「waveguide method」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

The microbending optical circuit 10 constituted of a rectangular waveguide, where a rectangular core layer 13 of a high refractive index is embedded in a clad layer 12 of a low-refractive index, is provided with a local air layer 15 formed by a focused ion beam method on the side end face 18 of a core layer bending part 14 bent at an arbitrary bending radius.例文帳に追加

低屈折率のクラッド層１２内に高屈折率の矩形状のコア層１３が埋め込まれた矩形導波路で構成される微小曲げ光回路１０において、任意の曲げ半径で曲げられたコア層曲げ部１４の側端面１８に、フォーカスイオンビーム法により形成された局所的な空気層１５を設けたものである。 - 特許庁

To provide an orientation growth method for organic semiconductor crystals and an organic laser device utilizing the same, which self-organizes a molecular configuration-controlled organic semiconductor oriented crystal on a substrate, using π-conjugated system oligomer molecules having stable emission characteristics, and constitutes a low-loss waveguide or a resonator structure with the crystal itself, to enable laser oscillation.例文帳に追加

安定な発光特性を有する、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶を基板上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶の配向成長方法とそれを利用した有機レーザーデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, using a nitride-based III-V group compound semiconductor, which can have an end surface window structure formed extremely easily, can suppress optical waveguide loss, can suppress light absorption and local heat generation in laser operation due to presence of a surface level, and is high in a manufacturing yield and excellent in a shape of a far-field image; and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser.例文帳に追加

端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失を抑えることができ、表面準位の存在によるレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができ、製造歩留まりが高く、遠視野像の形状も良好な、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the high polymer optical waveguide element is characterized in that a laser beam having a wavelength λ1 is made incident to a solution in which a photosensitizer for absorbing and decomposing light having the wavelength λ1 is mixed in a photosetting resin, thereby hardening the optical path of the laser beam to form the core, and then the entirety is hardened by irradiating it with photosetting light to form a clad.例文帳に追加

光硬化樹脂中に波長λ１の光を吸収してかつ分解する光増感剤を混合した溶液中に波長λ１のレーザ光を入射させてレーザ光の光路を硬化させながらコアを形成し、その後全体に光硬化させるための光を照射して硬化させてクラッドを形成することを特徴とする高分子光導波路素子の製造方法である。 - 特許庁

The method is provided with a process for manufacturing a laminated body wherein a core sheet consisting of resin is held between a pair of clad sheets consisting of resin having a refractive index lower than that of the core sheet and a process for compression molding the laminated body so that part of the core sheet is substantially enclosed by the pair of clad sheets and functions as an optical waveguide.例文帳に追加

樹脂からなるコアシートを、このコアシートよりも屈折率の低い樹脂からなる一対のクラッドシートで挟んだ積層体を作製する工程と、前記コアシートの一部が前記一対のクラッドシートにより実質的に包囲されて光導波路として機能するように、前記積層体を圧縮成形する工程とを有する光導波路シートの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the macromolecular optical waveguide by forming a lower clad, a core, and an upper clad on a substrate in this order includes an annealing process of maintaining a temperature which is lower than the glass transition temperature of the polymer of the lower clad by 0 to 20°C before a process of forming the upper clad after forming the lower clad and core on the substrate.例文帳に追加

基板上に、下部クラッド、コアおよび上部クラッドがこの順に形成されてなる高分子光導波路の製造方法であって、基板上に下部クラッドおよびコアを形成後、上部クラッドを形成する工程の前に、下部クラッドの重合体のガラス転移温度より０〜２０℃低い温度に維持するアニール工程を含むことを特徴とする高分子光導波路の製造方法。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for forming the grating in a core by performing a process for irradiating the core of an optical waveguide component 5 with exposure light rays 2 to irradiate the core with interference fringes 4 one or more times, the irradiation position of the interference fringes 4 irradiated at the second time is moved by the integral multiple of the period of the interference fringes 4 from the interference fringes 4 irradiated at the first time.例文帳に追加

本発明は、露光用光２を光導波路部品５のコアに照射し、このコアに干渉縞４を照射する工程を１回以上行い、コアにグレーティングを形成するグレーティングの形成方法であって、１回目に照射された干渉縞４に対して、２回目に照射する干渉縞４の照射位置を、干渉縞４の周期の整数倍移動する構成とする。 - 特許庁

The method comprises processes of: forming a clad layer 12 on a substrate 11; forming in the clad layer 12 a mask 13 corresponding to the core pattern of the optical waveguide and forming a groove 14 for imbedding the core therein; forming the core 15 in the groove 14 through selective epitaxial growth; and forming an upper clad 16 on the core 15 through the selective epitaxial growth.例文帳に追加

基板１１上に、クラッド層１２を形成する工程と、クラッド層１２に光導波路のコアのパターンに応じたマスク１３を形成し、コアを埋め込むための溝１４を形成する工程と、選択エピタキシャル成長により溝１４にコア１５を形成する工程と、選択エピタキシャル成長によりコア１５の上に上部クラッド１６を形成する工程とを備えた。 - 特許庁

To suppress the change with time of device characteristics without impairing device characteristics even when the length of a heater is made short and heating operation is performed at a temperature higher than a conventional temperature and to obtain stable performance for a long time, in an optical waveguide device wherein guided wave characteristics of optical waveguides formed on a glass substrate by an ion exchange method are reversibly and variably operated by a thermooptical effect.例文帳に追加

ガラス基板にイオン交換法で形成された光導波路の導波特性を熱光学効果により可逆的に可変操作させるようにした光導波路デバイスにおいて、ヒータ長を短くして従来よりも高温で加熱操作が行われるようになった場合でも、デバイス特性を損なうことなく、その特性の経時変化を抑え、長期にわたって安定した性能が得られるようにする。 - 特許庁

As various image display devices to be used for monitoring the intracerebral lesion and an optical stimulation imparting method which affects the body of the patient little, by constituting a module divided into a light emitting part, its control part and an optical waveguide part, the various image display devices to be used for monitoring the intracerebral lesion and optical stimulation imparting which affects the body of the patient little are made possible.例文帳に追加

脳内の患部モニターに用いる様々な画像表示装置及び患者の身体に影響を与えることが少ない光刺激の付与方法として、発光部及びその制御部、光導波路部、に分割したモジュール構成となすことで、患者の脳内患部モニターに用いる様々な画像表示装置及び患者の身体に影響を与えることが少ない光刺激の付与を可能とした。 - 特許庁

To provide a phenol derivative having an anthracene residue in its side chain suitably usable for optical waveguide, optical film, refractive index changing material and the like as optical material in optical communication field and the like, formed by introducing norbornadiene or anthracene into a calixarene compound as an optically reactive group, superior in thermal stability, having characteristics largely changing refractive index by light irradiation, and its manufacturing method.例文帳に追加

光通信分野等の光学用材料として光導波路、光学フィルム、屈折率変換材料等に好適に使用できる材料であり、カリックスアレーン化合物に光反応性基としてノルボルナジエンやアントラセンを導入し、熱安定性に優れ、光照射により屈折率が大きく変化する特性を有し、アントラセン残基を側鎖に結合したフェノール誘導体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this external light coupling method, a semiconductor laser 97 is oscillated 101 using an oscillating means in the traveling direction of guided light, light emitted from the semiconductor laser 97 is converted to a plane wave using a convex lens 98 in an input section 91 of the hologram for external light coupling, and this plane wave is coupled as external light to a flat optical waveguide.例文帳に追加

本発明の導波路ホログラムにおける外部光の結合方法は、半導体レーザ９７を振動手段を用いて導波光の進行方向に振動１０１させ、半導体レーザ９７から出射される光を凸レンズ９８を用いて外部光結合用ホログラムの入力部９１にて平面波とし、この平面波を外部光として平面型光導波路に結合させることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor laser where two stripe growth masks are formed on a semiconductor substrate and an optical waveguide of III-V compound semiconductor having double heterostructure is grown selectively in a region defined by the growth masks by organo- metallic VPE system, pressure of the V compound semiconductor is set in the range of 13.3-400 Pa.例文帳に追加

半導体基板上に２本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記Ｖ族の圧力を、１３．３Ｐａ乃至４００Ｐａとしたことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a waveguide hologram type forgery preventive seal capable of certifying validity of a carrying person by applying to a relatively easy forgery and certifying an unopen commodity package or the like by applying to the package by incorporating a function equivalent to a hologram or the like of a watermark of a paper money, a microscopic character or a credit card, an article having the same and a method for certifying using the same.例文帳に追加

紙幣における透かしやマイクロ文字、クレジットカードにおけるホログラム等と同等の機能を有し、比較的偽造が容易なものに適用することで携帯者の正当性を保証することができ、商品パッケージ等に適用することにより商品パッケージ等の未開封を証明することができる導波路ホログラム型偽造防止シールとそれを備えた物品及びそれを用いた認証方法を提供することにある。 - 特許庁

A mode filtering method has a structure, in which the refractive index to a lateral direction of the clad part of a multiplex mode light guide consisting of a core and a clad, and transmits only certain specific modes having a multiplex mode along a waveguide, by enlarging a reflectance only to a cross section directional wavelength of the certain specific modes, and lessening the reflectance to the other mode.例文帳に追加

モードフィルターリング方法は、コアとクラッドでなる多重モード光導波路のクラッド部分の横方向へ屈折率が周期的に変化する構造を有するようし、ある特定モードの断面方向波長に対してのみ反射率を大きくし、その他のモードに対しては反射率を小さくすることによって、多重モードのある特定モードのみが導波路に沿って透過されることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical waveguide component is such that it is manufactured by forming the core of a desired shape on the lower clad layer of the substrate, forming the first upper clad layer whose main component consists of silicon oxide on the lower clad layer, depositing the glass containing the dopant on the first upper clad layer, and forming the second clad layer by heating the glass to make it reflow.例文帳に追加

基板の下部クラッド層上に所望形状のコアを形成し、次いで該下部クラッド層上に主成分が酸化ケイ素からなる第一上部クラッド層を形成し、次いで該第一上部クラッド層上にドーパントを含むガラスを堆積し、これを加熱してリフローさせることにより第二クラッド層を形成し光導波路部品を製造することを特徴とする光導波路部品の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical waveguide that comprises the underclad, core, and underclad formed on a main surface of a substrate and has the core buried between the underclad and over clad, the coefficient of the over clad is adjusted for the coefficient of linear expansion of the substrate to minimize the residual stress in the over clad nearby the core and also prevent the core from sinking in the underclad.例文帳に追加

基板と、該基板の主面に形成された、アンダー・クラッドとコア及びオーバー・クラッドから成る、該コアが該アンダー・クラッド及び該オーバー・クラッドの間に埋め込れた構造の光導波路の製造方法であって、該基板の線膨張係数に対して該オーバー・クラッドの線膨張係数を調整し、該オーバー・クラッド内の該コアの近傍における残留応力を極小化すると共に、該アンダー・クラッド内への該コアの沈み込みを防止する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁

The method is equipped with steps: to generate a clock pulse with a single wavelength based on input signal light; to diffuse a spectrum of the clock pulse by supplying the clock pulse to an optical waveguide structure to provide a nonlinear optical effect; and to generate a plurality of clock pulses having a plurality of wavelengths by supplying the clock pulse with the diffused spectrum to an optical filter having a plurality of pass bands.例文帳に追加

入力信号光に基づき単一波長を有するクロックパルスを生成するステップと、非線形光学効果を提供する光導波構造に上ロックパルスを供給してクロックパルスのスペクトルを拡散させるステップと、複数の通過帯域を有する光フィルタにスペクトルが拡散されたクロックパルスを供給して複数の波長を有する複数のクロックパルスを生成するステップとを備えた方法。 - 特許庁

A method of manufacturing an optical semiconductor device comprises the steps of: forming a semiconductor intermediate layer on a semiconductor substrate; forming a semiconductor stack including an optical waveguide layer above the semiconductor intermediate layer; forming trenches for exposing the semiconductor intermediate layer on their inner surfaces in the semiconductor stack; and forming a cavity by removing the semiconductor intermediate layer exposed on the inner surfaces of the trenches by using selective wet etching.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、その内面に半導体中間層が露出する溝を半導体積層体に形成する工程と、溝の内面に露出した半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁