「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

law stating that the proportions in which two elements separately combine with a third element are also the proportions in which they combine together 例文帳に追加

2つの元素が別々に第3の元素と結びついたときの比率は、やはりいっしょに結びついたときと同じであるという法則 - 日本語WordNet

This sensor comprises a detection element 1, and a metal terminal member 11 formed of a body section 11 and first to third turnup sections 12-14.例文帳に追加

センサは検出素子１と、本体部１１及び第１〜３折り返し部１２〜１４からなる金属端子部材１０とを備える。 - 特許庁

A third protective coat 83 of the second film thickness smaller than the first film thickness covers the head element 33 at an air outflow side of the rail 38.例文帳に追加

レール３８の空気流出側でヘッド素子３３には第１膜厚よりも小さい第２膜厚の第３保護膜８３が被さる。 - 特許庁

The second region, the third region and the conductive element constitute a drain, source and a gate of the MOS transistor, respectively.例文帳に追加

前記第２領域と、前記第３領域と、前記導電素子とは、ＭＯＳトランジスタのドレインと、ソースと、ゲートと、をそれぞれ構成する。 - 特許庁

For the third current source circuit part 13, a forth bipolar transistor Q4 and the resistance element R2 made of the polysilicon are serially connected.例文帳に追加

第３の電流源回路部１３は、第４のバイポーラトランジスタＱ４とポリシリコン製の抵抗素子Ｒ２とが直列接続されている。 - 特許庁

On the other hand, the reference cell RC includes a second reluctance element 150 having a resistance fixed to a third value between the first and second values.例文帳に追加

一方、リファレンスセルＲＣは、抵抗値が第１値と第２値の間の第３値に固定された第２磁気抵抗素子１５０を含む。 - 特許庁

The third layer elastic body 5 has a shape, gradually thinning from the upper part toward the pressure-sensing element 2.例文帳に追加

この第２層弾性体４上には、感圧素子２の圧力検出部位から上方に向かって第３層弾性体５が積層されている。 - 特許庁

In every crime, especially in the great ones, there exists a third element, preeminently vital. 例文帳に追加

どんな犯罪でも――重犯罪ならなおさらです――考慮すべき第三の問題があります。そして、これこそが犯罪計画の要と言えるのです。 - Melville Davisson Post『罪体』

The time elapsed after starting output of the first signal element before starting output of the second signal element, and the time elapsed after starting output of the second signal element before starting output of the third signal element are substantially equal to the period TH of Helmholtz resonance frequency.例文帳に追加

第１の信号要素の出力開始時から第２の信号要素の出力開始時までの経過時間、及び、第２の信号要素の出力開始時から第３の信号要素の出力開始時までの経過時間が、ヘルムホルツ共振周波数の周期ＴＨと実質的に等しい。 - 特許庁

The rectifier 6 includes first rectifying element groups D11, D12, and D13, of which each one end is connected to a positive terminal, second rectifying element groups D14, D15, and D16 of which each one end is connected o a negative terminal and third rectifying element groups Dxu, Dyu, and Dzw connected between these element groups.例文帳に追加

整流装置６は、一方端が正極側端子に接続された第１の整流素子群Ｄ11、Ｄ12、Ｄ13および一方端が負極側端子に接続された第２の整流素子群Ｄ14、Ｄ15、Ｄ16とは別に、これらの間に接続された第３の整流素子群Ｄxu、Ｄyu、Ｄzwを有している。 - 特許庁

In an automatic transmission, desired speed change is achieved by first-stage speed change to release a first engagement element B-1, and engage a third engagement element C-1, and second-stage speed change to release a second engagement element C-2, and engage a fourth engagement element C-3.例文帳に追加

自動変速機は、第１の係合要素Ｂ−１を解放し第３の係合要素Ｃ−１を係合する前段階の変速と、第２の係合要素Ｃ−２を解放し第４の係合要素Ｃ−３を係合する後段階の変速とで所期の変速を達成する。 - 特許庁

A first rotary element RM1 connecting together sun gears S2 and S3, a second rotary element RM2 connecting together a ring gear R2 and a carrier CA3, a third rotary element RM3 formed by a ring gear R3, and a fourth rotary element RM4 formed by a carrier CA2 are respectively provided in the planetary gear type multistage transmission.例文帳に追加

サンギヤＳ２、Ｓ３が互いに連結されて第１回転要素ＲＭ１、リングギヤＲ２およびキャリヤＣＡ３が互いに連結されて第２回転要素ＲＭ２、リングギヤＲ３によって第３回転要素ＲＭ３、キャリヤＣＡ２によって第４回転要素ＲＭ４が、それぞれ構成されている。 - 特許庁

In an automatic transmission, desired speed change is achieved by pre-stage speed change of releasing a first engagement element B-1, and engaging a third engagement element C-1, and post-stage speed change to release a second engagement element C-2, and engaging a fourth engagement element C-3.例文帳に追加

自動変速機は、第１の係合要素Ｂ−１を解放し第３の係合要素Ｃ−１を係合する前段階の変速と、第２の係合要素Ｃ−２を解放し第４の係合要素Ｃ−３を係合する後段階の変速とで所期の変速を達成する。 - 特許庁

A first dipole antenna 11 in which a first element 11a and a second element 11b cross substantially at right angles is formed on a printed circuit board 10, and a second dipole antenna 12 in which a third element 12a and a fourth element 12b cross substantially at right angles is formed, thereby forming the omnidirectional antenna 1.例文帳に追加

プリント基板１０上に第１エレメント１１ａと第２エレメント１１ｂとがほぼ直交する第１ダイポールアンテナ１１を形成すると共に、第３エレメント１２ａと第４エレメント１２ｂとがほぼ直交する第２ダイポールアンテナ１２を形成して無指向性アンテナ１を構成する。 - 特許庁

Luminescent area of the second semiconductor light-emitting element 20b and the third semiconductor light-emitting element 20c which are located at inner side than both ends is formed smaller than the luminescent area of the first semiconductor light-emitting element 20a and the fourth semiconductor light-emitting element 20d which are located at both ends.例文帳に追加

両端よりも内側に位置する第２半導体発光素子２０ｂ、第３半導体発光素子２０ｃの発光面積を、両端に位置する第１半導体発光素子２０ａ、第４半導体発光素子２０ｄの発光面積よりも小さく形成した。 - 特許庁

In an automatic transmission, desired speed change is achieved by first stage speed change to release a first engagement element B-1, and engage a third engagement element C-1, and second stage speed change to release a second engagement element C-2, and engage fourth engagement element C-3.例文帳に追加

自動変速機は、第１の係合要素Ｂ−１を解放し第３の係合要素Ｃ−１を係合する前段階の変速と、第２の係合要素Ｃ−２を解放し第４の係合要素Ｃ−３を係合する後段階の変速とで所期の変速を達成する。 - 特許庁

Power needed to drive the first and third switch element is P1=Pπ/2 and power needed to drive the second switch element is P2=Pπ, so the ratio of the distributed power when the driving means of the first switch element and the second switch element are driven in common is set to P1/P2=1/2.例文帳に追加

第１および第３のスイッチ素子の駆動に要するパワーはＰ１＝Ｐπ／２、第２のスイッチ素子の駆動に要するパワーはＰ２＝Ｐπであるので、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子の駆動手段を共通駆動した時に、配分されるパワーの比率がＰ１／Ｐ２＝１／２になるようにする。 - 特許庁

In the light emitting module 1, a wavelength detector 50 may receive the front light from the semiconductor light emitting element 12, such that in a third region 11c provided at the back of the semiconductor light emitting element 12, a driving element 14 is located closely to the semiconductor light emitting element 12.例文帳に追加

発光モジュール１では、波長検出器５０が半導体発光素子１２からの前面光を受けることができるので、半導体発光素子１２の後方に設けられた第３の領域１１ｃにおいて駆動素子１４を半導体発光素子１２に近づけて配置することができる。 - 特許庁

A second clock phase includes shifting shadow data of the fourth latch element of the shadow execution context into the first latch element of the normal execution context and shifting the data of the second latch element of the normal execution context into the third latch element of the shadow execution context.例文帳に追加

第２のクロック・フェーズでは、シャドウ実行コンテキストの第４のラッチ・エレメントのシャドウ・データをノーマル実行コンテキストの第１のラッチ・エレメント内にシフトすることおよびノーマル実行コンテキストの第2のラッチ・エレメントのデータをシャドウ実行コンテキストの第３のラッチ・エレメント内にシフトすることを含む。 - 特許庁

In the encoder device 28, a first light receiving element 41 and a second light receiving element 42 are arranged at an interval which can obtain a signal having a phase difference of about 270°, and the element 41 and a third light receiving element 43 are arranged at an interval which can obtain a signal having a phase difference of about 180°.例文帳に追加

エンコーダ装置２８では、第１の受光素子４１と第２の受光素子４２とは、約２７０度の位相差の信号が得られる間隔で配置され、第１の受光素子４１と第３の受光素子４３とは、約１８０度の位相差の信号が得られる間隔で配置されている。 - 特許庁

A microcomputer 320 outputs an image signal via a second connector element 380a and a third connector element 380b connectable to the first connector element 290, and detects which connector is connected to the first connector element 290 to output the result to the LCD escutcheon 1.例文帳に追加

マイコン３２０は第１コネクタ素子２９０に接続可能な第２コネクタ素子３８０ａおよび第３コネクタ素子３８０ｂを介して画像信号を出力すると共に、どちらのコネクタが第１コネクタ素子２９０に接続されているかを検知してＬＣＤエスカッション１に出力する。 - 特許庁

The first clutch C1 is configured to freely connect the first element Sa to an eleventh element Cd, the second clutch C2 is configured to freely connect a first connecting body Ca-Cb to the eleventh element Cd, and the third clutch C3 is configured to freely connect a second connecting body Ra-Cc to a fourth element Sb.例文帳に追加

第１クラッチＣ１は第１要素Ｓａと第１１要素Ｃｄとを、第２クラッチＣ２は第１連結体Ｃａ−Ｃｂと第１１要素Ｃｄとを、第３クラッチＣ３は第２連結体Ｒａ−Ｃｃと第４要素Ｓｂとを夫々連結自在に構成される。 - 特許庁

Further, the capacitance element has such a configuration that the first dielectric part 11 is disposed between the first electrode 21 and second electrode 22, the second dielectric part 12 is disposed between the second electrode 22 and third electrode 23, and the third dielectric part 13 is disposed between the third electrode 23 and fourth electrode 24.例文帳に追加

そして、第１誘電体部１１は、第１電極２１及び第２電極２２間に設けられ、第２誘電体部１２は、第２電極２２及び第３電極２３間に設けられ、第３誘電体部１３は、第３電極２３及び第４電極２４間に設けられるように構成する。 - 特許庁

The semiconductor element 1A further comprises: a first main electrode 20 connected to the third semiconductor layer 16; a second main electrode 21 connected to the third semiconductor layer 16; and a gate electrode 31 provided between the first main electrode and the second main electrode on the third semiconductor layer 16.例文帳に追加

半導体素子１Ａは、第３半導体層１６に接続された第１主電極２０と、第３半導体層１６に接続された第２主電極２１と、第１主電極と第２主電極とのあいだの第３半導体層１６の上に設けられたゲート電極３１と、を備える。 - 特許庁

Centers Cp of first to third ports 41g-41i are approximately equally disposed around a rotation shaft from viewing from the rotation shaft direction of a valve element 42 and first and third communication passages 41k, 41m are bent in a valve body 41 to open first to third connection ports 41a-41c to the same direction.例文帳に追加

第１〜３ポート４１ｇ〜４１ｉの中心Ｃｐが、弁体４２の回転軸方向から見て、回転軸周りに略均等配置するとともに、第１、３連通路４１ｋ、４１ｍをバルブボディ４１内で屈曲させて第１〜３接続ポート４１ａ〜４１ｃを同一の向き開口させる。 - 特許庁

The refrigerant sent in the first core element 33 positioned leeward via a refrigerant sending pipe 7 flows out through a refrigerant takeout pipe 8 from within the third core element 35 positioned windward after flowing in the first, second, and third core elements 33, 34, and 35 in order.例文帳に追加

冷媒送り込み管７を通じて風下側に位置する第一のコア要素３３の内部に送り込んだ冷媒は、第一、第二、第三のコア要素３３、３４、３５内を、順に流れた後、風上側に位置する第三のコア要素３５内から冷媒取り出し管８を通じて流出する。 - 特許庁

With respect to the first connecting point 19, a second ground resistive element 23 and a second switch 24 are connected between a connecting point 22 on a side of the input terminal 10 and the ground, and a third ground resistive element 27 and a third switch 27 are connected between a connecting point 25 and the ground.例文帳に追加

第１の接続点１９に対し、入力端子側１０の接続点２２とグラウンドとの間に第２の接地抵抗素子２３及び第２のスイッチ２４を接続し、接続点２５とグラウンドとの間に第３の接地抵抗素子２７及び第３のスイッチ２７を接続する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a substrate having a built-in semiconductor element, the semiconductor element is bonded on a first sheet, a second sheet having an opening is placed thereon, a conductive third sheet is further placed thereon, and then the first to third sheets are collectively subjected to thermal compression.例文帳に追加

本発明の半導体素子内蔵基板の製造方法は、第一のシートに半導体素子を接着し、その上に開口部を有する第二のシート載置し、さらにその上に導電性の第三のシート載置した後、第一乃至第三のシートを一括して熱圧着する事を特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the polysilicon film 6 is etched anisotropically using the third insulation film 10a and the second insulation film 8a as a mask thus forming a floating gate 12 beneath the third insulation film 10a and forming the lower electrode of the resistor element 2a and the capacitor element 2b below the second insulation film 8a.例文帳に追加

その後、第３の絶縁膜１０ａと第２の絶縁膜８ａとをマスクにポリシリコン膜６を異方性エッチングして、第３の絶縁膜１０ａ直下にフローティングゲート１２を形成すると共に第２の絶縁膜８ａ下に抵抗素子２ａ及び容量素子２ｂの下部電極を形成する。 - 特許庁

A second driving signal generation unit (second driving signal generation circuit 40B) generates a third driving signal (driving signal COM_B (2)) including a third operating pulse to operate the first element and a fourth driving signal (driving signal COM_A (2)) including a fourth operating pulse to operate a second element.例文帳に追加

第２駆動信号生成ユニット（第２駆動信号生成回路４０Ｂ）は、第１素子を動作させるための第３動作パルスを含んだ第３駆動信号（駆動信号ＣＯＭ_Ｂ（２））、及び、２素子を動作させるための第４動作パルスを含んだ第４駆動信号（駆動信号ＣＯＭ_Ａ（２））を生成する。 - 特許庁

For preventing defects during deposition, only the third insulation film in the part for forming a contact hole is removed, and the light emitting element comprising a positive electrode, an organic compound layer, and a negative electrode is formed on the third insulation film.例文帳に追加

また、成膜時の不良を防止するためにコンタクトホールが形成される部分の第３の絶縁膜のみ除去し、第３の絶縁膜上に陽極、有機化合物層、および陰極からなる発光素子を形成する。 - 特許庁

Heat generated from the semiconductor element 3 is efficiently transferred to the first heat transfer layer 4, the second heat transfer layer 5, and the third heat transfer layer 6 to be radiated to the exterior from the third heat transfer layer 6 exposed from the resin layer 7.例文帳に追加

半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 - 特許庁

A first clutch C1 and a second clutch C2 connect the second connector Ca-Rc-Rd to the third element Sa and the second connector Ca-Rc-Rd to the third connector Sb-Sd in a disconnectable manner, respectively.例文帳に追加

第１クラッチＣ１は第２連結体Ｃａ−Ｒｃ−Ｒｄと第３要素Ｓａとを、第２クラッチＣ２は第２連結体Ｃａ−Ｒｃ−Ｒｄと第３連結体Ｓｂ−Ｓｄとを、夫々解除自在に連結する。 - 特許庁

To restrain a height from being deviated between the first grating and the third grating of a so-called triple grating encoder, that is, to restrain the height from being deviated with respect to a photoreception element face including a PD array corresponding to the third grating and the first grating.例文帳に追加

所謂３重格子エンコーダの第１格子と第３格子との高さずれを抑える、すなわち第１格子と第３格子に相当するＰＤアレイを含む受光素子面との高さずれを抑えること。 - 特許庁

The capacitance element 10 includes a first electrode 21, a second electrode 22, a third electrode 23, a fourth electrode 24, a first dielectric part 11, a second dielectric part 12, and a third dielectric part 13.例文帳に追加

第１電極２１と、第２電極２２と、第３電極２３と、第４電極２４と、第１誘電体部１１と、第２誘電体部１２と、第３誘電体部１３とを備える静電容量素子１０を提供する。 - 特許庁

The holding member 4 has first to third inner sides oppositely bonded to the first to third outer sides of the piezoelectric element 2 and driveshaft 3, respectively.例文帳に追加

保持部材４は、圧電素子２及び駆動軸３夫々の第１外側面、第２外側面及び第３外側面夫々と対向して接着された第１内側面、第２内側面及び第３内側面を備えている。 - 特許庁

Optical beams of first to third wavelength emitted from first to third semiconductor laser elements 51 to 53 and reflected by an optical recording medium 61 are each diffracted by a hologram diffraction grating 70 of a hologram element 54.例文帳に追加

第１〜第３半導体レーザ素子５１〜５３から発せられて、光記録媒体６１で反射される第１〜第３波長の光ビームは、それぞれホログラム素子５４のホログラム回折格子７０によって回折される。 - 特許庁

The image capture lens module includes: a first compound lens having a first lens element, a second lens element, and a third lens element arranged in sequence from an object side to an image side; a second compound lens having a fourth lens element, a fifth lens element, and a sixth lens element arranged in sequence from the object side to the image side; and a cover glass used for an image sensor, positioned behind the second compound lens.例文帳に追加

被写体側からイメージ側に順に配置された第１レンズ素子、第２レンズ素子と、第３レンズ素子を有する第１複合レンズ、被写体側からイメージ側に順に配置された第４レンズ素子、第５レンズ素子と、第６レンズ素子を有する第２複合レンズと、第２複合レンズの後方に設置されたイメージセンサに用いられるカバーガラスを含むイメージ捕捉レンズモジュールを提供する。 - 特許庁

The fastening apparatus 13 is additionally provided with a third fastening element constructed as a hard back-engaging element 17 between the lower, first fastening element 14 and the upper, second fastening element 16, and the upper, second fastening element 16 is constructed as a slide blocking element 33 that blocks a relative displacement between the footboard 10 and the mounting surface 7.例文帳に追加

固定装置１３が、下位の第１の固定エレメント１４と上位の第２の固定エレメント１６との間に、硬質の背面係合エレメント１７として形成された追加的な第３の固定エレメント１５を備えており、上位の第２の固定エレメント１６が、移動防止エレメント３３として形成されていて、かつ踏板１０と組付面７との間の相対運動を防止するようになっている。 - 特許庁

A GaN system first light emitting element 110 which emits blue light, a GaN system second light emitting element 120 which emits green light, and a third light emitting element 130 which emits red light, are arranged in a first lead electrode 210, a second lead electrode 220, and a third lead electrode 230, respectively, and the lead electrodes are fixed by a fixing member 300.例文帳に追加

青色に発光するＧａＮ系の第１の発光素子１１０と、緑色に発光するＧａＮ系の第２の発光素子１２０と、赤色に発光する第３の発光素子１３０とがそれぞれ第１のリード電極２１０、第２のリード電極２２０、第３のリード電極２３０に配置され、これらのリード電極を固定部材３００で固体する。 - 特許庁

An optical control part 20 detects the position of a lens 14 with respect to the piezoelectric element 18, based on the second electric signal ouputted to the piezoelectric element 18 and a third electric signal which is obtained by converting by the piezoelectric element 18 a reflection wave signal 40a being a third vibration signal generated by reflection of the second vibration signal against a lens mount 14a.例文帳に追加

また、光学系制御部２０は、圧電素子１８に出力した第２電気信号と、第２振動信号がレンズマウント１４ａで反射した第３振動信号である反射波信号４０ａが圧電素子１８で変換された第３電気信号と、に基づいて、圧電素子１８に対するレンズ１４の位置を検出する。 - 特許庁

This semiconductor light-emitting element (light-emitting diode element) comprises: a support substrate 1; a first junction layer 2a formed on the support substrate 1; a second junction layer 2b formed on the first junction layer 2a; a third junction layer 2c formed on the second junction layer 2b; and a semiconductor element layer 3 formed on the third junction layer 2c.例文帳に追加

この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。 - 特許庁

A parasitic element 216 integrated with a conductive heat dissipating sheet is arranged at a position separated from and opposite to the width direction of a third power supply part 214, grounded to GND of a lower case bottom board 204a, wider bandwidth is attained and the antenna gain is raised by coupling between a third antenna element 215 and the parasitic element at an open end.例文帳に追加

無給電素子２１６は、第３給電部２１４の幅方向において離間して対向する位置に、導電性の放熱シートと一体化された無給電素子を配置し、下筐体地板２０４aのGNDに接地され、第３アンテナ素子２１５と無給電素子との開放端での結合により、広帯域化が図れ、かつ、アンテナ利得が向上する。 - 特許庁

The relief valve 10 comprises a valve housing 20 having a first opening part 24, a second opening part 28, and a third opening part 26; a valve element 60; a spring 81 energizing the valve element 60 toward the first opening part 24; and a cover element 70 compressing and supporting the spring 81 and closing the third opening part 26.例文帳に追加

このリリーフバルブ１０は、第１開口部２４と、第２開口部２８と、第３開口部２６とを有するバルブハウジング２０と、第１開口部２４を開閉する弁体６０と、弁体６０を第１開口部２４に向けて付勢するスプリング８１と、スプリング８１を圧縮支持し、第３開口部２６を閉塞する蓋体７０とを備えている。 - 特許庁

A third passivation film 45 is installed under an EL element 203 consisting of a picture element electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, and prevents alkaline metal in the EL element 203 formed by ink-jet printing from diffusing to the TFT side.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁