re nとは 意味・読み方・使い方

In a step S_5, an offset value is determined, on the basis of the precedent information A_n and inputted to the exposure device, the alignment layer Y_n and the target layer X_n are re-aligned, and then regular exposure is performed.例文帳に追加

Ｓ_5 では先行情報Ａ_n に基づいてオフセット値を決定し、露光装置に入力して再びアライメント層をターゲット層に対してアライメントして本番露光する。 - 特許庁

This photodiode includes an N+ silicon substrate, a silicon nitride layer formed on the N+ substrate, re-oxidized nitride layer formed on the silicon nitride layer, N+ polysilicon layer formed at least on a part of the re-oxidized nitride layer.例文帳に追加

このホトダイオードは、Ｎ^+シリコン基板、Ｎ^+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層、および再酸化窒化物層の少なくとも一部分上に形成されたＮ^+ポリシリコン層を含む。 - 特許庁

The N-series station SatN broadcasts the televising contents Oacn from a transmission means 22 without re-organization and processing of the contents.例文帳に追加

第Ｎ系列局ＳａｔＮは放映コンテンツＯａｃｎを再編成加工することなく、送信手段２２から放送する。 - 特許庁

Phosphor as an n-type impurity and boron as a p-type impurity are contained in the emitter region RE and the base region RB, respectively.例文帳に追加

エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 - 特許庁

To switch a modulation system or communication quality by changing an S/N without requiring the replacement of hardware or re-control of gain.例文帳に追加

ハードウェアの置き換えやゲインの再調整を必要せずにＳＮ比を変更し，変調方式や通信品質を切り替えできること。 - 特許庁

The yttrium oxide material contains an RE_8Si_4N_4O_14 in which RE is La, Y and the like as the compound containing an RE (rare-earth element), Si, O, and N.例文帳に追加

この酸化イットリウム材料は、ＲＥ（希土類元素）とＳｉとＯとＮとを含む化合物として、ＲＥをＬａ，ＹなどとするＲＥ_8Ｓｉ_4Ｎ_4Ｏ_14を含んでいる。 - 特許庁

Such swinging down/up of the hammer and the re-fluctuation of the special pattern are repeated by the number of re-fluctuating times (n) (step S106) and finally, the stop-scheduled pattern changed at a step S96 is stopped and displayed (step S107).例文帳に追加

こうしたハンマーの振り下ろし／振り上げと特別図柄の再変動を再変動回数ｎだけ繰り返し行い（ステップＳ１０６）、最終的にはステップＳ９６で変更した停止予定図柄を停止して表示する（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

When a resistance value of a resistor 28 is defined as Re, a resistance value of resistors 29 and 30 is defined as 2R and emitter voltage of a transistor 23 is defined as Vo', the voltage Vo' is expressed as an equation:Vo'=2 Vbe 1+2(R/Re).1n(n).Vt.例文帳に追加

抵抗２８の抵抗値をＲｅとし、抵抗２９と抵抗３０の抵抗値を２Ｒとし、トランジスタ２３のエミッタ電圧をＶｏ’とすると、この電圧Ｖｏ’は、下記式のように表される。 - 特許庁