The license comprises the fist key K_start, the second key K_end and an integer n, and the license is transmitted to a receiver.例文帳に追加

ライセンスは第一の鍵K_start、第二の鍵K_endおよび整数nを含み、ライセンスは受信者に送信される。 - 特許庁

The semiconductor memory 50 has memories, sense amplifiers, and shift registers all arranged and formed in n stages.例文帳に追加

半導体記憶装置５０には、メモリ部、センスアンプ部、及びシフトレジスタがｎ段配置形成される。 - 特許庁

Near a main element 100 of N-Si substrate 12 surface portion, a sense element 200 is formed.例文帳に追加

Ｎ−Ｓｉ基板１２表面部のメイン素子１００の近傍に、センス素子２００を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus in which erroneous sensing caused by offset of a sense amplifier can be prevented when operation of a N channel preferential sensing system is performed using a low array voltage.例文帳に追加

低いアレイ電圧を用いてＮチャネル先行センス方式の動作を行う場合、センスアンプのオフセットに起因する誤センスを防止し得る半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This structure includes N pieces of bit lines, M pieces of first wordlines, M×N pieces of first storage cells, second wordline, N pieces of second storage cells, sense amplifier, N pieces of first transistors, N pieces of second transistors, and an enable line.例文帳に追加

Ｎ本のビット線と、Ｍ本第１ワード線と、Ｍ×Ｎ個の第１記憶セルと、第２ワード線と、Ｎ個の第２記憶セルと、センス増幅器と、Ｎ個の第１トランジスタと、Ｎ個の第２トランジスタと、エネイブル線と、を包含する。 - 特許庁

The N-channel MOS transistors N8, N12 receive a sense amplifier activation signal S0 for activating the sense amplifier 52 to the gate, and the N-channel MOS transistors N10, N14 receive a column selection signal CSL to the gate.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ８，Ｎ１２は、センスアンプ５２を活性化するセンスアンプ活性化信号Ｓ０をゲートに受け、 ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１０，Ｎ１４は、コラム選択信号ＣＳＬをゲートに受ける。 - 特許庁

After the voltages VCS1-VCSn are converted into collector currents I1-In by using constants G1-Gn and VOFFSFT1-VOFFSFTn (step 103), the deviation ΔI1-ΔIn from the average value IAVG of the collector currents I1-In are calculated (steps 104 and 105).例文帳に追加

電流センス電圧Ｖ_CS1〜Ｖ_CSnが、定数Ｇ_1〜Ｇ_n，Ｖ_OFFSET1〜Ｖ_OFFSETnを用いて、コレクタ電流Ｉ_1〜Ｉ_nへと換算された（ステップ１０３）後に、コレクタ電流Ｉ_1〜Ｉ_nの平均値Ｉ_AVGからの偏差ΔＩ_1〜ΔＩ_nが算出される（ステップ１０４，１０５）。 - 特許庁

The electroluminescent element is characterized by satisfying n_S<n_M<n_E, when it is assumed that the refraction index of the transparent substrate, that of the middle-refraction-index layer, and that of the first electrode layer are n_S, n_M and n_E, respectively.例文帳に追加

本発明は、透明基板上に中間屈折率層、第一電極層、発光層、第二電極層を順次積層したエレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明基板の屈折率をｎ_Ｓ、中間屈折率層の屈折率をｎ_Ｍ、第一電極層の屈折率をｎ_Ｅとした時、ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｍ＜ｎ_Ｅであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の提供である。 - 特許庁

N luminescence driving transistors for feeding luminescence driving currents to N electroluminescent elements have each such channel width that a current ratio of the luminescence driving current generated by them becomes a value for making N electroluminescent elements emit light at a desired luminescence intensity.例文帳に追加

Ｎ個のエレクトロルミネセンス素子各々に発光駆動電流を供給するＮ個の発光駆動トランジスタは、夫々が発生する上記発光駆動電流各々の電流比がＮ個のエレクトロルミネセンス素子各々を所望の発光強度で発光させる電流比となるべきチャネル幅を夫々有する。 - 特許庁

A memory cell of (n) bits in which an address is specified for each plurality of (n) bits unit is sectioned for each n/k (k:2 or more), selected successively every n/k bits, output data of the selected memory cell of the n/k are discriminated by sense amplifiers of n/k pieces, and outputted in serial as read-out data.例文帳に追加

複数ｎビット単位でアドレス指定されたｎビットのメモリセルを、ｎ／ｋ（但し、ｋは２以上）ずつに区分して、ｎ／ｋビットずつ順次選択し、選択された前記ｎ／ｋのメモリセルの出力データをｎ／ｋ個のセンスアンプで判定し、読み出しデータとしてシリアルに出力する。 - 特許庁

In a readout gate circuit 33, the sources of N channel MOS transistors 27 and 28 are connected not to the grounding node but to a sense amplifier activation line SNL of a sense amplifier 13.例文帳に追加

読出しゲート回路３３は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８のソースが、接地ノードではなくセンスアンプ１３のセンスアンプ活性化線ＳＮＬに接続されている。 - 特許庁

A sense amplifier driver NSAD constituted of (n) channel transistors is arranged between a local data transfer gate LDQG and a sense amplifier NSA.例文帳に追加

ｎチャネルトランジスタにより構成されたセンスアンプドライバＮＳＡＤはローカルデータ転送ゲートＬＤＱＧとセンスアンプＮＳＡの相互間に配置されている。 - 特許庁

Thereby, the sense ratio n of the sense MOS can be made constant even in the case of the power voltage VSU drop, preventing a sudden increase of the ignition current.例文帳に追加

これにより、電源電圧ＶＳＵが低下しても、センスＭＯＳのセンス比ｎを一定にすることができ、点火電流が急激に増加することがない。 - 特許庁

Sources of transistors N10, N11 of an N type sense amplifier NSAt are connected directly to the ground GND, and sources of transistors P2, P3 of a P type sense amplifier PSA are connected directly to the power source VDD.例文帳に追加

Ｎ型センスアンプＮＳＡｔのトランジスタＮ１０，Ｎ１１はソースを接地ＧＮＤに直接接続し、Ｐ型センスアンプＰＳＡのトランジスタＰ２，Ｐ３はソースを電源ＶＤＤに直接接続する。 - 特許庁

To flexibly switch a permission object device when permitting a license only to n devices among information processing devices A-E.例文帳に追加

情報処理装置Ａ〜Ｅのうちｎ台に対してのみライセンス許可する場合、許可対象装置の切り換えを柔軟に行う。 - 特許庁

A pair of bit lines BL1 and XBL1 are connected to a sense amplifier SAMP through an N channel type transistor pair (switch SW1).例文帳に追加

センスアンプＳＡＭＰには、Ｎチャネル型トランジスタ対（スイッチＳＷ１）を介してビット線対ＢＬ１及びＸＢＬ１が接続されている。 - 特許庁

Four bit lines BLij (j=1 to 4) are connected to a sense amplifier circuit S/Ai (i=0 to n).例文帳に追加

センスアンプ回路Ｓ／Ａｉ（ｉ＝０〜ｎ）には、４本のビット線ＢＬｉｊ（ｊ＝１〜４）が接続されている。 - 特許庁

N type MOS transistors N2 and N3 are both formed in the sense amplifiers 107.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタＮ２とＮ型ＭＯＳトランジスタＮ３は、共にセンス・アンプ１０７に形成されている。 - 特許庁

The signal line 35 is connected to N channel MOS transistors 41 and 42 and a P channel MOS transistor 43.例文帳に追加

センスアンプ活性化信号線３５は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４１，４２及びＰチャネルＭＯＳトランジスタ４３と接続されている。 - 特許庁

A customer terminal 10, a vendor terminal 20, a licensor terminal 30, and a settlement terminal 40 which are connected to a network N are provided.例文帳に追加

ネットワークＮに接続された顧客端末１０、販売者端末２０、ライセンス権者端末３０、及び決済端末４０を備える。 - 特許庁

Thus, the resistance value of the N+ type source layer 7 as an adjustment resistance value Rs in a sense VDMOS 30 can be increased.例文帳に追加

このため、センスＶＤＭＯＳ３０における調整抵抗値ＲｓとしてのＮ＋型ソース層７の抵抗値を大きくすることができる。 - 特許庁

More specifically, the contact area between the N+ type source layer 7 of the sense cell Se and a sense side source electrode film 31 is smaller than the contact area between the N+ type source layer 7 of the main cell Ma and a main side source electrode film 21.例文帳に追加

つまり、センスセルＳｅのＮ＋型ソース層７とセンス側ソース電極膜３１とのコンタクト面積が、メインセルＭａのＮ＋型ソース層７とメイン側ソース電極膜２１とのコンタクト面積よりも小さくなっている。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element constituted by forming a substrate layer, an electrode 1, an organic layer part, and an electrode 2 in this order on a substrate, the relation, n_1<n<n_2, is satisfied when a refractive index of the substrate layer is n, a refractive index of the substrate n_1, and a refractive index of the electrode 1 n_2.例文帳に追加

基板上に下地層、電極１、有機層部及び電極２をこの順に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子において、該下地層の屈折率をｎとし、基板の屈折率をｎ_1、電極１の屈折率をｎ_2とした時、ｎ_1＜ｎ＜ｎ_2であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

A reference current value to be supplied to a sense amplifier corresponding to the N-th level is set to a value or higher that does not cause an undefined sense to the sense amplifier, and in the case of performing the verification judgment of the n-th data, a word line potential to be supplied for reading out the verification is raised from Vw1 to Vw2.例文帳に追加

Ｎ番目のレベルに対応するセンスアンプに供給されるリファレンス電流値は当該センスアンプが不定センスとならない値以上に設定され、Ｎ番目のデータのベリファイ判定を行う際には、ベリファイ読み出しのために供給されるワード線電位をＶｗ１からＶｗ２に上げる。 - 特許庁

The material for the organic electroluminescent element consists of a 9,10-N,N'-aryl-dicarbazolyl anthracene compound and 2,7-N,N'-aryl dicarbazolyl fluorene, or a spirofluorene compound.例文帳に追加

９，１０−Ｎ、Ｎ’−アリール−ジカルバゾリルアントラセン化合物と２，７−Ｎ，Ｎ’−アリールジカルバゾリルフルオレンまたはスピロフルオレン化合物とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 - 特許庁

A sense amplifier precharging circuit SPD is constituted of n type MOS transistors MN20, MN21, MN30, MN31, MN32 and Mn33 and the circuits are formed respectively in cross areas.例文帳に追加

センスアンププリチャージ回路SPDは、nチャネル型のMOSトランジスタMN20，MOSトランジスタMN21，MOSトランジスタMN30，MOSトランジスタMN31，MOSトランジスタMN32，及びMOSトランジスタMN33で構成されており、各々クロス領域に形成されている。 - 特許庁

At least one N-type emitter region 3 and at least one N-type sense region 5 spaced apart from the emitter region 3 are selectively formed on a surface portion of a P-type base region 2.例文帳に追加

Ｐ型のベース領域２の表面部に、少なくとも１つのＮ型のエミッタ領域３及びエミッタ領域３と離隔した少なくとも１つのＮ型のセンス領域５が選択的に形成されている。 - 特許庁

Bit lines BL0Z, BL0X are pre-charged to threshold voltage Vth-n of an nMOS transistor 10 utilizing the nMOS transistor 10 of a sense amplifier 6 in a charge period of the bit lines BL0Z, BL0X.例文帳に追加

ビット線ＢＬ０Ｚ、ＢＬ０Ｘのプリチャージ期間、センスアンプ６のｎＭＯＳトランジスタ１０を利用してビット線ＢＬ０Ｚ、ＢＬ０ＸをｎＭＯＳトランジスタ１０のスレッショルド電圧Ｖth-nにプリチャージする。 - 特許庁

When the output SO of the sense amplifier 9 in each selector 13 coincides with the data (TAGADD) of the address, the N- channel transistors 15 are turned off, and when they do not coincide with each other, the N-channel transistors 15 are turned on.例文帳に追加

各セレクタ１３におけるセンスアンプ９の出力ＳＯとアドレスのデータ（ＴＡＧＡＤＤ）とが一致したとき、Ｎチャネルトランジスタ１５がオフし、一致しないときＮチャネルトランジスタ１５がオンする。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is composed of repeated G pieces, each comprising memory arrays 5 in n rows and m columns, n sense amplifiers 4, a first step-down circuit 1a, and a second step-down circuit 1b.例文帳に追加

半導体装置２０は、ｎ行ｍ列のメモリアレイ５、ｎ個のセンスアンプ４、第1の降圧回路１ａ、及び第２の降圧回路１ｂがそれぞれＧ個くりかえし構成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescence element material contains a compound having N and P, N and Si, P and Si, or P and P, Si and Si on 1,4-positions of one ring of a condensed polycyclic system (at least pentacyclic system) as ring-constituting atoms thereof.例文帳に追加

縮合多環系（少なくとも五環系）の一つの環の環構成原子としてＮとＰ、ＮとＳｉ、ＰとＳｉ、あるいはＰとＰ、ＳｉとＳｉを１，４位に有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 - 特許庁

A pair of bit lines are connected to a sense amplifier through an N channel type transistor, memory cells constituting a memory cell array are connected to the bit line pair, and the gate voltage of the N channel type transistor is set lower than a voltage obtained by adding the threshold value voltage amount of the N channel type transistor to the driving voltage of the memory cells.例文帳に追加

センスアンプは、センスアンプに一対のビット線対がＮチャネル型トランジスタ対を介して接続され、ビット線対には、メモリセルアレイを構成するメモリセルが接続され、Ｎチャネル型トランジスタのゲート電圧は、メモリセルの駆動電圧にＮチャネル型トランジスタのしきい値電圧分を加えた電圧よりは低い電圧に設定されている。 - 特許庁

A wireless LAN module 20 detects C/N ratio by a C/N detection circuit 23 included in an RF circuit part 21 in the carrier sense, judges a level of the present wireless LAN environment based on the detected C/N ratio and specifies setting content corresponding to the judged level from a setting table 40.例文帳に追加

無線ＬＡＮモジュール２０は、キャリアセンス時にＲＦ回路部２１が含むＣ／Ｎ検知回路２３でＣ／Ｎ比を検知し、検知したＣ／Ｎ比に基づいて現在の無線ＬＡＮ環境のレベルを判定すると共に、判定したレベルに対応する設定内容を設定テーブル４０から特定する。 - 特許庁

This method comprises the following process: Pseudomonas fluorescens 127 stain (Pseudomonas fluorescens N127, FERM P-17745) is cultured in a culture medium containing 4-phenoxy-n-butyric acid represented by formula (2) (n represents an integer number ≤10.), and poly-3-hydorxy-n-butyric acid produced by culturing the above 127 strain and represented by formula (1) is extracted.例文帳に追加

シュードモナス・フルオレッセンス Ｎ１２７株（Pseudomonasfluorescens N127、FERM P-17745）を、下記式（２）で表される４−フェノキシ−ｎ−酪酸を含む培地で培養し、該Ｎ１２７株の培養により生産されたポリ−３−ヒドロキシ−４−フェノキシ−ｎ−酪酸を抽出する。 - 特許庁

A sense amplifier 18 comprises cyclically connected CMOS inverters 20 and 22; a P channel MOS transistor TP1 which shuts off power supply during standby and N channel MOS transistors TN5 and TN6 which are used to initialize the outputs of the sense amplifier during standby.例文帳に追加

センスアンプ１８は、巡回接続されたＣＭＯＳインバータ２０及び２２と、スタンバイ時に電源を遮断するＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ１と、スタンバイ時にセンスアンプ出力を初期化するＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ５及びＴＮ６とを備える。 - 特許庁

In a first sub-set of the plurality of sense amplifiers, their first latch nodes (e.g. latch P channel 'LP') are coupled electrically, in a second differing number sub-set of the plurality of sense amplifiers, their second latch nodes (e.g. latch N channel 'LN') are coupled electrically.例文帳に追加

複数のセンスアンプの第１のサブセットはその第１のラッチノード（たとえばラッチＰチャネル“ＬＰ”）が電気的に結合されており、複数のセンスアンプの第２の異なる数のサブセットはその第２のラッチノード（たとえばラッチＮチャネル“ＬＮ”）が電気的に結合される。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a layer containing crown ether derivatives expressed by a general expression (1) CE-(L_m1-A_m2)_n, between a cathode and an anode.例文帳に追加

陰極と陽極との間に、下記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体を含有する層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、 該クラウンエーテル誘導体の少なくともひとつの環内が空孔であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

A sense amplifier control circuit of a semiconductor memory is constituted by using both of N type and P type set driver transistors in which a common source line of a sense amplifier composed of latch type differential amplifier circuits is connected to a restore-power source line.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のセンスアンプ制御回路は、ラッチ型差動増幅回路からなるセンスアンプの共通ソース線をリストア電源線に接続するセットドライバートランジスタがＮ型及びＰ型の両方を用いて構成される。 - 特許庁

When an answer to an authentication request signal transmitted from a main body-side device 102 cannot be received during an authentication mode, retransmission is performed N-1 times at intervals of time T, and a wireless key 103 performs search communication carrier sensing in addition to authentication communication carrier sensing at the N-th time.例文帳に追加

認証モード中において本体側装置１０２から送信される認証要求信号の応答が受信できない場合、時間Ｔごとに再送をＮ−１回行い、Ｎ回目のタイミングでワイヤレスキー１０３は、認証通信キャリアセンスに加えてサーチ通信キャリアセンスを行う。 - 特許庁

A first subset of the plurality of sense amplifiers have their first latch node (e.g. latch P-channel "LP") electrically coupled and a second differing number subset of the plurality of sense amplifiers have their second latch node (e.g. latch N-channel "LN") electrically coupled.例文帳に追加

複数のセンスアンプの第１のサブセットはその第１のラッチノード（たとえばラッチＰチャネル"ＬＰ"）が電気的に結合されており、複数のセンスアンプの第２の異なる数のサブセットはその第２のラッチノード（たとえばラッチＮチャネル"ＬＮ"）が電気的に結合される。 - 特許庁

Then the photoluminescence of the n-type buffer layer that becomes an object to be evaluated is measured and the luminous intensity ratio between the rose-color spectrum and yellow-green spectrum is found from the obtained photoluminescence, and then, the carrier concentration corresponding to the luminous intensity ratio is read from the calibration curve (step ii).例文帳に追加

次いで評価対象となるｎ型バッファ層に対し、フォトルミネッセンス測定を行い、得られたフォトルミネッセンススペクトルから淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求め、該発光強度比に対応するキャリア濃度を検量線から読み取る（ii）。 - 特許庁

After a specific word line WLi is selected by an address signal ADR and the stored contents of each memory cells 1i,j (i=1 to n) are inputted to a sense amplifier 3j through each bit line BLj, a sense start signal SLB is made 'L'.例文帳に追加

アドレス信号ＡＤＲで特定のワード線ＷＬｉが選択され、各メモリセル１_ｉ，ｊ（ｊ＝１〜ｎ）の記憶内容が各ビット線ＢＬｊを通してセンスアンプ３_ｊに入力された後、センス開始信号ＳＬＢが“Ｌ”になる。 - 特許庁

(n) "Technology Transfer Arrangements" shall mean contracts or agreements involving the transfer of systematic knowledge for the manufacture of a product, the application of a process, or rendering of a service including management contracts; and the transfer, assignment or licensing of all forms of intellectual property rights, including licensing of computer software except computer software developed for mass market.例文帳に追加

(n)「技術移転取決め」とは，管理契約を含む製品の製造，方法の適用又は役務の提供のための体系的知識の移転に係わる契約，及び大量販売市場用に開発されたコンピュータ・ソフトウェアを除くコンピュータ・ソフトウェアのライセンス許諾を含むすべての形の知的所有権の移転，譲渡又はライセンス許諾に係わる契約をいう。 - 特許庁

An NMOS sense-amplifier NSA is arranged in the p-type well PW 1, a PMOS sense-amplifier PSA and a changeover switch circuit Phit 1 are arranged in one of the n-type wells NWB 1, a bit line equalizing circuit EQL and a changeover switch circuit Phit 2 are arranged in the other n-type well NWB 2.例文帳に追加

ｐ型ウェルＰＷ１にＮＭＯＳセンスアンプＮＳＡが配置され、一方のｎ型ウェルＮＷＢ１にＰＭＯＳセンスアンプＰＳＡと切り替えスイッチ回路Ｐｈｉｔ１が配置され、他方のｎ型ウェルＮＷＢ２にビット線イコライズ回路ＥＱＬと切り替えスイッチ回路Ｐｈｉｔ２が配置される。 - 特許庁