「"Cg is"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, fluctuation quantity of the dancer respective parts from their reference positions and the read dance pattern are composed together and consequently, a three-dimensional CG is formed.例文帳に追加

そして、踊り手の各個所の基準位置からの変化量と読みだ出された踊りパターンを合成し、３次元ＣＧを作成する。 - 特許庁

The, a difference image CG is generated by performing difference processing between the first image C1 and the second image C2.例文帳に追加

その後、第１の画像Ｃ１と第２の画像Ｃ２との間において差分処理を実施することによって差分画像ＣＧを生成する。 - 特許庁

The pneumatic tire 10 further has a chafer 28 and its chafer gauge CG is approximately 1.5 times or less of thickness ST of a side wall part 26.例文帳に追加

この空気入りタイヤ１０はチェーファー２８をさらに有し、そのチェーファーゲージＣＧはサイドウォール部分２６の厚さＳＴの約１．５倍以下である。 - 特許庁

The control gate CG is formed via an insulating film on the projected part 13 and the floating gates FG1 and FG2, and extends in the direction of rows like a band.例文帳に追加

コントロールゲートＣＧは、凸部１３及びフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２の上に絶縁膜を介して形成され、帯状にロウ方向に延在している。 - 特許庁

As a guide of the virtual space, the composited image of a character formed of user's actual face image data and CG is used, and the virtual space is guided by this guide.例文帳に追加

仮想空間のガイドとしてユーザの実顔画像データとＣＧで作成したキャラクタの合成画像とし、このガイドに仮想空間の案内を行わせる。 - 特許庁

The initial crack group Cg is formed by pressing a projection group 33 having a plurality of projections 32 against the longitudinal end Ga of the glass film G.例文帳に追加

初期クラック群Ｃｇは、複数の突起３２を有する突起群３３をガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに押し付けることによって形成する。 - 特許庁

A CG masking area not to superimpose CG is set so as not to superimpose the CG on a real object contained in the CG masking area.例文帳に追加

ＣＧを重畳しないＣＧマスク領域を設定しておき、ＣＧマスク領域に含まれる現実物体にはＣＧを重畳しないようにする。 - 特許庁

A gate insulating film GOX is formed on a semiconductor substrate 1S, and the control gate electrode CG is formed on the gate insulating film GOX.例文帳に追加

半導体基板１Ｓ上にゲート絶縁膜ＧＯＸが形成され、このゲート絶縁膜ＧＯＸ上にコントロールゲート電極ＣＧが形成されている。 - 特許庁

In the initial crack forming step, at a longitudinal end Ga of the glass film G, an initial crack group Cg is formed by assembling and arranging a plurality of initial cracks C in a width direction.例文帳に追加

初期クラック形成工程では、ガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに、複数の初期クラックＣを幅方向に集合して配置させてなる初期クラック群Ｃｇを形成する。 - 特許庁

Thus, after the sequence assembling process in a state where the clearance between the conductor integrated bodies CG is secured, the conductor integrated bodies CG are sequentially assembled by using holder members 20.例文帳に追加

こうして導線集積体ＣＧ相互間のクリアランスが確保された状態で順次組付工程を行い、ホルダ部材２０を用いて導線集積体ＣＧを順次組み付ける。 - 特許庁

Processing on the common service data is requested from the first terminal Ta, and processing on the specific service data registered in the store Cg is requested from the second terminal Tu.例文帳に追加

第１の端末Ｔａからは共通サービスデータに対する処理を要求し、第２の端末Ｔｕからはその店舗Ｃｇが登録した独自サービスデータに対する処理を要求する。 - 特許庁

Thereby, since thermal deformation of the microlens array is dominated by the behavior of the base glass while the behavior of the substrate can be neglected, irregularity in the cell (CG) is hardly induced.例文帳に追加

これにより、当該マイクロレンズアレイの熱的変形は、主に、ベースガラスの挙動に支配され、基板の挙動は無視しえることになるので、セル厚（ＣＧ）のむらが発生し難くなる。 - 特許庁

When data stored in a memory cell transistor CTR having the second gate electrode CG is read out, the first gate control circuit 30 applies a first potential to the first gate electrode WG.例文帳に追加

第２ゲート電極ＣＧを有するメモリセルトランジスタＣＴＲに記憶されたデータの読み出し時、第１ゲート制御回路３０は、第１ゲート電極ＷＧに第１電位を印加する。 - 特許庁

The second gate electrode CG is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 through the second gate insulating film 20 and being adjacent to the first gate electrode WG through an insulating film 20.例文帳に追加

第２ゲート電極ＣＧは、半導体基板１の表面上に第２ゲート絶縁膜２０を介して形成され、第１ゲート電極ＷＧと絶縁膜２０を介して隣接する。 - 特許庁

To reduce sense of incongruity due to the matter that an object displayed by CG is seen clearly even though it is at a far distance and further, to represent a way of being seen with eyesight so as to approximate a real world.例文帳に追加

ＣＧで表示する物体が遠い距離にあってもくっきり見えることによる違和感を低減させることができ、さらに、視力による見え方が実世界と近似するように表現する。 - 特許庁

When inclination of the guide body 6 due to guide clearance Cg is defined as θg and inclination of the plunger 2 due to plunger clearance Cp is defined as θp, the clearances Cg, Cp are set to satisfy a relation θg≤θp.例文帳に追加

ガイドクリアランスＣｇによる案内体６の傾きをθｇ、プランジャクリアランスＣｐによるプランジャ２の傾きをθｐとしたとき、θｇ≦θｐとなるように、これらのクリアランスＣｇ、Ｃｐを設定する。 - 特許庁

Then, matching for adjusting positions and size for the grid image for composition by the normal photographing and the grid image for composition of the CG image by the CG is performed by image composition software so that the respective grids may be aligned.例文帳に追加

画像合成ソフトウエアにより前記通常撮影の合成用グリッド画像と、前記ＣＧによるＣＧ画像の合成用グリッド画像とを各々のグリッドが一致するように位置、大きさを合わせるマッチングを行う。 - 特許庁

The distance H from the tip of a liquid raw material feed port 42 to the bottom face 30a of a vaporization chamber 30 confronted with the liquid raw material feed port 42 is set sufficiently long, and a carrier gas CG is sprayed from the circumference of the liquid raw material feed port 42.例文帳に追加

液体原料配給口42の先端から、液体原料配給口42と対向する気化室30の底面30aまでの距離Hが十分に長く設定され、液体原料配給口42の周囲からキャリアガスCGが噴射される。 - 特許庁

In the memory cell forming region for a phase change memory wherein a MISFET is used as a memory cell selecting transistor QM, a phase change material layer CG is common to the memory cells comprising resistance elements R using the phase change material.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴをメモリセル選択用トランジスタＱＭとして用いる相変化メモリのメモリセル形成領域において、相変化材料を用いた抵抗素子Ｒからなるメモリセルの相変化材料層ＣＧを共通化する。 - 特許庁

Each control gate electrode CG is penetrated by two silicon pillars 31 adjacent to each other in the Y-direction, and the two silicon pillars 31 connected to each other by a connection member 32 penetrate the control gate electrodes CG different from one another.例文帳に追加

そして、各制御ゲート電極ＣＧは、Ｙ方向において隣り合う２本のシリコンピラー３１によって貫かれており、接続部材３２によって相互に接続された２本のシリコンピラー３１は、相互に異なる制御ゲート電極ＣＧを貫いている。 - 特許庁

The control gate electrode CG is formed on an insulating film 3 as a gate insulating film; and the memory gate electrode MG is formed on an insulating film 6 composed of a silicon oxide film 6a, a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6a.例文帳に追加

制御ゲート電極ＣＧは、ゲート絶縁膜としての絶縁膜３上に形成され、メモリゲート電極ＭＧは、酸化シリコン膜６ａ、窒化シリコン膜６ｂおよび酸化シリコン膜６ａの積層膜からなる絶縁膜６上に形成されている。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device includes a process of forming the nonvolatile memory in a memory region Rm on a silicon substrate 1, wherein a selection gate electrode CG is formed on the principal surface of the silicon substrate 1 and a dummy gate DG adjoining one sidewall surface is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域Ｒｍに不揮発性メモリを形成する工程であって、シリコン基板１の主面に選択ゲート電極ＣＧを形成し、いずれか一方の側壁面に隣り合うダミーゲートＤＧを形成する。 - 特許庁

When hoisting up the storage vessel 14 further followed thereto, the support by the first open bearing 21 is released, the center of gravity CG is supported by the second open bearing 22, and an erected condition is brought finally under the condition positioned in the left side of a support point P2 illustrated in the figure.例文帳に追加

そして、引き続き保管容器１４を吊り上げることで、第一開放軸受け２１による支持から解放され、重心ＣＧが第二開放軸受け２２で支持され、支持点Ｐ２の図中左側に位置した状態で、最終的に起立状態となる。 - 特許庁

The ceramic firing tool 1 comprises a base part 11 having a placing surface 11a on which a ceramic formed body CG is placed, a cover part 3 arranged to be opposed to the placing surface 11a and an interval regulating part 13 for regulating the interval between the placing surface 11a and the cover part 3.例文帳に追加

セラミック焼成用治具１は、セラミック成形体ＣＧが載置される載置面１１ａを有する基部１１と、載置面１１ａに対向して配置される蓋部３と、載置面１１ａと蓋部３との間隔を規制する間隔規制部１３とで構成される。 - 特許庁

In an n-channel cell transistor where a control gate CG is stacked on a floating gate FG through an interlayer insulation film 8, the cell transistor is buried channel type and the floating gate FG is composed of a p-type polysilicon film 9.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ上に層間絶縁膜８を介してコントロールゲートＣＧを積み重ねたｎチャネル型セルトランジスタにおいて、このセルトランジスタを埋め込みチャネル型とし、さらに上記フローティングゲートＦＧをｐ型の多結晶シリコン膜９で構成するものである。 - 特許庁

In a plurality of MISFETs different in gate length L, the dependency of the gate voltage Vg of a capacity Cg between gate source drains is deviated, Cg is differentiated by Vg, and the difference of the differentiation value between the two MISFETs different in gate length.例文帳に追加

ゲート長Ｌの異なる複数のＭＩＳＦＥＴにおいて、ゲート−ソース・ドレイン間の容量Ｃｇのゲート電圧Ｖｇ依存性を導出し、上記ＣｇをＶｇで微分しゲート長の異なる２つのＭＩＳＦＥＴ間の上記微分値の差を分析する。 - 特許庁

Disclosed is an immunostimulatory oligonucleotide containing at least one nucleic acid sequence represented by formula I: 5'X_1X_2CGX_3X_43' (wherein, CG is a non-methylated CpG dinucleotide giving an immunostimulatory ability to the oligonucleotide; at least one of X_1 and X_2 is purine; and at least one of X_3 and X_4 is pyrimidine).例文帳に追加

式Ｉ：５’ Ｘ_１Ｘ_２ＣＧＸ_３Ｘ_４ ３’に従う少なくとも１つの核酸配列を含む、免疫刺激オリゴヌクレオチド：ここで、ＣＧは、該オリゴヌクレオチドに免疫刺激能力を付与する非メチル化ＣｐＧジヌクレオチドであり；Ｘ_１およびＸ_２の少なくとも１つはプリンであり；そして、Ｘ_３およびＸ_４の少なくとも１つはピリミジンである。 - 特許庁

The immunostimulant oligonucleotide containing at least a nucleic acid sequence represented by the following formula I: 5' X_1X_2CGX_3X_4 3' wherein CG is unmethylated CpG dinucleotides that impart immunostimulant activity to the oligonucleotides and at least one of the X_1 and X_2 is purine, and at least one of the X_3 and X_4 is pyrimidine.例文帳に追加

式Ｉ：５’ Ｘ_１Ｘ_２ＣＧＸ_３Ｘ_４ ３’に従う少なくとも１つの核酸配列を含む、免疫刺激オリゴヌクレオチド：ここで、ＣＧは、該オリゴヌクレオチドに免疫刺激能力を付与する非メチル化ＣｐＧジヌクレオチドであり；Ｘ_１およびＸ_２の少なくとも１つはプリンであり；そして、Ｘ_３およびＸ_４の少なくとも１つはピリミジンである。 - 特許庁

Disclosed is an immunostimulatory oligonucleotide containing at least one nucleic acid sequence represented by formula I: 5' X_1X_2CGX_3X_4 3' (wherein, CG is a non-methylated CpG dinucleotide giving an immunostimulatory ability to the oligonucleotide; at least one of X_1 and X_2 is purine; and at least one of X_3 and X_4 is pyrimidine).例文帳に追加

式Ｉ：５’ Ｘ_１Ｘ_２ＣＧＸ_３Ｘ_４ ３’に従う少なくとも１つの核酸配列を含む、免疫刺激オリゴヌクレオチド：ここで、ＣＧは、該オリゴヌクレオチドに免疫刺激能力を付与する非メチル化ＣｐＧジヌクレオチドであり；Ｘ_１およびＸ_２の少なくとも１つはプリンであり；そして、Ｘ_３およびＸ_４の少なくとも１つはピリミジンである。 - 特許庁

The immunostimulating oligonucleotide comprises at least one nucleic acid sequence of formula I: 5'X_1X_2CGX_3X_43', wherein CG is a non-methylated CpG dinucleotide imparting an immunostimulating ability to the oligonucleotide; at least one of X_1 and X_2 is purine; and at least one of X_3 and X_4 is pyrimidine.例文帳に追加

式Ｉ：５’ Ｘ_１Ｘ_２ＣＧＸ_３Ｘ_４ ３’に従う少なくとも１つの核酸配列を含む、免疫刺激オリゴヌクレオチド：ここで、ＣＧは、該オリゴヌクレオチドに免疫刺激能力を付与する非メチル化ＣｐＧジヌクレオチドであり；Ｘ_１およびＸ_２の少なくとも１つはプリンであり；そして、Ｘ_３およびＸ_４の少なくとも１つはピリミジンである。 - 特許庁

The immunostimulating oligo-nucleotide contains at least one nucleic acid sequence following to formula I: 5' X_1X_2CGX_3X_4 3' (wherein, CG is a non-methylated CpG dinucleotide imparting the immunostimulating capacity to the oligo-nucleotide; at least one of X_1, X_2 is purine; and at least one of X_3, X_4 is pyrimidine).例文帳に追加

式Ｉ：５’ Ｘ_１Ｘ_２ＣＧＸ_３Ｘ_４ ３’に従う少なくとも１つの核酸配列を含む、免疫刺激オリゴヌクレオチド：ここで、ＣＧは、該オリゴヌクレオチドに免疫刺激能力を付与する非メチル化ＣｐＧジヌクレオチドであり；Ｘ_１およびＸ_２の少なくとも１つはプリンであり；そして、Ｘ_３およびＸ_４の少なくとも１つはピリミジンである。 - 特許庁