backstitching for thin layer tatami mats efficiently while highly facilitating the shifting of stitching patterns.例文帳に追加

薄層畳に対する框縫い並びに返し縫いを極めて効率的になし、且つ、糸掛けパターンを極めて容易に変更し得る畳縫着装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a fluororesin coating composition capable of forming a fluororesin coated layer which is a smooth thin film excellent in durability of wear resistance and non-adhesive property.例文帳に追加

本発明は、薄膜且つ平滑で、耐摩耗性、非粘着の耐久性が優れたフッ素樹脂被覆層を形成することができるフッ素樹脂塗料組成物を提供する。 - 特許庁

A thin wire interconnection (60) is provided in a first dielectric layer (12) located above a semiconductor circuit (42) formed in or on the surface of a substrate (10).例文帳に追加

細線相互接続部（６０）は基体（１０）の表面内又はその上に形成された半導体回路（４２）の上に位置する第１の誘電体層（１２）内に設けられる。 - 特許庁

A fine TiO_2 buffer layer making a raw material of an organic titanium compound is interposed between a transparent electrode film constituting the electrode and TiO_2 thin film.例文帳に追加

また電極を構成する透明電極膜とＴｉ０_２薄膜との間に、有機チタン化合物を原料とした緻密なＴｉ０_２バッファー層を介在させたこと。 - 特許庁

This improved circuit board includes a metal substrate 22 having first and second sides 24 and 26, and thin layer structure on the first and second sides.例文帳に追加

上記の装置は、第一の側面２４と第二の側面２６とを有する金属基板２２と、第一の側面の薄層構造と、第二の側面の薄層構造とを含む。 - 特許庁

Therefore, the thin metal wire 4 sagging from the prescribed locus will not touch the semiconductor chip end 1E as supported by the insulation layer 8.例文帳に追加

従って、金属細線４が所定の軌跡からはずれて垂れたとしても、同線４は絶縁層８によって支持され、半導体チップ端１Ｅ等に接触することも無い。 - 特許庁

An insulation film 140a covers the part of the thin film SOI layer 130 on the groove, and a gate 150a is formed on the insulation film 140a wider than the groove.例文帳に追加

絶縁膜１４０ａが溝上の薄膜ＳＯＩ層１３０の部分を覆い、その絶縁膜１４０ａ上には溝より広くゲート１５０ａが形成されている。 - 特許庁

In the thin film transistor, the active layer formed of a non-single crystal germanium film and a gate oxide film formed of a zirconium oxide or a hafnium oxide are formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、非単結晶ゲルマニウム膜からなる活性層と、酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムからなるゲート酸化膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a free curve multilayer film interference filter in which transition of optical luminance in accordance with transition of wavelength becomes a free curve by accurately depositing thin films on a sedimentary layer.例文帳に追加

厚さの薄い膜を精度良く堆積層に堆積させ、波長の推移に伴う光輝度の推移が自由曲線となる自由曲線多層膜干渉フィルターを提供する。 - 特許庁

To provide roof greening equipment for a folded-plate roof designed so as to easily set a planting mat composing thin-layer rooftop greening equipment proven in roof top greening.例文帳に追加

屋上緑化で実績のある薄層屋上緑化設備の植栽マットを簡便且つ十分な強度で施工可能な折板屋根の屋根緑化設備を提供する。 - 特許庁

Spotting the sample solution on the thin-layer plate where La-ALC complex is dipped causes the color of a red-ultraviolet plate to change from blue to white depending on the concentration of the fluoride ions.例文帳に追加

Ｌａ−ＡＬＣ錯体を含浸させた薄層プレートに試料溶液をスポットすると、赤紫色のプレートがフッ化物イオンの濃度に依存して、青〜白へ変色する。 - 特許庁

In an embodiment, a non-stretched film is stretched to form the photocatalyst-containing thin film, the polymer layer covering the photocatalyst is marred, and the photocatalyst is exposed.例文帳に追加

未延伸フィルムを延伸して光触媒含有層を薄膜化し、光触媒を覆っているポリマー層を傷つけ、光触媒を露出させた態様を包含する。 - 特許庁

To improve image quality by reducing mechanical stress applied to a toner in a developing apparatus, uniformly electrifying the toner, uniformly forming a thin layer on a developer carrier.例文帳に追加

現像装置でトナーが受ける機械的ストレスを低減させ、トナーの均一な帯電及び現像剤担持体上に均一な薄層を形成して画像品質を向上させる。 - 特許庁

The problem is solved by using an electrode composed by forming an electrode active material thin film layer by a sol gel method on a porous collector having a wide surface area.例文帳に追加

大表面積を有する多孔質集電体にゾルゲル法により電極活物質薄膜層が形成されてなる電極を用いることにより、上記課題は解決される。 - 特許庁

A planar memory device and vertically oriented thin body devices are formed on a common semiconductor layer in a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子及びその半導体素子の製造方法において、平面型メモリ素子及び垂直に配向した薄いボディ素子が共通半導体層上に形成される。 - 特許庁