「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

A laminated sheet, wherein a conductive inorganic thin layer (3) such as silver is provided between a first film layer (1) and a second film layer (2), is scanned with laser beam so that such a conductive inorganic thin layer (3) at a part where the laser beam is projected is removed, forming a slit channel (g).例文帳に追加

第１フィルム層(1) と第２フィルム層(2) との層間に銀などの導電性無機質薄層(3) が設置されている積層シートに対し、レーザビームを走査してビームが照射された部分の導電性無機質薄層(3) を除去することによりスリット溝(g) を形成させる。 - 特許庁

The cathode thin film for a lithium secondary cell is equipped with a collector and a cathode active material layer formed on the collector, and the cathode active material layer consists of a multilayer thin film with a silicon layer and a silver layer laminated.例文帳に追加

集電体とその上部に形成された陰極活物質層とを具備するリチウム２次電池用陰極薄膜であって、前記陰極活物質層は、シリコン層と銀層とが積層された多層薄膜よりなることを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜である。 - 特許庁

When depositing the thin film by sputtering, sputter gas to which gaseous oxygen is added is used and an oxygen-introducing layer is formed on the adhesion surface side of the thin film by the gaseous oxygen to increase the adhesion force of the thin film.例文帳に追加

薄膜をスパッタ成膜する際に、酸素ガスを添加したスパッタガスを用い、この酸素ガスにより薄膜の付着面側に酸素導入層を形成して薄膜の付着力を強化する。 - 特許庁

To provide a metal oxide thin film deposition method capable of generating various kinds of metal oxide thin films, in particular, compound metal oxide thin films consisting of metals of different kinds by using the ALD (Atomic Layer Deposition)method without affecting the film deposition speed.例文帳に追加

成膜速度に影響を及ぼすことなく、多種の金属酸化物薄膜、特に異なる種類の金属からなる複合金属酸化物薄膜をＡＬＤ法を利用して生成する。 - 特許庁

The semiconductor has a thin film circuit provided on a substrate, and a conductive layer which is electrically connected to the thin film circuit and provided continuously on the substrate and thin film circuit.例文帳に追加

本発明の半導体装置の一は、基板上に設けられた薄膜回路部と、薄膜回路部と電気的に接続し、基板上及び薄膜回路部上に連続的に設けられた導電層とを有する。 - 特許庁

The thin film, with a thickness between 10 nm and μm, thus presents a decreasing silver concentration gradient from the interface 3 between the thin film 2 and the main layer 1 to the free surface 2a of the thin film 2.例文帳に追加

これによって、厚さ１０ｎｍ〜１μｍの薄膜が、薄膜２と主要層１との間の界面３から該薄膜２の自由表面２ａに向かって減少して行く銀濃度勾配を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor mounting substrate that has a thin film transistor, such that an oxide thin film used as an active layer is made stable and high in quality, mounted on a plastic substrate.例文帳に追加

活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This metal thin film 3a includes a thin film body 3a1 containing Ni, and a plated layer 3a2 which covers at least an external surface of the folded thin film body 3a1 and contains Sn.例文帳に追加

この金属薄膜３ａは、Ｎｉを含む薄膜本体３ａ１と、折り曲げられた薄膜本体３ａ１の少なくとも外側表面を被覆しＳｎを含むメッキ層３ａ２とを有している。 - 特許庁

To provide a thin-film laminate that has a buffer layer having a function for forming an epitaxial ferroelectric thin film with an excellent crystallizability on an Si substrate, and a ferroelectric thin-film element.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を持つバッファ層を備える薄膜積層体および強誘電体薄膜素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic thin-film transistor of high mobility, which forms a polydiacetylene thin-film high in stereoregularity on a semiconductor layer of the organic thin-film transistor by using a simple means.例文帳に追加

簡便な手段を用いて、有機薄膜トランジスタの半導体層に立体規則性の高いポリジアセチレン薄膜を形成し、高移動度を有する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

They are formed as an active layer, a transistor for a pixel is formed in a polycrystalline Si thin film 4b into a thick film, and a transistor for a drive circuit is formed into a polycrystalline Si thin film 4a in a thin film.例文帳に追加

これらを活性層として、厚膜の多結晶Ｓｉ薄膜４ｂの部分に画素用トランジスタを形成し、薄膜の多結晶Ｓｉ薄膜４ａの部分に駆動回路用のトランジスタを形成する。 - 特許庁

Also, the cathode electrode 70 operates as a thin-film resonator along with the multilayer thin film 40 and converges light from the organic EL layer 60 in a direction that is vertical to the surface of the multilayer thin film 40.例文帳に追加

また、カソード電極７０は、多層薄膜４０と共に薄膜共振器として作用し、有機ＥＬ層６０からの光を多層薄膜４０の表面に垂直な方向に収束する。 - 特許庁

The thin film electronic component comprises a supporting substrate 1, a thin film capacitor element A provided on the supporting substrate 1 while having electrode layers 5a and 7a and a dielectric layer 3, and a protective layer B covering the thin film capacitor element A wherein an underlying insulator layer 9 of the same component as the dielectric layer 3 is formed on the supporting substrate 1.例文帳に追加

支持基板１と、該支持基板１上に設けられ、電極層５ａ、７ａと誘電体層３とを有する薄膜コンデンサ素子Ａと、該薄膜コンデンサ素子Ａを被覆する保護層Ｂを有する薄膜電子部品であって、該誘電体層３を構成する同一成分の下地絶縁体層９を該支持基板１上に形成した。 - 特許庁

In the CPP type thin film magnetic head wherein a thin film magnetic head element is provided between a lower shield layer and an upper shield layer and a current flows vertically to the film surface of the thin film magnetic head element, a plurality of division parts magnetically divided in a track width direction are provided in at least one of the lower shield layer and the upper shield layer.例文帳に追加

下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を備え、該薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層及び前記上部シールド層の少なくとも一方に、トラック幅方向に磁気的に分断された複数の分割部を備える。 - 特許庁

In such a case, the metallic thin layer is made from a material containing a 1st oxidation film-forming element capable of forming a 1st oxidation film having the function to suppress the diffusion of carbon and/or nitrogen to the metallic thin layer and the surface layer is preferably the 1st oxidation film obtained by oxidation-treating the surface of the metallic thin layer before joining.例文帳に追加

この場合、前記金属薄層は、該金属薄層への炭素及び／又は窒素の拡散を抑制する機能を有する第１の酸化膜を形成可能な第１の酸化膜形成元素を含むものからなり、前記表面層は、接合前に前記金属薄層の表面を酸化処理することにより得られる前記第１の酸化膜が好ましい。 - 特許庁

An n-type polycrystalline silicon thin-film layer 13, a genuine- type polycrystalline silicon thin-film layer 14, and a p-type polycrystalline silicon thin-film layer 15 are formed as a photoconductive conversion layer on a transparent conductive film 12 in a glass substrate 11 with the transparent conductive film 12 by the plasma CVD method using 81.36 MHz as a plasma excitation frequency.例文帳に追加

透明導電膜１２を備えたガラス基板１１における透明導電膜１２上に、プラズマ励起周波数として８１.３６ＭＨzを用いたプラズマＣＶＤ法によって、ｎ型多結晶シリコン薄膜層１３,真性型多結晶シリコン薄膜層１４,ｐ型多結晶シリコン薄膜層１５を形成して光電変換層とする。 - 特許庁

In the antireflection film having a base material, a bar code layer arranged on the surface of the base material and the laminated body consisting of laminated thin layers formed on the surface of the bar code layer, the laminated body is formed by laminating a thin layer formed by a plasma CVD method and a thin layer formed by a sputtering method or a deposition method.例文帳に追加

基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてなる積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層体を、プラズマＣＶＤ法により形成される薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成される薄層とを積層することにより形成する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a thin film element from deteriorating in characteristics or breaking caused by the use of a thin film which has relatively large stress as a protection layer for the thin film element and to provide a thin film electronic component using the method.例文帳に追加

応力が比較的大きな薄膜を、薄膜素子の保護層として用いるために、保護層形成によって生じる素子の特性劣化や破壊を防止する方法を提供し、その方法を用いた薄膜電子部品を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion type thin film transistor 3 having a semiconductor thin film 42 made of an amorphous silicon is provided on the upper layer side, rather than an CMOS thin-film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁

A photoelectric conversion type thin-film transistor 3 having a semiconductor thin film 41 made of an amorphous silicon is provided at an upper layer side rather than CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁

A scrim (thin supportive layer applied to the surface of a thin prepreg to improve its handling characteristics) is applied to the surface of a thin high temperature CMC prepreg ply to prevent damage to components during handling the thin piles and the lay-up operations.例文帳に追加

薄い耐熱ＣＭＣプリプレグプライの表面にスクリム（取扱い特性を向上させるため薄いプリプレグの表面に適用される薄い支持層）を形成し、薄いプライの取り扱い時、及びレイアップ作業中の部品の損傷を防止する。 - 特許庁

The transfer material comprising at least one layer of organic thin film 14 on a print block 10 has a release layer 15 between a print block 10 and an organic thin film layer 14, and a manufacturing method of an organic electroluminescent element using the same is provided.例文帳に追加

版10上に少なくとも一層の有機薄膜層14を有する転写材料において、版10と有機薄膜層14との間に剥離層15を有することを特徴とする転写材料及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor whose transistor performance is stable owing to a protective layer containing a siloxane compound, and to provide a manufacturing method of the organic thin-film transistor which does not damage an organic semiconductor layer when forming the protective layer.例文帳に追加

シロキサン化合物を含有する保護層を設けることで、トランジスタ性能が安定している有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、前記保護層の形成時に、有機半導体層にダメージを与えない有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A compound molded article is manufactured in the vicinity of a boundary between a thin layer derived from a crystalline thermoplastic resin-made thin-walled molded article and a molded article layer derived from a molten resin composition under a condition that materials of both layers are melted with each other to form a mixed layer in a crystal state.例文帳に追加

結晶性熱可塑性樹脂薄肉成形体に由来の薄層と、溶融樹脂組成物に由来の成形体層との境界付近に、互いの材料が溶け合い、結晶状態となる混合層が形成される条件で製造する。 - 特許庁

On a surface side of the flexible layer 6 of a border area with the rigid layer 5, a thin wall part 6a is integrally formed and a lapping margin 5a is formed on the back surface side of the border area of the rigid layer 5 so that the lapping margin 5a overlaps the back surface of the thin wall part 6a.例文帳に追加

硬質層５との境界領域の軟質層６の表面側に肉薄部６ａが一体成形され、硬質層５の境界領域の裏面側に、肉薄部６ａの裏面に重なるように、ラップ代５ａが形成されている。 - 特許庁

When the activation solution like ozone water is injected to the thin resin layer, a silicone resin or a modified silicone resin forming the thin layer is oxidized (activated) by active oxygen in atom state, and modified to an adhesive layer 14 with expressed adhesion.例文帳に追加

薄膜樹脂層にオゾン水などの活性化溶液が噴射されると、原子状の活性酸素が薄膜樹脂層を構成するシリコーン樹脂や変性シリコーン樹脂が酸化（活性化）され、接着性が発現した接着層１４に改質される。 - 特許庁

SOLUTION FOR FORMING BLACK OXIDE LAYER ON THIN METALLIC FILM, METHOD FOR FORMING BLACK OXIDE LAYER ON THIN METALLIC FILM OF ELECTROMAGNETIC SHIELDING FILTER BY USING THE SOLUTION, AND ELECTROMAGNETIC SHIELDING FILTER WITH BLACK OXIDE LAYER FORMED THEREBY例文帳に追加

金属薄膜に黒色酸化層を形成させるための溶液、その溶液を用いた電磁波遮蔽フィルターの金属薄膜に黒色酸化層を形成させる方法、及び、その方法により形成された黒色酸化層を備えた電磁波遮蔽フィルター - 特許庁

This camouflage structure includes: a leaf-like cloth piece not containing a metal thin film layer which has a camouflage coloring agent-contained resin layer; and a mesh-like cloth piece having a metal thin film layer wherein the leaf-like cloth piece is partly fixed to the mesh-like cloth piece.例文帳に追加

迷彩着色剤含有樹脂層を有する金属薄膜層非含有のリーフ状布帛と、金属薄膜層を有するメッシュ状布帛とを備え、前記リーフ状布帛の一部がメッシュ状布帛に固定されている偽装構造体とする。 - 特許庁

The method comprises a step for forming the thin film (220) to be patterned on a substrate (210), a step for forming an anti-reflective coating (ARC) layer (240) on the thin film (220), and a step for forming a mask layer (250) on the (ARC) layer (240).例文帳に追加

当該方法は、基板（２１０）上にパターニングされる薄膜（２２０）を形成する工程、その薄膜（２２０）上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層（２４０）を形成する工程、及びそのＡＲＣ層（２４０）上にマスク層（２５０）を有する工程を有する。 - 特許庁

In the other clay thin-film board, a flattened inorganic layer is laminated on one or both sides of a clay thin-film having a structure composed of oriented and laminated clay particles, and a gas barrier inorganic layer is laminated on the flattened inorganic layer.例文帳に追加

また、他の粘土薄膜基板においては、粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜の少なくとも片面に、平坦化無機質層が積層され、該平坦化無機質層の上に、ガスバリア無機質層が積層されている。 - 特許庁

In the method, the super-thin line circuit layer can be formed by electrolytic plating without depending on an etching means, and a carrier object and a metal avoiding layer, which are required for forming the super-thin line circuit layer, are removed during a manufacture process or when it is terminated.例文帳に追加

本発明方法においては、電解メッキによりエッチング手段に頼らず超細線回路層を形成することができ、製造工程中或いは終了時に超細線回路層形成に必要なキャリア体、金属阻隔層を除去する。 - 特許庁

To provide a spin valve type thin film element having small asymmetry, superior heat-resistance, superior reliability, in which the thin film element has a bias conductive layer and is capable of controlling the direction of variable magnetization of a free magnetic layer, by applying current to the bias conductive layer.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁

The method comprises the steps of providing a substrate 12, depositing a thin-film dielectric layer 24 on the substrate, forming a channel in the thin-film dielectric layer, and providing a second silicon layer 20 in the channel.例文帳に追加

本発明の方法は、基板１２を提供する段階と、薄膜誘電体層２４を基板上に堆積させる段階と、薄膜誘電体層内にチャネルを形成する段階と、チャネル内に第２シリコン層２０を設ける段階と、で構成されている。 - 特許庁

A semiconductor package has a package base-material 11 with a formed wiring layer, a thin silicon chip 13 mounted on the package base- material 11 and connected electrically with the wiring layer of the package base-material 11, and a molding resin-layer 15 for sealing the thin silicon chip 13.例文帳に追加

配線層が形成されたパッケージ基材と、前記パッケージ基材上に搭載されると共に該パッケージ基材の配線層と電気的に接続された薄型シリコンチップと、前記薄型シリコンチップを封止するモールド樹脂層とを備える。 - 特許庁

In the multiplayer printed-wiring board, the IC chip 20 is located in a core board 30 in advance, a transition layer 38 consisting of a first thin film layer 33, a second thin film layer 36, and a thick film 37 are located on a copper die pad 24 of the IC chip 20.例文帳に追加

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。 - 特許庁

The method for producing the carbon thin film includes: forming a polymer layer on a substrate by using a coating process; forming a protective layer on the polymer layer; and heat-treating the substrate to form a carbon thin film on the substrate.例文帳に追加

基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 - 特許庁

The original printing plate for lithographic printing laminates successively a photo-catalyst-containing layer and a water-repellent thin film layer on a substrate, and has a surface free energy of the water-repellent thin film layer of 8-20 mJ/m^2.例文帳に追加

基材上に、光触媒含有層と、撥水性薄膜層と、を順次積層した平版印刷原版であって、前記撥水性薄膜層の表面自由エネルギーが８ｍＪ／ｍ^２以上２０ｍＪ／ｍ^２以下である平版印刷原版である。 - 特許庁

Plywood comprises a laminate of woody thin sheets and keeps (1) adjacent woody thin sheets adhering mutually, and (2) at least the uppermost layer and the undermost layer of the woody thin sheets respectively adhering to the adjacent woody thin sheets via adhesive layers containing a thermosetting resin and a fibrous material.例文帳に追加

木質薄板を積層してなる合板であって、（１）隣接する木質薄板どうしはいずれも接着されており、（２）少なくとも最上層及び最下層の木質薄板は、熱硬化性樹脂と繊維質材料とを含む接着材層を介して、それぞれ隣接する木質薄板と接着されている、ことを特徴とする合板。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device manufacturing method capable of efficiently manufacturing the thin film semiconductor device reduced in varieties of the number or the grain size of crystal in each electrode, compared with the thin film semiconductor device produced by a conventional manufacturing method, and whose interface between a crystal semiconductor thin film layer and an insulation film layer is smooth.例文帳に追加

従来の製造方法による薄膜半導体装置よりも、単位電極毎の結晶粒の数や粒径のばらつきが少なく、かつ結晶半導体薄膜層と絶縁膜層との界面が平滑な薄膜半導体装置を、効率的に製造することのできる薄膜半導体装置製造方法を提供すること。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 15 has the piezoelectric thin film 14, which includes a layer (first piezoelectric thin film 14a) formed of a polycrystal having a plurality of crystal orientations along the film thickness and a layer (second piezoelectric thin film 14b) formed of a polycrystal having a single crystal orientation.例文帳に追加

圧電体薄膜１４を備える圧電体薄膜素子１５であって、圧電体薄膜１４は膜厚方向に、複数の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第１の圧電体薄膜１４ａ）と、単一の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第２の圧電体薄膜１４ｂ）を含むようにした。 - 特許庁

Provided are the manufacturing method of organic thin film characterized by polymerizing an ionic liquid monomer in vacuum to form the film; and the laminated body 1 characterized by lamination of the organic thin film 13 obtained by such a method and inorganic thin film layers (a first inorganic thin film layer 12 and a second inorganic film layer 14).例文帳に追加

真空中でイオン液体モノマーを重合させて成膜することを特徴とする有機薄膜の製造方法；かかる製造方法で得られた有機薄膜層１３と、無機薄膜層（第一の無機薄膜層１２及び第二の無機薄膜層１４）とが積層されたことを特徴とする積層体１。 - 特許庁

To provide a circularity correcting method for obtaining a thin-walled cylinder of less dispersion of film thickness, and a circularity-corrected thin-walled cylinder, and the thin-walled cylinder having a surface layer material thereof, and to provide a fixing belt and a carrying unit of an image heating and fixing device using the thin-walled cylinder with the surface layer material.例文帳に追加

膜厚ばらつきの少ない薄肉円筒を得る真円矯正法、真円矯正された薄肉円筒及び更に表層材を形成した薄肉円筒を提供し、特に前記表層材付薄肉円筒を用いた、像加熱定着装置の定着ベルト及び搬送ユニットを提供する。 - 特許庁

The method for producing the flame resistant lace stitch cloth 10 with a thin film pattern layer comprises the joint of a laminated layer 2 comprising a metallic thin film 3 or a colored thin film 4, 5 overlying one side or both sides of a metallic thin film 3 by using an adhesive 6 to one side of the lace stitch cloth 7 with a flame proofing finish.例文帳に追加

難燃加工を施した透孔布帛７の片面に、金属薄膜３或いは金属薄膜３の片面又は両面に有色薄膜４，５を積層した積層膜２を接着剤６で接合することを特徴とする薄膜模様層を有する難燃性透孔布帛１０の製造方法。 - 特許庁

The second metal material layer 21b is structured as a thin membrane in a region where transmission of light generated by the organic light-emitting layer can be kept.例文帳に追加

第２金属材料層２１ｂは、有機発光層で発生した光の透過性が保たれる範囲の薄膜として構成されている。 - 特許庁

A thin phosphor layer may be deposited or coated on the surface of UVLED or the layer may be arranged just above the UVLED.例文帳に追加

リン光体の薄い層をＵＶＬＥＤの表面上に蒸着若しくはコーティングし、あるいは、ＵＶＬＥＤの直上に配置する場合がある。 - 特許庁