| 意味 | 例文 |
threshold currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1912件
An oscillation signal for driving the charge pump circuit is switched to an oscillation signal output by the low-frequency oscillation circuit from an oscillation signal output by the high-frequency oscillation circuit when a magnetic field current detected by the magnetic filed current detection circuit reaches a prescribed magnetic field current threshold or lower.例文帳に追加
そして、界磁電流検出回路の検出した界磁電流が所定の界磁電流閾値以下になったとき、チャージポンプ回路駆動のための発振信号を高周波発振回路の出力する発振信号から低周波発振回路の出力する発振信号に切換える。 - 特許庁
A first current source circuit 19 receives a load driving signal, generates a current pulse similar to an impulse response of a time-lag of first order circuit, converts the pulse to a voltage waveform by a first resistor R4 through a first and a second current mirror circuits 11, 17, and makes the voltage waveform a threshold voltage for overcurrent detection.例文帳に追加
負荷駆動信号を受けて第1の電流源回路19にて一次遅れ回路のインパルス応答類似の電流パルスを生成し、第1、第2のカレントミラー回路11、17を経て第1の抵抗R4にて電圧波形に変換し過電流検出レベルのしきい値電圧とする。 - 特許庁
A control part 10 controlling ON/OFF of the semiconductor switch element 5 has: a current detection means 14 detecting current of the semiconductor switch element 5; and a decision means 15 stopping operation of a drive part 12 when an output signal of the current detection means 14 exceeds a prescribed threshold value.例文帳に追加
半導体スイッチ素子5のオンオフを制御する制御部10が、半導体スイッチ素子5の電流を検出する電流検出手段14と、電流検出手段14の出力信号が所定の閾値を超えると駆動部12の動作を停止する判定手段15とを有するものである。 - 特許庁
A motor current value I is detected and a pad-rotor contact start position is detected by using a motor displacement X at the time when the current value I increases to a threshold value I0 or larger since the current value I is kept in a stable condition by driving a motor at a constant speed for narrowing a clearance between the pad and the rotor.例文帳に追加
モータ電流値Iを検出し、パッドーロータ間のクリアランスを詰めるためにモータを一定速で駆動して電流値Iが安定している状態から、電流値Iが増加し、閾値I_0 以上となったときのモータ変位Xを用いて、パッドとロータとの接触開始位置を検出する。 - 特許庁
A saturation detection section 21 detects that a current flowing through an element P3 connected to an element N1 of diode connection reached a prescribed threshold current or below in a current mirror circuit consisting of elements N1, N2 which are a load of a differential pair consisting of elements P3, P4.例文帳に追加
差動対を構成する素子(P3,P4)の内、差動対の負荷であるカレントミラー回路(N1,N2)のなかでダイオード接続された素子N1が接続される素子P3を流れる電流が所定の閾値電流以下となったことが飽和検出部21によって検出される。 - 特許庁
In a flyback period during which the load current of an H-Dr (horizontal transfer circuit) 326 decreases to a prescribed threshold or less, a load circuit 328 operated by a power supply in common to the H-Dr 326 supplies the load current for offsetting the decrease of the load current of the H-Dr 326.例文帳に追加
H—Dr(水平転送回路)326の負荷電流が所定の閾値以下に減少する帰線期間において、H—Dr326の負荷電流の減少分を相殺する負荷電流を、H—Dr326と共通の電源で動作する負荷回路328が供給するようにした。 - 特許庁
Furthermore, a suddenly increased driving electric current is speedily damped as the feed-back proportional gain Kp becomes larger than at normal time and responsibility is improved when the driving electric current exceeds a threshold value Ik even when the steering 33 comes to be in an end pressing state and the driving electric current suddenly increases.例文帳に追加
さらに、ステアリング33が端当て状態になって駆動電流が急増しても、その駆動電流が閾値Ikを超えたときに、フィードバック比例ゲインKpが通常時より大きくなって応答性が良くなるので、急増した駆動電流が迅速に減衰する。 - 特許庁
When a current detected by a current monitoring section 27 for detecting a current flowing to the internal circuit 20 is a specified threshold value or over in this case, the diagnostic section 14 discriminates that a fault takes place in the internal circuit 20 and stops supply of power to the selected function module 2.例文帳に追加
このとき、内部回路20に流入する電流を検出する電流監視部27で検出した電流値が規定の閾値以上であるときに、診断部14は内部回路20に異常が生じていると判断し、当該機能モジュール2への電力の供給を停止させる。 - 特許庁
The LD current control circuit 18 and the LD driver 19 controls a current applied to excitation LD 13 such that the current becomes not more than a laser oscillation threshold in synchronism with timing when an optical resonator of the laser oscillator head 11 oscillates one-time or plural-time Q switch pulse.例文帳に追加
レーザ発振器ヘッド11内の光共振器が1又は複数回のQスイッチパルス発振をするタイミングに同期させて、LD電流制御回路18及びLDドライバ19が励起用LD13に印加する電流をレーザ発振の閾値以下となるように制御する。 - 特許庁
To enable control of a threshold voltage within the predetermined range, by lowering the same threshold voltage and also restrain increase in gate leak current in a semiconductor device, provided with an n-type MOSFET and a p-type MOSFET including a high dielectric constant.例文帳に追加
高誘電率膜を含むN型MOSFETおよびP型MOSFETを備えた半導体装置において、閾値電圧を低下させることにより所望の範囲で閾値電圧を制御可能とするとともに、ゲートリーク電流の増大を抑制する。 - 特許庁
If the absolute value is less than or equal to the threshold value, then the focus detection pixel data of the current frame or the already accumulated focus detection pixel data is added to the focus detection pixel data of the past frame, and if the absolute value exceeds the threshold value, then such addition is prohibited (S180).例文帳に追加
閾値以内であれば、今回のフレームの焦点検出画素データまたは既に積算された焦点検出画素データと、過去のフレームの焦点検出画素データとの加算を行うが、閾値を超えていれば、そうした加算を禁止する(S180)。 - 特許庁
In the case when a second detection value detected by the current detector 38 is more than a second threshold value, when the first detection value becomes less than the first threshold value, the protecting circuit 36 operates a display means 40 to display the abnormality.例文帳に追加
また、第1検出値が第1閾値以下となったときに、電流検出器38で検出される第2検出値が第2閾値以上となっていた場合は、保護回路36は表示手段40を作動して異常表示を行なうよう構成される。 - 特許庁
To provide a regulator for a nonvolatile memory device in which threshold voltage for a memory cell can be arbitrarily set and voltage distribution of the threshold can be narrowed, and thus misjudgment caused by leak current of a non-selected memory cell is reduced.例文帳に追加
プログラムベリファイにおいてメモリセルのしきい値電圧を任意に設定すると共にしきい値電圧分布を狭くし、非選択のメモリセルのリーク電流による誤判定を改善することのできる不揮発性メモリ装置のレギュレータを提供する。 - 特許庁
An abnormality determining part 62a determines whether the motor current maximum value MCRT_max is larger than the threshold MCRT_std, and counts the number of times MCRT_max continuously exceeds the threshold MCRT_std.例文帳に追加
異常判定部62aは、モータ電流最大値MCRT_maxがしきい値MCRT_stdよりも大きいか否かを判定し、モータ電流最大値MCRT_maxがしきい値MCRT_stdを連続して越える回数をカウントする。 - 特許庁
If a volume level adjustment amount of an audio signal 50 is a threshold or less, the volume control device 1 calculates a difference of the current volume level from the threshold, and determines a volume level change amount from the calculated difference and the elapsed time.例文帳に追加
オーディオ信号50の音量レベルの調整量がしきい値以下であれば、音量増加装置1は、現在の音量レベルとしきい値との差分を算出し、算出した差分と経過時間とに基づいて、音量レベルの変化量を決定する。 - 特許庁
When an input current Io is converted to voltage for detection by the resistor Rs for detecting current that is connected in series with an input current path, and the level of the current detection voltage Vs is discriminated for detection so that overcurrent protection can be made, the discrimination threshold is reduced according to the increase in an input power supply voltage Vi.例文帳に追加
入力電流路に直列に接続された電流検出用抵抗素子Rsで入力電流Ioを電圧変換して検出し、この電流検出電圧Vsをレベル弁別しながら検出して過電流保護を行わせるに際し、その弁別しきい値を入力電源電圧Viの上昇に応じて縮小させる。 - 特許庁
A CPU 19 outputs a control signal that current-limits a current flowing between the battery 23 and the alternator 25 by determining that a voltage Vb approximates a discharge termination voltage Ve when a current value I detected by a current detector 14 is not larger than an overcurrent determination value Iref, and when the voltage Vb of the battery 23 is not higher than a first threshold V1.例文帳に追加
CPU19は、電流検出器14により検出された電流値Iが過電流判定値Iref以下の場合であって、バッテリ23の電圧Vbが第1閾値V1以下になると、電圧Vbが放電終止電圧Veに近くなっているとして、バッテリ23−オルタネータ25間を流れる電流を限流する制御信号を出力する。 - 特許庁
The semiconductor memory device is the semiconductor memory device that stores data in memory cells holding data in accordance with a threshold voltage and that reads out it, and the device includes a reference current generating circuit having a reference current generating part, and an amplifier part outputting a reference current to wiring from an output terminal based on an output of the reference current generating part.例文帳に追加
半導体記憶装置は、しきい値電圧に応じたデータを保持するメモリセルにデータを記憶し、読み出すことが可能な半導体記憶装置であって、基準電流生成部と、基準電流生成部の出力に応じて出力端子から配線に基準電流を出力するアンプ部と、を有する基準電流生成回路を備える。 - 特許庁
A determination current value for determining nonconforming articles is determined in advance, gate bias being sufficiently higher than the threshold voltage of the semiconductor device such as an FET sealed by resin is applied to a negative direction for measuring a leak current flowing in the semiconductor device, and it is judged that the semiconductor device is nonconforming when the leak current value is equal to or more than a judgment current value.例文帳に追加
予め不良品を判定するための判定電流値を決定し、樹脂封止されたFETなどの半導体素子の閾値電圧よりも充分に高いゲートバイアスを負方向に印加してこの半導体素子中を流れるリーク電流を測定し、このリーク電流値が判定電流値以上の場合に不良品と判断することとした。 - 特許庁
The depletion of the beam is detected by measuring a beam current flowing through each head and comparing the present beam current IB with a beam depletion threshold JB to a beam control signal S at that time, the voltages of a common power source is maintained to maintain a filament current of normal heads and that of an abnormal head which causes the drop in the beam current is interrupted.例文帳に追加
各々のヘッドに流れるビーム電流を計測し、ビーム切れを現在のビーム電流I_Bとそのときのビーム制御信号Sに対するビーム切れ閾値J_Bとを比較することによって検出し、共通の電源電圧を維持し正常ヘッドのフィラメント電流は維持し、ビーム電流低下を起こした異常ヘッドのフィラメント電流を遮断する。 - 特許庁
The processor 110 conducts the capturing of images separated by the predetermined image interval 158, compares a current image with one or more previous images, determines when motion between the current image and the previous image is lower than at least one predetermined motion threshold 163, and stores the current image as the final image when the current image is stable.例文帳に追加
プロセッサ110は、所定画像間隔158によって分離される画像の取込みを行い、現画像を1つまたは複数の前の画像と比較し、現画像と前の画像との間の動きが少なくとも1つの所定動き閾値163より低い時を決定し、現画像が安定している場合に現画像を最終画像として格納する。 - 特許庁
Further, the drive unit has the motor fed with a voltage from a battery and driving the mirror body part; and a control circuit for shutting off energization to the motor when a motor current flowing in the motor exceeds a predetermined motor current shutting off threshold value.例文帳に追加
そして、駆動ユニットが、バッテリーから電圧を供給されてミラー本体部を駆動するモータと、モータを流れるモータ電流が所定のモータ電流遮断閾値を越えたときにモータへの通電を遮断する制御回路とを有する。 - 特許庁
When a result of temperature detection by the outside temperature sensor exceeds a predetermined threshold value, the controller 30 decreases a maximum drive current to the motor 21 for whirling the machine, or decreases a maximum discharging current from the battery 19.例文帳に追加
コントローラ30は、外部の温度センサによる温度検出結果が所定の閾値を超えた場合に、旋回用電動機21への最大駆動電流を低下させ、或いはバッテリ19からの最大放電電流を低下させる。 - 特許庁
In the case that an input current to an inverter device 4 exceeds a specified threshold current at power running, this controller controls a system so that it may supply an inverter device 4 with energy accumulated in an EDLC 7 by switching on a chopper device 6.例文帳に追加
力行時において、インバータ装置4への入力電流が所定のしきい値電流を超える場合に、チョッパ装置6をオン状態にして、EDLC7に蓄えられたエネルギーをインバータ装置4に供給するように制御する。 - 特許庁
To improve the reduction in dynamic range which becomes an issue, when a transistor having a low-threshold voltage is used at a low-power voltage, and widen output voltage range in a current-switching circuit used in a current addition type D/A converter.例文帳に追加
電流加算型D/Aコンバータに用いられる電流スイッチ回路において、低電源電圧時にしきい値電圧の低いトランジスタを用いた際に課題となるダイナミックレンジの低下を改善し、出力電圧範囲を大きく取る。 - 特許庁
Specifically, when at least one of the operating time, the internal pressure of a motor, and the discharge pipe temperature during the abnormal current detection is lower than the corresponding threshold, a display part indicates that the abnormal current caused by leakage (S108).例文帳に追加
具体的には、異常電流検出時の稼働時間、モータの内部圧力、吐出管温度のうち、少なくとも1つが対応する閾値よりも低いときは異常電流を漏電とみなして表示部に表示する(S108)。 - 特許庁
ECU 9 can detect abnormality of the transmission mechanism 18 by comparing a current value of the electric motor 16 with a threshold value of a motor current determined from a steering angle of the steering wheel 2 and a vehicle speed in non-abnormality.例文帳に追加
ECU9は、上記異常でないときに、電動モータ16の電流値と、ステアリングホイール2の操舵角および車速から求められたモータ電流の閾値とを比較することにより、伝達機構18の異常を検出することができる。 - 特許庁
A second control circuit 32 is constituted so as to transit a pulse signal S2 to a level at which a second switching transistor M2 turns off when coil current Ic1 flowing to a primary coil W1 reaches predetermined threshold current Ith.例文帳に追加
第2制御回路32は、1次巻線W1に流れるコイル電流Ic1が所定のしきい値電流Ithに達すると、パルス信号S2を、第2スイッチングトランジスタM2がオフするレベルに遷移させるよう構成される。 - 特許庁
A voltage control circuit 46 acquires a characteristic signal Sf, corresponding to the threshold voltage Vth of the current source transistor 441, generates control voltage VRS corresponding to the characteristic signal Sf, and applies the voltage to the gate of the current source transistor 441.例文帳に追加
電圧制御回路46は、電流源トランジスタ441の閾値電圧Vthに応じた特性信号Sfを取得し、この特性信号Sfに応じた制御電圧VRSを生成して電流源トランジスタ441のゲートに印加する。 - 特許庁
An electric current to be supplied to the induction heating apparatus is measured, by using an abrupt change of the electric current exceeding a threshold set beforehand as a trigger, based on the length measurement data obtained from a measuring roll, a transport direction of the metal plate is tracked.例文帳に追加
該誘導加熱装置に供給する電流を測定し、該電流のあらかじめ設定した閾値を超える急激な変化をトリガとして、メジャリングロールから得られる測長データに基づき金属板の搬送方向のトラッキングを行う。 - 特許庁
On the other hand, in the case that the voltage between one end and the other end is not higher than the threshold voltage of the light emitting element, an electric current flows through the resistance member so that no electric current flows between one end and the other end not to cause the light emission of the light emitting element.例文帳に追加
また、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧以下となる場合は、抵抗部材に電流が流れ、一端部と他端部との間に電流が流れず、発光素子が発光しない。 - 特許庁
After the determination time T1 elapses, depending on the fact that a voltage of the load at that time is lower than the voltage threshold value, the semiconductor breaker determines that the current is a fault current due to short-circuit, and continuously turns off the semiconductor switch unit 31.例文帳に追加
そして、判定時間T1が経過した時に、その時の負荷側の電圧をみて、電圧閾値を下回っていた場合には、短絡等による事故電流と判定して、半導体スイッチ部31を継続的にオフする。 - 特許庁
When the first temperature and the second temperature are lower than the temperature threshold, a current detection unit detects a current signal corresponding to the power supply signal to determine whether to turn off the power supply signal to be supplied to the second circuit.例文帳に追加
第一温度と第二温度が温度しきい値より小さい時に、電流検出ユニットは電源信号に対応する電流信号を検出ことにとって、第二回路に供給される電源信号を切るか否かを決定する。 - 特許庁
Thereby, even if a fine leak current less than sub-threshold current flows, such a discrepancy that the internal voltage becomes too low because a potential difference between the source and substrate becomes too large can be improved.例文帳に追加
こうして、サブスレショルド電流以下の微小リーク電流が流れる場合でも、ソースと基板との間の電位差が大きくなりすぎて、内部電圧が下がりすぎるといった不具合を改善することが可能な構成となっている。 - 特許庁
The CPU 9 calculates the current consumption after a battery voltage reaches the vicinity of a level switching threshold value to estimate the battery residual capacity and switches the display level when the current consumption exceeds a prescribed value.例文帳に追加
CPU9は、電池電圧がレベル切替えしきい値の近傍に達した時点からの消費電流量を計算して電池残量を推定し、消費電流量が所定値を越えたときに表示レベル切替えを行う機能を有している。 - 特許庁
The detector, when a voltage value outputted from the voltmeter becomes zero, generates detection data including data indicating whether the current value stored in the current value storage section exceeds the threshold and the identifier and transmits it wirelessly.例文帳に追加
検出器は、電圧計から出力される電圧値が零になると、電流値記憶部に記憶されている電流値が閾値を超えているかどうかを示すデータと、識別子と、を含むデータである検知データを生成して無線で送信する。 - 特許庁
A current control circuit connected to the gate of respective first transistors impresses a voltage for making a current proportional to the threshold voltage of the second transistor, to flow through respective first transistors when an ON-voltage is impressed on the gate of the first transistor.例文帳に追加
各第1トランジスタのゲートに接続されている電流制御回路は、第1トランジスタのゲートにオン電圧を印加したときに、第2トランジスタの閾値電圧に比例する電流を各第1トランジスタに流す電圧を印加する。 - 特許庁
To provide a voltage conversion circuit and a voltage controlled oscillation circuit in which a control current can be allowed to flow even if a control voltage is lower than or equal to a gate threshold voltage with a simple circuit configuration without using any complicated constant current source.例文帳に追加
複雑な定電流源を使用せずに簡単な回路構成で制御電圧がゲートしきい値電圧以下でも制御電流を流すことができる電圧変換回路及び電圧制御型発振回路を提供すること。 - 特許庁
A current limiter resistance 5 is connected between the heater, which is installed in line with the detecting element 2 of the threshold current oxygen sensor 1, and the power source line, and a power MOS-FET 6 is connected between the heater 3 and a grounding line.例文帳に追加
限界電流式酸素センサ1の検出素子2に添設されたヒータ3と電源ラインとの間には、電流制限抵抗5が接続され、ヒータ3と接地ラインとの間には、パワーMOS−FET6が接続されている。 - 特許庁
The threshold values Vs for charging and for discharging are respectively computed based on a reference value set according to the current of the electric storage device and temperature and a correction value set according to the remaining capacity of the electric storage device and its current.例文帳に追加
充電時と放電時の閾値Vsは、それぞれ蓄電デバイスの電流と温度に応じて設定される基準値と蓄電デバイスの残存容量と電流とに応じて設定される補正値とに基づいて演算される。 - 特許庁
Specifically, when at least one of the operating time, the internal pressure of a motor, and the discharge pipe temperature when the abnormal current is detected is lower than a corresponding threshold, a judgment is made that the abnormal current is caused by earth leakage and earth leakage is displayed at a display section (S108).例文帳に追加
具体的には、異常電流検出時の稼働時間、モータの内部圧力、吐出管温度のうち、少なくとも1つが対応する閾値よりも低いときは異常電流を漏電とみなして表示部に表示する(S108)。 - 特許庁
In a MOSFET alone, the ZTC point is determined by combination of the change in the drain current induced by the change in the threshold voltage in accordance with the temperature and the change in the drain current due to the change in the mobility in accordance with the temperature.例文帳に追加
単体のMOSFETにおいて、ZTCポイントは、温度に応じた閾値電圧の変化によって誘起されるドレイン電流の変化と、温度に応じた移動度の変化によるドレイン電流の変化との合成で決定される。 - 特許庁
The abnormality detection circuit 13 is connected to the external terminal P4 and provides abnormality signals SC, OC on the basis of the comparison between threshold currents Ia, Ib, based on the current through the external terminal P4 with the sense current.例文帳に追加
異常検出回路13は、外部端子P4に接続されると共に、外部端子P4を通して流れる電流に応じた閾値電流Ia、Ibと、センス電流とを比較することに基づき異常信号SC,OCを出力する。 - 特許庁
To obtain a low-threshold current and a low-operation current by sufficiently increasing the reflectivity of an end mirror, even if employing an epitaxial growing substrate composed of silicon to a semiconductor laser structure composed of a nitride semiconductor.例文帳に追加
窒化物半導体からなる半導体レーザ構造に、シリコンからなるエピタキシャル成長用基板を用いたとしても、端面ミラーの反射率を十分に大きくして、低しきい値電流及び低動作電流を実現できるようにする。 - 特許庁
In this current driving circuit, transistors 7, 9 which operate respectively in a linear region (non-saturation region) are provided between sources of transistors 6, 8 constituting a current mirror circuit and a power source line 1 to reduce the effect due to dispersion in threshold voltage of the transistors 6, 8.例文帳に追加
カレントミラー回路を構成するトランジスタ6,8のソースと電源線1との間に、線形領域(非飽和領域)で動作するトランジスタ7,9を設け、トランジスタ6,8のしきい値電圧のばらつきによる影響を低減する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加
電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁
In this arrangement, if the exciting current 3 is short-circuited, the voltage applied to the coil 3 is limited by the voltage limiter 50 and will not drop below a threshold voltage, so the exciting current is increased and the voltage at each end of the resistance 60 is also increased.例文帳に追加
この構成で、励磁コイル3が短絡すると、励磁コイル3の印加電圧が電圧リミッタ50で制限されシキイ値電圧以下に下がらないので、励磁電流が増加し、検出抵抗60の両端電圧が増加する。 - 特許庁
The abnormality detection circuit 13 is connected to the external terminal P4, and provides abnormality signals SC, OC on the basis of the comparison between threshold currents Ia, Ib in response to a current through the external terminal P4 with the sense current.例文帳に追加
異常検出回路13は外部端子P4に接続されると共に、外部端子P4を通して流れる電流に応じた閾値電流Ia、Ibと、センス電流とを比較することに基づき異常信号SC,OCを出力する。 - 特許庁
A transistor that operates as a current source for supplying current to a memory cell is configured so as to operate in a saturation area in the range wherein voltage in a node for determining the H and L levels of the memory cell is not higher than the threshold voltage.例文帳に追加
メモリセルのH,Lレベルを判定するノードの電圧がしきい値電圧以下の範囲において、メモリセルに電流を供給する電流源として動作するトランジスタを飽和領域で動作するような構成にする。 - 特許庁
To improve the productivity of a module which stores a light emitting source by using a surface light emitting semiconductor laser element which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., as the light emitting source.例文帳に追加
動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、光源を収容するモジュールの生産性向上を図る。 - 特許庁
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