wを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 25405件
A ratio r_i/D_W of a groove radius r_i of an inner ring raceway 10 to diameter D_W of each of the balls 11, 11 is set to be 52 to 55%, and a ratio of a groove radius r_e of an outer ring raceway 9 to D_W is set to be 53 to 60%.例文帳に追加
これと共に、内輪軌道１０の溝半径ｒ_i と上記各玉１１、１１の直径Ｄ_W との比ｒ_i ／Ｄ_W を５２〜５５％、且つ、外輪軌道９の溝半径ｒ_e とＤ_W との比を５３〜６０％とする。 - 特許庁
In this chemical mechanical polishing method, in relation to the magnitude relation between the rotation frequency f_W of the semiconductor wafer 10 and the rotation frequency f_P of the polishing pad 30, 3f_P<f_W is used as a lower-limit condition, and 4f_P<f_W<8f_P is used as an optimum condition.例文帳に追加
本発明の化学的機械研磨方法は、半導体ウエハ１０の回転数ｆ_Wと研磨パッド３０の回転数ｆ_Pとの大小関係に関して、３ｆ_P＜ｆ_Wを下限条件とし、４ｆ_P＜ｆ_W＜８ｆ_Pを最適条件とする。 - 特許庁
After the window W is expanded and brought in contact with another window w_i (b), the window w_i is moved with the expansion of the window W so as not to overlap with the window W (c).例文帳に追加
拡大されて、ウィンドウＷが他のウィンドウｗ_ｉと接した後（ｂ）、ウィンドウｗ_ｉはウィンドウＷの拡大に伴って、ウィンドウＷと重ならないように移動されていく（ｃ）。 - 特許庁
While a magnetic member W is rotated in a state where the member W is held by a spindle device, 1 the member W is magnetized by passing magnetic fluxes through the member W from magnetizing yokes 9 facing the front and rear surfaces of the member W.例文帳に追加
磁性部材Ｗをスピンドル装置１で保持して回転させながら、磁性部材Ｗの表裏に対面する着磁ヨーク９により、磁性部材Ｗに磁束を通して着磁を行う。 - 特許庁
A long product W is discontinuously fed, and, when the feed of the long product W is stopped, a movable die 13 is acted on the long product W, and, when the long product W is fed, the movable die 13 is not acted on the long product W.例文帳に追加
長尺材Ｗを断続的に送り、長尺材Ｗの送りを止めるときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させ、長尺材Ｗを送るときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させないようにする。 - 特許庁
PoC/W COMMUNICATION SYSTEM, PoC SERVER, PoC/W COMMUNICATION METHOD, AND PoC/W COMMUNICATION PROGRAM例文帳に追加
ＰｏＣ／Ｗ通信システム、ＰｏＣサーバ、ＰｏＣ／Ｗ通信方法及びＰｏＣ／Ｗ通信プログラム - 特許庁
In addition, AC% is an abbreviation for atomic concentrate % and is the percentage of the number of atoms of the oxide of W with respect to the total number of atoms of W and the oxide of W.例文帳に追加
なお、ＡＣ％とはatomic concentrate % の略で、Ｗの酸化物の原子数のＷおよびＷの酸化物の総原子数に対する％をいう。 - 特許庁
Consequently, the polyorganosiloxane latex having the ratio of the weight-average particle diameter (d_w) to a number- average particle diameter (d_n) of ≤2.0 is obtained.例文帳に追加
このようにして、重量平均粒子径（ｄ_w）と数平均粒子径（ｄ_n）との比（ｄ_w／ｄ_n）が２．０以下であるポリオルガノシロキサンラテックスを得る。 - 特許庁
S/W LICENSE MANAGEMENT SYSTEM, S/W LICENSE MANAGEMENT METHOD, S/W LICENSE MANAGEMENT PROGRAM AND RECORDING MEDIUM WITH THE PROGRAM RECORDED THEREON例文帳に追加
Ｓ／Ｗライセンス管理システム、Ｓ／Ｗライセンス管理方法、Ｓ／Ｗライセンス管理プログラムおよびそれを記録した記録媒体 - 特許庁
After that, the wafer W is rotated at a high speed, and the coating liquid on the wafer W is spread to the entire surface of the wafer W.例文帳に追加
その後ウェハＷを高速度で回転させ，ウェハＷ上の塗布液がウェハＷ全面に広げられる。 - 特許庁
To provide a reset circuit also having a function of H/W reset by S/W while utilizing an advantage of the S/W reset.例文帳に追加
Ｓ／Ｗリセットのメリットを活かしつつ、Ｓ／ＷによりＨ／Ｗリセットの機能も兼ね備えたリセット回路を提供する。 - 特許庁
The exposure section 20 applies the liquid immersion exposure processing to the substrate W and thereafter the substrate W is carried to the cleaning section 40, wherein the substrate W is cleaned.例文帳に追加
露光部２０にて基板Ｗの液浸露光処理を行った後に、その基板Ｗを洗浄部４０に搬送して洗浄する。 - 特許庁
At first, similarity matrices W_Z, W_Y, W_X, are low-rank approximated by a technology such as incomplete Cholesky decomposition.例文帳に追加
類似度行列Ｗ_Z，Ｗ_Y，Ｗ_Xが先ず、不完全コレスキー分解などの技法によって、低ランク近似される。 - 特許庁
The W-Ti target comprises a structure only consisting of a W phase and a Ti phase, and has no W/Ti alloy phase in the structure.例文帳に追加
Ｗ相及びＴｉ相の組織のみからなり、組織中にＷ／Ｔｉ合金相が無いＷ−Ｔｉターゲット。 - 特許庁
In the next step, eigenvalues of obtained low-rank approximate matrices of W_Z, W_Y, W_X are used to constitute normalized Laplacian L.例文帳に追加
次の段階では、得られたＷ_Z，Ｗ_Y，Ｗ_Xの低ランク近似行列の固有値を用いて、正規化ラプラシアンＬが構成される。 - 特許庁
When the wire W is inserted into the through-hole 32, a peripheral part 35 of the through-hole closely contacts with the wire W, and the periphery of the wire W is sealed.例文帳に追加
挿通孔３２に電線Ｗを挿通すると、その周縁部３５が電線Ｗに密着することで電線Ｗ周りのシールが図られる。 - 特許庁
With a carrier 2 holding a wafer W rotated, the wafer W is forced into contact with a rotating platen 1 to polish the surface of the wafer W.例文帳に追加
ウエハＷを保持したキャリア２を回転させながらウエハＷを回転する定盤１に接触させて、ウエハＷの表面を研磨する。 - 特許庁
On an outer peripheral part of the lower chuck 231, a stopper member 262 for the wafers W_U and W_L and a piled wafer W_T is provided.例文帳に追加
下部チャック２３１の外周部には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔに対するストッパ部材２６２が設けられている。 - 特許庁
The substrate processing apparatus 10 processes the substrate W while rotating the substrate W so that the plate surface of the substrate W is arranged along a horizontal direction.例文帳に追加
基板処理装置１０は、基板Ｗの板面が水平方向に沿うようにして当該基板を回転させながら処理する装置である。 - 特許庁
W-CDMA ANALYZER, W-CDMA ANALYSIS RESULT DISPLAY METHOD AND RECORDING MEDIUM WITH W-CDMA ANALYSIS RESULT DISPLAY PROGRAM RECORDED THEREIN例文帳に追加
Ｗ—ＣＤＭＡ解析装置、Ｗ—ＣＤＭＡ解析結果表示方法およびＷ—ＣＤＭＡ解析結果表示プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁
The thickness (W-w) of the hard layer 2 occupies 10-70% of the total thickness(W) of the lattice material 1 including the hard layer 2.例文帳に追加
硬質層２の厚み（Ｗ−ｗ）は、硬質層２を含めた格子材１の全体厚み（Ｗ）の１０〜７０％を占めるようにする。 - 特許庁
On the basis of the region division of the entire ν hierarchies, a first, ..., a ν-th generation course spaces W^(1), ..., W^(ν) and a conjugate space V^(ν) of W^(ν) are formed.例文帳に追加
全ν階層の領域分割をもとに第１，…，ν世代コース空間Ｗ^(1)，…，Ｗ^(ν)と，Ｗ^(ν)の共役空間Ｖ^(ν)を作る。 - 特許庁
A workpiece W is arranged to face to the opening part 12E and the workpiece W is held by imparting floating force to the workpiece W by negative pressure at a center of the turning flow.例文帳に追加
開口部１２Ｅに対面してワークＷを配置し、旋回流中央の負圧によりワークＷに浮揚力を与え保持する。 - 特許庁
W has strong bonding force to a metallic element of the catalyst and Ti promotes W to form the solid solution and increases the amount of W to form the solid solution.例文帳に追加
Ｗは触媒金属元素との結合力が高く、ＴｉはＷの固溶を促進して、Ｗ固溶量を増大させる。 - 特許庁
When the substrate W is transfered in and out, the substrate W is positioned at a height TH which is approximately the same as the inlet/ outlet of the substrate W.例文帳に追加
基板Ｗの搬出入の際には基板搬出入口１０ａとほぼ同じ高さの搬出入高さＴＨに基板Ｗを位置させる。 - 特許庁
The work W is reduced over the full length of the work W by repeating the reducing work on the work W by sequentially raising and lowering the hanging body 33.例文帳に追加
吊下体３３を順次昇降して縮径加工を繰り返し、ワークＷの長手方向の全部位にわたってワークＷを縮径する。 - 特許庁
The punched rectangular electromagnetic steel plates are laminated and bonded together, in the direction of the width W for the formation of the leg cores 3, and W and H are so as to satisfy the relation H/W>1.例文帳に追加
脚鉄心３は、矩形に打ち抜かれた電磁鋼板を幅Ｗ方向に積層接着し、高さＨと幅Ｗの比がＨ／Ｗ＞１である。 - 特許庁
A substrate transfer device is stopped if a substrate W is moved on an arm support base and the substrate W is detected by detecting sensors 90a and 90b.例文帳に追加
基板搬送装置は、基板Wがアーム支持台上を移動し、検出センサ９０ａ、９０ｂで基板Ｗを検知したら停止する。 - 特許庁
Instead of single incorporation of W, Mo and W may be compositely comprised so as to satisfy 2Mo+W: 0.10 to 1.40%.例文帳に追加
なお、Ｗ単独含有に代えて、２Mo＋Ｗ：0.10〜1.40％を満足するようにMoとＷを複合含有してもよい。 - 特許庁
The compact self-ballasted fluorescent lamp is made to have incandescent lamps having power consumption of 40 W equivalent, 60 W equivalent and 100 W equivalent in common.例文帳に追加
電球形蛍光ランプは、白熱電球の消費電力の４０Ｗ相当、６０Ｗ相当、１００Ｗ相当とを共通化させる。 - 特許庁
When a work W is conveyed, pins 5a are raised to receive the work W and then lowered, and the work W is thus placed on a work stage 4.例文帳に追加
ワークＷが搬送されると、ピン５ａが上昇し、ワークＷを受け取りピン５ａが下降する。 - 特許庁
In addition, since the temperature of the wafer W is raised while the wafer W is pre-aligned, it is not required to separately provide any temperature raising time for the wafer W.例文帳に追加
また、ウェハＷのプリアライメント時間内にウェハを昇温するため、ウェハを昇温する時間を別に設ける必要がない。 - 特許庁
In addition, since the temperature of the wafer W is raised while the wafer W is kept in the wafer cassette 10, it is not required to separately provide any temperature raising time for the wafer W.例文帳に追加
また、ウェハＷの保管時間内にウェハを昇温するため、ウェハを昇温する時間を別に設ける必要がない。 - 特許庁
At least one of the holding members 52 holding wafers W is formed in a manner that a load given to a wafer W may be different from those given to the other wafers W.例文帳に追加
ウェハＷを保持する保持部材５２の少なくとも一つを、ウェハＷに付与される荷重が異なるように形成する。 - 特許庁
A length (d) of the opening in the thickness direction of the chip is determined to 0.5 W≤d≤0.9 W to a thickness W of the chip.例文帳に追加
チップの厚み方向の穴の長さｄは、チップの厚みＷに対して、０．５Ｗ≦ｄ≦０．９Ｗになるように構成される。 - 特許庁
The individual information F4b includes the information on the position or the direction of the part plate material w on the raw plate material W from which the part plate material w is cut out.例文帳に追加
個別情報Ｆ４ｂは、部品板材ｗが切り取られる素材板材Ｗ上の部品板材ｗの位置または方向の情報を含む。 - 特許庁
The recording layer 14 is constituted of Sn_xIn_yGa_zSb_w (wherein 3≤x≤7, 0≤y≤7, 6.8≤w/z≤8.8).例文帳に追加
記録層１４がＳｎ_xＩｎ_yＧａ_zＳｂ_w（但し、３≦ｘ≦７、０≦ｙ≦７、６．８≦ｗ／ｚ≦８．８）により構成される。 - 特許庁
Assuming w as an adhering width of the adhesive and α as a width of the frame, an adhering width w of the adhesive is in the range of 0<w≤α.例文帳に追加
接着剤の接着幅をｗとし、枠の幅をαとするとき、接着剤の接着幅ｗは、０＜ｗ≦αである。 - 特許庁
When the wafer W is reciprocated, a stripping solution is supplied with a low pressure from a nozzle 11 to the wafer W, and a film formed on the surface of the wafer W swells up.例文帳に追加
基板Ｗの往復移動中に、まずノズル１１から低圧で剥離液が基板Ｗに供給されて、その表面の被膜が膨潤される。 - 特許庁
To provide an electric bending tool with which a reinforcing bar W is bent correctly at a desired angle even when the outside diameter of the reinforcing bar W is changed.例文帳に追加
鉄筋Wの外径が変わっても所望角度に正確に曲げることが可能な電動式曲げ工具を提供する。 - 特許庁
As described above, in a state of retaining the substrate W, the substrate W is rotated and the end face of the substrate W is cleaned by an end face cleaning brush 41.例文帳に追加
このように基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させて基板Ｗの端面を端面洗浄ブラシ４１で洗浄処理する。 - 特許庁
In addition, the width W of the non-penetration area satisfies the requirement of W ≤ {(Ws-W)/2} in the relationship to the width Ws of the slit.例文帳に追加
また、不貫通領域の幅Ｗが、スリットの幅Ｗｓとの関係において、Ｗ≦｛（Ｗｓ−Ｗ）／２｝の要件を満たすようにする。 - 特許庁
A substrate processing apparatus 10 is an apparatus which processes a substrate W, while rotating the substrate W so that a plate surface of the substrate W may move along a horizontal direction.例文帳に追加
基板処理装置１０は、基板Ｗの板面が水平方向に沿うようにして当該基板を回転させながら処理する装置である。 - 特許庁
Since abnormal W film formation results from the fact that a growth rate of a W film based on W nuclei initially formed is faster than a W nucleus formation rate on a TiN film, the W nucleus formation rate is set to be faster than the growth rate of the W film.例文帳に追加
Ｗの異常成膜は、初期に形成されたＷ核でのＷ膜の成長速度が、ＴｉＮ膜上でのＷ核形成速度よりも速いことに起因して発生していることから、Ｗ核形成速度を、Ｗ核でのＷ膜の成長速度よりも速くする。 - 特許庁
The conveyance region T1 includes: a wafer conveying body 82 for conveying wafers W_U, W_L, and a superposed wafer W_T; a position adjustment mechanism 90 for adjusting the orientation of a horizontal direction of the wafers W_U, W_L; and an inverting mechanism 130 for inverting the front and rear of the upper wafer W_U.例文帳に追加
搬送領域Ｔ１には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔを搬送するウェハ搬送体８２と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの水平方向の向きを調節する位置調節機構９０と、上ウェハＷ_Ｕの表裏面を反転させる反転機構１３０とが設けられている。 - 特許庁
At stacking work, the retaining article W is positioned at a position above the stacking article W in the state that the retaining article W is inclined relative to the stacking article W in plan view and in the state that one corner part of the retaining article W is coincident with one corner part of the stacking article W in plan view.例文帳に追加
積付作業時には、保持物品Ｗを積付物品Ｗの上方位置に平面視で保持物品Ｗが積付物品Ｗに対して傾斜した状態でかつ保持物品Ｗの一角部と積付物品Ｗの一角部とが平面視で一致した状態になるように位置させる。 - 特許庁
The one side grinding device make the roughly conical shaped or roughly semi-spherical shaped work W pass through a gap between the grinding surface 10a of a grinding wheel 10 and a fixed work holding member 20 opposing the grinding surface 10a with a carrier 30 housing the work W in a pocket 31 and rotating, and grinds the bottom surface of the work W.例文帳に追加
片面研削装置は、略円錐状または略半球状をなすワークWを、ワークWをポケット31に収容して回転するキャリア30により、研削砥石10の研削面10aと、研削面10aに対向する固定状のワーク押え部材20との間に通して、ワークWの底面を研削するものである。 - 特許庁
The new President will have a lot of trouble working out what to do with [how to treat] Mr. W. 例文帳に追加
W 氏の処遇をいかにするかは新総裁にとっても頭の痛いところだろう. - 研究社 新和英中辞典
poetry is something to which words are the accidental, not by any means the essential form- Frederick W. Robertson 例文帳に追加
詩は本質的な形式の方法ではなく、偶然的な何かである−フレディリック・W・ロバートソン - 日本語WordNet
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