「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A heat dissipation substrate 10 is constituted by laminating a metal layer 11, a composite sheet 12, an insulating sheet 13, and a metal thin-film layer 14.例文帳に追加

この放熱基板１０は、金属層１１、複合シート１２、絶縁シート１３、金属薄膜層１４が積層されて構成される。 - 特許庁

Each spacer abuts against at least one end part of a gate layer line and a source layer line on the thin-film transistor array substrate.例文帳に追加

該スペーサは、薄膜トランジスタアレイ基板上の少なくともゲート層線とソース層線との内の一つの縁部に対して当接している。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure which has a high-quality Ge epitaxial layer using a thin buffer layer, and to provide its growing method.例文帳に追加

薄いバッファ層を採用した高品質のＧｅエピタキシャル層を有する半導体構造およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

This packing pad 5 is constituted of a laminated structure of an air-permeable layer 6 and an air-impermeable layer 7 of thin film state.例文帳に追加

そして、このバッキングパッド５は通気性の有る層６と通気性の無い薄膜状の層７との積層構造で構成されている。 - 特許庁

In a thin film, a metallic layer and an insulating resin layer with coefficient of thermal expansion of 1×10E-6 to 1×10E-5 (1/°C) are laminated.例文帳に追加

金属層と熱膨張係数が１×１０Ｅ−６から１×１０Ｅ−５（１／℃）である絶縁性樹脂層を重ねた薄膜。 - 特許庁

A thin film semiconductor layer 3 serving as a photovoltaic layer is formed on a substrate 1 made of a metal foil by electroforming.例文帳に追加

電鋳法で作製された金属箔からなる基板１上に光起電力層となる薄膜半導体層３が形成されている。 - 特許庁

A nonmagnetic metal layer 2 is formed between a nonmagnetic supporting body 1 and a metal magnetic layer 3 of the metal thin film type magnetic recording medium 100.例文帳に追加

金属薄膜型磁気記録媒体100の非磁性支持体１と金属磁性層３の間に非磁性の金属層２を設置する。 - 特許庁

The thin silicon layer serves to significantly reduce the accumulation of halogen atoms at the interface between the tantalum-based layer and an insulator.例文帳に追加

薄いシリコンの層は、タンタルを基礎とする層及び絶縁体の界面のハロゲン原子の蓄積を著しく還元することに役立つ。 - 特許庁

On the insulation protective layer 5, a metal thin film 6 which has oxidation treatment parts 6a around the bump terminals 7a, 7b is formed to cover the layer 5.例文帳に追加

そして、前記絶縁保護層５上に、バンプ端子７a、7ｂの周囲が酸化処理６aを有する金属薄膜6を被覆形成した。 - 特許庁

Consequently, the thin metal film layer 2 is not damaged by the application of the hot melt adhesive layer 3 and positioning of the indication part 5 is not required.例文帳に追加

そのため、ホットメルト接着層３の塗工によって金属薄膜層２を損傷せず、また表示部５の位置決めが不要である。 - 特許庁

A second hard bias layer 42 is laminated at a position apart from a multilayer film T on a thin first hard bias layer 40 by specific distance.例文帳に追加

薄い膜厚の第１ハードバイアス層４０上に多層膜Ｔから所定距離はなれた位置に第２ハードバイアス層４２を積層する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for which a polysilicon layer and a wiring layer are connected stably with low resistance without increasing a photoengraving process.例文帳に追加

写真製版工程を増やすことなく、ポリシリコン層と配線層とを安定して低抵抗で接続した薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Thereafter, a second acid nitriding process is performed, a nitride layer 16A is formed in the thin film region, and a nitride layer 16B is formed in the thick film region.例文帳に追加

その後、第２の酸窒化処理を行い、薄膜部領域に窒化層１６Ａを、厚膜部領域に窒化層１６Ｂを形成する。 - 特許庁

After a thin film 2 to be milled is formed on a substrate 1, a polymethyl glutarimide layer 3 and a photoresist layer 4 of a positive type are formed by coating application.例文帳に追加

基板１上に被ミリング薄膜２を形成した後、ポリメチルグルタルイミド層３及びポジ型のフォトレジスト層４を塗布して形成する。 - 特許庁

A cermet thin film 1 wherein Pt particles are dispersed in SiO_2 is formed as an oxidation prevention layer on the uppermost Si layer 2.例文帳に追加

最上層のＳｉ層２の上に、酸化防止層として、ＳｉＯ_２中にＰｔ微粒子を分散させたサーメット薄膜１を形成する。 - 特許庁

melanoma that has spread down through the papillary dermis (the thin top layer of the dermis) but not into the reticular dermis (the thick bottom layer of the dermis). 例文帳に追加

真皮乳頭層（真皮の薄い上層）に拡がっているが、真皮網状層（真皮の厚い下層）には達していない黒色腫。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

To provide a manufacturing method of a thin-film transistor capable of forming a film by overlapping a channel layer having excellent electron mobility to a gate insulating layer.例文帳に追加

電子移動性に優れたチャネル層をゲート絶縁層に重ねて成膜可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an antiferromagnetic layer in a higher-vacuum by suppressing inter-layer bonding caused between a fixed magnetized layer and a variable magnetized layer even when a Cu film forming a nonmagnetic layer is made thin.例文帳に追加

非磁性層となるＣｕ膜を薄膜化した場合でも、磁化固定層と磁化自由層との間に作用する層間結合を抑制することを可能とし、反強磁性層をより高真空の状態で成膜することを可能とする。 - 特許庁

Adhesiveness and planarity are improved by permitting a gate electrode or a gate wiring of a thin film transistor to have a four-layer structure by successively stacking a base adhesive layer, a catalyst layer, a wiring metal layer, and a wiring metal diffusion suppressing layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して４層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。 - 特許庁

The inorganic thin film EL element 10 is formed by depositing a first electrode layer 30, a first insulation layer 40, a light emitting layer 50, a second insulation layer 60, and a second electrode layer 70 on a ceramic substrate 20 in this sequence.例文帳に追加

無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０の上に、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０の順で薄膜が堆積されたＥＬ素子である。 - 特許庁

Since the metal oxide insulation layer 4 is interposed between the organic insulation layer 3 and the channel layer 6, impurities in the organic insulation layer 3 are prevented from entering the channel layer 6 in the thin-film transistor 10.例文帳に追加

この薄膜トランジスタ１０は、有機物絶縁層３とチャネル層６との間に金属酸化物絶縁層４が介在しているため、有機物絶縁層３中の不純物がチャネル層６に侵入することが防止される。 - 特許庁

Further, the lower magnetic pole layer is provided with an auxiliary layer 8d which consists of a high-saturation magnetic density material and is arranged between the first layer 8a of the lower magnetic pole layer and the first layer part 10 of thin film coils and forms a part of a magnetic path.例文帳に追加

下部磁極層は、更に、高飽和磁束密度材料からなり、下部磁極層の第１の部分８ａと薄膜コイルの第１層部分１０との間に配置され、磁路の一部を形成する補助層８ｄを有している。 - 特許庁

This binding tape 1 is constituted of a base material layer 2 consisting of a laminated drawn film, a printable thin film layer 3 which is formed on the surface of the base material layer 2, and a thermal fusion type resin layer 4 which is formed on the rear surface of the base material layer 2.例文帳に追加

積層延伸フィルムからなる基材層２と、前記基材層２の表面に形成した印刷可能薄膜層３と、前記基材層２の裏面に形成した熱溶融型樹脂層４とから結束テープ１を構成する。 - 特許庁

When a first layer 6a with low concentration and a second layer 6b with high concentration are formed in order, the first layer 6a is thick on the side of the trench 5b where the layer 6b is narrow in width and thin on the side of the trench 5a where the first layer 6a is wide in width.例文帳に追加

そして、低濃度となる第１層６ａと高濃度となる第２層６ｂを順に形成すると、第１層６ａは幅の狭いトレンチ５ｂ側において厚くなり、幅の広いトレンチ５ａ側において薄くなる。 - 特許庁

The thin film transistor substrate comprises a lower aluminum layer, an aluminum nitride layer formed on the lower aluminum layer, and an upper aluminum layer formed on the aluminum nitride layer.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタ基板は、下部アルミ二ウム層と、前記下部アルミ二ウム層の上に形成されている窒化アルミ二ウム層と、前記窒化アルミ二ウム層の上に形成されている上部アルミ二ウム層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this semiconductor element having a multiperiod layer wherein the first layer W and the second layer B having the band width wider than the first layer W, are laminated at multiple period, a δ-layer which is sufficiently thin when compared with the first layer W and the second layer B and quickly changes an energy band is provided on the boundary between the first layer W and the second layer B.例文帳に追加

第１層Ｗと第１層Ｗよりもバンド幅の広い第２層Ｂとを多重周期で積層した多重周期層を有する半導体素子において、第１層Ｗと第２層Ｖとの境界に、第１層Ｗと第２層Ｂの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層が設けられている。 - 特許庁

A heavily doped transparent thin film 6 made of a GZO thin film, AZO thin film, or IZO thin film having carrier concentration higher than that of the n-type ZnO substrate 3 is interposed between the p-type GaN layer 24 and the n-type ZnO substrate 3 at the LED thin-film section 2.例文帳に追加

ＬＥＤ薄膜部２におけるｐ形ＧａＮ層２４とｎ形ＺｎＯ基板３との間にｎ形ＺｎＯ基板３よりもキャリア濃度が高濃度のＧＺＯ薄膜もしくはＡＺＯ薄膜もしくはＩＺＯ薄膜からなる高濃度透明薄膜６を介在させてある。 - 特許庁

Or, the first thin film transistor is formed on the insulating substrate, the second thin film transistor is formed so as to interpose the inter-layer insulating film between itself and the first thin film transistor, and the first thin film transistor is electrically connected to the second thin film transistor through the contact hole formed in the inter-element insulating film.例文帳に追加

または、絶縁体基板上に第１層めの薄膜トランジスタが形成され、素子間絶縁膜をはさんで第２層めの薄膜トランジスタが形成され、第１層めの薄膜トランジスタは素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２層めの薄膜トランジスタと導通している。 - 特許庁

To raise the characteristics of both thin film transistors simultaneously by making the amount of hydrogen injected in a semiconductor layer independently enable to be controlled by an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor in the case of hydrogenation in the n-type thin film transistor and the p-type thin film transistor formed on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に形成されるｎ型薄膜トランジスタとｐ型薄膜トランジスタにおいて、水素化の際に半導体層に注入される水素量をｎ型薄膜トランジスタとｐ型薄膜トランジスタとで独立に制御可能とし、両薄膜トランジスタの特性を同時に高める。 - 特許庁

The thin-film circuit board has the base substrate 7, the thin-film circuit layer 3 which is arranged opposite the base substrate 7, spacers 9 which are sandwiched between them, and an adhesive 5 which is charged between the base substrate 7 and thin-film circuit layer 3 between which the spacers 9 are sandwiched.例文帳に追加

支持基板７、この支持基板７に対向配置された薄膜回路層３、これらの間に狭持されたスペーサ９、スペーサ９を狭持した支持基板７−薄膜回路層３間に充填された接着剤５を備えた薄膜回路基板。 - 特許庁

The multilayer orientation film of the liquid-crystalline organic molecules is the one in which, on the oriented polymer thin film layer having been formed into the oriented film by the friction transfer method, there is formed a thin film layer of the liquid-crystalline organic molecules that has the same orientation as the oriented polymer thin film.例文帳に追加

摩擦転写法により配向成膜された高分子配向薄膜層の上に、該高分子配向薄膜と同一配向した液晶性有機分子薄膜層を形成してなる液晶性有機分子多層配向膜である。 - 特許庁

Thin films 12a of respective layers consisting of a diffractive Fresnel lens are collectively formed in batch by forming a releasing layer 11 on a substrate 10, depositing an Al thin film 12A on the releasing layer 11 and patterning the Al thin film 12 by photo-lithography method.例文帳に追加

基板１０の上に離型層１１を形成し、離型層１１の上にＡｌ薄膜１２Ａを着膜し、Ａｌ薄膜１２Ａをフォトリソグラフィー法によってパターニングして回折型フレネルレンズを構成する各層の薄膜１２ａを一括して形成する。 - 特許庁

As a metal thin film acting as the gate electrode 1, etc., or a metal thin film acting as the source electrode 7, the drain electrode 6, etc., the metal thin film which has a layer 1a, consisting of a metal, and a layer 1b in which the nitrogen atom is added to the metal, is used.例文帳に追加

ゲート電極１などとなる金属薄膜またはソース電極７およびドレイン電極６などとなる金属薄膜として、金属からなる層１ａと金属に窒素原子を添加した層１ｂを有する金属薄膜を用いる。 - 特許庁

A manufacturing method of a gas diffusion layer contains a process where a polymer thin membrane 2 is arranged on a gas diffusion substrate 1, they are heated at a melting temperature or higher of the polymer thin membrane 2, and at the same time, the polymer thin membrane 2 and the gas diffusion substrate 1 are pressed to form the gas diffusion layer 7.例文帳に追加

高分子薄膜２をガス拡散基材１上に配して、高分子薄膜２の溶融温度以上に加熱しながら、高分子薄膜２とガス拡散基材１を加圧してガス拡散層７を形成する工程を有する。 - 特許庁

The thin film solar cell has a photoelectric conversion layer and a transparent conductive layer on the conductive light-reflecting film of the substrate for thin film solar cells, and the conductive light-reflecting film constitutes a back electrode of a thin film solar cell.例文帳に追加

さらに、薄膜太陽電池は、前記薄膜太陽電池用基板の導電性光反射膜上に、光電変換層および透明導電層を有し、導電性光反射膜が薄膜太陽電池の裏面電極を構成している。 - 特許庁

This semiconductor composite thin film electrode is manufactured by installing sequentially a porous semiconductor thin film layer having absorption characteristics in the ultraviolet ray region and a semiconductor thin film layer having absorption characteristics in the visible light region on a conductive transparent substrate.例文帳に追加

導電性透明基板上に紫外光領域に吸収特性を有する多孔質の半導体薄膜層、可視光領域に吸収特性を有する半導体薄膜層を順次設けてなる半導体複合薄膜電極。 - 特許庁

When viewed from a laminated direction of the first layer α and second layer β, a first region A in which only the first metal thin film pattern 21 is formed in the first metal thin film pattern 21 and the second metal thin film pattern 22 and a second region B in which both the first metal thin film pattern 21 and the second metal thin film 22 are formed are formed.例文帳に追加

第１層αと第２層βとの積層方向から見たときに、第１金属薄膜パターン２１および第２金属薄膜パターン２２のうち、第１金属薄膜パターン２１のみが形成された第１領域Ａと、第１金属薄膜パターン２１と第２金属薄膜パターン２２の両方が形成された第２領域Ｂとが形成されている。 - 特許庁

The light-emitting device has; over the same flexible substrate, a driving circuit portion including a thin film transistor for a driving circuit; and a pixel portion including a thin film transistor for a pixel, wherein the thin film transistor for the driving circuit and the thin film transistor for the pixel are inverted-staggered thin film transistors including an oxide semiconductor layer which is in contact with a part of an oxide insulating layer.例文帳に追加

同一可撓性基板上に駆動回路用薄膜トランジスタを含む駆動回路部と、画素用薄膜トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用薄膜トランジスタ及び画素用薄膜トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆スタガ型の薄膜トランジスタである。 - 特許庁

An image display device includes: a first substrate made of a bendable transparent substrate; a resin film layer bonded on the first substrate and having a thin film transistor formed on an upper layer; a barrier layer made of an inorganic film covering the surface of the resin film; and a thin film layer formed on the upper layer and a lower layer of the resin film via the barrier layer.例文帳に追加

湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成される画像表示装置である。 - 特許庁

The laminate contains an insulating resin layer and a metallic thin film layer formed on the insulating resin layer wherein the insulating resin layer is composed of a metal alloy comprising two or more kinds of metals, and a metal oxide exists on the boundary surface between the insulating resin layer and the metallic thin film layer.例文帳に追加

絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とを含む積層体であり、前記金属薄膜層が２種類以上の金属から構成される合金層であって、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在することを特徴とする積層体。 - 特許庁

An organic electric field light emitting device includes a thin-film layer containing at least a light emitting layer and an electron transport layer and a second electrode formed on the thin-film layer on a first electrode formed on a substrate, and is characterized in that the electron transport layer has a specific pyrene compound, and that the light emitting layer contains the specific pyrene compound.例文帳に追加

基板上に形成された第一電極上に、少なくとも発光層および電子輸送層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子であって、電子輸送層が特定のピレン化合物を含み、かつ発光層が特定のピレン化合物を含むことを特徴とする発光素子。 - 特許庁

A transfer sheet for forming the transfer molded article has a configuration that a metal-oxide thin film layer is formed on the transparent part where no decorative layer is formed, by partially laminating and forming the decorative layer on an intermediate sheet where the hard coat layer and the metal-oxide thin film layer are extensively formed on a substrate sheet as the transfer layer.例文帳に追加

転写成形品形成用の転写シートが、基体シート上に転写層としてハードコート層と金属酸化物薄膜層とが全面的に形成された中間シート上に加飾層が部分的に積層形成されることによって、加飾層が形成されない透明部に金属酸化物薄膜層が形成された構成をとる。 - 特許庁

A thin-film metal layer is formed which is laminated on a semiconductor layer, Schottky-junctioned with the semiconductor layer and has a film thickness of ≤100 nm, a modulated voltage or modulated light is applied to the thin-film metal layer to generate a response current responding to the modulated voltage or modulated light between a first electrode and a second electrode which are ohmic-connected with the thin-film metal layer.例文帳に追加

半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。 - 特許庁

This thin film resistance element 11 has a substrate 12, a first silicon layer 13 formed on the substrate 12, an electric resistance thin film 14 formed on the surface of the first silicon layer 13 opposite to the substrate 12, a second silicon layer 15 formed to cover the electric resistance thin film 14, and a protective layer 16 covering the second silicon layer 15.例文帳に追加

薄膜抵抗素子１１は、基板１２と、この基板１２上に形成された第１のシリコン層１３と、この第１のシリコン層１３の表面であって前記基板１２と反対側の面に形成された電気抵抗薄膜１４と、この電気抵抗薄膜１４を覆うように形成された第２のシリコン層１５と、この第２のシリコン層１５を覆う保護層１６とを備えている。 - 特許庁

The organic thin film semiconductor transistor comprises a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor active layer, a source-drain electrode, and a protective layer, and further, a buffer layer installed between the above-mentioned organic semiconductor active layer and the above-mentioned protective layer.例文帳に追加

基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体活性層、ソース−ドレイン電極、および保護層を含み、前記有機半導体活性層と前記保護層との間に緩衝層が介設されていることを特徴とする有機薄膜半導体トランジスター。 - 特許庁