「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an ALD(Atomic Layer Deposition) thin film vapor deposition apparatus provided with a cleaning apparatus by which dry cleaning is efficiently performed, and after the cleaning, thin film vapor deposition can easily be performed.例文帳に追加

効率良く乾式クリーニングし、クリーニング後、薄膜蒸着が容易に行えるクリーニング装置を備えたＡＬＤ薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁

After the surfaces are made flat, a lower pole 33, a write gap layer 34, thin-film coils 37 and 39, and an upper pole 41 of an induction type thin-film magnetic head, are formed.例文帳に追加

表面を平坦とした後、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポール３３、ライトギャップ層３４、薄膜コイル３７、３９、上部ポール４１を形成する。 - 特許庁

The thin-film resistance contact sensor element is formed on a layer which is higher than the second thin-film resistance heater element and is located closer to the floating surface than to the position of the second heater element.例文帳に追加

薄膜抵抗接触センサ素子は、第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い。 - 特許庁

A common piezoelectric thin-film layer, which may or may not be patterned, is formed as a thin film continuous as a single or not continuous.例文帳に追加

パターン化される事もされない事もある１つの共通圧電薄膜層は、１つの連続する又は連続しない薄膜にて形成される製造方法である。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor insulation layer material capable of producing an organic thin-film transistor having a small absolute value of threshold voltage and a small hysteresis.例文帳に追加

閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。 - 特許庁

To provide: a thin film transistor that improves interface characteristics of an active layer; a method of manufacturing the same; and a flat panel display device having the thin film transistor.例文帳に追加

活性層の界面特性が向上できる薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。 - 特許庁

The columnar bodies 56 are structured of a plurality of thin film layers 54 of Si, the organic layer 52 is formed to be contacted to the thin film layers 54.例文帳に追加

柱状体５６は、Ｓｉの複数の薄膜層５４によって構成され、薄膜層５４に接するように有機物層５２が形成されている。 - 特許庁

The flat panel display device includes a substrate 110 having a thin film transistor 114 formed thereon, and a blocking layer 11 is formed between the thin film transistor 114 and the substrate 110.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１１４が形成された基板１１０を含み、薄膜トランジスタ１１４と基板１１０の間には遮断層１１が配置されている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THIN FILM CONDUCTOR LAYER OF METALLIC PARTICULATE SINTERED COMPACT TYPE, AND METHODS FOR FORMING METALLIC WIRING AND METALLIC THIN FILM BY APPLYING THE METHOD例文帳に追加

金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法、該方法を応用した金属配線ならびに金属薄膜の形成方法 - 特許庁

To provide a flat continuous metal-containing thin film with a ruthenium-containing thin film as a lower layer metal film, an to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明の課題は、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした、平坦な連続金属含有薄膜及びその製造法を提供するものでもある。 - 特許庁

A multilayered thin film mold 2 is constituted of a plurality of single layer thin film molding unit molds 19-s arranged in a multi-stage fashion from the upstream side to the downstream side.例文帳に追加

多層薄膜成形型２は、上流側から下流側に多段に配置される複数の単層薄膜成形単位型１９−ｓを構成している。 - 特許庁

Thereby, by comparing the semiconductor thin film 42 with the case of providing on the same layer as the semiconductor thin films 25 and 26, it can be further miniaturized.例文帳に追加

これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。 - 特許庁

Striped thin film layers 32 are formed on apex surfaces of the ridges 14 and a thin film layer 34 is inserted between the substrate 50 and the ridges 14.例文帳に追加

このリッジ１４の頂部表面にストライプ状薄膜層３２を形成し、かつ基板５０とリッジ１４の間に薄膜層３４を挿入する。 - 特許庁

To form a thin film like substrate covered with a metal oxide layer without harming the shape of a raw material thin section like inorganic substrate.例文帳に追加

原料の薄片状無機基質の形状を損なうことなく金属酸化物層で被覆された薄膜状基質を形成することを課題とする。 - 特許庁

The head section of the thin film, made of an SOI layer or the like and formed like a cantilever, is used as the sample holder, and a thin-film temperature sensor is formed on this region.例文帳に追加

ＳＯＩ層などをカンチレバ状に形成した薄膜の先端部を試料ホルダとして利用し、この領域に薄膜温度センサを形成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor as an active layer, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a flat panel display device having the thin film transistor.例文帳に追加

酸化物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。 - 特許庁

FUNCTIONAL THIN FILM ELEMENT, DISPLAY, LIGHT CONTROL BODY, PHOTOELECTROMOTIVE FORCE MODULE, IONIZATION POTENTIAL CONTROL METHOD OF CONDUCTIVE LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF FUNCTIONAL THIN FILM ELEMENT例文帳に追加

機能性薄膜素子、表示体、調光体、光起電力モジュール、導電層のイオン化ポテンシャル制御方法、及び機能性薄膜素子の製造方法 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film transistor device by which an ion concentration in a silicon layer which becomes a cause for a variable factor of element characteristics of a thin film transistor is detected with sufficient precision to stabilize the characteristics.例文帳に追加

薄膜半導体の素子特性変動要因となるシリコン層中のイオン濃度を十分な精度で検出し特性安定化を行うこと。 - 特許庁

The MIS sensor S11 is laminated on the thin film transistor T11, and a semiconductor layer 507 provided to the MIS sensor S11 is extended on the thin film transistor T11.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタＴ１１上にＭＩＳ型センサＳ１１を積層して設け、ＭＩＳ型センサの半導体層５０７が薄膜トランジスタ上に延在する。 - 特許庁

To provide a composition for an organic thin film transistor insulating layer that can produce an organic thin film transistor with lower threshold voltage absolute value and hysteresis.例文帳に追加

閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a film for transferring a thin metal film capable of eliminating crease generation during transferring and contamination of a thin metal film layer generated before and after transferring.例文帳に追加

転写時の皺入りや、転写前後に生じる金属薄膜層の汚染などを無くすことができる金属薄膜転写用フィルムを提供せんとする。 - 特許庁

This substrate or container for the sensor has a thin film layer on the plastic substrate, and the plastic substrate is treated with an organic primer before forming the thin film.例文帳に追加

プラスチック基板上に薄膜層を有し、薄膜成膜前にプラスチック基板が有機プライマー処理されていることを特徴とするセンサー用基板または容器。 - 特許庁

A lower-part electrode thin film 9 is formed on a first inter-layer insulating film 8 on a silicon substrate 4, over which a ferroelectric thin film 10 is formed.例文帳に追加

シリコン基板４上の第１層間絶縁膜膜８上に下部電極薄膜９を形成し、その上に強誘電体薄膜１０を形成する。 - 特許庁

The array substrate 12 includes a plurality of pixel electrodes 29 that are driven by the thin film transistors 24 at a position of the insulation layer 21 that is opposite to the thin film transistors 24.例文帳に追加

アレイ基板12は、絶縁層21に対して各薄膜トランジスタ24と反対側の位置に、各薄膜トランジスタ24により駆動する複数の画素電極29を備える。 - 特許庁

A plurality of contact holes formed on the above layer side of the metal thin film are formed on an area where the metal thin film is superimposed on the pixel electrode.例文帳に追加

金属薄膜の上層側に形成されたコンタクトホールは、金属薄膜と画素電極とが重畳する領域に複数形成されている。 - 特許庁

An electroless plating layer 14 is then deposited on the surface of the thin film by electroless plating with the metal particles forming the thin film 13 as a core.例文帳に追加

次に薄膜１３を形成する金属粒子を核として無電解めっき法により薄膜の表面に無電解めっき層１４を析出させる。 - 特許庁

This orientational single layer ferroelectric oxide thin film is obtained by forming a ferroelectric oxide thin film having a smooth surface on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板上に平滑な表面を有する強誘電体酸化物薄膜が形成されてなる配向性単層強誘電体酸化物薄膜。 - 特許庁

The second thin films 14b are made from amorphous carbon having a smaller band gap than those of the electron emission layer 16 and having a larger band gap than the first thin films 14a.例文帳に追加

第２薄膜１４ｂは電子放出層１６よりも小さく且つ第１薄膜１４ａよりも大きなバンドギャップを有する非晶質炭素からなる。 - 特許庁

A copper thin film (base layer) 1 is formed on the surface of the silicon substrate 2, and a Mo/Si multilayer film 3 is formed on the copper thin film 1.例文帳に追加

シリコン基板２の表面には、銅薄膜（下地層）１が成膜されており、銅薄膜１の上にＭｏ／Ｓｉ多層膜３が成膜されている。 - 特許庁

Distortion is removed when clad thin films 3a-3n are solidified by laminating plural clad thin films 3a-3n to form a clad layer 3.例文帳に追加

クラッド層３を複数のクラッド薄膜３ａ〜３ｎを積層して形成することにより、クラッド薄膜３ａ〜３ｎが固化する際に歪を逃がすことができる。 - 特許庁

While the tane is made in the same way as the prototype until the dough is spread into a thin layer, it is rolled by a roller machine as thin as a few millimeters of thickness. 例文帳に追加

皮種については生地を薄く延ばすところまでは原型と同じであるが、現在は生地をローラーにかけて薄さ数ミリまでに延ばす。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide organic thin-film transistor insulation layer material capable of being used for manufacturing an organic thin-film transistor small in absolute value of a threshold voltage and hysteresis.例文帳に追加

閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。 - 特許庁

In a method for manufacturing a thin film transistor, a first thick photoresist layer 123A formed using a first multi-tone mask is used as a mask to perform ion doping, and a semiconductor layer 111 is doped with phosphor through a region where the semiconductor layer 111 is exposed, and a first thin photoresist layer 123B.例文帳に追加

第１多階調マスクを用いて形成した第１厚フォトレジスト層１２３Ａをマスクとしてイオンドーピングを行い、半導体層１１１が露出している領域と、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとを透過させて半導体層１１１中にリンのドーピングを行う。 - 特許庁

The organic EL element comprises a positive electrode 11 formed on a substrate 1, an organic thin film layer 12 including a light emitting layer 12b formed on the positive electrode 11, a negative electrode 15 formed on the organic thin film layer 12, and a negative electrode protection layer 16 formed on the negative electrode 15a.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、基板１上に形成された陽極１１と、陽極１１上に形成され、発光層１２ｂを含む有機薄膜層１２と、有機薄膜層１２上に形成された陰極１５と、陰極１５ａ上に形成された陰極保護層１６とを有する。 - 特許庁

In a laminate wherein the vapor deposition thin film layer 2 comprising an inorganic oxide and the gas barrier film layer 3 are successively laminated on at least the single surface of a base material film 1, the component of the gas barrier film layer 3 is incorporated in the vapor deposition thin film layer 2 to impart flexibility.例文帳に追加

基材フイルム１の少なくとも片面に、無機酸化物からなる蒸着薄膜層２、ガスバリア性被膜層３を順次積層した積層体において、ガスバリア性被膜層３の成分を蒸着薄膜層２中に入り込ませることにより、可撓性を付与する。 - 特許庁

By the method for forming the oxide superconducting thin film on the sapphire substrate, a CeO_2 buffer layer 2 is formed on the R-surface sapphire substrate 1, an LaAlO_3 is formed as a slanting layer 3 on the CeO_2 buffer layer 2, and an EBCO thin film 4 is formed on the slanting layer 3.例文帳に追加

サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ_2 バッファ層２を形成し、次に、このＣｅＯ_2バッファ層２上にＬａＡｌＯ_3 を傾斜層３として形成し、次に、この傾斜層３上にＥＢＣＯ薄膜４を形成する。 - 特許庁

The diffractive Fresnel lens 16A having a four-stage structure to laminate three-layer thin films 12a on an Al layer 14 is prepd. by peeling the plural thin films 12a from the releasing layer 11 and joining after laminating it on an Al layer 14 formed on a stage 13.例文帳に追加

複数の薄膜１２ａを離型層１１から剥離し、ステージ１３に形成したＡｌ層１４上に積層して接合することにより、Ａｌ層１４上に３層の薄膜１２ａを積層した４段構造の反射タイプの回折型フレネルレンズ１６Ａが作製される。 - 特許庁

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure.例文帳に追加

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。 - 特許庁

This molding mold comprises a base material 23 formed into a prescribed shape, an etching-resistant layer 31 covering the leading edge face s4 of the base material 23, a thin film layer 32 covering the etching-resistant layer 31 and removable with an etching liquid, and a mold releasing film 33 covering the thin film layer 32.例文帳に追加

所定の形状に形成された母材２３と、該母材２３の先端面ｓ４上に被覆された耐エッチング層３１と、該耐エッチング層３１上に被覆され、エッチング液で除去可能な薄膜層３２と、該薄膜層３２上に被覆された離型膜３３とを有する。 - 特許庁

The push-button switch member 2 has a keytop base body 10 made of resin and a coating layer laminating a first resin thin-film layer 21, an inorganic substance coating layer 22, and a transparent second resin thin-film layer 23 in order from the surface side of the keytop base body 10 on the top face of the keytop base body 10.例文帳に追加

樹脂製のキートップ基体１０と、該キートップ基体１０の天面に、そのキートップ基体１０の表面側から順に、第一の樹脂薄膜層２１、無機物質被膜層２２、透明な第二の樹脂薄膜層２３を積層した被覆層２０とを有する押釦スイッチ部材２とする。 - 特許庁

To provide a resist pattern which does not give rise to intermixing at the boundary between an upper layer resist layer and a lower layer resist layer and consequently has a good shape, a method of forming this resist pattern, a patterning method of a thin film by using this resist pattern and a method of manufacturing a thin-film magnetic head.例文帳に追加

上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor, a thin film having a three-layer (first metal layer 38/ITO layer 40/second metal layer 42) structure is used simultaneously as a source electrode, a drain electrode and a pixel electrode to thereby omit the via forming step and the patterning for forming the pixel electrodes.例文帳に追加

薄膜トランジスターの製造方法において、３層（第１金属層３８/ＩＴＯ層４０/第２金属層４２）構造の薄膜を、ソース電極とドレイン電極、および画素電極として同時に使用することにより、ビアホール形成工程と、画素電極形成のためのパターンニングを省略する。 - 特許庁

The sealing part has an under layer 31 formed by a metal thin film deposited on at least either one of the first and second members, a diffusion layer 35 formed by diffusing a part of the metal components of the metal thin film to one member, and a sealing material layer 32 provided on the under layer.例文帳に追加

封着部は、第１および第２部材の少なくとも一方に堆積された金属薄膜により形成された下地層３１と、金属薄膜の金属成分の一部が一方の部材に拡散して形成された拡散層３５と、下地層上に設けられた封着材層３２とを有している。 - 特許庁

The heat dissipating configuration for solar energy battery includes a heat dissipating unit having a plane portion and a plurality of fins, one thin film insulating layer overlaid on the plane portion, one circuit layer overlaid on the thin film insulating layer, and a solar energy battery stacked on a surface of one circuit layer to be connected thereto.例文帳に追加

平面部と複数のフィンがある放熱ユニットと、一層の平面部上に積層された薄膜絶縁層と、一層の薄膜絶縁層上に積層された回路層と、一層の回路層の一面上に積層されて接続される太陽エネルギー電池とが備えられる。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁