「tungsten electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This discharge lamp has an arc tube 111 made of silica glass, a pair of tungsten electrodes 112 disposed face to face in the arc tube 111, and a metal film 117 made of a metal material having affinity for oxygen which is higher than that of tungsten while covering the surface of a pair of the tungsten electrodes 112.例文帳に追加

石英ガラスからなる発光管１１１と、発光管１１１内に対向配置される一対のタングステン電極１１２と、酸素に対する親和性がタングステンよりも高い金属材料からなり、一対のタングステン電極１１２の表面を覆う金属膜１１７と、を有する。 - 特許庁

Tungsten electrodes made of high-purity tungsten with a titanium content of 0.08 ppm or less are used as electrodes 5, 5 arranged inside the light-emitting part 2 of the arc tube 1.例文帳に追加

発光管１の発光部２内に配置する電極５、５として、チタン含有量が０．０８ｐｐｍ以下の高純度タングステンでなるタングステン電極が用いられている。 - 特許庁

Tungsten electrode rods 12, 13 constituting a pair of tungsten electrodes 10, 11 fitted so as to have their tips in opposition with an interval in the discharge space are held by molybdenum tubules 6, 7.例文帳に追加

先端部同士が放電空間において間隔をおいて対向するように設けられた一対のタングステン電極１０，１１を構成するタングステン電極棒１２，１３がモリブデン細管６，７によって保持されている。 - 特許庁

Thereby, the cost of the lamp can be reduced while reducing the amount of the used thoriated tungsten and holding startability equivalent to a lamp whose both sides are thoriated tungsten electrodes.例文帳に追加

これにより、トリエーテッドタングステンの使用量を減らしながら、両側がトリエーテッドタングステン電極のランプと同等の始動性を保持しつつ、ランプのコストダウン化を図ることが可能となる。 - 特許庁

Gate electrodes 7A, 7B, and 7C that include a tungsten (W) film are formed, followed by being subjected to re-oxidation a treatment on condition that the tungsten film is not practically oxidized.例文帳に追加

タングステン（Ｗ）膜を含むゲート電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃを形成し、続いて実質的にタングステン膜を酸化しない条件で再酸化処理を行う。 - 特許庁

In both electrodes 121,122 of a low-pressure discharge lamp, the electrode 122 on a low voltage side is made of a doped tungsten material and the electrode 121 on a high voltage side is made of a thoriated tungsten material.例文帳に追加

低圧放電灯の両電極１２１，１２２のうち、低電圧側の電極１２２をドープタングステン材とし、高電圧側の電極１２１をトリエーテッドタングステン材とした。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 6, a tungsten nitride film 7, and a tungsten film 8 are laminated on a gate insulating film 5 formed on a semiconductor substrate 1, and the laminate is patterned for the formation of gate electrodes 10a, 10b, 10c.例文帳に追加

半導体基板１上のゲート絶縁膜５上に、多結晶シリコン膜６、窒化タングステン膜７およびタングステン膜８を積層してパターニングすることにより、ゲート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃを形成する。 - 特許庁

The tungsten electrode material is suitable for various electrodes such as for arc welding, for various lamps and for cathodes of magnetrons.例文帳に追加

このようなタングステン電極材料は、アーク溶接用、各種ランプ用、マグネトロン用陰極などの各種電極に好適である。 - 特許庁

The semiconductor gas sensor is equipped with a gas sensitive element 1 constituted of a sinter of a powder material containing tungsten oxide and a pair of detection electrodes 2 and 2.例文帳に追加

酸化タングステンを含む粉体材料の焼結体にて構成される感ガス体１と、一対の検知用電極２，２とを具備する。 - 特許庁

Thereby, early generation of a flicker is suppressed as compared with the case where both the rod-like electrodes 26A and 26B are formed of thoriated tungsten.例文帳に追加

これにより、両棒状電極２６Ａ、２６Ｂをトリエーテッドタングステン製とした場合に比して、フリッカーの早期発生を抑制する。 - 特許庁

By attaching pressurization portions 51A, 51B on both sides of tungsten electrodes 202A, 202B, the collapsing of both ends 12 of the neutral point sleeve 1 by the pressurization portions 51A, 51B is performed simultaneously with the fusing treatment of the center 11 of the neutral point sleeve 1 which is performed by the tungsten electrodes 202A, 202B.例文帳に追加

タングステン電極２０２Ａ，２０２Ｂの両側に加圧部５１Ａ，５１Ｂを取り付けたことにより、加圧部５１Ａ，５１Ｂによる中性点スリーブ１の両端部１２の圧潰を、タングステン電極２０２Ａ，２０２Ｂによる中性点スリーブ１の中央部１１のヒュージング処理と同時に行う。 - 特許庁

Tungsten electrodes 26A and 26B are pinch-sealed to pinch seal parts 20b1 and 20b2 at the two sides of the light emission tube part 20a of the body 20 of an arc tube, and the outside surfaces 26Aa and 26Ba of these tungsten electrodes are given a mean surface roughness of 3 μm or below.例文帳に追加

アークチューブ本体２０の発光管部２０ａ両側のピンチシール部２０ｂ１、２０ｂ２にピンチシールされたタングステン電極２６Ａ、２６Ｂの外周表面２６Ａａ、２６Ｂａの平均粗さを３μｍ以下に設定する。 - 特許庁

The electrodes 31, 32 are tungsten electrodes containing a thorium oxide, and have first projections 311, 321 formed at a position, where an arc is formed during lighting.例文帳に追加

この電極31、32は、酸化トリウムを含むタングステン電極であるとともに、点灯中にアークが形成される位置に第1の突起311、321が形成されている。 - 特許庁

The ultraviolet rays act on tungsten forming the electrodes 3 or mercury contained in the inside of the arc tube 10, and make electrons emitted from the surfaces of these metals to supply energy to make the electrodes 3 emit photoelectrons.例文帳に追加

紫外線は、電極３を構成するタングステンあるいは発光管１０の内部に含まれる水銀に作用し、これらの金属表面より電子を放出させ、電極３に光電子を放出させるエネルギーを供給する。 - 特許庁

Control gate electrodes (each composed of a polysilicon film 7 and a tungsten silicide film 8) are formed on the floating gate electrodes, in the inside and outside of the recessed sections 14.例文帳に追加

コントロールゲート電極（ポリシリコン膜７，タングステンシリサイド膜８）は、凹部１４内及び外において、フローティングゲート電極上に形成される。 - 特許庁

Furthermore, degradation of tungsten electrodes 11a, 11a, i.e. thinning of the electrodes, caused by evaporation of boron can be reduced because the inner protective layer 18 on the peripheral portion CP has a comparatively thin form.例文帳に追加

また、周辺部ＣＰ上での内側保護層１８が比較的薄い形状であるため、ホウ素が蒸発してタングステン製の電極１１ａ，１１ａを劣化させること、すなわち当該電極が細ることを抑制できる。 - 特許庁

A pair of tungsten electrodes 151 and 152 are arranged oppositely to each other in a bulb 11 made of transparent quartz glass; the electrodes are preheated by D.C. lighting in startup; and A.C. lighting is carried out in normal lighting.例文帳に追加

透明な石英ガラス製のバルブ１１内に一対のタングステン電極１５１，１５２を対向させ、始動時に直流点灯によって電極予熱を行い、通常点灯時に交流点灯を行う。 - 特許庁

Under the presence of metal for interconnection lines or electrodes which has a good conductivity, the substrate made of tungsten and/or titanium-tungsten alloy is etched with the etchant of pH 7 or below which contains hydrogen peroxide aqueous solution and an alkali component, to dissolve and remove an unwanted part of the metal film.例文帳に追加

配線又は電極用の良導電性を有する金属の存在下、過酸化水素水及びアルカリ成分を含むｐＨ７以下のエッチング液により、タングステン及び／又はチタン−タングステン合金の基板をエッチングすることにより、不要部の該金属膜を溶解除去する。 - 特許庁

The hydrogen gas sensor includes a tungsten oxide film 2, serving as a detection section of hydrogen gas; a pair of electrodes 3 provided on a surface at a side abutting against the hydrogen gas of the tungsten oxide film 2; and metal fine particles 4, provided on a surface at a side abutting on the hydrogen gas of the tungsten oxide film 2 at an interval and is set as a catalyst for dissociating the hydrogen gas.例文帳に追加

水素ガスの検知部となる酸化タングステン膜２と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に設けられた一対の電極３と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に間隔をあけて設けられ前記水素ガスを解離する触媒となる金属微粒子４とを有する水素ガスセンサとする。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method which can suppress side etching without corroding electronic members, various lamination films and the like on a substrate, for the substrate which has a lamination structure of tungsten and/or titanium-tungsten alloy which are used for electrodes and interconnection lines for a semiconductor device and a thin film transistor of a liquid crystal display or for interconnection lines and barrier metal for the electrodes.例文帳に追加

半導体装置や液晶表示装置の薄膜トランジスタの電極や配線、またこれらの電極の配線やバリアメタルとして用いられているタングステン及び／又はチタン−タングステン合金の積層構造を有した基板において、基板上の電子部材、各種積層膜等を腐食することなく、サイドエッチングを抑制したエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a plane which intersects with a silicon substrate 1, the widths of a second electrode section (tungsten nitride) 4 and a third electrode section (tungsten) 5 that are closer to gate masks 6, 7 out of gate electrodes 3, 4, 5 are designed to be smaller than those of the gate masks 6, 7 to increase short margins between the gate electrodes 3, 4, 5 and a cell contact plug 15.例文帳に追加

シリコン基板１に直交する面内において、ゲート電極３，４，５のうちゲートマスク６，７に近い第２電極部（窒化タングステン）４及び第３電極部（タングステン）５をゲートマスク６，７よりも幅小となるようにし、ゲート電極３，４，５とセルコンタクトプラグ１５との間のショートマージンを増加させた。 - 特許庁

Since an electrode structure for nitride-based III-V compound semiconductor device uses a metal nitride (tungsten nitride) as the material for electrodes 4, Schottky electrodes 4 which can firmly adhere to a GaN semiconductor layer 3 and have Schottky characteristic that will not deteriorate through heating can be obtained.例文帳に追加

この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造は、電極４の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体ＧａＮ層３への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極４を得ることができた。 - 特許庁

The force to prevent the deformation of a piezoelectric layer 70 becomes weak as compared with the constitution of a first upper electrode single layer because the Young modulus of tungsten, molybdenum, aluminum, and magnesium included in second upper electrodes 82 is small as compared with the Young modulus of iridium of first upper electrodes 81.例文帳に追加

第１上電極８１のイリジウムのヤング率と比較して、第２上電極８２に含まれるタングステン、モリブデン、アルミニウム、マグネシウムのヤング率が小さいので、第１上電極単層の構成と比較して、圧電体層７０の変形を妨げる力が弱まる。 - 特許庁

The incandescent light source 10, provided with at least a pair of electrodes 12; and a tungsten filament 17 formed into a thin film having rectangular cross section, two dimensionally arranged between the electrodes 12; is formed by applying a photoresist method on a metal film laminated on a substrate.例文帳に追加

白熱光源１０は、少なくとも一対の電極１２と、前記電極間にあって２次元的に配置され、断面矩形の薄膜化したタングステンフィラメント１７とを具備し、基板上に積層した金属膜をフォトレジスト法で形成される。 - 特許庁

The flash lamp 10 is equipped with a pair of electrodes 12 composed of tungsten in the flash tube 11 composed of alumina (Al_2O_3), and the summation of hydrogen concentration contained in the electrodes and an arc space is 2.5×10^-4 (pa m^3/tube) or less.例文帳に追加

本発明のフラッシュランプは、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる発光管１１内に一対のタングステンよりなる電極１２を具備してなるフラッシュランプ１０において、電極１２および発光空間内に含有される水素濃度の総和が２．５×１０^−４（ｐａ・ｍ^３／本）以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a tungsten electrode having long service life and high performance by reducing Si to 5 ppm or less capable of preventing the generation of blackening on the basis of a fact that blackening of a lamp, which decides lamp service life, is due to scattering of Si, which is mainly contained in electrodes, from the electrodes heated at a high temperature.例文帳に追加

ランプ寿命を左右するランプの黒化が、主に電極に含有されているＳｉが高温に加熱された電極から飛散することに起因している事を明らかにし、Ｓｉを黒化が生じない５ｐｐｍ以下に低減した長寿命で高性能のタングステン電極を提供すること。 - 特許庁

The discharge lamp 101 includes the arc tube 11 made of quartz glass and sealed with a luminous substance, and electrodes 12, 12 arranged in the inside of the arc tube 11 and containing tungsten as its main component, and electrodes 12, 12 contain at least one of oxygen getter materials which bind with oxygen.例文帳に追加

本発明の放電ランプ１０１は、石英ガラスからなり発光物質が封入された発光管１１と、発光管１１内に配置されタングステンを主成分とする電極１２，１２と、を有し、電極１２，１２が、酸素と結合する酸素ゲッタ材を１種類以上含有している。 - 特許庁

After storage node electrodes (MN) 34a are formed on a substrate, storage node electrode (MN) 34b having higher crystallinity are formed by growing the conductive material, such as polysilicon, tungsten, etc., constituting the nodes 34a into grains by performing heat treatment on the electrodes 34a at a first treating temperature.例文帳に追加

基板に記憶ノード電極３４ａ（ＭＮ）を形成し、第１の処理温度の熱処理を施して記憶ノード電極３４ａ（ＭＮ）を構成するポリシリコンあるいはタングステンなどの導電性材料をグレイン成長させ、結晶性の高められた記憶ノード電極３４ｂ（ＭＮ）とする。 - 特許庁

A pair of opposing tungsten electrodes 131, 132 are arranged inside a quartz glass bulb 11, in which mercury, halogen and argon gas are sealed.例文帳に追加

石英ガラス製のバルブ１１内に一対の対向するタングステン電極１３１，１３２を配置するともとに、水銀、ハロゲンそれにＡｒガスを封入した。 - 特許庁

Tungsten electrodes are disposed on two rhenium rod bodies in an electrode chamber of a high-pressure gas discharge lamp, and the rod bodies are protruded into the electrode chamber.例文帳に追加

高圧ガス放電ランプの電極室内で２つのレニウムの棒状体上にタングステン電極を配置し、これらレニウムの棒状体を電極室内に突出させる。 - 特許庁

Thereafter, the polysilicon in the gate trenches 12 is removed and then a tungsten film is embedded in the gate trenches 12 again to form trench gate electrodes 18.例文帳に追加

この後、ゲートトレンチ１２内のポリシリコンを除去し、再度、ゲートトレンチ１２内にタングステン膜を埋め込んでトレンチゲート電極１８を形成する。 - 特許庁

The contact openings different in depth from each other are filled up with tungsten so as to connect the polysilicon electrode 100 and the FD 52 to Al electrodes 98 and 114 respectively.例文帳に追加

これら深さの異なる開口部にタングステンを堆積し、ポリシリコン電極１００及びＦＤ５２をそれぞれＡl電極９８，１１４に接続する。 - 特許庁

A laminate film, composed of the polysilicon film 12, the titanium nitride barrier metal layer 13 and the tungsten film 14, is patterned to form polymetal gate electrodes.例文帳に追加

これらのポリシリコン膜１２、バリアメタル層１３及びタングステン膜１４からなる積層膜がパターニングされることによりポリメタルゲート電極が形成されている。 - 特許庁

A plurality of needlelike electrodes 2 each of which is composed of a thin tungsten wire 8 and a glass tube 9 covering it are arranged three- dimensionally by an electrode fixing holder 3.例文帳に追加

細いタングステン線８とそれを被覆するガラス管９とからなる複数の針状の電極２を、電極固定用治具３により三次元に配置する。 - 特許庁

The organic electroluminscent element has at least one organic layer including a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes wherein the organic layer contains at least one kind of 0-valent tungsten complex.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層に少なくとも一種の０価のタングステン錯体を含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

With a tungsten rod 3 used as a cathode in an argon gas 5 atmosphere, and with a water-cooled copper plate 4 as an anode, an arc is generated between the pair of electrodes 3, 4.例文帳に追加

アルゴンガス５雰囲気中でタングステン棒３を陰極として、また水冷却銅板４を陽極として、上記一対の電極３、４間にアークを発生させる。 - 特許庁

The tungsten film 43 is not exposed in a clearance 50 which separates the adjacent transfer electrodes 40 and is not oxidized even under high temperature oxygen atmosphere.例文帳に追加

隣り合う転送電極４０同士を隔てる間隙部５０ではタングステン膜４３が露出することがなくなり、高温酸素雰囲気下でも酸化されなくなる。 - 特許庁

Moreover, an applied voltage to the transparent conductive membrane 116 is independently controlled from a driving voltage to the tungsten electrodes 112, 112 when the light-emitting part 111A emits light.例文帳に追加

また、透明導電膜１１６への印加電圧は、発光部１１１Ａの発光時におけるタングステン電極１１２，１１２への駆動電圧と独立して制御される。 - 特許庁

A sealing ring 15 includes tungsten plugs 9 and 12 and metal electrodes 6 and 13, and at the time of forming a second opening 11, forms a spacer in a first recess.例文帳に追加

シールリング１５は、タングステンプラグ９、１２とメタル電極６、１３で構成し、第２の開口部１１を形成する際に第１の凹み部３２に、スペーサを形成する。 - 特許庁

A tungsten nitride carbide (WNC) film, that is a material not containing a chlorine fraction in stock gas of film deposition, is used for upper and lower electrodes of a capacitor to form the upper or lower electrode in an amorphous state.例文帳に追加

キャパシタの上部及び下部電極に、成膜の原料ガスに塩素分を含まない材料である窒化タングステン・カーバイド(ＷＮＣ)膜を用い、この上部又は下部電極をアモルファス状態で形成する。 - 特許庁

The discharge lamp 101 is equipped with a translucent container 111, and tungsten electrodes 112, 112 opposedly arranged in this translucent container 111.例文帳に追加

透光性容器１１１と、この透光性容器１１１内に対向配置されるタングステン電極１１２，１１２と、を備えた放電ランプ１０１である。 - 特許庁

In the high-voltage discharge lamp 10, a pair of tungsten electrodes 12A and 12B faced to each other are inserted inside a fused quartz light tube 11 formed with the center part in a spherical shape.例文帳に追加

この高圧放電灯１０は中央部が球状に成形された石英ガラス製の灯管１１内に一対のタングステン電極１２Ａ，１２Ｂが対向して挿入されている。 - 特許庁

This D.C. power type static eliminator 10 includes positive/negative discharge electrodes 11 and 12 both of which are made of tungsten, a restriction resistor 16 is interposed between the negative discharge electrode 12 and a negative D.C. power source 15.例文帳に追加

ＤＣ電源方式の除電装置10は、共にタングステン製のプラス/マイナスの放電電極11,12を有し、マイナス極の放電電極12とマイナス直流電源15との間に制限抵抗16が介装されている。 - 特許庁

Inside the sealing portions 121, 122, metal foil 31, 32 composed of an alloy of rhenium and tungsten which is connected to one end of a pair of electrodes 21, 22 arranged opposed to each other in the discharge space 111 is sealed and fitted.例文帳に追加

その封止部１２１、１２２の内部には、一端が放電空間１１１内で対向配置された一対の電極２１、２２を接続するレニウムとタングステンの合金からなる金属箔３１、３２が封着されている。 - 特許庁

Degradation of luminous flux is prevented and generation of noise in startup is prevented as compared with the case where both the rod-like electrodes 26A and 26B are formed of pure tungsten.例文帳に追加

また、両棒状電極２６Ａ、２６Ｂを純タングステンで構成した場合に比して、光束の低下を抑制するとともに始動時におけるノイズの発生を抑制する。 - 特許庁