1153万例文収録!

「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > third elementに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

third elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1310



例文

The light-receiving part 44 is provided with a first light-receiving element 44a and the third light-receiving element 44c for respectively outputting two signals that differ by 180° in phase.例文帳に追加

受光部44は、180°位相が異なる2つの信号をそれぞれ出力する第1の受光素子44aと第3の受光素子44cとを備えている。 - 特許庁

The second state element from the last and the last state element of the scan register are connected to the inverter and the third and fourth multiplexers, respectively, in the 1 hot init circuit 113.例文帳に追加

1ホットinit回路113内において、スキャン・レジスタの最後から二番目および最後の状態エレメントは、インバータ、第三および第四マルチプレクサにそれぞれ結合される。 - 特許庁

The element chip 71 is bored, the conductive material 7b is arranged between the second substrate 75 or the third substrate 78 and the element chip 71 at a position corresponding to the boring part, and the active element 72 and the electro-optical element 79 are electrically connected.例文帳に追加

素子チップ71に開孔し、第2基板75または第3基板78と素子チップ71の間の、この開孔部に対応する位置に導電材料7bを配置し、アクティブ素子72と電気光学素子79を電気的に接続する。 - 特許庁

Only a switching element S1 is turned on for a first period, both of the switching element S1 and a switching element S2 are turned off for a second period, only the switching element S2 is turned on for a third period, and both of the switching elements S1, S2 are turned off in a fourth period.例文帳に追加

第1の期間にスイッチング素子S1のみをオンさせ、第2の期間にスイッチング素子S1,S2を両方ともオフさせ、第3の期間にスイッチング素子S2のみをオンさせ、第4の期間にスイッチング素子S1,S2を両方ともオフさせる。 - 特許庁

例文

A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.例文帳に追加

第2の素子は、第1の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第2のボディ領域31と、第2の不純物拡散層7と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第3の不純物拡散層9とを有する。 - 特許庁


例文

A first organic EL element 12a, a second organic EL element 12b, a third organic EL element 12c, and a fourth organic EL element 12d are combined at and pasted to a first end edge 17 and a second end edge.例文帳に追加

透明ガラス基板11上に、第1の有機EL素子12a、第2の有機EL素子12b、第3の有機EL素子12cおよび第4の有機EL素子12dが第1の縁端17および第2の縁端で結合し張り付けられている。 - 特許庁

The driving circuit of the display element comprises a first period for setting a current to be supplied to a display element, a second period for setting a gray-scale of the display element, and a third period for supplying a driving current to the display element.例文帳に追加

表示素子の駆動回路において表示素子(有機EL素子)に供給する電流を設定する第1の期間と、表示素子の階調を設定する第2の期間と、表示素子に駆動電流を供給する第3の期間とを有する。 - 特許庁

The decelerated rotation is input to a second sun gear S2 and a third ring gear R3 connected through a first clutch C-1 and a first shaft element 21, and input to a second carrier CR2 and a third sun gear S3 connected through a third clutch C-3 and a second shaft element 22.例文帳に追加

該減速回転は、第1クラッチC−1及び第1軸要素21を介して、連結されている第2サンギヤS2及び第3リングギヤR3に入力され、また、第3クラッチC−3及び第2軸要素22を介して、連結されている第2キャリヤCR2及び第3サンギヤS3に入力される。 - 特許庁

Accordingly, even if respective connections of the first and third regions 6, 8 of the filament-shaped light-emitting element 5 to a first and third electrodes 1, 3 are interchanged, since respective diode polarities with respect to the first and third electrodes 1, 3 are not interchanged, normal light emission becomes possible.例文帳に追加

よって、第1,第3の電極1,3に対する棒状発光素子5の第1,第3の領域6,8の接続が入れ替わっても第1,第3の電極1,3に対するダイオード極性が入れ替わらないから、正常に発光可能になる。 - 特許庁

例文

In addition, a predetermined wall thickness is secured at an abutting part (a part indicated by an arrow Q) between a medium triangle plate 3b bent to the bottom surface side of the second fundamental element 3 and a medium triangle plate 4a bent to the bottom surface side of the third fundamental element 4 so that the second fundamental element 3 and the third fundamental element 4 are joined together.例文帳に追加

また、第2の基本要素3の底面側に折り曲げられた中三角形板部3bと第3の基本要素4の底面側に折り曲げられた中三角形板部4aとの突き合わせ部(矢印Qで示す部分)にも所定の肉厚が確保されて、第2の基本構成要素3と第3の基本構成要素4とが接合されている。 - 特許庁

例文

A second capacitor C2 and a second series circuit 5a consisting of an inductance element T1a and a first switch element Tr1 for composing an inverter circuit 5 are connected between the outputs of a rectification device 3, and a third series circuit 5b consisting of a second switch element Tr2 and a third capacitor C4 is connected in parallel with the first switch element Tr1.例文帳に追加

整流装置3の出力間に、第2のコンデンサC2と、インバータ回路5を構成するインダクタンス素子T1aおよび第1のスイッチ素子Tr1からなる第2の直列回路5aとを接続し、第1のスイッチ素子Tr1と並列的に、第2のスイッチ素子Tr2および第3のコンデンサC4からなる第3の直列回路5bを接続する。 - 特許庁

A first line antenna 10 constituted of connecting a first loop element 10a to a third loop element 10c in series is formed on the surface of a first dielectric substrate 11 and a second line antenna 20 constituted of connecting a first loop element 20a to a third loop element 20c in series is formed on the surface of a second dielectric substrate 21.例文帳に追加

第1ループ素子10a〜第3ループ素子10cが直列に接続されて構成されている第1ラインアンテナ10が第1誘電体基板11の表面に設けられ、第1ループ素子20a〜第3ループ素子20cが直列に接続されて構成されている第2ラインアンテナ20が第2誘電体基板21の表面に設けられている。 - 特許庁

This blue component light B is reflected by the polarized light separating film 7a and emitted from the third polarization beam splitter 7 to impinge on a reflection type spatial optical modulating element 8 as a third spatial optical modulating element.例文帳に追加

この青色成分光Bは、偏光分離膜7aにより反射されてこの第3の偏光ビームスプリッタ7より出射され、第3の空間光変調素子である青色用反射型空間光変調素子8に入射するようにする。 - 特許庁

An alignment direction of the liquid crystal of the first unit element 10 and upper two third unit elements 30 and an alignment direction of the liquid crystal of the second unit element 20 and lower two third unit elements 30 are mutually orthogonal to each other.例文帳に追加

また、第1の単素子10および上の2つの第3の単素子30の液晶の配向方向と、第2の単素子20および下の2つの第3の単素子30の液晶の配向方向とは互いに直交するように配置される。 - 特許庁

A third lattice scale 22 for transmission is provided at the emission section 30b, and the third lattice scale 22 is film-formed, simultaneously as with an electrode 16 of the light-emitting element 10a on the surface of the light-emitting element 10a for constituting the emission section 30b.例文帳に追加

発光部30bには透過用の第3格子目盛22が設けられ、この第3格子目盛22は、前記発光部30bを構成する発光素子10aの表面に、該発光素子10aの電極16と同時に成膜して形成されている - 特許庁

The laminate structure 28 of a third surface luminescent semiconductor laser element having an oscillation wavelength band different from the oscillation wavelength bands of the first and second semiconductor laser elements is formed and etched to form a third semiconductor laser element 30.例文帳に追加

第1及び第2の半導体レーザ素子の発振波長帯域とは異なる発振波長帯域を有する第3の面発光半導体レーザ素子の積層構造28を形成し、エッチングして、第3の半導体レーザ素子30を形成する。 - 特許庁

A third switching element 120a is connected in parallel with the first switching element 130a, and is controlled by an energization rate control circuit 128a, and performs bypass feeding so that the energization current of the first switching element 130a may come to a specified value or under.例文帳に追加

第三の開閉素子120aは第一の開閉素子130aと並列接続され、通電率制御回路128aによって制御され、第一の開閉素子130aの通電電流が所定値以下となるようにバイパス給電を行う。 - 特許庁

To suppress the performance deterioration resulting from a temperature rise of a semiconductor laser element by efficiently radiating heat due to the heat generation in the semiconductor laser element, by using an idle pin (a third pin) and a wiring board of the semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子の空きピン(第3ピン)と配線基板とを活用することによって、半導体レーザ素子の発熱を効率よく放熱させて半導体レーザ素子の温度上昇による性能低下を抑える。 - 特許庁

The plurality of optical elements have a positive cross-scan cylindrical first optical element, a negative cross-scan cylindrical second optical element, and a positive cross-scan cylindrical third optical element.例文帳に追加

複数の光学エレメントは、正の交差スキャン方向の円柱状の第1光学エレメント、負の交差スキャン方向の円柱状の第2光学エレメント、および正の交差スキャン方向の円柱状の第3光学エレメントを有する。 - 特許庁

The time-constant circuit 30 defines a time to the turn-on of a control switch element (third switch element) Q5 from the on-timing of the Q3 by receiving the drive voltage for the clearance between the gate and the source of the commutation switch element Q3.例文帳に追加

時定数回路30は転流スイッチ素子Q3のゲート・ソース間に対する駆動電圧を受けてQ3のオンタイミングから制御スイッチ素子(第3のスイッチ素子)Q5がオンするまでの時間を定める。 - 特許庁

The pixel P is provided with a holding capacity C, an inverter INV, an OLED element 70, and first to third transistors TR1-TR3.例文帳に追加

画素Pは、保持容量C、インバータINV、OLED素子70及び第1〜第3トランジスタTR1〜TR3を有する。 - 特許庁

In the case of detecting element admittance in the circuit, the third output terminal is used instead of the first output terminal.例文帳に追加

この回路において素子アドミッタンスを検出する場合は、第1の出力端子に代えて第3の出力端子を用いる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has high magnetic characteristics even subjected to an annealing treatment of a low temperature without adding a third element.例文帳に追加

第三元素を加えることなく、低温でのアニール処理でも高い磁気特性を有する磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

This linear element processing structure can be similarly applied to a case supporting the working tool so as to rotate about a third axis separated from the first axis A.例文帳に追加

第1軸線Aと隔たった第3軸線回りに回転可能に作業ツールを支持するケースにも適用できる。 - 特許庁

Further, since a light-emitting layer is formed thick at a third organic EL element 50, deterioration of luminance at a second half of current conduction can be restrained.例文帳に追加

また、第3の有機EL素子50では、発光層を厚く形成するため、通電後期の輝度劣化を抑制できる。 - 特許庁

The first piezo-resistance element 1, a first resistance 27, a second resistance 28, and a third resistance 29 constitute a Wheatstone bridge 3.例文帳に追加

第1ピエゾ抵抗素子1、第1抵抗27、第2抵抗28、及び第3抵抗29でホイートストンブリッジ3を構成する。 - 特許庁

A contact force integrating section 16 integrates the second contact force at the node element of the pile thus calculating a third contact force.例文帳に追加

接触力集約部16は、第2の接触力を杭の節点要素に集約して第3の接触力を算出する。 - 特許庁

In the third step, the surface portions of the first element 11 exposed on the bottom sections of the grooves 12a are removed.例文帳に追加

そして、第3の工程において、第1の電極膜11のうち溝12aの底部に位置する表面部分を除去する。 - 特許庁

The first element is made possible to be coupled with a decelerating rotary member through the third clutch, or to be fixed by the first brake.例文帳に追加

第1要素を減速回転部材に第3クラッチを介して連結可能とし、又は第1ブレーキにより固定可能とする。 - 特許庁

A first fulcrum part O1, a second fulcrum part O2 and a third fulcrum part O3 are defined on respective vertex positions of a triangle which surrounds the optical element.例文帳に追加

光学素子を取り囲む三角形の各頂点位置に、第1支点部O_1 、第2支点部O_2 、第3支点部O_3 を定める。 - 特許庁

The third side plate (43) is inserted in the cooling adsorption element so as to cross the extension direction of a flow channel (16) at a right angle.例文帳に追加

第3側板(43)は、流路(16)の延びる方向に直交するように、冷却吸着部材に差し入れられている。 - 特許庁

A third insulating film 10 having a smooth wall surface shape is formed on a first insulating film 8 when the element height is formed.例文帳に追加

素子高さ形成時の第1の絶縁膜8上に滑らかな壁面形状を有する第3の絶縁膜10を形成する。 - 特許庁

In the third period T3, a second reference voltage Vw which is lower than the first reference voltage Vb is applied to the liquid crystal element.例文帳に追加

第3期間T3では第1基準電圧Vbより低い第2基準電圧Vwが液晶素子に印加される。 - 特許庁

A first element Ea is connected between the first and second power supply nodes 28 and 29 serially to the third MOS transistor Pa.例文帳に追加

第1の素子Eaは、第1および第2の電源ノード28,29間に第3のMOSトランジスタPaと直列に接続される。 - 特許庁

When an input power is low, switches 26, 27 are thrown to the position of a third delay route 28 to turn off the amplifier element 24.例文帳に追加

入力パワーが低いときは、スイッチ26,27によって増幅素子24をOFFして第3遅延ルート28側に切り替える。 - 特許庁

The first element is one out of a magnet and a coil, and the second and third elements are the other of the magnet and the coil.例文帳に追加

第1の要素は磁石及びコイルのうち一方であり、第2及び第3の要素は磁石及びコイルのうち他方である。 - 特許庁

Each pixel circuit 10 includes a light emitting element EL, first, second, and third transistors T1, T2, and T3, and a capacitor Cs.例文帳に追加

各画素回路10は、発光素子ELと、第1、第2及び第3のトランジスタT1,T2,T3と容量Csとを含む。 - 特許庁

The third parameter, $order, if present, is used to construct the 'ORDER BY' clause, and may be used to override the 'order' element of the query. 例文帳に追加

3 番目のパラメータ $order を指定した場合は、それを用いて 'ORDER BY' 句を作成します。 この場合、クエリの'order' 要素の内容は無視されます。 - PEAR

The type and classification of the secondary battery can be distinguished by detecting the distinction element 17 through the third output terminal 6.例文帳に追加

第3の出力端子6を介して判別素子17を検出することによって、二次電池4の種別が判別可能となる。 - 特許庁

Moreover, a second parallel circuit PC2 is formed by connecting a second switch element F2 to a third reactive circuit 13C in parallel.例文帳に追加

また第3のリアクタンス回路部13Cに第2のスイッチ素子F2を並列接続して第2の並列回路PC2を構成する。 - 特許庁

The first support part O1, the second support part O2 and the third support part O3 are fixed in respective vertex positions of a triangle surrounding the optical element.例文帳に追加

光学素子を取り囲む三角形の各頂点位置に、第1支点部O_1 、第2支点部O_2 、第3支点部O_3 を定める。 - 特許庁

A first B piezoelectric element 313b, a second B piezoelectric element 314b, a third B piezoelectric element 317b, a fourth B piezoelectric element 318b, a seventh A piezoelectric element 327a, an eighth B piezoelectric element 326b, a fifth A piezoelectric element 323a and a sixth B piezoelectric element 322b to which an AC voltage composed of a negative cosine wave is applied are displaced each to a backward direction of the rotation axis X.例文帳に追加

マイナスコサイン波から成る交流電圧が印加される第1のB圧電体313b及び第2のB圧電体314b、第3のB圧電体317b及び第4のB圧電体318b、第7のA圧電体327a及び第8のB圧電体326b、並びに第5のA圧電体323a及び第6のB圧電体322bが、回転軸X負方向に各々変位する。 - 特許庁

When the detected memory charge level of the selected memory element is larger than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the third reference memory element (step S3), and the selected memory element is in a state 3 or 4.例文帳に追加

選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第1基準メモリ素子のそれより大きいとき、検出されたメモリ電荷レベルは第3基準メモリ素子と比較され(ステップS3)、選択されたメモリ素子は状態3又は4のいずれかである。 - 特許庁

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のPN接合素子、第二のPN接合素子、第三のPN接合素子、および第四のPN接合素子のうちの少なくとも2つのPN接合素子を、異なる2つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

There is provided a semiconductor device comprising a first element region, a second element region, and a first isolation region in a thin-film region TA1 and a third element region, a fourth element region, and a second isolation region in a thick-film region TA2.例文帳に追加

薄膜領域TA1中に第1の素子領域、第2の素子領域および第1の分離領域を有し、厚膜領域TA2中に第3の素子領域、第4の素子領域および第2の分離領域を有する半導体装置を次のように製造する。 - 特許庁

The control device is equipped with a first element 23 as a ruler, a second element 24 as a detector of a mark on the ruler, a third element 25 and a fourth elements 26 as fixed part of the first and second elements respectively, and a fifth element 27 applying the signal.例文帳に追加

制御装置は、ルーラである第1の要素23、ルーラ上のマークの検出器である第2の要素24、それぞれ第1の要素、第2の要素の固定部である第3の要素25、第4の要素26、および信号を印加する第5の要素27を備える。 - 特許庁

A laminated demultiplexer is provided with a high-pass filter circuit equipped with first to third capacitance elements and a first inductance element; a first low-pass filter circuit equipped with fourth to sixth capacitance elements and a second inductance element; and a second low pass filter circuit equipped with seventh and eight capacitance elements and a third inductance element.例文帳に追加

積層型分波器が,第1〜第3のキャパシタンス素子と,第1のインダクタンス素子と,を備えるハイパスフィルタ回路と,第4〜第6のキャパシタンス素子と,第2のインダクタンス素子と,を備える第1のローパスフィルタ回路と,第7,第8のキャパシタンス素子および第3のインダクタンス素子と,を備える第2のローパスフィルタ回路と,を具備する。 - 特許庁

The lens optical system includes in order from an object side: a first convex lens group 20 wherein a plurality of first-element convex lenses 21 are arranged planarly; a second convex lens group 22 wherein a plurality of second-element convex lenses 23 are arranged planarly; and a third convex lens group 24 wherein a plurality of third-element convex lenses 25 are arranged planarly.例文帳に追加

物体側より順に、複数の第1要素凸レンズ21が平面状に配置された第1凸レンズ群20と、複数の第2要素凸レンズ23が平面状に配置された第2凸レンズ群22と、複数の第3要素凸レンズ25が平面状に配置された第3凸レンズ群24とを備える。 - 特許庁

The lens optical system includes, in order from an object side, a first convex lens group 20 where a plurality of first element convex lenses 21 are arranged in a plane state, a second convex lens group 22 where a plurality of second element convex lenses 23 are arranged in a plane state, and a third convex lens group 24 where a plurality of third element convex lenses 25 are arranged in a plane state.例文帳に追加

物体側より順に、複数の第1要素凸レンズ21が平面状に配置された第1凸レンズ群20と、複数の第2要素凸レンズ23が平面状に配置された第2凸レンズ群22と、複数の第3要素凸レンズ25が平面状に配置された第3凸レンズ群24とを備える。 - 特許庁

例文

A signal-transmitting section 4 includes a first semiconductor luminous element chip 410(R) for emitting a light of a first wave length λ_1, a second semiconductor light-emitting element chip 410(G) for emitting a light of a second wave length λ_2 and a third semiconductor luminous element chip 410(B) for emitting a light of a third wavelength λ_3.例文帳に追加

信号発信部4は、第1の波長λ_1の光を発光する第1の半導体発光素子チップ410(R)、第2の波長λ_2光を発光する第2の半導体発光素子チップ410(G)、第3の波長λ_3光を発光する第3の半導体発光素子チップ410(B)とを有す。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
Copyright © 2001 - 2008 by the PEAR Documentation Group.
This material may be distributed only subject to the terms and conditions set forth in the Open Publication License, v1.0 or later (the latest version is presently available at http://www.opencontent.org/openpub/ ).
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS