「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a solution for forming an insulating thin film that can be applied at low temperature, has high insulation and dielectric constant properties, and allows surface processing, the insulating thin film formed using the same, a field effect transistor having superior performance using the insulating thin film as a gate insulating layer and a method of manufacturing the same, and an image display device.例文帳に追加

低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁

On the manufacturing method of the aluminum foil for a battery or an electric double-layer capacitor having a conductive thin film closely adhered on the surface of the aluminum foil, carbon particles with a diameter of 0.01 to 2 μm are further adhered on the conductive thin film after the conductive thin film closely adhered on the surface of the aluminum foil is formed.例文帳に追加

アルミニウム箔表面に密着する導電性薄膜を有する電池または電気二重層キャパシタ用アルミニウム箔、および、アルミニウム箔表面に密着する導電性薄膜を形成せしめた後、これに更に粒子径が０．０１ないし２マイクロメートルの炭素粒子を付着せしめる電池または電気二重層キャパシタ用アルミニウム箔の製造法。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor laser, a semiconductor thin film comprising an active layer is laminated on a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is cleaved together with the semiconductor thin film, a cleavage surface obtained by cleavage of the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is exposed to plasma atmosphere by halogen gas or gas including halogen an thereafter a protection layer is formed in the cleavage surface without exposing it to the air.例文帳に追加

半導体基板上に活性層を含む半導体薄膜を積層し、次に該半導体薄膜とともに該半導体基板をヘキ開し、ヘキ開により得られた半導体基板と半導体薄膜のヘキ開面をハロゲンガスもしくはハロゲンを含むガスによるプラズマ雰囲気に曝露した後、続けて大気にさらすことなくこれらのヘキ開面に保護層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁

In the forming method of the liquid crystal alignment layer, the conjugated system polymer consisting of polysilanes is pressurization molded, a thin film wherein the conjugated system polymer is aligned is formed on a substrate by a rubbing transfer method and the alignment thin film is further irradiated with UV light or visible light.例文帳に追加

共役系高分子がポリシラン類であって、これを加圧成型し、摩擦転写法により、基板上に共役系高分子が配向した薄膜を形成し、さらにこの配向薄膜に紫外光または可視光を照射する液晶配向膜の作成方法。 - 特許庁

A flexible impermeable film formed by covering both sides of the metallic thin film with a thin film of resin showing a stress at yield of 70 MPa or more at the using temperature of the hose is integrated to the hose repeatedly deformed at a distortion quantity of 5% or less as a fluid impermeable layer.例文帳に追加

金属薄膜の両面側をホースの使用温度において７０ＭＰａ以上の降伏点応力を示す樹脂の薄膜で被覆したフレキシブル不透過膜を、歪み量５％以下の変形を繰返し受けるホースに、流体不透過層として組込む。 - 特許庁

In a photolithography process, element isolation formation of a thin film semiconductor layer and formation of the video signal wiring and drain electrode are achieved simultaneously through single-time photolithography by using a photomask capable of modulating an exposure light quantity of a channel region of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と、映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で、同時に形成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which improves crystallinity of an oxide semiconductor thin-film layer on a pair of source-drain electrodes, prevents a leakage current from increasing, current driving performance from decreasing, and current rate limiting from generating, and has excellent TFT characteristics, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

一対のソース・ドレイン電極上の酸化物半導体薄膜層の結晶性を良好にし、リーク電流の増大、電流駆動能力の低下、電流律速を抑制した、高いＴＦＴ特性を有する薄膜トランジスタ及びその製法を提供する。 - 特許庁

In this metal mask, opening parts are provided by irradiating laser over a thin base material plate made of austenitic stainless steel and a reformed layer made of a compound of the austenitic stainless steel and fluorine is provided on the surface of the thin base material plate including on the inner wall surfaces of the opening parts.例文帳に追加

オーステナイト系ステンレス鋼からなる薄板母材にレーザ照射による開口部を設けるとともに、その開口部の内壁面を含む薄板母材の表面にオーステナイト系ステンレス鋼とフッ素との化合物からなる改質層を設けたメタルマスク。 - 特許庁

An Au film 12, a Ti film 18 as a crushing film and an Au thin film 19 as an oxidation prevention film are formed at an active layer 11a side of a semiconductor laser bar 11, and an In film 14 and an Au thin film 20 as the oxidation prevention film are formed at a heatsink 13 side.例文帳に追加

半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側にＡｕ膜１２、破砕膜としてのＴｉ膜１８、酸化防止膜としてのＡｕ薄膜１９を形成し、ヒートシンク１３側にＩｎ膜１４および酸化防止膜としてのＡｕ薄膜２０を形成する。 - 特許庁

At the intersections of the scanning lines 2 and signal lines 3, a thin film transistor which has at least a gate electrode, a source S, and a drain D and also has a semiconductor thin film 4 as active layer and a pixel electrode 10 which is electrically connected to the drain D are formed.例文帳に追加

各走査線２と各信号線３の交差部には、少なくともゲート電極とソースＳ及びドレインＤを具備し半導体薄膜４を活性層とする薄膜トランジスタと、ドレインＤと電気的に接続した画素電極１０とが形成されている。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display device has a plurality of thin film transistors on one main surface of one of two substrates 1a holding a liquid crystal layer, a gate wiring group 2, a source wiring group 7e, and a plurality of reflection pixel electrodes 21 connected with respective drain electrodes of a plurality of the thin film transistors.例文帳に追加

液晶層を狭持する２枚の基板1aの一方の一主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線群2と、ソース配線群7aと、前記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極7bに各々接続された複数の反射画素電極21とを有する。 - 特許庁

There is provided a flash memory cell 1A consisting of an FET transistor with a floating gate 20 on a semiconductor on-insulator substrate comprising a thin film of semiconductor material separated from a base substrate 5 by an insulating BOX layer, the transistor having, in the thin film, a channel 4.例文帳に追加

絶縁ＢＯＸ層によってベース基板５から分離された半導体材料からなる薄膜を備えた半導体・オン・インシュレータ基板上の、フローティングゲート２０を備え薄膜内にチャネル４を有するＦＥＴトランジスタからなるフラッシュメモリセル１Ａに関する。 - 特許庁

A compound sheet 6 is formed which has a plurality of thin linear sintered piezoelectric materials 33 arrayed on one surface of a resin layer 22 in a fixed direction, and a plurality of sheets are stacked and united so that respective thin linear sintered piezoelectric materials 33 are between resin layers 22.例文帳に追加

樹脂層２２の一表面に細線状焼結圧電体３３が複数本一定の方向に配列した複合シート６を形成し、各細線状焼結圧電体３３が樹脂層２２の間になるように複数枚積層しかつ一体化する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with wide wiring 11 formed on a semiconductor substrate so as to have a wide wiring width (a), and the thin wiring 12 formed on the same wiring layer as the wide width wiring 11 so as to have a thin wiring width (b) thinner than 0.2μm.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板上に形成され、太い配線幅ａを持つ太幅配線１１と、この太幅配線１１と同一の配線層に形成され、配線幅が０．２μｍ以下の細い配線幅ｂを持つ細幅配線１２とを具備する。 - 特許庁

In the liquid crystal light valve provided with a light shielding film on the back, a thin film transistor, a gate electrode, a data line, a black matrix layer and a pixel electrode, storage capacitances are disposed at prescribed positions in the periphery of the thin film transistor with a prescribed interval.例文帳に追加

裏面遮光膜と、薄膜トランジスタと、ゲート電極と、データ線と、ブラックマトリックス層と、画素電極と、を備える液晶ライトバルブにおいて、前記薄膜トランジスタの周囲における所定の位置に所定の間隔をおいて蓄積容量を配設することを特徴とする。 - 特許庁

The light emission element is provided with a light emission main part 20 which emits light with impressing of voltage, and a rectifier 10 which is connected with the light emission main part 20 in series, and the light emission main part 20 includes a NPB thin film layer 23, and the rectifier 10 includes a NPB thin film 12.例文帳に追加

電圧を印加することにより発光する発光部本体２０と、発光部本体２０と直列に接続された整流器１０と、を備え、発光部本体２０はＮＰＢ薄膜層２３を含み、整流器１０はＮＰＢ薄膜１２を有する。 - 特許庁

To provide a thin film solar battery and a method for installing the same, by which power generation efficiency is improved by avoiding reducing of a light quantity incident on a thin film photoelectric conversion layer in spite of the presence of surface reflected light, so as to improve light utilization efficiency.例文帳に追加

表面反射光があっても、薄膜光電変換層に入射される光量を減少させないようにして、光利用効率を高めて、発電効率を高くすることができる薄膜太陽電池及びその設置方法を提供すること。 - 特許庁

The wiring layer 14 comprises a terminal part 14A and a wiring part 14B of which the film thickness is thin, and an electrode part 14C of which the film thickness is thick, and making the terminal part 14A and the wiring part 14B thin films and raising its bottom of the buried conductor 12 are carried out in the same process.例文帳に追加

配線層１４は膜厚が薄い端子部１４Ａ及び配線部１４Ｂと膜厚が厚い電極部１４Ｃを備え、端子部１４Ａ及び配線部１４Ｂの薄膜化と埋込導体１２の底上げとは同一製造工程で行われている。 - 特許庁

This is the light-emitting device in which a plurality of thin films 20, 21, 22, 23, 70, 60, 55, 50, 33, 43, 42, 41 including a luminous layer 60 are laminated, and is provided with an external waviness structure 31 to demonstrate a dispersion function having a directionality on any of the interfaces of the thin film.例文帳に追加

本発明の発光装置は、発光層６０を含む複数の薄膜２０，２１，２２，２３，７０，６０，５５，５０，３３，４３，４２，４１が積層されてなる発光装置であって、前記薄膜のいずれかの界面に、指向性を有した散乱機能を発現するうねり構造３１を具備することを特徴とする。 - 特許庁

An optical coupler is configured by forming a metal thin film 1 on a transparent dielectric material 2, by adhering the film thereto so as to allow the object light to excite a metal interface optical mode on the interface of the metal thin film 1, and disposing a light-scattering material 3 via a gap layer 4.例文帳に追加

被変調光が金属薄膜１の界面に金属界面光学モードを励起するように、透明誘電体２上にこの金属薄膜１を密着形成し、間隙層４を介して光撹乱体３を配置した光結合器を構成する。 - 特許庁

In the electronic ink display panel, the dielectric layer having a thickness of about 1 to 4 μm is disposed on the above side of the bottom-gate thin film transistors and, thereby, the influence of the noises on the scanning lines and data lines on bottom-gate thin film transistors and on scanning lines and data lines, onto the pixel electrodes is shielded.例文帳に追加

この電子インク表示パネルでは、ボトムゲート型薄膜トランジスタの上方に、厚みが約１〜４μｍの誘電層を設けることで、ボトムゲート型薄膜トランジスタ上、走査線上およびデータ線上でのノイズの画素電極への影響を遮蔽する。 - 特許庁

A thin-film capacitor wherein a metal oxide of perovskite crystal structure is used as a dielectric layer is formed on a first substrate, which is then transferred on a second substrate where an electronic circuit is formed, for patterning and electric connection of the thin-film capacitor.例文帳に追加

ペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物を誘電体層とする薄膜コンデンサを第１の基板上に形成し、その後、電子回路が形成された第２の基板上に転写した後、上記薄膜コンデンサのパターニング、電気的な接続を行う。 - 特許庁

In a nanochannel body thin film in which an oxide layer includes surfactant micella, presence of a target substance in a specimen is detected according to luminescence intensity of the thin film associated with recognition of the target substance by a luminescence recognition agent inside the nanochannel.例文帳に追加

酸化物層が界面活性剤ミセルを内包しているナノチャンネル体薄膜において、ナノチャンネル内での発光型認識試薬による標的物質の認識にともなう薄膜の発光強度により検体中の標的物質の存在を検出する。 - 特許庁

The organic EL element with its hole injection layer 13 formed on a positive electrode 12 composed of a fluorocarbon system thin film is made by removing regions at one or a plurality of sides adjacent to a sealing cap 20 of the fluorocarbon system thin film.例文帳に追加

陽極１２上に成膜される正孔注入層１３がフルオロカーボン系薄膜からなる有機ＥＬ素子であって、前記フルオロカーボン系薄膜の封止キャップ２０に近接する側の一辺または複数辺の領域が除去されてなる有機ＥＬ素子１０。 - 特許庁

To prevent a thin film of a dielectric material or ferroelectric material having a high dielectric constant from deteriorating owing to hydrogen or water that an inter-layer insulating film or passivation film of an element of a memory semiconductor device using the thin film contains and stress of those films.例文帳に追加

高誘電率を有する誘電体材料または強誘電性材料の薄膜を用いたメモリ半導体装置の素子の層間絶縁膜やパッシベーション膜に含まれる水素や水およびこれら膜の応力が原因となる上記薄膜の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a gadolinium oxide-vanadium oxide multicomponent oxide white luminous fluorescent material which has high brightness, high color purity and high stability and to provide a white luminous thin film electroluminescent element which uses a thin film of the fluorescent material as a luminescent layer.例文帳に追加

新規な高輝度、高色純度且つ高安定性の酸化ガドリニウム−酸化バナジウム多元系酸化物白色発光蛍光体および該蛍光体の薄膜を発光層として採用する白色発光薄膜エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

This thermal type sensor having a thin film heater on a diaphragm formed of a silicon oxide film and/or a silicon nitride film is provided with a hafnium oxide layer between the diaphragm formed of the silicon oxide film and/or the silicon nitride film, and the thin type heater.例文帳に追加

シリコン酸化膜及び／あるいはシリコン窒化膜から形成されたダイアフラム上に薄膜ヒータを有する熱型センサにおいて、シリコン酸化膜及び／あるいはシリコン窒化膜から形成される上記ダイアフラムと薄型ヒータとの間に酸化ハフニウム層を有する熱型センサ。 - 特許庁

To provide a wavelength plate which can suitably secure the desired phase difference and transmissivity without using an auxiliary layer of a low refractivity thin film to improve the transmissivity even when placing this high refractivity thin film on the surface of this plate to secure a desired phase difference.例文帳に追加

所望の位相差確保のために高屈折率薄膜を該基板の表面に設けるものの、透過率改善のための低屈折率薄膜等の補助層をさらに用いることなく、所望の位相差及び透過率を好適に確保できる波長板を提供する。 - 特許庁

To provide a practically durable thin film piezoelectric element inexpensively by forming a diffusion preventive layer between a substrate and an electrode material formed thereon thereby forming a piezoelectric thin film having high piezoelectric characteristics on an iron based general purpose substrate.例文帳に追加

基板と基板上に形成した電極材料との間に拡散防止層を形成することによって、鉄系の汎用基板上で高い圧電特性を有する圧電薄膜を形成することを実現し、実用に耐えうる薄膜圧電素子を安価に提供する。 - 特許庁

A portion corresponding to the substrate side alignment mark 6 of the black layer 8a is then irradiated with a laser beam to form a thin part 9 and positioning of the mask 21 for black is performed by using the substrate side alignment mark 6 appearing in an external side via the thin part 9.例文帳に追加

次に、ブラック層８ａのうち、基板側アライメントマーク６に対応する部分にレーザ光が照射されて薄肉部９が形成され、この薄肉部９を介して外方へ現れる基板側アライメントマーク６を用いて、ブラック用マスク２１の位置決めが行なわれる。 - 特許庁

The lateral semiconductor element (10) by thin-film SOI technology is equipped with an insulating layer (14) which is positioned on the substrate (12) and is buried under a thin silicon film (16), and a source or anode contact (18) and a drain or a cathode contact (22) are attached onto the silicon film (16).例文帳に追加

薄膜ＳＯＩ技術でのラテラル半導体素子（１０）が、基板（１２）上に位置し、薄いシリコン膜（１６）の下に埋め込まれた絶縁体層（１４）を備え、シリコン膜（１６）の上に、ソースまたはアノードコンタクト（１８）と、ドレインまたはカソードコンタクト（２２）とが取り付けられている。 - 特許庁

In the region at the upper surface of the recording gap layer 9 to arrange a connecting portion 16 of a thin film coil 16, a bottom-up pattern 41 is formed and a thin film coil 16 is formed on this bottom-up pattern 41 in order to layout the connecting portion 16a.例文帳に追加

記録ギャップ層９の上面であって、薄膜コイル１６の接続部１６ａが配置される領域には、底上げパターン４１が形成され、この底上げパターン４１の上に接続部１６ａが配置されるように薄膜コイル１６が形成されている。 - 特許庁

To provide a blade that can form a thin layer of toner with stable thickness on the outer peripheral surface of a developing roller and further make an image forming apparatus thin and small-sized, the image forming apparatus equipped with the blade, and a method for manufacturing the blade.例文帳に追加

現像ローラの外周面に安定した厚みのトナーの薄層を形成することが可能であり、さらには、画像形成装置の薄型化、小型化を図ることが可能なブレードとそれを備えた画像形成装置及びブレードの製造方法を提供する。 - 特許庁

The lower magnetic pile layer 8 has a first part 8a arranged in a position opposite to the thin-film coil 10 and a second part 8b connected to the first part 8a to define a throat height, and the thin-film coil 10 is arranged on the side of the second part 8b.例文帳に追加

下部磁極層８は、薄膜コイル１０に対向する位置に配置された第１の部分８ａと、第１の部分８ａに接続され、スロートハイトを規定する第２の部分８ｂとを有し、薄膜コイル１０は第２の部分８ｂの側方に配置されている。 - 特許庁

The write (write-once-read-many) optical recording material, which can be used as a recording layer of an optical recording medium, is composed of a fluoride thin film; and a change in the reflection factor, which occurs with the advance of crystallization caused by the heating of the fluoride thin film, is utilized.例文帳に追加

光記録媒体の記録層として用いることができる書き込み型（追記型）の光記録材料をフッ化物薄膜よりなるものとし、そのフッ化物薄膜の加熱による結晶化の進行に伴って生ずる反射率の変化を利用する。 - 特許庁

After a thin-film semiconductor layer 3 is formed, a flat transparent conductive film 4a is formed on the thin-film semiconductor film 3 by the sputtering method, the surface of the formed rear surface transparent conductive film is dipped into a dilute hydrochloric acid or a dilute acetic acid, and at the same time ultraviolet rays are selectively applied to the surface.例文帳に追加

薄膜半導体層３形成後その上にフラットな透明導電膜４ａをスパッタ法で形成し、形成した裏面透明導電膜表面を希塩酸または希酢酸に浸すとともに、その表面に紫外線を選択的に照射する。 - 特許庁

Then, the thin film aperture part 33 is expanded in the lateral direction by wet etching, the second shallow recessed part 41 is formed on the operating layer 111 against the first recessed part by wet etching through the expanded thin film aperture part 34, and it is used as the second recessed groove.例文帳に追加

次にウェットエッチングにより薄膜の薄膜開口部３３を横方向に拡大し、この拡大された拡張薄膜開口部３４を通してウェットエッチングにより動作層１１に第１凹部に対して浅い第２凹部４１を形成し第２リセス溝とする。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 1, a semiconductor layer 14 constituting the channel of a thin-film transistor 12 is arranged on the upper side of a gate line 11 formed of a metallic material and, thereby, a part of the gate line 11 also serves as the gate of the thin-film transistor 12.例文帳に追加

液晶表示装置１は、薄膜トランジスタ１２のチャネルを構成する半導体層１４を、金属材料によって形成されるゲート線１１の上方に配置することにより、ゲート線１１の一部が薄膜トランジスタ１２のゲートを兼ねる構成になっている。 - 特許庁

To manufacture a thin-film magnetic head having high reliability and to improve the yield of manufacturing by making it possible to more surely perform the treatment to flatten the ruggedness formed on the surface of an insulating layer when manufacturing a thin-film magnetic head in a wafer process.例文帳に追加

ウェハープロセスによって薄膜磁気ヘッドを製造する際に、絶縁層の表面に形成される凹凸を平坦化する処理をより確実に行うことを可能とし、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを製造するとともに、製造歩留まりを向上させる。 - 特許庁

In peeling off an adhesive sheet, an adhesive layer of this sheet is individualized about adhesion and set so as to separate the portions for peeling off a thin film from portions for not peeling it off, thus forming a desired pattern made of a thin film on a substrate.例文帳に追加

接着シートを引き剥がす際に、前記接着シートの接着層が接着力により差別化され、薄膜を剥離除去する部分と薄膜を剥離除去しない部分とに分かれているように設定し、基板上に所望の薄膜からなるパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for peeling a transferred layer that causes less damage to a device and reduces costs, and also to provide a method for manufacturing a thin-film device using the same, the thin-film device, a method for manufacturing an active matrix substrate, the active matrix substrate, and an electrooptical device.例文帳に追加

デバイスへのダメージが少なく、またコスト低減を可能にした被転写層の剥離方法と、これを用いた薄膜デバイス装置の製造方法、さらには薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置を提供する。 - 特許庁

This solar cell substrate includes; a transparent substrate; and a transparent conductive film including a zinc oxide (ZnO) thin film formed over the transparent substrate and doped with a dopant, and a surface charge activation layer formed on the zinc oxide (ZnO) thin film by heat treatment.例文帳に追加

本発明による太陽電池基板は、透明基板と、透明基板に形成されるドーパントがドープされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜と酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜に熱処理によって形成される表面電荷活性化層と、を備えた透明導電膜を含む。 - 特許庁

To provide a method of forming a tantalum oxide capacitor which can enhance the property of step coverage of a tantalum oxide thin film, and can enhance the electric property of a capacitor by depositing a tantalum oxide and applying an atomic layer thin film deposition method.例文帳に追加

原子層薄膜蒸着法を適用して酸化タンタルを蒸着することで、酸化タンタル薄膜のステップカバレージの特性を向上させることができると共に、コンデンサーの電気的特性を向上させる酸化タンタルコンデンサーの形成方法を提供する。 - 特許庁

A thin film electronic component element is formed on an insulation substrate 2 and a protective layer 6 is formed thereon thus forming the thin film electronic component wherein a step 9 is formed by cutting the outer circumferential end of one major surface of the insulation substrate 2.例文帳に追加

本発明は、絶縁基板２上に、薄膜電子部品素子を形成し、さらに該薄膜電子部品素子上部に保護層６が形成された薄膜電子部品であり、絶縁基板２の一方主面の外周端部に切り欠き段差部９を周設した。 - 特許庁

To provide a thin film single crystal solar cell module and a manufacturing method for the solar cell module having a high quality of superior durability and reliability without generating a failure or a crack when the solar cell module having a thin film single crystal layer is manufactured or used.例文帳に追加

薄膜単結晶層を有する太陽電池モジュールを製造及び使用する際に、欠陥やヒビなどが発生する事無く、耐久性、信頼性に優れた高品質の薄膜単結晶太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁