「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

After a soluble layer 102Z consisting of Al_2O_3 is formed on a 1st thin-film 111Z, a lower resist layer 103Z and an upper resist layer 104Z are successively formed thereon.例文帳に追加

第１薄膜１１１Ｚの上にＡｌ_2Ｏ_3からなる可溶層１０２Ｚを形成したのち下部レジスト層１０３Ｚと上部レジスト層１０４Ｚとを順次形成する。 - 特許庁

The lower end of the electrode 14 is electrically connected to the common electrode layer 12, an insulation layer 16 is provided to the upper end and electrically isolated from the transparent common electrode layer 13.例文帳に追加

電極１４の下端は共通電極層１２と電気的に接続し、上端側は絶縁層１６を設けて透明共通電極層１３と電気的に絶縁する。 - 特許庁

A second layer c is formed by applying a second layer agent 20 prepared by mixing the adhesive, water, cement and sand at a predetermined compounding ratio to the upper face of the first layer b.例文帳に追加

接着剤と水とセメントと砂とを所定の配分比率で混合して成る第２層剤２０を、第１層ｂの上面に塗布して第２層ｃを形成する。 - 特許庁

The cover member 1 for a push-button switch is provided with a key top 10, an upper silicone rubber layer 20, an EL sheet 30, a resin layer 40, and a lower silicone rubber layer 50 with a pressing part 51.例文帳に追加

押釦スイッチ用カバー部材１は、キートップ１０と、上部シリコーンゴム層２０と、ＥＬシート３０と、樹脂層４０と、押圧部５１付きの下部シリコーンゴム層５０とを備える。 - 特許庁

The side surface of the first insulating layer is perpendicular to the upper surface of the third semiconductor layer and both side surfaces of the third electrode are in contact with the side surface of the first insulating layer.例文帳に追加

第１の絶縁層の側面は第３の半導体層上面に対して垂直で、第３の電極の両側面は第１の絶縁層の側面と接する。 - 特許庁

To improve the breakdown voltage of a semiconductor device including a stack in which a lower semiconductor layer, a buried insulating layer, and an upper semiconductor layer are stacked.例文帳に追加

下側半導体層と埋込み絶縁層と上側半導体層が積層した積層体を有する半導体装置の耐圧を向上させることを目的としている。 - 特許庁

The secondary transfer roller 10 or the like is constituted as a multilayered body having an elastic layer 32 and a surface layer 33 on the upper layer of an arbor 31 consisting of arbitrary metal.例文帳に追加

二次転写ローラ１０等を、任意の金属からなる芯がね３１の上層に弾性層３２及び表面層３３を有する多層体として構成する。 - 特許庁

As the upper layer of a plated layer, a lubricating resin layer having mean thickness of 0.5 μm to 4 μm is incorporated on at least one surface of the zinc-aluminum alloy plated steel sheet.例文帳に追加

亜鉛−アルミニウム合金めっき鋼板の少なくとも一方の表面にめっき層の上層として、平均厚みが0.5〜４μmの潤滑樹脂層を有する。 - 特許庁

The cleaning sheet 1 for cleaning the blanket cylinder has an upper surface layer 3, a lower surface layer 5 and an intermediate layer 6 interposed between these two layers 3 and 5.例文帳に追加

ブランケット胴を洗滌するための洗滌用シート１が上部表面層３と、下部表面層５と、これら両層３，５間に介在する中間層６とを有する。 - 特許庁

Resistivity of the lower layer microcrystal silicon thin film 5 is 1 Ωcm and lower, and the width of of the upper layer metal thin film 6 is smaller than the width of the lower layer microcrystal silicon thin film 5.例文帳に追加

下層マイクロクリスタルシリコン薄膜５の抵抗率は１Ωｃｍ以下であり、上層金属薄膜６の幅が下層マイクロクリスタルシリコン膜５の幅より小さい。 - 特許庁

An electron transport layer 16E, an electron implantation layer 16F, and an upper electrode 17 are formed in order on an entire blue light emitting layer 16CB, thereby obtaining the organic EL display device.例文帳に追加

青色発光層１６ＣＢの全面に電子輸送層１６Ｅ，電子注入層１６Ｆおよび上部電極１７を順に形成し有機ＥＬ表示装置を得る。 - 特許庁

An organic material layer is formed on the upper and/or lower surface of an organic semiconductor layer, or an organic material member is mixed into the organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, a wiring layer 13 is formed on an upper surface of a silicon substrate 2, and the resin layer 14 is so formed as to cover the wiring layer 13.例文帳に追加

本発明の半導体装置１では、シリコン基板２上面に配線層１３が形成され、配線層１３を被覆するように樹脂層１４が形成される。 - 特許庁

To provide a producing method of sintered ore having high production yield, with which the formation of the brittle layer at the upper layer part of a raw material packing layer is prevented.例文帳に追加

原料充填層の上層部に形成される脆化層の形成を防止した製品歩留りの高い焼結鉱の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The device has an SiO2 layer 12 as an intermediate layer on the upper face of a silicon substrate 11, and has a Y-branched high polymer optical waveguide 13 on this SiO2 layer 12.例文帳に追加

シリコン基板１１の上面に、中間層としてのＳｉＯ２層１２を有し、このＳｉＯ２層１２上にＹ分岐高分子光導波路１３を有する。 - 特許庁

In such superconducting cable, stabilizing metal layers 10 are provided on the upper and lower layer of the superconducting layer 9 of the composite conducting layer 20.例文帳に追加

そのような超電導ケーブルにおいて、複合導体層２０の超電導層９の上下層に安定化金属線を螺旋状に卷回した安定化金属層１０を設ける。 - 特許庁

As a result, even when a dislocation, turning, contraction, distortion or the like is caused to lower layer patterns, required upper layer patterns can be formed by aligning with the lower layer patterns.例文帳に追加

これにより、下層パターンにずれ、回転、収縮、歪み等が生じた場合であっても、下層パターンに位置合わせをして所望の上層パターンを形成することができる。 - 特許庁

In the coupling process, the third insulating layer includes a platform portion that extends beyond the first insulating layer and the second insulating layer, and the platform portion has an upper surface.例文帳に追加

連結する工程において、第３の絶縁層は、第１の絶縁層および第２の絶縁層を越えて延在するプラットフォーム部を備え、そのプラットフォーム部は上面を有する。 - 特許庁

The exhaust gas purifying catalyst includes a base material 54, a lower layer 57 arranged on the base material 54 and an upper layer 58 arranged on the lower layer 57.例文帳に追加

ここで開示される排ガス浄化用触媒は、基材５４と、該基材５４上に配置された下層５７と、該下層５７上に配置された上層５８を有する。 - 特許庁

The exhaust gas purifying catalyst includes a base material 54, a lower layer 60 arranged on the base material 54 and an upper layer 62 arranged on the lower layer 60.例文帳に追加

ここで開示される排ガス浄化用触媒は、基材５４、該基材５４上に配置された下層６０、該下層６０上に配置された上層６２を有する。 - 特許庁

After the first resist layer is developed, a second resist layer is deposited on the first resist layer, and thereby a flat upper surface is left (namely, there is no topography).例文帳に追加

この第１のレジスト層を現像した後、第１のレジスト層の上に第２のレジスト層を堆積し、それによって平坦な上部面を残す（すなわちトポグラフィがない）。 - 特許庁

The lid 1 for the trough is a multi-layer structure consisting of: a body layer 3 constituting mainly the lid 1 for the trough; and a covering layer 5 for covering the upper face of the lid 1 for the trough.例文帳に追加

トラフ用蓋１は、主にトラフ用蓋１を構成する本体層３と、トラフ用蓋１の上面を被覆する被覆層５からなる複層構造である。 - 特許庁

A transition etching layer (20) is provided between an upper layer (12) and a lower layer (14) and preferably capable of preventing a material composition having undesired etching characteristics from being formed.例文帳に追加

遷移エッチング層（２０）が上部層（１２）と下部層（１４）との間に設けられており、好ましくないエッチング特性を持った材料組成の形成が防止できる。 - 特許庁

The power source line 106 is arranged on a first wiring layer, and the vertical signal line 107 is arranged on a second wiring layer positioned on the upper part of the first wiring layer.例文帳に追加

電源線１０６は第１の配線層に配置され、垂直信号線１０７は第１の配線層の上方に位置する第２の配線層に配置される。 - 特許庁

The synthetic ferrimagnetic structure includes at least a lower side magnetic layer 14 and an upper side magnetic layer 16 which are anti-ferromagnetically coupled via a non-magnetic spacer layer 15.例文帳に追加

シンセティックフェリ磁性構造は、非磁性スペーサ層１５を介して反強磁性結合している少なくとも下側磁性層１４と上側磁性層１６とを含む。 - 特許庁

An upper layer BPSG film 120 whose B density is lower than that of the lower layer BPSG film 140 is formed at a second deposition rate v2 on the lower layer BPSG film 140.例文帳に追加

下層ＢＰＳＧ膜１４０の上に、Ｂ濃度が下層ＢＰＳＧ膜１４０より低い低濃度の上層ＢＰＳＧ膜１２０を第２の成膜速度ｖ２で形成する。 - 特許庁

A recording head includes a lower magnetic pole layer 8 and an upper magnetic pole layer including the magnetic pole portions which are provided opposed with each other via a recording gap layer 9 and a thin film coil 16.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層９を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層８および上部磁極層と、薄膜コイル１６とを有している。 - 特許庁

A first layer b is formed by applying a first layer agent 10 prepared by mixing the adhesive, water, cement and sand at a predetermined compounding ratio to the upper face of the base layer a.例文帳に追加

接着剤と水とセメントと砂とを所定の配分比率で混合して成る第１層剤１０を、下地層ａの上面に塗布して第１層ｂを形成する。 - 特許庁

The upper compacted layer 4 is partially laminated on the lower compacted layer 3 within the cosmetic plate 2 and is constituted of a compacted cosmetic having a color different from the color of the lower compacted layer 3.例文帳に追加

上打型層４は、化粧皿２内の下打型層３上に部分的に積層され、下打型層３とは異なる色の打型化粧料によって構成されている。 - 特許庁

In the upper layer overetching step, as its etching conditions, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 is made to nearly match the etching rate of the AlCu layer 15.例文帳に追加

この上層オーバエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６のエッチングレートとＡｌＣｕ層１５のエッチングレートとがほぼ一致するような条件に変更される。 - 特許庁

In the center of the upper surface of a substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type semiconductor layer 4 are laminated in this order to constitute a light emitting portion 60.例文帳に追加

基板１の上面中央部には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層され、発光部６０を構成してある。 - 特許庁

Since the growth surface 24a of the intermediate layer 24 is flat, a growth surface 26a of the upper layer 26 epitaxially grown on the intermediate layer 24 is also flat.例文帳に追加

このように中間層２４の成長面２４ａが平坦であるため、中間層２４上にエピタキシャル成長される上層２６の成長面２６ａも平坦となっている。 - 特許庁

Then, an N-type buried semiconductor layer 31 contacting with the semiconductor layer 12 is formed in the upper layer portion of the semiconductor substrate 11, directly under the red filter 24R.例文帳に追加

そして、半導体基板１１の上層部分における赤色フィルタ２４Ｒの直下域に、半導体層１２に接触したＮ型の埋込半導体層３１を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film 33 of the NMOS transistor 31 is composed of a lower layer film 33a and an upper layer film 33b contacted with a gate electrode 34 laminated on the lower layer film 33a.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ３１のゲート絶縁膜３３は、下層膜３３ａと、その上に積層された、ゲート電極３４と接触する上層膜３３ｂとから成る。 - 特許庁

A ratio of an average particle diameter of the function constitution material forming the lower layer to that of the function layer constitution material forming the upper layer is 1:2 to 1:3.例文帳に追加

下層を形成する機能層構成材料の平均粒子径と上層を形成する機能層構成材料の平均粒子径との比が１：２〜１：３である。 - 特許庁

The lead frame 11 has a three-dimensional structure of a lower conductor layer 11a (first electrode terminal), an insulating layer 11b, and an upper conductor layer 11c (second electrode terminal).例文帳に追加

リードフレーム１１は下部導体層１１ａ（第１電極端子）、絶縁層１１ｂおよび上部導体層１１ｃ（第２電極端子）の立体構造を有する。 - 特許庁

In this case, the position of an interface 21 between the upper layer and the under layer is measured with an interface meter 20 and when the position of the interface 21 becomes fixed, the under layer liquid is extracted.例文帳に追加

この場合、上層と下層との界面２１の位置を界面計２０で測定し、その界面２１の位置が一定になったときに下層液を抜き出す。 - 特許庁

To provide a structure having a wet curable urethane resin layer as a lower layer, and an upper layer made of an aqueous resin composition and having excellent performance for execution and water resistance.例文帳に追加

湿気硬化性ウレタン系樹脂層を下層とし水性樹脂組成物からなる上層を持ち、施工性と耐水性に優れる構造体を提供するものである。 - 特許庁

In supplying power from the grating-like upper layer power supply wires 50, 40 to the lower layer cell power supply wire 20, an auxiliary power supply wire 30 is arranged on an intermediate layer.例文帳に追加

格子状の上層電源配線５０、４０から下層のセル電源配線２０へ電源供給する場合に、中間層に補助電源配線３０が配置される。 - 特許庁

At the bottom of the grooves 5a, 5b and 5c of the semiconductor layer 3, lower layer resistors 9a, 9b and 9c formed by the same thickness as the upper layer resistors 7a and 7b are formed.例文帳に追加

半導体層３の溝５ａ，５ｂ，５ｃの底部に、上層抵抗層７ａ，７ｂと同じ厚みで形成された下層抵抗体９ａ，９ｂ，９ｃが形成されている。 - 特許庁

The diffractive element is produced by forming a cover layer 20D and a diffraction pattern layer 20E on an upper face 20Ca and a lower face 20c, respectively, of a base layer 20C comprising an injection molded product.例文帳に追加

本発明は、射出成型品でなるベース層２０Ｃの上面２０Ｃａ及び下面２０Ｃｂにカバー層２０Ｄ及び回折パターン層２０Ｅがそれぞれ形成される。 - 特許庁

A main pole layer 70 includes a lower main pole layer 74 having a tip end surface 74B and a cross-sectional surface 74Z, and an upper main pole layer 85 having a cross-sectional surface 85Z.例文帳に追加

主磁極層７０は、先端面７４Ｂおよび断面７４Ｚを有する下部主磁極層７４と、断面８５Ｚを有する上部主磁極層８５とを含む。 - 特許庁

A nitride layer 31 is stuck on the upper surface of a metal structure 21, at least and a metal oxide layer 22 is stuck on a metal structure 21 and the nitride layer 31.例文帳に追加

窒化物層３１が、金属構造２１の少なくとも上面に付着され、金属酸化物層２２が金属構造２１及び窒化物層３１上に付着される。 - 特許庁

The solid electrolyte fuel cell stack comprises a stack of cell plates each having a solid electrolyte layer coated on its upper and lower surfaces respectively with a fuel electrode layer and an air electrode layer.例文帳に追加

固体電解質層の上面及び下面に燃料極層と空気極層を被着したセル板を積層して成る固体電解質型燃料電池用スタックである。 - 特許庁

A two-layer sliding resistor 16 comprising a lower resistor layer 18 and an upper resistor layer 20 is arranged on a printed board 12 of a variable resistor 10.例文帳に追加

可変抵抗器１０のプリント基板１２上には、抵抗体下層部１８及び抵抗体上層部２０から成る二層構造の摺動抵抗体１６が配設されている。 - 特許庁