「threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The selected oxidized layer has a thickness of 28 nm, the thickest portion is ≤110 nm in the oxidized layer 108a, and the temperature at which a threshold current becomes the minimum is about 17°C.例文帳に追加

そして、被選択酸化層の厚さは２８ｎｍであり、酸化層１０８ａにおける最も厚い部分の厚さは１１０ｎｍ以下であり、閾値電流が最小となる温度は約１７℃である。 - 特許庁

Also, each of overcurrent timers 15_1b, 15_2b measures time, when the current flowing in the wire harness 22 exceeds the overcurrent threshold in the respective overcurrent detection circuits 15_1, 15_2.例文帳に追加

また、各過電流検出回路１５_１、１５_２においてワイヤハーネス２２に流れる電流が過電流しきい値を超える時間を過電流タイマ１５_１ｂ、１５_２ｂでそれぞれ計測する。 - 特許庁

A laser printer is provided with a control table to vary developing bias, transfer current and brush voltage to a value matched to the printing number of pieces every time the printing number of pieces exceeds a threshold value in steps.例文帳に追加

レーザプリンタは、印刷枚数が閾値を越える度に段階的に現像バイアス、転写電流及びブラシ電圧を印刷枚数に適合する値に変更するための制御テーブルを備える。 - 特許庁

To provide a regulator circuit that achieves a reduced circuit scale, reduced current consumption, and no reference voltage source while a conventional regulator circuit requires a separate reference voltage source REF for setting a detection threshold.例文帳に追加

検出閾値を設定するために別途の基準電圧源ＲＥＦを必要としたが、基準電圧源を必要とせず、かつ、回路規模の縮小と消費電流の低減を実現する。 - 特許庁

Thereby even when the threshold values of the TFTs 106 are fluctuated in respective pixels, the fluctuation is offset by the thresholds of the TFTs 105 and a required drain current can be supplied to an EL element 109.例文帳に追加

これにより、ＴＦＴ１０６のしきい値が画素ごとにばらついても、ＴＦＴ１０５のしきい値で相殺され、所望のドレイン電流をＥＬ素子１０９に供給することが出来る。 - 特許庁

In the operation process, a current obtained by compensating the influence of dispersion in the threshold voltage of the first transistor can be supplied to the light-emitting element and the dispersion of luminance can be suppressed.例文帳に追加

この動作過程により、発光素子に第１のトランジスタの閾値電圧のばらつきの影響を補償した電流を供給することができ、輝度のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

The insulated gate type bipolar transistor does not increase a first side current sharply even when it becomes the threshold voltage, and does not need to insert a diode, etc. into the secondary coil side.例文帳に追加

前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、スレッシュホールド電圧になっても、一次側電流を急激に増加させるようなことがなく、二次コイル側にダイオード等を挿入する必要がなくなる。 - 特許庁

To provide a charge pump circuit which can reduce voltage loss by a threshold Vth of an FET to a minimum and which can, thereby, take a larger current than that in prior art.例文帳に追加

ＦＥＴのしきい値Ｖthによる電圧損失を最小限とすることができ、これにより、従来のものより大きい電流をとることができるチャージポンプ回路を提供する。 - 特許庁

A second resistor R5 connected in series with the second switching element Q6 generates a voltage proportional to the load current, and detects the overcurrent by comparing the voltage with the threshold voltage.例文帳に追加

第２のスイッチング素子Ｑ６に直列に接続した第２の抵抗Ｒ５にて負荷電流に比例した電圧を生成し、前記しきい値電圧と比較して過電流を検出する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor heterojunction field effect transistor where a normally-off action can be attained, a sufficient channel current can be acquired, and a threshold voltage can be easily controlled.例文帳に追加

ノーマリオフ動作を達成でき、充分なチャンネル電流を得ることができ、かつしきい値電圧の制御が容易な窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a driving method for a semiconductor laser element that can make an extinction ratio large while suppressing distortion of a light output waveform small against variation in threshold current value of the semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子の閾値電流値の変動に対し、光出力波形の歪みを抑えつつ、消光比を大きくできる半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To cancel the fluctuation of the hysterisis width of a voltage comparator owing to temperature by compensating the fluctuation of the threshold voltage VT of a MOS transistor constituting the constant current source of a differential amplifier owing to temperature.例文帳に追加

差動増幅器の定電流源を構成するＭＯＳトランジスタのしきい値電圧ＶＴの温度変動を補償することで、電圧比較器のヒステリシス幅の温度変動を解消する。 - 特許庁

Since the oxide semiconductor element has the gate insulation layer having the recess structure, various electric characteristics such as charge mobility, threshold voltage distribution, and operation current can be improved.例文帳に追加

酸化物半導体素子がリセス構造を有するゲート絶縁層を具備することによって、電荷移動度、閾値電圧分布、動作電流などの多様な電気的特性を向上させることができる。 - 特許庁

Further, the image forming apparatus includes a switching unit which switches the starting current supplied to the first motor from a first value to a smaller second value when the mechanical torque is less than the torque threshold.例文帳に追加

さらに、画像形成装置は、メカトルクがトルク閾値未満であれば、第１モータへ供給される起動電流を第１の値から、より小さな第２の値へと切り替える切替部を含む。 - 特許庁

On the basis of the photodiode output current of the photodiode 17 when the probe card 21 detects the change of the output level of the photo IC, the personal computer 14 calculates the threshold voltage of the photo IC.例文帳に追加

プローブカード２１がフォトＩＣの出力レベルの変化を検出した時のフォトダイオード１７のフォトダイオード出力電流に基づいて、パソコン１４はフォトＩＣの閾値電圧を算出する。 - 特許庁

To provide an image forming device where pulse width in the pulse width modulation control of a laser beam source is set to an appropriate value which is not influenced by the threshold current of the laser beam source.例文帳に追加

本発明はレーザー光源のパルス幅変調制御のパルス幅をレーザー光源のしきい値電流に影響されない適切な値に設定する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a GaN based semiconductor laser having optical and electrical characteristics excellent in stable single transverse mode operation, low threshold level current density, or the like, with high reproducibility.例文帳に追加

安定な単一横モード動作、低しきい値電流密度等に優れる光学的及び電気的特性を有するＧａＮ系半導体レーザ装置を再現性良く得られるようにする。 - 特許庁

As a result, a current flowing to the LED array LA1 and the LED array LA2 when the comparison object voltage corresponding to the applied voltage is lower than the predetermined threshold voltage is increased.例文帳に追加

その結果、印加される電圧に対応する被比較電圧が所定の閾値電圧よりも低いときのＬＥＤアレイＬＡ１及びＬＥＤアレイＬＡ２に流れる電流が増加した。 - 特許庁

To reduce a threshold current density in a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor, relating to a semiconductor laser, a semiconductor light emitting element, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 - 特許庁

When the level of usage is above the threshold level, the method is realized by providing an offer including an incentive to use the system during a future off-peak hours to the current user.例文帳に追加

使用状況が閾値レベルを上回る場合、現ユーザに対し、後のオフピーク時間帯におけるシステムの使用のインセンティブを含む申し入れがなされることによって実現される。 - 特許庁

At this time, the leakage current of the function circuit block 2 becomes a small value by the cutoff characteristics of the PchFET 4, having a threshold voltage higher than that of each of FET in the function circuit block 2.例文帳に追加

このとき、機能回路ブロック２のリーク電流は、機能回路ブロック２の各ＦＥＴよりも高い閾値電圧のＰｃｈＦＥＴ４のカットオフ特性により、小さな値となる。 - 特許庁

Accordingly, a field current is prevented from continuously flowing to the alternator 2, and further, the alternator 2 can be controlled only by the power generation output at a threshold voltage or higher of high voltage side, and power generation efficiency is improved.例文帳に追加

そのため、オルタネータ２は、フィールド電流が常時流れることがなく、しかも、高電圧側の閾値電圧以上の発電出力にのみ制御され、発電効率が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has higher performance of transistor characteristics through improvement in driving power, a decrease in sub-threshold coefficient, reduction of an off current, and reduction of a driving voltage, and is reduced in power consumption.例文帳に追加

駆動力向上、サブスレッショルド係数低減、オフ電流低減、駆動電圧の低減等トランジスタ特性の高性能化、低消費電力化を実現する半導体素子を提供する。 - 特許庁

When the current residual capacity of power of the secondary battery detected by a detecting means 162 is a predetermined threshold value or less, the power management means starts limiting the operation of the additional function.例文帳に追加

検出手段(162)によって検出された二次電池の現在の電力残量が所定の閾値以下である場合に、電力管理手段は、付加機能の動作の制限を開始する。 - 特許庁

A resistance value at the time of write-in operation is set to a large value and a source potential is floated, a sub-threshold leak current of a non-selection cell is decreased, and write-in drain disturbance tolerance is improved.例文帳に追加

書き込み動作時の抵抗値を大きく設定してソース電位を浮かせ、非選択セルのサブスレッショルドリーク電流を減少させて書き込みドレインディスターブ耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a device and a method for maintaining, to the allowable range, a sub threshold leak current related to a memory cell of a dynamic memory device buried within an integrated circuit chip.例文帳に追加

集積回路チップ内に埋込まれているダイナミックメモリ装置のメモリセルに関連するサブスレッシュホールドリーク電流を許容可能な範囲内に維持する装置及び方法を提供する。 - 特許庁

At the same time the possibility of stricter disciplines than those under the current WTO AD Agreement was considered, such as an increase of the de minimis threshold or the import volume which can be regarded as negligible, or the shortening the tariff imposition period.例文帳に追加

一方で、デミニマスや無視できる輸入量の引き上げや、関税賦課期間の短縮といった、現行AD 協定の更なる規律強化という可能性も模索された。 - 経済産業省

To develop a transistor as a switching element used for a circuit which boosts a lower power supply voltage, such that conversion efficiency is enhanced by preventing a leakage current by characteristics of a high threshold voltage during a stop and the voltage is boosted to a high voltage by characteristics of a low threshold voltage during driving.例文帳に追加

低い電源電圧を昇圧させる回路に用いられるスイッチング素子となるトランジスタは、停止時には高い閾値電圧の特性によりリーク電流を防止して変換効率を高め、駆動時には低い閾値電圧の特性により高い電圧に昇圧できることが望まれている。 - 特許庁

Further, the bonding program sets the threshold of time reaching the initially set amount of sinking, and if the predetermined amount of sinking is not obtained even when time reaches the threshold, the program stops passing the bonding current and displays an alarm of necessity of dressing of a heating tool 1 on the panel of the power supply unit.例文帳に追加

また、該溶接プログラムは、初期設定の沈み込み量に達する時間の閾値を設定し、該閾値に達しても所定の沈み込み量が得られない場合には通電を中止し、加熱ツール１のドレッシングが必要であることを前記電源装置パネル面に警報として表示する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a longitudinal transistor structure capable of making a channel length extremely short, increasing an on-current with a Si layer thickness made constant without varying a threshold, and dynamically varying the threshold by a back gate, and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

超短チャネル長化でき、Ｓｉ層厚一定によって閾値を変化させずにＯＮ電流を増加でき、さらにバックゲートにより閾値も動的に変更できる縦型トランジスタ構造を備えた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an SOI-MOSFET operating as a high driving current low parasitic capacitance with a low substrate bias coefficient by varying the substrate depletion layer capacitance when a variable threshold voltage CMOSFET is realized and the threshold voltage is increased by a high substrate bias coefficient during standby.例文帳に追加

閾値電圧可変ＣＭＯＳＦＥＴを実現する際、基板空乏層容量を変化させ、動作時に、低い基板バイアス係数で高駆動電流かつ低寄生容量のデバイスとして動作し、待機時に、高い基板バイアス係数により、閾値電圧を高くするＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

The converter 62 has a predetermined threshold value with respect to the magnitude of the output terminal voltage V_out, and a current having a magnitude depending on a magnitude relation between the magnitude of the output terminal voltage and the predetermined threshold value is supplied to an inverted input terminal of the operational amplifier.例文帳に追加

変換部６２は、出力端子電圧Ｖ_outの大きさに対する所定のしきい値を有しており、そしてその出力端子電圧の大きさと前記所定のしきい値との間の大小関係に依存した大きさの電流を、演算増幅器の反転入力端子に供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing the reduction of the drive current of a MIS transistor having a greater absolute value of a threshold voltage, when a plurality of MIS transistors having different absolute values of the threshold voltages are used, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

しきい値電圧の絶対値が互いに異なる複数のＭＩＳトランジスタが用いられる場合において、しきい値電圧の絶対値が大きい方のＭＩＳトランジスタの駆動電流の低下を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

the amount of distortion of oxide superconducting wire before or after the connection is less than the distortion amount at the time of threshold value of oxide superconducting wire with respect to the change of threshold current value responding to the increase in the amount of distortion in the oxide superconducting wire.例文帳に追加

接続前後において酸化物超電導線材が有する歪み量は、酸化物超電導線材の歪み量の増加に対する臨界電流値の変化において酸化物超電導線材の臨界電流値が低下し始めるときの歪み量よりも小さい。 - 特許庁

When the impurity concentration only on the channel interface is reduced and the concentration in the rear of the substrate 11 is raised, unevenness of current flowing through a conduction channel is relaxed while sustaining the threshold voltage Vth at a predetermined level, and variation in threshold ΔVth due to trap can be controlled.例文帳に追加

チャネル界面の不純物濃度のみ低下させ、基板１１の奥の濃度を上昇させることで、しきい値電圧Ｖｔｈを所定の電圧に保ちながら、導電チャネルを流れる電流の不均一性を緩和してトラップによるしきい値変動ΔＶｔｈを抑制することができる。 - 特許庁

In addition, the control unit 1 compares the integrated value of the power supply voltage dropped according to the starting current generated when starting the motor M for a predetermined time with the threshold in the storage unit 10, informs shortage of the power supply terminal voltage when the integrated value is below the threshold and stops the motor M.例文帳に追加

また、制御部1は、モータＭの起動時に生じる起動電流に伴って低下する電源電圧を一定時間分だけ積分した値と、記憶部10内のしきい値を比較し、該積分値がしきい値未満の場合に電源端子電圧の不足を報知して、モータＭを停止させる。 - 特許庁

During the time, from determination by a comparing determining section 26 that the amplitude of an AC current is a predetermined threshold or greater to determination that it is less than the predetermined threshold, the members are in a closed state and a detection operation of the positional relation between the members is executed, in synchronization with the cycle T1.例文帳に追加

そして、比較判定部２６により、交流電流の振幅が既定の閾値以上であると判定されてから既定の閾値未満であると判定される間は、近接状態にあるとして、部材間の位置関係の検出動作を周期Ｔ１と同期させて行うようにしている。 - 特許庁

An output of the current sensor 4a is compared with the threshold for detecting the volume of dust and the threshold for detecting the closed state in the air path to display the volume of dust of the dust collection part and the closed sate in the air path on a display part 8 based on the results of the comparison.例文帳に追加

そして、電流センサ４ａの出力とゴミ量検出用のしきい値及び風路内の密閉状態検出用のしきい値とを比較してその比較結果に基づいて集塵部のゴミ量及び風路内の密閉状態を表示部８に表示させる。 - 特許庁

If the terminal voltage exceeds the first threshold value Th1 and a voltage change rate dv/dt exceeds a second threshold value Th2 set to a positive value near "0", a current value is once lowered to "0" or a value iL near the "0", and charging is paused.例文帳に追加

端子電圧が第１の閾値Ｔｈ１を上回っており、かつ、電圧変化率ｄｖ／ｄｔが０に近い正の値に設定された第２の閾値Ｔｈ２を超えている場合は、いったん電流値を０又は０に近い低い値ｉＬまで低下させて、充電を休止させる。 - 特許庁

The sensor output is compared with two difference threshold values Th1 and Th2 by comparison circuit 6 and 7 and, depending on the comparison results, a logic circuit 8 delivers an abnormal signal if the leak current is higher than the large threshold value Th1 and delivers a caution signal if it is between Th1 and Th2.例文帳に追加

センサ出力を比較回路６，７にて夫々大きさの異なる２つの閾値Ｔｈ1，Ｔｈ2と比較し、論理回路８は比較結果に応じて、漏れ電流が大きい閾値Ｔｈ1より大きいとき異常信号、Ｔｈ1以下Ｔｈ2より大のとき注意信号を出力する。 - 特許庁

Namely, in the way presumed to be referred to in the future, the threshold voltage of the MOS transistor is assigned to a first specified potential allowing the high-speed performance of operation; and in the other way, the threshold voltage of the MOS transistor is assigned to a second specified potential allowing to control the leakage current.例文帳に追加

すなわち、将来参照されると推定されるウェイにおいては、ＭＯＳトランジスタの閾値電圧を高速動作可能な第１の所定電位とし、その他のウェイにおいてはＭＯＳトランジスタの閾値電圧をリーク電流を抑制可能な第２の所定電位とする。 - 特許庁

In the case the battery voltage is lower than a 1st threshold voltage, and also, the charge voltage of the main capacitor is lower than a 2nd threshold voltage, a pulse train signal with the controlled duty ratio is supplied to a charging circuit, then, a control of reducing the peak current Ipeak of the main capacitor is performed.例文帳に追加

バッテリ電圧が第１の閾値電圧よりも小さく、メインコンデンサの充電電圧が第２の閾値電圧よりも小さかったら、充電回路にパルス列信号のデューティ比を調節したパルス列信号を供給し、メインコンデンサのピーク電流Ｉｐｅａｋを下げる制御を行なう。 - 特許庁

When a display relative threshold value -50 digit (negative value input) is inputted and a reference level 100 digit is acquired, in the case that a current light requirement level is 20 digit, -80 digit is displayed on an LCD 56 as a relative light requirement level and the display relative threshold value -50 digit is displayed on an LCD 57.例文帳に追加

表示用相対閾値−５０digit（負値入力）が入力され、基準レベル１００digitが取得されたとき、現在受光量レベルが２０digitの場合、ＬＣＤ５６に相対受光量レベルとして−８０digitが表示され、ＬＣＤ５７に表示用相対閾値−５０digitが表示される。 - 特許庁

At this time, as the control voltage, if a voltage of a non-linear threshold voltage or larger that is the threshold voltage between a linear region where the current increases in primary function manner to the impressed voltage and a non-linear region where the increase of current becomes gently-sloping, is made to appear periodically, positional variations of luminance and flickering of time variation of the phosphor are improved.例文帳に追加

ここで、制御電圧として、印加電圧に対して一次関数的に電流が増大する線形領域と電流の増加がなだらかになる非線形領域との間の閾値電圧である非線形閾値電圧以上の電圧が周期的に現れるようにすると、蛍光体の位置的輝度のばらつきや、時間的ばらつきであるちらつきを改善できる。 - 特許庁

An inspection signal detector 70 of a receiver 60 changes an old threshold to a new one based on an average value of detected signal currents for one period as a reference each time when the waveform pattern of signal current for each one period is detected, and it compares an average value of signal currents for the next period with the newly changed threshold, thereby detecting the signal current for the next one period.例文帳に追加

受信器６０の点検信号検出部７０は、１周期毎の信号電流の波形パターンを検出する度に、検出した１周期の信号電流の平均値を基準にして閾値を新たな値の閾値に変更し、次の１周期の信号電流の平均値と新たな値に変更された閾値とを比較することによって、次の１周期の信号電流を検出する。 - 特許庁