「"Growth Rate"」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To synthesize good quality single crystal diamond at a high growth rate by suppressing an increase in substrate temperature even in the manufacture of single crystal diamond by a plasma CVD process under high pressure exceeding about 80 Torr.例文帳に追加

80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマＣＶＤ法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III element nitride crystal, in which reactions between an alkali metal and each of oxygen and water can be prevented and a growth rate of the group III element nitride crystal is improved.例文帳に追加

アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which sufficient amount of silicide can be formed in the peripheral circuit region while suppressing growth rate of silicide in a memory cell region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル領域でシリサイドの成長速度を抑制しつつ、周辺回路領域では十分な量のシリサイドを形成することのできる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride crystal with a large area and a low dislocation at an increased growth rate.例文帳に追加

大面積で低転位なＩＩＩ族窒化物結晶を製造することができ、かつＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride single crystal by which a crystal of high quality and high purity is prepared at a more rapid crystal growth rate, and to provide the nitride single crystal, a substrate and a device.例文帳に追加

より速い結晶育成速度で、高品質かつ高純度の結晶を作成することができる窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、基板およびデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment that can control the amount of a material gas supplied by a mechanism for properly correcting gas line pressure and can regulate yield deterioration caused by a growth rate or the fluctuation of a composition ratio.例文帳に追加

ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive high performance semiconductor device in which a semiconductor thin film matched to a single crystal by a horizontal growth method having improved crystallinity and a growth rate can be formed on the surface of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜表面に、結晶質を改良し、またその成長速度も改良した横成長法の単結晶に匹敵する半導体薄膜を形成することを可能にし、高性能の半導体装置を安価に提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いてＣドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flower pot can capable of improving a germination rate of seeds and a growth rate thereof, by positioning the seeds separately from a fertilizer and preventing the seeds from contacting with the fertilizer at an initial stage.例文帳に追加

種子を肥料と分離配置し種子と肥料が初期に接触することを防止し、種子の発芽率と成長率を向上させることができる缶花鉢を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of forming carbon nanotube capable of restraining the lowering of the growth rate of carbon nanotube while suppressing the generation of particle and a forming apparatus of carbon nanotube.例文帳に追加

パーティクルの発生を抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の低下を抑制できるカーボンナノチューブの形成方法、及びカーボンナノチューブの形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst member which improves the decomposition efficiency of a carbon material gas and improves the growth rate of a carbon nanotube, and thereby enables the continuous growth of a high-quality carbon nanotube.例文帳に追加

炭素原料ガスの分解される効率を高め、カーボンナノチューブの成長速度を高めて高品質なカーボンナノチューブの連続成長を可能にする触媒部材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a microbial aggregate film, which forms a uniform microbial aggregate film, thereby improves a microbial growth rate and stabilization of biomass productivity.例文帳に追加

均一な微生物凝集膜を形成させることができ、これにより、微生物の増殖速度の向上及びバイオマスの生産性の安定化を向上させることができる、微生物凝集膜の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing an aluminum nitride single crystal by which an aluminum nitride single crystal having good quality can be produced with good productivity while a crystal growth rate is stabilized for a long time.例文帳に追加

長時間に亘り結晶成長速度が安定しており、良好な品質の窒化アルミニウム単結晶を生産性良好に製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing carbon nanostructures by which a high growth efficiency is attained by enhancing the growth rate of the carbon nanostructures, and to provide a carbon nanostructure production apparatus.例文帳に追加

カーボンナノ構造物の成長速度を向上させ、高い成長効率を達成することが可能となるカーボンナノ構造物の製造方法及びカーボンナノ構造物製造装置を実現する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group 13 metal nitride crystal, capable of grossly improving crystal growth rate on a seed crystal and capable of performing crystal growth by continuing for a long time.例文帳に追加

種結晶上での結晶成長速度を大幅に向上させることができ、かつ長時間継続して結晶成長を行うことができる第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the growth rate of a crystal and to grow a high quality large crystal in a short period of time when the crystal is grown in a melt containing a flux and a raw material.例文帳に追加

フラックスおよび原料を含む融液中で結晶を成長させるのに際して、結晶の成長レートを向上させ、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるようにすることである。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride crystal, in which a highly crystalline group III nitride crystal provided with principal surfaces that have an orientation other than {0001} is grown at a high crystal growth rate.例文帳に追加

｛０００１｝以外の面方位の主面を有する結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を高い結晶成長速度で成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal accurately controllable of a growth rate of a silicon single crystal as well as controllable of a gap upon pulling a silicon single crystal by CZ (Czochralski) method.例文帳に追加

ＣＺ法によりシリコン単結晶を引上げる際に、ギャップの制御とともにシリコン単結晶の育成速度をより高精度に制御し得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing polycrystalline silicon in which the bond strength of a silicon core wire to a core wire holder is made sufficient in a short period of time, so that a growth rate control period in the initial stage of reaction can be shortened.例文帳に追加

短時間でシリコン芯線と芯線ホルダの接合強度を十分なものとし、その結果、反応初期の成長速度抑制期間を短縮することを可能とする多結晶シリコンの製造手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a GaN crystal by an Na flux method that increases a crystal growth rate and a growth amount as well as improves uniformity in the thickness of a crystal.例文帳に追加

結晶成長速度、育成量を向上させ、かつ結晶の厚さの均一性を高めることが可能なＮａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A self-supporting substrate comprising GaN is used as a seed crystal 18, and a GaN crystal 100 is grown on the seed crystal 18 at a growth rate of not more than 7 μm/h.例文帳に追加

種結晶１８として、ＧａＮからなる自立基板を用い、種結晶１８上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１００を成長させた。 - 特許庁

User's action tendency is analyzed from use history of a traffic IC card or a settlement means terminal having a function equivalent to the IC card, and characteristics such as convenience and a growth rate of a station are numerically evaluated while considering the analyzed result.例文帳に追加

交通系ＩＣカード、または同等の機能を持つ決済手段端末の利用履歴から利用者の行動傾向を分析し、その結果を考慮して駅の利便性や成長率といった特性を数値評価する。 - 特許庁

To provide a paste (grain-paste) containing grains which can reduce the fatigue crack growth rate of a metal material and can be well incorporated into a fatigue crack, and a metal material coated with the paste.例文帳に追加

金属材料の疲労き裂進展速度低下用粒子を含有するペースト（粒子ペースト）であって、疲労き裂内への進入性に優れたペーストおよび該ペーストを塗布した金属材料を提供する。 - 特許庁

To make a silicon rod grow to thereby have a large diameter with a high growth rate and a high yield under the condition where a large amount of raw material is supplied at a high pressure while preventing the blowout of the rod.例文帳に追加

高圧かつ原料大量供給の条件で、ロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを大径に成長させる。 - 特許庁

The notches 2a, 2b, 3a and 3b formed on both the sides of the crack 1 lower a stress expansion coefficient of the crack 1, and thereby a growth rate of the crack 1 can be slowed down and a possibility of destruction of a structure can be lowered.例文帳に追加

亀裂の両側に形成したノッチが亀裂の応力拡大係数を低下させるので、亀裂の進展速度を遅くすることができ、また、構造物の破壊の可能性を低下させることができる。 - 特許庁

To provide a thin film manufacturing method and a thin film growth device capable of efficiently examining the dependency on the growth rate and the substrate temperature when manufacturing a thin film.例文帳に追加

薄膜作製における成長速度依存及び基板温度依存を効率良く調べるための薄膜製造方法及び薄膜成長装置を提供することである。 - 特許庁

On the basis of the reduction rate (a) of the hafnium material and the growth rate (b) of the irradiation growth material due to irradiation, the ratio of the length of the irradiation growth material in the neutron absorption part is set at a/(a+b).例文帳に追加

照射に伴うハフニウムの縮小率ａと照射成長材の成長率ｂから、中性子吸収部における照射成長材の長さの割合をａ／（ａ＋ｂ）とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control.例文帳に追加

結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する． - 特許庁

To provide a method by which the growth rate of a semiconductor thin film can easily be derived in a short time from only the result of a single growth experiment.例文帳に追加

化合物半導体薄膜の成長速度を一回の成長実験のみで短時間で容易に導出することのできる化合物半導体薄膜の成長速度の導出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device which prolongs a growth time to enable maintenance of a selectivity per cycle while avoiding reduction of a growth rate, and increases an effective productivity.例文帳に追加

成長速度を低下させずに１サイクルあたりの選択性を維持するのに可能な成長時間を延ばすことができ、実効的な生産性を向上することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することにある。 - 特許庁

By the addition of Ti, the solubility of C is increased, and the growth rate of the SiC single crystal can be enhanced, and at the same time, the SiC single crystal having high flatness can be obtained by the surfactant effect of Sn or Ge.例文帳に追加

Ｔｉ添加によりＣの溶解度が増加してＳｉＣ単結晶の成長速度が向上し、同時に、ＳｎまたはＧｅのサーフアクタント効果により平坦性の高いＳｉＣ単結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a crucible for growth of a crystal and a method for growing a crystal to improve crystal quality, improve a yield, and improve a crystal growth rate.例文帳に追加

結晶品質の向上、歩留り向上および結晶成長速度の改善を図ることができる結晶成長用ルツボおよび結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a simulation method capable of calculating a shape near an interface more accurately when a large time step is taken, or when the step for calculating a surface growth rate is reduced.例文帳に追加

大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

The injection seed is selected to allow the insulating layer to grow on the bottom of the trench at a higher growth rate than that of the sidewall of the trench, thereby forming a thicker insulating layer on the bottom of the trench than an insulating layer formed on the sidewall of the trench.例文帳に追加

絶縁層がトレンチの側壁よりも速く該トレンチの底部上に成長するように、注入種が選択され、該トレンチの側壁よりも厚い絶縁層が該トレンチの底部にもたらされる。 - 特許庁

When a scheduled day for beginning of irrigation is inputted in the non-tilled direct sowing system 1, a growth rate accumulating part 104 sets an assumed sowing date and accumulates the DVR value of rice to be sown on the assumed sowing date.例文帳に追加

不耕起直播栽培管理システム１に入水予定日が入力されると、発育速度積算部１０４が、仮定播種日を設定し、仮定播種日に播種される稲のＤＶＲ値を積算する。 - 特許庁

To provide an improved method of manufacturing a novel bulk GaN single crystal which is capable of making a the number of nucleus formation, crystal size and total crystal yield higher by improving a growth rate.例文帳に追加

成長速度を向上させて、核発生数、結晶サイズ、そしてトータルの結晶収量をより増大させることのできる、改良された新しいバルクＧａＮ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ferroelectric thin film of high quality consisting of crystal grains with small and uniform sizes, with a MOCVD technique in a short period of time (with a high growth rate).例文帳に追加

結晶粒のサイズが小さくて均一な良質の強誘電体薄膜を、ＭＯＣＶＤ法を用いて短時間（高い成長速度）で成長することを可能にする。 - 特許庁

A demand variable type calculation parameter acquiring part 13 acquires delivery time, a demand variable model constant, an initial estimate demand quantity, a demand growth rate, a future delivery transaction interval, the longest expiration date or an expiration month of a future delivery commodity.例文帳に追加

需要変動型計算パラメータ取得部１３は、受渡し時期、需要変動モデル定数、初期想定需要量、需要成長率、先渡し取引間隔、先渡し商品の最長満期または限月を取得する。 - 特許庁

The growth rate of the intermediate layer 15 composed of the AlGaInP-based semiconductor is adjusted to ≤1 μm/h and, at the same time, the lattice matching rate Δa/a of the layer 15 with respect to GaAs is adjusted to ≥-3.2% and ≤-2.5%.例文帳に追加

上記ＡlＧaＩnＰ系半導体からなる中間層１５において、成長速度を１μｍ／ｈ以下とすると共に、ＧaＡsに対する格子整合率Δa／aをa−３.２％以上かつ−２.５％以下とする。 - 特許庁

The rotation speed of the glass rode 23 is controlled based on the measured value of the growth rate or the surface temperature of a glass fine particle deposited body 31 deposited on the glass rod 23.例文帳に追加

ガラス棒２３に堆積したガラス微粒子堆積体３１の成長速度又は表面温度の測定値に基づいて、ガラス棒２３の回転速度を制御する。 - 特許庁

To provide a microorganism immobilization carrier which is capable of effecting a high microorganism growth rate and has a wide specific surface area, good air permeability, high sewage treatment capacity and excellent sewage purification performance and also to provide a sewage purification process using the carrier and a sewage purification equipment for the process.例文帳に追加

微生物の繁殖率が高く、比表面積が広い上、通気性が良好で、処理能力が高く、浄化性能に優れた微生物固定化担体、該担体を使用した浄化方法及び浄化装置を提供する。 - 特許庁

As a result, any stress caused by the difference of the growth rate can be reduced, and the occurrence of crystal defect due to the stress can be reduced.例文帳に追加

この結果、成長速度の違いによって発生する応力を抑制することができ、この応力に起因する結晶欠陥の発生を抑制することができる。 - 特許庁

The relationship can be estimated by using, for example, a linear approximation model which linearly approximates the relationship between the flow rate of the gas and the growth rate of the film on the above substrate.例文帳に追加

この推定は、例えばガスの流量と前記基板上での膜の成長速度との関係を線形的に近似した線形近似モデルを用いて行える。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a high quality crystal having less internal defect by controlling a crystal growth rate constant in manufacturing a fluoride single crystal for an optical element.例文帳に追加

光学部材用フッ化物単結晶の製造工程において、結晶成長速度を一定に制御し、内部欠陥の少ない高品質な結晶を製造する。 - 特許庁

The bubble growth calculation means 23 calculates a time-development equation about bubble radius on the basis of the pressure and delivers the bubble radius, bubble growth rate and void ratio to the fluid calculation means 22.例文帳に追加

気泡成長計算手段２３は、圧力に基づいて気泡半径についての時間発展方程式を計算して、気泡半径、気泡成長速度及びボイド率を流体計算手段２２に引渡す。 - 特許庁