| 意味 | 例文 |
threshold currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1912件
An NMOS depression transistor Q1 and an NMOS enhancement transistor Q2 having threshold value voltages different from each other, and constituting a constant current source are connected in series.例文帳に追加
しきい値電圧が互いに異なる、定電流源を構成するNMOSデプレッショントランジスタQ1と、NMOSエンハンスメントトランジスタQ2が直列に接続されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein an n-channel MOS transistor of low leakage current and low threshold voltage and a p-channel MOS transistor are formed on one substrate.例文帳に追加
低リーク電流及び低閾値電圧のnチャネルMOSトランジスタとpチャネルMOSトランジスタとが一の基板に形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a nitride-based semiconductor light emitting device which is reduced in threshold current by effectively confining light in a light emitting layer.例文帳に追加
発光層における光の閉じ込めを効果的に行うことによりしきい値電流の低減化が図られた窒化物系半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can reduce a leakage current, while suppressing variations in the threshold and reduction in mobility, and to provide a method and an apparatus for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
しきい値の変動及び移動度の低下を抑えながらリーク電流を低減することができる半導体装置、その製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁
Thus, a standby period, from the time input voltage is applied on the drive transistor until the output current is actually supplied, is shortened and changes in the threshold voltage are suppressed.例文帳に追加
これによりドライブトランジスタに入力電圧を印加してから実際出力電流が供給されるまでの待機期間を短縮化して閾電圧の変動を抑制する。 - 特許庁
The computing section 14 and the like control the adjusting means so as to reduce the feeding amount of the gas per unit time when the absolute value of the current is equal to or greater than a threshold.例文帳に追加
演算部14などは、電流の絶対値が閾値以上の場合、気体の単位時間あたりの供給量を減少させるように、調整手段を制御する。 - 特許庁
When the time difference is shorter than a prescribed threshold, it is judged that a key is depressed by a mistake in playing operation, and input of the current note-on message is ignored and tempo determination is not performed.例文帳に追加
時間差が所定の閾値未満であれば、演奏操作のミスによる打鍵であると判断して、今回のノートオンメッセージの入力を無視し、テンポ決定を行わない。 - 特許庁
The non-observable regions can be further reduced by omitting dead time insertion for switch actuation when an output current is higher than a given threshold.例文帳に追加
観察可能でない領域は、出力電流が与えられた閾値よりも高いときスイッチ付勢のためのデッドタイム挿入を削除することによりさらに減少され得る。 - 特許庁
To provide a programming method for a semiconductor memory by which reduction of an access time or a state of insufficient threshold voltage margin caused by decrease of a memory cell current can be dissolved.例文帳に追加
メモリセル電流の低下に起因するアクセスタイムの低下や,しきい値電圧マージン不足を解消することの可能な半導体記憶装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
During actual use, the system controller 13 corrects display data Pic on the basis of the stored current amplification factor and the threshold voltage value and then supplies the display data to the data driver 16.例文帳に追加
実使用時、システムコントローラ13は、記憶された電流増幅率と閾値電圧の値とに基づいて表示データPicを補正してデータドライバ16に供給する。 - 特許庁
A threshold of the inverter amplifier IV100 is adjusted as a value so that the transfer gate TG1 does not become an off state and current flows at the time of low voltage.例文帳に追加
インバータアンプIV100の閾値は、低電圧時において、トランスファゲートTG1がオフ状態になって、電流が流れなくならないような値に調整されている。 - 特許庁
The valve-control time takes into account the influence of a switching point based on the dependence on a switching threshold of the pressure drop in accordance with the temporal variation of a valve current.例文帳に追加
弁制御時間は、弁電流の時間的変化に従って圧力降下のスイッチング閾値に対する依存性に基づくスイッチングポイントの影響を考慮している。 - 特許庁
To reliably prevent degradation of a battery by performing a rapid control so that a battery voltage or a battery current may not exceed a threshold even when an operation of an electric motor changes.例文帳に追加
電気モータの作動が変動してもバッテリ電圧あるいはバッテリ電流が限界値を超えないように迅速に制御を行ない、バッテリの劣化を確実に防止する。 - 特許庁
A threshold value is inputted to one input end of each comparator, and the direct current signal of the rectifying diode is inputted to the other input end thereof by being converted into a voltage signal.例文帳に追加
コンパレータの一方の入力端にしきい値が入力され他方の入力端に整流用ダイオードの直流信号が電圧信号に変換されて入力される。 - 特許庁
A method of controlling a brushless motor includes exciting a winding of a motor until current in the winding exceeds a threshold, and then continuing to excite the winding for over an overrun period.例文帳に追加
巻線の電流が閾値を超えるまでモータの巻線を励起する段階とオーバーラン期間にわたって巻線を励起し続ける段階とを含むブラシレスモータを制御する方法。 - 特許庁
To provide an SiC semiconductor device which greatly reduces a trap level on an SiC/SiO_2 interface, has high dielectric strength and low leakage current, and has stable threshold voltage.例文帳に追加
SiC/SiO_2界面のトラップ準位を大幅に低減し、高絶縁耐力、低リーク電流で、かつ閾値電圧が安定したSiC半導体装置の提供を目的とする。 - 特許庁
The electric power source for welding comprises a means for switching over the straight polarity start and the reversed polarity start according to whether or not the time after the stop of the alternating current arc has exceeded the threshold value.例文帳に追加
交流アークの中断からの時間が閾値を超えるか、超えないかによって正極スタートと、逆極スタートを切替える手段を具備する溶接用電源装置。 - 特許庁
To provide a gain combined distribution feedback type semiconductor laser element which provides high optical output, without having to increase threshold current nor degrading the light-emission efficiency.例文帳に追加
しきい値電流の増加と発光効率の低下を引き起こすことなく高光出力を実現する利得結合分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
When the current value is larger than a threshold value (Yes in S2), the conveying speed of the sheet bundle in folding treatment is made slow (S4) and a clamping time is lengthened to crush the swelled part.例文帳に追加
電流値がしきい値よりも大きい場合には(S2のYes)、折り処理時のシート束の搬送速度を遅くし(S4)、挟持時間を長くして膨らみを押しつぶす。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit having a node whose level in a standby mode is not uniquely decided, which is constituted so that the countermeasure of a sub threshold leakage current can be taken.例文帳に追加
待機モード時のレベルが一意的に決まらないノードを有する半導体集積回路において、サブスレッショルドリーク電流対策が実施可能な回路構成にする。 - 特許庁
The laser device radiates a laser beam by applying an electric current that exceeds a threshold value between the first and second electrodes, wherein the first electrode functions as a reflecting mirror.例文帳に追加
第1の電極は反射鏡として機能し、第1の電極と前記第2の電極間に閾値以上の電流を流すことによって、レーザー光を放射することができる。 - 特許庁
Resultantly, the current supply by the channel formed beneath the gate electrode 162 when a voltage not exceeding the threshold voltage is impressed on the gate electrodes 162 can be avoided.例文帳に追加
その結果、ゲート電極162にしきい電圧以下の電圧が印加された時ゲート電極162下にチャンネルが形成されて電流が流れることが防止できる。 - 特許庁
In an active matrix display device, each light emitter (E_in, E_im) is controlled by a current modulator (M_in) having a special trip threshold voltage (V_th).例文帳に追加
アクティブマトリクスディスプレイ装置では、それぞれの発光体(E_in,E_im)は特別なトリップしきい値電圧(V_th)を有する電流変調器(M_in)によって制御される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that suppresses variations in a threshold voltage and an NBTI phenomenon and has improved transistor characteristics having a small junction leak current.例文帳に追加
しきい値電圧のばらつき及びNBTI現象を抑制し、且つ、接合リーク電流の少ない優れたトランジスタ特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor optical device which can be produced with good reproducibility and has high reliability and is useful as a light source of low aspect ratio and of low threshold current.例文帳に追加
再現性良く作製することが可能であり、信頼性が高く、低しきい値電流で低アスペクト比の光源として有用な半導体光デバイス装置を提供すること。 - 特許庁
Since only the time is measured in the memory inside the control part 30 when the current exceeds the threshold value, the time when the electrical appliance is in a standby state is not counted.例文帳に追加
しきい値を超えている場合にのみ、制御部30内のメモリーに、その時間をカウントするので、家電製品が待機状態にあるときは時間をカウントしない。 - 特許庁
To provide a regulator circuit for improving an output voltage variation to an input voltage variation and supplying a stabilized current to a threshold variation of a transistor to an amplifier.例文帳に追加
入力電圧変動に対する出力電圧変動を改善し、トランジスタの閾値バラツキに対して安定した電流を増幅器に供給するレギュレータ回路を提供する。 - 特許庁
Thus, such SiC semiconductor device as has a structure to suppress an excessive drain current that occurs when a gate voltage approaches the threshold value can be provided.例文帳に追加
したがって、ゲート電圧が閾値近傍に近づくときに発生する過剰なドレイン電流を抑制できる構造のSiC半導体装置とすることが可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit having a circuit accurately measuring a threshold voltage and current-voltage characteristics with no need of a specialized terminal.例文帳に追加
専用の外部端子が必要なく、MOSトランジスタの閾値電圧および電圧対電流特性を精度よく測定できる回路を備えた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
To suppress the deviation of a threshold voltage and a gate leakage current in a MISFET using a high dielectric constant gate insulated film while preventing the increase of the film thickness of the insulated film.例文帳に追加
高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMISFETにおける、しきい値電圧のズレ、及び、ゲート漏れ電流の抑制を、絶縁膜の膜厚の増大を防ぎつつ実現する。 - 特許庁
In the hardware model, for example, relation between the performance tpd and source-drain leak current Pleak is described using threshold voltage Vth as a parameter.例文帳に追加
このハードウェアモデルでは例えば、性能tpdとソース・ドレインリーク電流Pleakとの関係が、しきい値電圧Vthを媒介変数として記述されている。 - 特許庁
To avoid occurrence of variation in a precharge effect under circumstances that variation is present in threshold voltage of a drive transistor included in a current drive type pixel circuit.例文帳に追加
電流駆動型の画素回路に含まれている駆動トランジスタの閾値電圧にばらつきがある状況下で、プリチャージの効果にばらつきが生じないようにすること。 - 特許庁
The added value Iu+Iv+Iw of motor current values of each phase of an AC motor is computed with an adder 22, and this is compared with threshold value Ish in a comparator 24.例文帳に追加
交流モータの各相のモータ電流値の加算値Iu+Iv+Iwを加算器22で算出し、これを比較器24において、しきい値Ishと比較する。 - 特許庁
To prevent metal atoms from being injected into a gate insulating film in forming a gate electrode, and to prevent increase of gate leakage current, destabilization of threshold voltage, and the like.例文帳に追加
ゲート電極を形成する際に、ゲート絶縁膜に金属原子が注入されることを抑制し、ゲートリーク電流の増加や閾値電圧の不安定化等を防止する。 - 特許庁
To enable to reduce threshold voltage of a carbon nano-tube electron emitter and enable to obtain higher electric current density as for a highly efficient electron emitter and its manufacturing method.例文帳に追加
高効率電子エミッタおよびその製造方法に関し、カーボンナノチューブ電子エミッタの閾電圧をより低下させ、かつ、より高い電流密度を得ることができる。 - 特許庁
To stabilize a threshold current level for semiconductor laser oscillation against changes in an ambient temperature by applying a relatively easy process technology to a distributed feedback semiconductor laser device.例文帳に追加
分布帰還型半導体レーザに関し、比較的容易なプロセス技術により半導体レーザの発振域値電流値を周囲温度の変化に対して安定化する。 - 特許庁
A communication handoff is initiated from the current communication system to the targeted communication system when the mobile unit recognizes a predetermined threshold level of the pilot search signal.例文帳に追加
移動ユニットがパイロット検索信号の所定の閾値レベルを認識する場合に、現在の通信システムから目標とされた通信システムへの通信ハンドオフは始められる。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser having such a structure that stabilities of threshold current and oscillation wavelength are enhanced not only in the vicinity of room temperature but also at a higher temperature.例文帳に追加
室温付近だけでなく更により高い温度において、しきい値電流および発振波長の安定性を向上可能な構造を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁
In the fuel cell system, since the current density is a threshold or lower, reduction of the effective power generation area at sub-zero starting can be suppressed.例文帳に追加
本発明に係る燃料電池システムによれば、電流密度をしきい値以下にすることから、氷点下起動時における有効発電面積低下を抑制することができる。 - 特許庁
In a succeeding second cycle section, the measuring capacitor is discharged to a second threshold value by current flowing into a light receiver of a second optical measurement part.例文帳に追加
それに続く第2のサイクル区間において、測定用コンデンサは第2の光計測部の光受信器内を流れる電流によって第2の閾値まで放電される。 - 特許庁
The determining part 31 changes over and drives the FET 13 to the OFF side when the current value detected by the detecting part 15 becomes less than the prescribed arc-discriminating threshold value.例文帳に追加
そして、判断部31は検出部15による検出電流値が所定のアーク判定用閾値未満となった場合にFET13をオフ方向へ切り換え駆動する。 - 特許庁
A comparator 71-73 compares the amplitude of a voltage being induced in the nonconducting phase by the current pulse of a predetermined width with a predetermined threshold and outputs the results.例文帳に追加
比較器(71〜73)は、所定幅の電流パルスによって非通電相に発生する誘導電圧の振幅を所定の閾値と比較した結果を出力する。 - 特許庁
When the second memory is active, on the basis of a leak current control signal from the leak current control circuit, a threshold voltage of a MOS transistor constituting the first memory is set as a first voltage, and a threshold voltage of a MOS transistor constituting the second memory is set as a second voltage lower than the first voltage.例文帳に追加
前記第2のメモリのアクティブ状態において、前記リーク電流制御回路からのリーク電流制御信号に基づき、前記第1のメモリを構成するMOSトランジスタの閾値電圧を第1の電圧とし、前記第2のメモリを構成するMOSトランジスタの閾値電圧を前記第1の電圧よりも小さい第2の電圧とする。 - 特許庁
Thus, since the influence of the threshold voltage of a transistor T5 is removed from the voltage between the gate and source of the transistor T5 when the voltage of the input terminal IN1 changes from high to low, subsequently, when the transistor T5 is turned on and a current flows into the transistor T5, the influence of the threshold voltage of the transistor T5 is removed also from its current value Ids.例文帳に追加
これにより、入力端子IN1の電圧がハイからローに変化する際に、トランジスタT5のゲート−ソース間電圧から、トランジスタT5の閾値電圧の影響が取り除かれるので、その後にトランジスタT5がオンしてトランジスタT5に電流が流れたときに、その電流値Idsからも、トランジスタT5の閾値電圧の影響が取り除かれる。 - 特許庁
An input terminal C' of the first CMOS inverter IV 2 is connected to a first output terminal of the differential amplifier circuit 16, and the reference current control circuit 12 controls the value of the reference current on the basis of a difference between the threshold voltage outputted from the threshold voltage output circuit 10 and an input voltage to the first CMOS inverter IV 2.例文帳に追加
第1のCMOSインバータIV2の入力端子C’と、差動増幅回路16の第1の出力端子Cとが接続され、基準電流制御回路12は、閾値電圧出力回路10が出力する閾値電圧と第1のCMOSインバータIV2の入力電圧の差分に基づいて基準電流の大きさを制御する。 - 特許庁
When a temperature T of an excitation control signal generating circuit 21 or a transistor 22 for controlling an exciting current exceeds an operating threshold temperature TPL, the thermal protection control is performed to reduce a conducting modulus of the transistor 22 for controlling the exciting current, and when the temperature T is less than a releasing threshold temperature TPH, this thermal protection control is released.例文帳に追加
励磁制御信号発生回路21又は励磁電流制御用のトランジスタ22の温度Tが作動しきい値温度TPLを超える場合に励磁電流制御用のトランジスタ22の導通率を低下させる熱保護制御を行い、温度Tが解除しきい値温度TPHを下回る場合にこの熱保護制御を解除する。 - 特許庁
When each light emitting element T receives light from the emission selecting element S, the threshold voltage or current falls off and under a state where the threshold voltage or current fell off, a first driving signal is given to an anode electrode 2 and a second driving signal is given to a cathode electrode 3 so that light can be emitted from each light emitting element T.例文帳に追加
各発光素子Tは、発光選択素子Sからの光を受光すると、しきい電圧またはしきい電流が低下し、しきい電圧またはしきい電流が低下した状態で、アノード電極2に第1駆動信号が与えられ、カソード電極3に第2駆動信号が与えられることによって、各発光素子Tをそれぞれ発光させることができる。 - 特許庁
A current pulse generation circuit 56 compares a detection voltage VD reflected by a lamp voltage VL with a deterioration threshold voltage Va, and supplies a current pulse control value CC according to its degree of deterioration (differential value ΔV) to a DC/DC control circuit 57 as a phenomenon of the flicker when the detection voltage VD is larger than the deterioration threshold voltage Va.例文帳に追加
電流パルス発生回路56は、ランプ電圧VLを反映した検出電圧VDを劣化閾値電圧Vaと比較し、検出電圧VDが劣化閾値電圧Vaより大きい場合には、フリッカの兆候が現れているものとして、その劣化度(差分値ΔV)に応じた電流パルス制御値CCをDC/DC制御回路57供給する。 - 特許庁
The switching control circuit 10a for controlling a switching element 62 has a threshold output device 18 for outputting a threshold that goes up as a time passes after turning on the switching element, and interrupting means 20, 22, 12 and 14 for turning off the switching element when a value corresponding to current caused to flow in the switching element exceeds the threshold.例文帳に追加
スイッチング素子62を制御するスイッチング制御回路10aであって、スイッチング素子をオンさせてからの時間が経過するのに従って上昇する閾値を出力する閾値出力器18と、スイッチング素子を流れる電流に対応する値が閾値を超えた時にスイッチング素子をオフさせる遮断手段20、22、12、14を有している。 - 特許庁
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