「zero layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The zero-halogen wire or cable insulation comprises at least an inner layer 10 and an outer layer 15.例文帳に追加

零ハロゲン電線すなわちケーブル用の絶縁物は、少なくとも内層１０及び外層１５を具備する。 - 特許庁

By this setup, a magnetic field becomes nearly zero in intensity in the free ferromagnetic layer 28.例文帳に追加

これにより、自由強磁性層（２８）における磁場はゼロ近辺の値になる。 - 特許庁

In this case, torque operating on the spin of a free layer 3 becomes zero due to a spin polarization current.例文帳に追加

この場合、スピン分極電流によってフリー層３のスピンに働くトルクが「零」となる。 - 特許庁

Also, since the sub-collector layer 3 is in sufficiently high density, a roughly zero electric field is attained near a boundary with the carrier block layer 2.例文帳に追加

また、サブコレクタ層３は十分高濃度であるため、キャリアブロック層２との境界面近傍ではほぼ零電界となっている。 - 特許庁

Data of dynamic images have a hierarchical structure made of a zero layer 30, a first layer 32, a second layer 34, and a third layer 36 in the z-axis direction from the top to the bottom of the illustration.例文帳に追加

動画像のデータは、図の上から下へ向かうｚ軸方向に、第０階層３０、第１階層３２、第２階層３４および第３階層３６からなる階層構造とする。 - 特許庁

The 1st loss layer 5 is provided where the electric field intensity of the LP03 mode becomes zero for the 1st time and the 2nd loss layer 6 is provided where the electric field intensity of the LP03 mode becomes zero for the 2nd time.例文帳に追加

第１の損失層５はＬＰ_０３モードの電界強度が最初に零となる位置に設けられ、第２の損失層６は、ＬＰ_０３モードの電界強度が次に零になる位置に設けられる。 - 特許庁

In addition, the epitaxial silicon carbide passivation layer can be configured to deplete fully at zero device bias.例文帳に追加

また、エピタキシャル炭化ケイ素保護層が、０デバイスバイアスで完全空乏状態になるように構成される。 - 特許庁

The zero valence metal layer is patterned by the computer guided laser beam to form electronic circuit constituent parts.例文帳に追加

０価金属層は、コンピューターでガイドされたレーザーでパターン付けされて電子回路構成部分を形成する。 - 特許庁

When the static image mode is switched from the animation mode, the voltage on the cholesteric liquid crystal layer is reduced to zero.例文帳に追加

動画モードから静止画モードに移行する際には、コレステリック液晶層への印加電圧をゼロにする。 - 特許庁

The method can include steeps for deciding a base layer residual, and performing inter-layer prediction to generate an enhancement layer residual in the case that at least one of the number of non-zero coefficients of the base layer residual and the number of zero-coefficients of the base layer residual satisfies a first selected condition.例文帳に追加

本方法は、ベース層残余物を決定すること、及びベース層残余物の非ゼロ係数の数又はベース層残余物のゼロ係数の数のうちの少なくとも１つが第１の選択された条件を満足する場合に、エンハンスメント層残余物を生成するために層間予測を実行することを含むことができる。 - 特許庁

Such a medium (20) has zero or substantially zero spherical aberration at the focal point, being at the recording layer of the first recording stack (3), of the radiation beam (10).例文帳に追加

そのような媒体（２０）は、第１の記録スタック（３）の記録層における放射ビーム（１０）の焦点において、ゼロ又は実質的にゼロの球面収差を有する。 - 特許庁

The layer 5 is provided at the location where the electric field distribution of the higher order modes becomes zero, or to be more specific, the layer 5 is arranged within a center core section 1.例文帳に追加

第１の損失層５は高次のモードの電界分布が零となる位置に設けられ、具体的には中心コア部１内に配置される。 - 特許庁

Since the entire magnetization of the magnetism stabilization layer is zero at the reproduction temperature, the information is reproduced by detecting the magnetization of the recording layer by the magnetic head.例文帳に追加

再生温度において磁化安定化層の全体の磁化はゼロであるので、記録層の磁化を磁気ヘッドで検出して情報を再生する。 - 特許庁

The molar ratio of Ba to Pt present in the inner catalyst layer 31 preferably is not higher than 10 [excluding 0 (zero)].例文帳に追加

内触媒層３１におけるＰｔに対するＢａのｍｏｌ比は、１０以下（０（ゼロ）を除く）であるとよい。 - 特許庁

The use of the magnetic detecting element enables the spin transmission torque applied to the free magnetic layer to make zero in principle.例文帳に追加

本発明を用いると原理的にはフリー磁性層にかかるスピン伝達トルクをゼロにすることもできる。 - 特許庁

The surface of the end 31 of a diffusion layer 30 adheres to the surface of the end 21 of a catalyst layer 20 to make the volume of an interlayer air gap zero.例文帳に追加

拡散層３０の端部３１表面と触媒層２０の端部２１表面とが密着することで層間空隙の体積をゼロとさせている。 - 特許庁

A zero slump material for forming a shirasu cured layer different in composition is superposed on a zero slump material for forming a decorative layer over 1-6 layers and the whole is subjected to monolithic molding processing under a pressure of 1-235 MPa (10-2,400 kgf/cm^2) to manufacture the decorative sheet.例文帳に追加

装飾層をなすゼロスランプ材料の上に組成の異なるシラス硬化層をなすゼロスランプ材料を１〜６層重ねて、これを１ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ^２）ないし２３５ＭＰａ（２４００ｋｇｆ／ｃｍ^２）の圧力で一体成形加工することにより装飾板を製造する。 - 特許庁

The band gap of the inclined band gap layer 24 decreases more away from the interface of the III-V group semiconductor layer, and the band gap substantially becomes zero or a negative value on the interface of the inclined band gap layer 24 and the electrode layer 23.例文帳に追加

傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面から遠ざかるにつれ減少し、傾斜バンドギャップ層（２４）と電極層（２３）との界面においては実質的に零または負の値となる。 - 特許庁

A dielectric loss at signal transmission is further decreased (dielectric loss becomes 0 (zero) in this case) as compared with a conventional transmission line having a dielectric layer (insulating layer) between a signal line and a ground layer.例文帳に追加

信号線路とグランド層との間に誘電体層（絶縁層）が設けられている従来の伝送線路と比べ、信号伝送の際の誘電損失が低減する（この場合、誘電損失が０（ゼロ）となる）。 - 特許庁

In the case of decoding, the basic layer, the division ratio and the zero run code are decoded, the coding information is decoded by the division number, depending on whether the upper layer is a significant coefficient or the insignificant coefficient.例文帳に追加

復号には、基本階層と分割比率およびゼロラン符号を復号し、有意係数と非有意係数によって分割数別に符号情報を復号する。 - 特許庁

Since magnetization of the ferromagnetic layers 18, 22 forming the SAF structure is roughly zero generally, magnetization of a memory layer RL is decided on magnetization of the ferromagnetic layer 14.例文帳に追加

ＳＡＦ構造を形成する強磁性層１８および２２は、全体として磁化がほぼゼロとなるので、記録層ＲＬの磁化は、強磁性層１４の磁化により決定される。 - 特許庁

The LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 with the greater electromechanical coupling coefficient is used to be joined with the polycrystal diamond layer 11 at an optimum crystal azimuth to easily manufacture the surface acoustic wave element whose temperature coefficient is zero or close to zero.例文帳に追加

電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶層１３を最適な結晶方位で、多結晶ダイアモンド層１１に接合して用いることにより、温度係数が零若しくは零に近い広帯域の弾性表面波素子を容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

It is preferable that the initial value of the composition of A1 is 0.01 or less, substantially zero at a portion where the composition of A1 of the layer 2 increases.例文帳に追加

層２のＡｌ組成が増加する部分における、Ａｌ組成の初期値は０．０１以下、実質的に０とするのが好ましい。 - 特許庁

Under conditions of a floating and zero potential, an SOI layer 3 is thickly formed to such a degree that a body region 5 is not completely depleted.例文帳に追加

フローティングおよびゼロ電位の条件下ではボディ領域５が完全空乏化しないほどに、ＳＯＩ層３は厚く形成されている。 - 特許庁

The layer 5 is provided at a location where the electric field distribution of the higher order modes becomes zero, to be specific, in a center core section 1.例文帳に追加

この損失層５は高次のモードの電界分布が零となる位置に設けられ、具体的には中心コア部１内に配置される。 - 特許庁

Furthermore, the p-type doping concentration of the confinement layer has at least one gradient significantly different from zero in one direction in the plane.例文帳に追加

さらに、閉込め層のｐ型ドーピング濃度は、この面内の一方向でゼロと著しく異なる少なくとも１つの勾配を有する。 - 特許庁

One of light receiving parts detects zero-th order diffraction light which is defined as a reproduction signal; and a light-receiving part for a focus error signal and a tracking error signal is disposed outside the zero-th order diffraction light of stray light from an the other layer.例文帳に追加

再生信号である０次格子回折光を１つの受光部で検出し、他層迷光の０次格子回折光よりも外側に、フォーカス誤差信号・トラッキング誤差信号用の受光部を配置する。 - 特許庁

In another aspect, a layer of zero valence metal is deposited on a dielectric material base and the dielectric material base has a melting point or decomposition temperature substantially above that of the zero valence metal.例文帳に追加

本発明の他の態様においては、０価金属の層が誘電体物質基体上に堆積され、該基体物質は、０価金属の融点または分解温度よりも実質的に高い融点または分解温度を有している。 - 特許庁

The reason why is because the lower side magnetic layer 14 is reversely saturated by exchange coupling in the residual magnetization state although the lower side magnetic layer 14 has coercive force of zero.例文帳に追加

これは、下側磁性層１４については保磁力がゼロであるにもかかわらず、残留磁化状態での交換結合により下側磁性層１６が逆飽和状態にあるからである。 - 特許庁

The first layer 5 is formed in such a thickness that a laser beam propagating the core 2 does not reach so that the field distribution k of the laser beam propagating the core 2 is substantially zero in the boundary between the first layer 5 and the second layer 6.例文帳に追加

コア２を伝搬するレーザ光の界分布ｋが、第一の層５と第二の層６との界面において実質的に０であるように、第一の層５は、コア２を伝搬するレーザ光が到達しない厚さに形成されている。 - 特許庁

To develop a multi-layer container, in particular, a squeezed bottle for use in mayonnaise and the like, which is capable of keeping permeation of oxygen at substantially zero for a long period of time.例文帳に追加

長期間に渡って酸素透過を実質ゼロに保つことのできる多層容器、特にマヨネーズ等に用いるスクイーズボトルを開発する。 - 特許庁

The magnetization direction J11A is fixed, in a direction orthogonal to the magnetization direction J13A of the free layer, when the current magnetic field HmA is zero.例文帳に追加

磁化方向Ｊ１１Ａは、電流磁界ＨｍＡが零のときの自由層の磁化方向Ｊ１３Ａと直交する方向に固着されている。 - 特許庁

The bimetal chip 152 deforms in response to temperature changes, and forms a gap in the cathode side catalyst layer 150 at least at a sub-zero temperature.例文帳に追加

このバイメタルチップ１５２は、温度変化に応じて変形し、少なくとも氷点下で、カソード側触媒層１５０の内部に空隙を形成する。 - 特許庁

Since the melting starting temperature of the external layer part is higher than that of the internal layer part, when a temperature distribution is produced at the inside of the agglomerate upon its charging into a furnace, a time difference in which a melt is produced is made small or substantially zero between the external layer part and the internal layer part.例文帳に追加

外層部の溶融開始温度が内層部のそれに較べて高いため、炉内に装入されて塊成化物内部に温度分布を生じた際に、外層部と内層部で融液が生成する時間差を小さくし若しくは実質的に無くすことができる。 - 特許庁

A heating section 12 is markedly worn when a width (s) of a wear-resistance layer 18 at a position (n) where the thickness of the wear- resistance layer 18 becomes zero is smaller than a width of a part which is abraded by a paper on the heating section 12.例文帳に追加

耐摩耗層１８の厚さが０になる位置ｎにおける耐摩耗層１８の幅ｓが、発熱部１２の用紙で擦られる部分の幅よりも小さい時に、発熱部１２が著しく摩耗する。 - 特許庁

It is thus possible to restrain the heat generation of the external semi-conductive layer 13 of the CV cable 1 until it becomes roughly zero and ensure the transmission capacity of the CV cable 1 itself.例文帳に追加

これによってＣＶケーブル１の外部半導電層１３の発熱が略「０」にまで抑制され、ＣＶケーブル１本来の送電容量が確保できる。 - 特許庁

The conductive patterns 11B in a portion where the through hole 20 is formed is one that becomes ground potential, so that the shield layer 14 can be at a zero potential.例文帳に追加

貫通孔２０が形成される箇所の導電パターン１１Ｂは、接地電位となる導電パターンなので、シールド層１４を零電位にすることができる。 - 特許庁

At least one of the serial resonator and parallel resonator has a temperature compensating layer 20 for approximating the temperature coefficient of a resonance frequency to zero.例文帳に追加

直列共振子と並列共振子の少なくとも一方は、共振周波数の温度係数を零に近づけるための温度補償層２０を有している。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal element which has no part with liquid crystal layer thickness being approximately zero and of which the retardation is effectively controlled with only a pair of electrodes.例文帳に追加

液晶層の厚さが０に近い部分を有さず、かつ、１対の電極のみで、リターデーションを効果的に制御することのできる液晶素子を製造する。 - 特許庁

As the off-angle of the gallium nitride support substrate 33 goes close to zero, a projection in a hexagonal pyramid shape is conspicuous on a surface of the gallium nitride-based semiconductor layer 35.例文帳に追加

窒化ガリウム支持基体３３のオフ角がゼロ度に近づくにつれて、窒化ガリウム系半導体層３５の表面に六角錘状の突起が目立つようになる。 - 特許庁

The second ferromagnetic layer has an adequate thickness such that when a magnetic field is existent only in the first and second wing areas, susceptibility of the first and second wing areas of the first ferromagnetic layer is substantially zero.例文帳に追加

第２の強磁性層は、磁場が第１及び第２のウィング領域にのみ存在するとき、第１の強磁性層の第１及び第２のウィング領域の磁化率が事実上ゼロとなるような適切な厚さを持つ。 - 特許庁

To provide an SOI substrate wherein film thickness uniformity of a semiconductor layer like an Si active layer (to which a buried insulating layer is added desirably) is superior, and especially Vth irregularity of a perfect depletion type SOI transistor can be made almost zero, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ｓｉ活性層の如き半導体層（望ましくはこれに加えて埋め込み絶縁層）の膜厚均一性に優れ、特に完全空乏型ＳＯＩトランジスタのＶ_thばらつきをほぼ零にすることが可能となるＳＯＩ基板、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0).例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 - 特許庁

A GaN layer 31 is etched to form islands in a spotty pattern, a stripe pattern, or a lattice pattern in such a way that the horizontal cross sectional area approaches zero as the cross section moves far from the substrate plane.例文帳に追加

GaN層３１を基板面から遠ざかるにしたがってその水平断面積が０に近づくよう、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングする。 - 特許庁

The passive layer 5 is to be zero or a plus potential in a natural electrical potential against 0.01 wt.% hydrofluoric acid, and the electrical potential is to be 0 V or more and 0.5 V or less.例文帳に追加

上記の不動態層５は、０.０１重量％のフッ化水素酸に対する自然電位でゼロないしプラス電位とされ、該電位は０V以上０.５V以下とする。 - 特許庁