「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極１５間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域１３ｂのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

The method comprises forming a thin oxide film (e.g. an intermediate layer 2) on an oriented metallic substrate 1 and comprises the step of heat-treating the oriented metallic substrate in a reducing atmosphere just before the formation of the thin oxide film.例文帳に追加

配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。 - 特許庁

This optical film contains a transparent substrate and a thin film formed as an outermost layer on one main surface of the transparent substrate, and this thin film is formed by coating the coating composition and adding energy to the coating film thus formed.例文帳に追加

本発明の光学フィルムは、透明基材と、透明基材の一方の主面上に形成され一方の最外層である薄膜とを含み、薄膜は、本発明のコーティング組成物を塗布することにより形成された塗膜にエネルギーを付加して形成されている。 - 特許庁

Then, in a photolithographical process, element isolation formation of the thin film semiconductor layer and formation of video signal wiring and a drain electrode are conducted simultaneously by a single photolithographical process by using a photomask capable of modulating the quantity of exposed light of a channel area of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で同時に形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix driven self-luminous display device permitting to prevent thin film transistors from being deteriorated in the characteristics by preventing deterioration of an active layer on the thin film transistors caused by light, and further improve the characteristic, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

光に起因する薄膜トランジスタの活性層の劣化を防止して、薄膜トランジスタの特性悪化の防止、さらには特性向上を図ることができるアクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin film deposition system and a thin film deposition method capable of suppressing the effect of the plasma heat, to provide an electro-optic apparatus provided with a light emitting layer suppressed in thermal degradation, to provide a method for manufacturing the electro-optic apparatus, and to provide an electronic apparatus provided with the electro-optic apparatus.例文帳に追加

プラズマの熱の影響を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法と、熱劣化が抑制された発光層を備える電気光学装置及びその製造方法と、当該電気光学装置を備える電子機器を提供する。 - 特許庁

Consequently, even if the mold releasing layer rises in a transfer process, the contact of the rising part with an opposing base or a thin membrane 105 transferred already on the opposing base is avoided, and predetermined pressure is applied on the whole face of the thin membrane 105.例文帳に追加

これにより、転写工程において離型層が隆起しても、その隆起した部分が対向基板、あるいは対向基板に既に転写された薄膜１０５に接触するのを避けることができ、薄膜１０５全面に所定の圧力を印加することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

In the device, a developing roll 8 consisting of an elastic body visualizing by feeding the toner to a latent image formed on a photosensitive body 1 and a toner thin layer restricting means 7 consisting of an elastic body that is abutted to the developing roll 8 and making the carried toner thin layered are provided.例文帳に追加

感光体（１）上に形成された潜像にトナーを供給して顕像化する弾性体からなる現像ローラ（８）と、上記現像ローラ（８）に当接して担持されたトナーを薄層化する弾性体からなるトナー薄層規制手段（７）とからなる。 - 特許庁

A manufacturing method of a thin film transistor comprises the steps of forming at least one buffer layer on a substrate, forming a first semiconductor layer on the buffer layer, forming a doped second semiconductor layer on the first semiconductor layer, forming a source electrode and a drain electrodes by patterning the second semiconductor layer, forming a gate insulating film on the source electrode and the drain electrode, and forming the gate electrode on the gate insulating film.例文帳に追加

基板上に少なくとも一つのバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上に第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層上にドーピングされた第２半導体層を形成する段階と、前記第２半導体層をパターニングしてソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

This felt material is provided with a sheet layer obtained by integrating relatively thick sliding fiber whose fineness is 50 decitex or less and relatively thin rigid fiber whose fineness is 50 decitex or more by a needle punch, and erected hairs on the contact surfaces of the sheet layer are formed so as to be almost cut-shaped.例文帳に追加

繊度５０デシテックス以下の比較的太い摺動性繊維および繊度５デシテックス以上の比較的細い剛直性繊維とをニードルパンチで一体化させたシート層を備え、該シート層の接触面における立毛がほぼカット状である。 - 特許庁

In the organic EL device 1, an element substrate including a pixel electrode 16, an organic light emitting layer 20, a cathode 24, a thin film sealing layer 26, and a color filter substrate including color filters 34R, 34G and 34B are pasted together via an adhesive 28.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１は、画素電極１６、有機発光層２０、陰極２４、薄膜封止層２６を含む素子基板と、カラーフィルタ３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを含むカラーフィルタ基板とを接着剤２８を介して貼り合せたものである。 - 特許庁

Flame resistive cloth 12 and an internal-layer covering material 13 are covered with a metallic thin-film such as aluminum foil, and a plurality of slits 15a, 15b are formed to the skirt sections of flame resistive cloth 12 and the internal-layer covering material 13 at regular intervals.例文帳に追加

耐炎化クロス１２と内層被覆材１３とは、アルミ箔等の金属薄膜１４ａ，１４ｂにより被覆され、また耐炎化クロス１２と内層被覆材１３との裾部には、所定の間隔で複数本のスリット１５ａ，１５ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a functional sheet which has a layer of an anckor coat on a thin layer being composed of an acrylic rubber reinforced composition and being superior in adhesivity and printability on the surface, and its manufacturing process.例文帳に追加

アクリル系ゴム強化樹脂組成物からなる薄肉体上にアンカーコート層を有する機能性シートにおいて、このアンカーコート層の接着性に優れ、アンカーコート層の表面における印刷性に優れる機能性シート及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the thin electrode layer which is 2-5 μm can be uniformly and stably formed, and a clearance necessary for the soakage of the glass components of the piezoelectric layer among the conductor grains can be ensured, and a sufficient anchor effect (bonding strength) can be obtained.例文帳に追加

これにより、２〜５μｍの薄い電極層を均一に安定して形成できると共に、導体粒子間に圧電セラミック層のガラス成分が浸透するのに必要な隙間も確保でき、十分なアンカー効果（接着強度）を得ることができる。 - 特許庁

In the inspection method, the thin film magnetic head 10 is prepared, which includes magnetoresistive effect films having a free layer 40 whose magnetization direction is varied in response to an external magnetic field and ferromagnetic layers 51 and 52 for applying a bias magnetic field to the free layer.例文帳に追加

本発明の検査方法では、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層４０及び該フリー層にバイアス磁界を印加するための強磁性層５１，５２を有する磁気抵抗効果膜を備えた薄膜磁気ヘッド１０を準備する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.例文帳に追加

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a plastic container with high gas barrier properties, in particular, high steam gas barrier properties which cannot be obtained with a conventional plastic container having a barrier layer formed of a single-layer thin film mainly comprising silicon compounds, and its manufacturing method.例文帳に追加

従来の単層の珪素化合物を主体とする薄膜からなるバリア層を有するプラスチック容器では得られない高度のガスバリア性を奏する、特に高度な水蒸気ガスバリア性を有するプラスチック容器及びそのの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the thin film wiring is made such that the film having Cu or Ag as the main body is used as an intermediate layer, and upper and lower layers of the intermediate layer are formed with the alloy film containing Mo and V and/or Nb, and these three layers are laminated.例文帳に追加

また、ＣｕまたはＡｇを主成分とする膜を中間層として、該中間層の上層と下層をＭｏを主体としてＶおよび／またはＮｂを含有する合金膜で形成する３層で積層されている薄膜配線である。 - 特許庁

In this case, modification treatment for modifying the surface of the conductive thin film is applied as the release layer forming treatment to form the release layer 12.例文帳に追加

この場合、上記の剥離層形成処理として、導電性薄膜の表面を改質する改質処理を実行して剥離層１２を形成する、または、導電性薄膜の上に剥離層形成用材料からなる層を剥離層１２として形成する。 - 特許庁

The multi-layer insulation film, for example, is provided between a magnetic resistive element and a shield layer shielding this magnetic resistive element, and used as a shield gap film in a thin film magnetic head having a shield gap film insulating these parts.例文帳に追加

多層絶縁膜は、例えば、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子をシールドするシールド層と、磁気抵抗素子とシールド層との間に設けられ、これらを絶縁するシールドギャップ膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおけるシールドギャップ膜として用いられる。 - 特許庁

To provide a flexible color filter substrate which can make a display device thin and lightweight has superior adhesion and gas barrier properties of a colored layer, and is free of discoloration of the colored layer and superior in size stability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

表示装置の薄型軽量化が可能であり、着色層の密着性及びガスバリア性に優れているとともに、着色層の色変化が無く、寸法安定性に優れた可撓性カラーフィルター基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, since a length of the exterior upper layer winding 14 is the same or almost the same as that of the interior upper layer winding 15 and a difference between them is small, it is possible to make the characteristics seen from the both end sides of the thin film inductor element 13 almost equal.例文帳に追加

この場合、外側上層配線１４の長さと内側上層配線１５の長さは同じかほぼ同一で、その差が小さいので、薄膜インダクタ素子１３の両端部側から見たときの特性をほぼ均等とすることができる。 - 特許庁

The lubricant applied to the charging roll 26 functions as an extremely thin protective layer or water-repellent layer, so that the lubricant is prevented from being fallen from the cleaning blade 62 to adhere to the surface of the charging roll 26, thereby suppressing streak noise.例文帳に追加

帯電ロール２６に塗布された潤滑剤は、極薄い保護層や撥水層として機能し、クリーニングブレード６２から脱落した潤滑剤が帯電ロール２６の表面に付着する作用は軽減され、筋状ノイズの発生が抑制される。 - 特許庁

Moreover, since the plated layer 5 covering the pad electrode 4 has no portion which extremely becomes thin, the pad electrode 4 is protected by the plated layer 5, even if substances permeate from the passivation film 9 as a generation source such as water, chemical and the like leading to erosion.例文帳に追加

また、パッド電極４を被覆するメッキ層５が極端に薄くなる部位がないので、腐食の原因となる水、薬液等の物質がパッシベーション膜９から浸入したとしても、パッド電極４はメッキ層５によって保護される。 - 特許庁

When depositing a second insulating layer 9 by sputtering method on a 2nd wiring layer 8 in which a wiring form or the like is formed, a 2nd insulating narrow recessed part 9a of thin film thickness is formed on a 2nd wiring narrow recessed part 8a according to nature of the sputtering method.例文帳に追加

配線形状などが形成された第２配線層８の上に、スパッタリング法により第２絶縁層９を成膜すると、第２配線狭凹部８ａにはスパッタリング法の性質により膜厚の薄い第２絶縁狭凹部９ａが形成される。 - 特許庁

The polarizing plate with the thin polarizing layer 5 is manufactured by subjecting a surface of a transparent substrate 1 to rubbing treatment, subsequently applying the aqueous solution containing the tablar pigment to the rubbing treated surface, drying and forming the polarizing layer 5 with 20-1,500 nm thickness.例文帳に追加

透明基板１の表面をラビング処理し、次いでそのラビング処理面に平板状色素を含有する水溶液を塗布し、乾燥して、厚みが２０〜１,５００nmである偏光層５を形成し、かかる薄肉の偏光層５を有する偏光板とする。 - 特許庁

The wide forming region 38a of a coil layer 38 can be provided at the rear region of the magnetic pole part 7 separated from the magnetic circuit constitution part, and the coil layer 38 having the prescribed size is easily formed in miniaturization of the thin film magnetic head.例文帳に追加

さらに磁気回路構成部と分離された磁極部７の後方領域に広いコイル層３８の形成領域３８ａを設けることができ、薄膜磁気ヘッドの小型化においても所定寸法のコイル層３８を形成しやすい。 - 特許庁

The non-linear element 10x is a TFD (thin film diode) element provided with: a lower electrode 13x; an insulation layer 14x covering the surface of the lower electrode 13x; and an upper electrode 15x opposite to the lower electrode 13x via the insulation layer 14x.例文帳に追加

非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備えたＴＦＤ素子である。 - 特許庁

To provide a method, in which an optical crosslinking resin layer can be uniformly made into a thin film in a shorter time even when the optical crosslinking resin layer has a large thickness or when an optical dissolution rate is slow, in a method of forming a conductive pattern by a subtractive manner.例文帳に追加

サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、光架橋性樹脂層の厚みが大きい場合や光溶解速度が遅い場合にも、より短時間で光架橋性樹脂層を均一に薄膜化できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical deflector in which the painted layer of the dynamic pressure face of a rotor except the painted edge part is formed into a thin layer having a necessary thickness, and which has a dynamic pressure bearing excellent in machinability, rigidity and wearing resistance.例文帳に追加

回転体の動圧面の、塗布端部以外の面の塗膜を必要とされる厚さの薄膜に形成することができ、加工性に優れ、且つ剛性を有しながら耐摩耗性にも優れた動圧軸受を有する光偏向装置を提供する。 - 特許庁

In this case, since the length of the exterior upper layer wire 14 is equal or is substantially equal to that of the interior upper layer wire 15 and since the difference between them is small, the characteristics of the thin-film inductor element 13, when it is viewed from both the end sides can be made substantially uniform.例文帳に追加

この場合、外側上層配線１４の長さと内側上層配線１５の長さは同じかほぼ同一で、その差が小さいので、薄膜インダクタ素子１３の両端部側から見たときの特性をほぼ均等とすることができる。 - 特許庁

To improve performance in an electronic device by epitaxially growing a perovskite-type oxide thin film on an inorganic amorphous layer or an organic solid layer in a desired direction, and further, to provide a high-performance electronic device by integrating the device into an IC.例文帳に追加

無機アモルファス層又は有機固体層の上にペロブスカイト型酸化物薄膜を所望の方向にエピタキシャル成長させて電子デバイスの高性能化を図るとともに、更には、ＩＣと集積化させて高性能な電子デバイスを提供する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film 14 is laminated with a first piezoelectric layer 141 wherein ZnO is polarized upward and a second piezoelectric layer 142 wherein the ZnO is polarized downward when a positive voltage is applied to the lower electrode 13 and a negative voltage is applied to the upper electrode 15.例文帳に追加

圧電体薄膜１４は、下部電極１３に正、上部電極１５に負の電圧を印加した時に、ZnOの分極が上向きになる第１圧電体層１４１と下向きになる第２圧電体層１４２を積層したものである。 - 特許庁

A LiNbO_3 single crystal substrate 12 with a greater electromechanical coupling coefficient to which hydrogen ions are impregnated is directly joined with a polycrystal diamond layer 11 formed on an Si (100) substrate 10 and a thin LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 is formed by separating the substrate by heat treatment.例文帳に追加

Si(100)基板１０上に形成した多結晶ダイアモンド層１１に、水素イオンを打ち込んだ電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶基板１２を直接接合し、熱処理により分離して、薄いLiNbO_3単結晶層１３を形成する。 - 特許庁

The camouflage material includes fabric (a) containing polyolefinic fiber at 30 wt.% or more to the weight of fabric, and a sheet (b) formed of polyolefinic resin, a metal thin film layer (c) and a back face layer (d) are laminated if necessary.例文帳に追加

ポリオレフィン系繊維を布帛重量に対し３０重量％以上含む布帛（ａ）を含んでなることを特徴とする偽装材であり、必要に応じて、ポリオレフィン系樹脂からなるシート（ｂ）、金属薄膜層（ｃ）、裏面層（ｄ）を積層させる。 - 特許庁

Such a plasma resistant member is manufactured by forming a layer of a ceramic material such as yttria on the base material by detonation flame spray or water stabilization thermal spray, and then forming a thin film of a plasma resistant material as a surface layer.例文帳に追加

このような耐プラズマ性部材は、基材上に、イットリアなどのセラミック材料層を爆発溶射、水安定化溶射などの方法により製膜した後、表面層の耐プラズマ製材量薄膜層を形成することによって作成することができる。 - 特許庁

The gas barrier laminated film has a resin layer, which is formed by coating at least one side of a base material with an aqueous dispersion, which contains a polyvinyl alcohol (a) and an ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer (b), and the inorganic thin film formed on the resin layer.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも一方の面に、（ａ）ポリビニルアルコールと（ｂ）エチレン・不飽和カルボン酸共重合体とを含有する水性分散液を塗布してなる樹脂層、及び該樹脂層上に形成してなる無機薄膜、を有するガスバリア性積層フィルム。 - 特許庁

To solve the problem of a crystallinity, furthermore a film characteristics, of the entire ferroelectrics layer deteriorating because the crystalline state at the start of crystallization is uneven, if the base electrode layer surface is smooth in a heating/crystallizing process of a ferroelectrics thin film.例文帳に追加

強誘電体薄膜の加熱結晶化過程において、下地電極層表面が平滑の場合には結晶化開始時の結晶状態に不均一性があり、このために強誘電体層全体の結晶性ひいては膜特性を低下させる。 - 特許庁

The inner core 8 for constituting the stator core 6 is integrally molded by using a first magnetic powder X1 of a thin resin coating layer for tees 10 and using a second magnetic powder X2 of a thick resin coating layer for the can 13 (a cylindrical part 11 and a bottom part 12).例文帳に追加

ステータコア６を構成するインナコア８は、ティース１０が樹脂コーティング層の薄い第１磁性粉体Ｘ１を用い、キャン１３（円筒部１１及び底部１２）が樹脂コーティング層の厚い第２磁性粉体Ｘ２を用いて一体成形される。 - 特許庁

The first yoke portion layer 8b has, in an area facing the first magnetic pole portion layer 8a, an extended portion of which the thickness is relatively thick and a reduction portion of which the thickness is relatively thin so that the extended portion is located in the medium facing surface ABS side.例文帳に追加

第１ヨーク部分層８ｂは、第１磁極部分層８ａと対向する領域で、厚さが相対的に厚い拡張部と、厚さが相対的に薄い縮小部とを、拡張部が媒体対向面ＡＢＳ側に位置するように有している。 - 特許庁

To provide a phase change memory which maintains stable rewriting conditions by preventing atomic diffusion from a layer adjacent to a recording material layer to a recording material, due to the heat generated during rewrite operation, when both the recording material and a selector element are formed of a thin film.例文帳に追加

記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。 - 特許庁

A support layer 3 for reinforcement made from glass or ceramics is formed on one surface of a flexible film 1 by a thin film forming method, and on the other surface of the flexible film 1, a metal layer 4 with a circuit pattern is then formed to produce a circuit board 31a.例文帳に追加

可撓性フィルム１の一面に、薄膜形成法でガラスまたはセラミックスからなる補強用支持層３を形成し、次に可撓性フィルム１の他面に、回路パターンを有する金属層４を形成して、回路基板３１ａを形成する。 - 特許庁

A thin-film antenna in which a difference between the maximum height of a projection portion existing on a surface of the smoothing layer and a maximum depth of a recess portion is equal to or less than 1 μm, less than a film thickness of an antenna, or radio wave is transmitted/received via a surface of the smoothing layer is formed.例文帳に追加

平滑層の表面に存在する凸部の最大高さと凹部の最大深さとの差が１μｍ以下か、またはアンテナの膜厚よりも小さく、該平滑層の表面に電波を送受信する薄膜状のアンテナを形成する。 - 特許庁

The surface of the thin film magnetic head on the recording gap layer 26 side of a bottom pole layer 10 has a first surface 10A including an end arranged in the air bearing surface 42 and a second surface 10B arranged in a position away from the air bearing surface 42.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの下部磁極層１０の記録ギャップ層２６側の面は、エアベアリング面４２に配置された端部を含む第１の面１０Ａと、エアベアリング面４２から離れた位置に配置された第２の面１０Ｂとを有している。 - 特許庁