「"O at"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An inclined upper surface 52 inclines downward to the center O at an angle of 45 degrees from the annular entrance plane 51a.例文帳に追加

一方、傾斜上面５２は、前記環状入射面５１ａに対して４５度の角度で中心Ｏに向かって下方傾斜している。 - 特許庁

Otherwise, its shape is made into a circular cylinder, and the bearing hole 21 is formed parallel to a center axis O at a position deviated from the center axis O.例文帳に追加

あるいは、形状を円柱形状とし、中心軸Ｏから外れた位置に中心軸Ｏと平行に軸受孔２１を形成する。 - 特許庁

A movable block is held by a link mechanism at points opposite to the two points via the center axis O at the inner face of the main body part 23.例文帳に追加

本体部２３の内面において、中心軸Ｏを挟んで上記二箇所と対向する位置には、リンク機構によって可動ブロックが保持されている。 - 特許庁

An acidic extracting agent is used for the solvent extraction and the extracting pH is preferably set at 4 to 5, the A/O at 1 to 2 and the number of extraction steps at 1 to 3 steps.例文帳に追加

また、溶媒抽出には、酸性抽出剤を使用し、抽出ｐＨを４〜５、Ｏ／Ａを１〜２、抽出段数を１〜３段とすることが好ましい。 - 特許庁

The bearing with a rotation detection unit has a magnetism generating means 2 for having directivity around a rotation center O at an inner ring 21 side of the bearing 20.例文帳に追加

この回転検出装置付き軸受は、軸受２０の内輪２１側に回転中心Ｏ回りの方向性を有する磁気発生手段２を有する。 - 特許庁

When a power source voltage VCC is equal to or higher than a voltage VI_/O at an end of the I/O circuit, a voltage of the N-well of the transistor M1 is clamped at the power source voltage VCC.例文帳に追加

電源電圧Vccが入力/出力回路端の電圧V_I/O以上の場合に、トランジスタＭ1のNウエルの電圧が電源電圧Vccにクランプされる。 - 特許庁

When a control signal CON goes to an 'L' level, and the operation of a DC voltage transformer 11 is stopped, a voltage to be outputted from a terminal O at the output side is turned to 0 V.例文帳に追加

制御信号ＣＯＮが“Ｌ”になって直流電圧変換器１１の動作が停止されると、この出力側の端子Ｏから出力される電圧は０Ｖとなる。 - 特許庁

The upper case 25A is provided with a suction pipe 256 guiding liquid to an inside suction port 256a from an outside along a radial direction crossing the axis O at right angles.例文帳に追加

上ケース２５Ａは、液体を中心軸Ｏと直交する半径方向に沿って外側から内側の吸込口２５６ａまで導く吸込管２５６を備えている。 - 特許庁

The mask body part 2 of this mask 1 is provided with a right side reinforcing body 21 and a left side reinforcing body 22 in positions in the both sides of a vertical center line O-O at some distance apart therefrom.例文帳に追加

マスク１の本体部２には、縦中心線Ｏ−Ｏを挟んで両側に距離を開けた位置に右側補強体２１と左側補強体２２が設けられている。 - 特許庁

An approximately annular hydraulic chamber 32 is formed coaxially with a rotary axis O at a position opposite to an inner peripheral surface 24B of a base metal 24 near an outer peripheral surface 22A.例文帳に追加

フランジ本体２２の内部にて、外周面２２Ａ近傍で台金２４の内周面２４Ｂと対向する位置には、回転軸線Ｏと同軸に略円環状の油圧室３２を形成した。 - 特許庁

An approximately annular clamp part hydraulic chamber 42 is formed coaxially with the rotary axis O at a position opposite to the other end surface 24D of the base metal 24 near an end surface 27D inside of the clamp member 27.例文帳に追加

クランプ部材２７の内部にて、端面２７Ｄ近傍で台金２４の他方の端面２４Ｄと対向する位置には、回転軸線Ｏと同軸に略円環状のクランプ部油圧室４２を形成した。 - 特許庁

An approximately annular disc-shaped hydraulic chamber 32 is formed coaxially with a rotary axis O at a position opposite to an inner peripheral surface 24B of the base metal 24 near an outer peripheral surface 22A.例文帳に追加

フランジ本体２２の内部にて、外周面２２Ａ近傍で台金２４の内周面２４Ｂと対向する位置には、回転軸線Ｏと同軸に略円環板状の油圧室３２を形成した。 - 特許庁

Object light made incident on a photographic lens 50 branches off the optical path of the optical axis O for guiding to an image CCD 60 for a camera body 56 to an AF optical path of an optical axis O' at a half mirror 52.例文帳に追加

撮影レンズ５０に入射した被写体光は、カメラ本体５６の映像用ＣＣＤ６０へと導かれる光軸Ｏの光路から、ハーフミラー５２によって光軸Ｏ′のＡＦ用光路に分岐される。 - 特許庁

As the rotation axial line Q is tilted for a specified angle in the opposite direction, the tool 20 is moved in parallel to the center axial line O at a proportional moving speed to the rotation speed of the work 10 to work a second tooth surface 17.例文帳に追加

回転軸線Ｑを逆方向に所定角度傾斜させた状態で、ウォームの回転速度と比例する移動速度で工具を中心軸線と平行に移動させて第２歯面１７を加工する。 - 特許庁

At least a sliding surface of a piston ring is formed with a hard film of the Cr -N- O- C alloy obtained by dissolving O at 1-15 wt.% and C at 1-15 wt.% in the crystal structure of CrN.例文帳に追加

ピストンリングの少なくとも摺動面に、ＣｒＮの結晶構造中にＯが１〜１５ｗｔ％、Ｃが１〜１５ｗｔ％、それぞれ固溶されているＣｒ−Ｎ−Ｏ−Ｃ合金の硬質皮膜を形成した。 - 特許庁

A position for a reference point O at a point designated by a pointing device is detected in every unit time, and an operation vector AB with consecutively detected points A and B respectively as a start point and an end point is calculated.例文帳に追加

ポインティングデバイスで指定された点の基準点Ｏに対する位置を単位時間毎に検出して、先後に検出された点Ａおよび点Ｂをそれぞれ始点および終点とする操作ベクトルＡＢを算出する。 - 特許庁

With respect to design of a circuit including a boundary scan register, the wiring length estimate value between the boundary scan register which will be necessarily arranged in the vicinity of an I/O at the stage of layout buffer and the I/O buffer is stored in a data base 4.例文帳に追加

データベース４はバウンダリスキャンレジスタを含む回路の設計において、レイアウトの段階で必ずＩ／Ｏバッファの近傍に配置されるバウンダリスキャンレジスタとＩ／Ｏバッファとの間の配線長見積もり値が格納されている。 - 特許庁

A control device 40 has a plate fed quantity correcting means 47 for correcting the feed quantity of the plate feed mechanism 10 based on the difference OFK between the actual stop position S and the regular stop position O at the use position Q of the cartridge 7.例文帳に追加

制御装置４０は、カートリッジ７の使用位置Ｑにおける実際の停止位置Ｓと正規の停止位置Ｏとの差ＯＦ_K に基づき、板材送り機構１０の送り量を補正する板材送り量補正手段４７を備える。 - 特許庁

A writing means 16 generates ID to be added to each writing I/O at the time of writing data in an HDD 121, and writes data and ID in the HDD 121, and registers a pertinent region in a verify list 141.例文帳に追加

書き込み手段１６は、ＨＤＤ１２１への書き込み時に、書き込みＩ／Ｏ毎に付加されるＩＤを生成し、ＨＤＤ１２１へデータ及びＩＤを書き込むとともに、ベリファイリスト１４１へ該当領域を登録する。 - 特許庁

For the spark plug 1, a ground electrode 4 has an external shape linearly extending in the radial direction against the center axis line O at the orthogonal projection on a first projection plane P perpendicular to the central axis line O of a mounting screw part 6.例文帳に追加

スパークプラグ１は、取付ねじ部６の中心軸線Ｏと直交する第一投影面Ｐへの正射投影像において、該接地電極４は中心軸線Ｏに関する半径方向に直線的に延伸した外形形態を有する。 - 特許庁

The titanium alloy may further contain 0.01 to 2.0% V, 0.05 to 0.15% O, at least one element selected from the group consisting of Ni and Mo in an amount of 0.1 to 2.0%, 0.01 to 0.3% B and 0.01 to 0.3% Si.例文帳に追加

当該チタン合金は、質量％で、Ｖ：０．０１〜２．０％、Ｏ：０．０５〜０．１５％、ＮｉおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素０．１〜２．０％、Ｂ：０．０１〜０．３％、Ｓｉ：０．０１〜０．３％をさらに含有していても良い。 - 特許庁

Diamond sintered bodies 6, 6 are mounted to an outer peripheral side at a tip end of a pair of cutting chip discharge grooves 4, 4 twisted around an axis O at a constant twist angle α and cutting blade outer peripheral parts 5A, 5A of the cutting blades 5, 5 are formed on the diamond sintering bodies 6, 6.例文帳に追加

軸線Ｏ回りに一定のねじれ角αでねじれる一対の切屑排出溝４，４の先端外周側に、ダイヤモンド焼結体６，６を取り付けて、切刃５，５の切刃外周部５Ａ，５Ａをダイヤモンド焼結体６，６上に形成する。 - 特許庁

Landed raw Mozuku 1 having a water-content of about 97% is half-dried to a water-content of 80-90% by using a microwave-hot air drying by the combined use of a microwave drier M and a hot-air drier O at the first stage of drying a high water content.例文帳に追加

収穫した含水率約９７％のモズク原藻体１を、乾燥工程にて、含水率の高い乾燥前期に電磁波乾燥器Ｍと熱風乾燥器Ｏとの併用による電磁熱風乾燥とし、含水率８０〜９０％に生乾燥させる。 - 特許庁

For the spark plug 1, a ground electrode 4 has an external shape linearly extending in the radial direction against the center axis line O at the orthogonal projection on a first projection plane P perpendicular to the center axis line O of a mounting screw part 6.例文帳に追加

スパークプラグ１は、取付ねじ部６の中心軸線Ｏと直交する第一投影面Ｐへの正射投影像において、該接地電極４は中心軸線Ｏに関する半径方向に直線的に延伸した外形形態を有する。 - 特許庁

Diamond sintered compacts 6 and 6 are attached to the tip outer circumferential sides of a pair of chip discharge grooves 4 and 4 twisted about an axis O at a prescribed helix angle α and cutting edge outer circumferential parts 5A and 5A of cutting edges 5 and 5 are formed on the diamond sintered compacts 6 and 6.例文帳に追加

軸線Ｏ回りに一定のねじれ角αでねじれる一対の切屑排出溝４，４の先端外周側に、ダイヤモンド焼結体６，６を取り付けて、切刃５，５の切刃外周部５Ａ，５Ａをダイヤモンド焼結体６，６上に形成する。 - 特許庁

Then, inside the respective regions Ar1 to Ar4, respective lower electrode wires 334 pulled out from lower electrodes of the respective ultrasonic transducers 30 have a linear portion extending in the direction of separating from a substrate center point O at which the X axis L1 and the Y axis L2 cross each other.例文帳に追加

そして、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４内において、各超音波トランスデューサー３０の下部電極から引き出される各下部電極線３３４は、Ｘ軸Ｌ１及びＹ軸Ｌ２の互いに交差する基板中心点Ｏから離れる方向に延びている直線部分を有する。 - 特許庁

The rotation center O at which the axis line X1 and the axis line X2 intersect is located on the reflection face 13a of the reflection mirror 13, the axis line X1 coincides with the optical axis of the laser beam L which is made incident on the reflection mirror 13, and the axis line X2 is located in the reflection face 13a of the reflecting mirror 13.例文帳に追加

軸線Ｘ１と軸線Ｘ２とが交わる回転中心Ｏは反射ミラー１３の反射面１３ａ上に位置し、軸線Ｘ１は反射ミラー１３に入射するレーザ光Ｌの光軸に一致し、軸線Ｘ２は反射ミラー１３の反射面１３ａ内に位置している。 - 特許庁

The generator 2 of X rays and the detector 3 are guided by an arcuate guide rail 4 to be made movable and the crossing point C of the irradiation direction of the generator 2 and the detecting direction of the detector 3 is allowed to coincide with the center of the circular arc of the guide rail 4 position of the position to be measured of the measuring target O at the crossing point C.例文帳に追加

エックス線の発生装置２と検出装置３を円弧状のガイドレール４に案内させて移動可能とし、発生装置２の照射方向と検出装置３の検出方向の交点Ｃをガイドレール４の円弧の中心と一致させ、交点Ｃに測定対象Ｏの被測定位置を位置させる。 - 特許庁

A border coating machine 1, one example of the offset implement, has an offset mechanism 20 shakable right and left by extension and contraction movement of a shaking cylinder 3 on a mounting part 10 to be attached to the rear part of a running machine body 90 and a rotatable operation part 40 having a frame part 41 equipped with a rotatable fulcrum O at the rear end and extended.例文帳に追加

オフセット作業機の一例の畦塗り機１は、走行機体９０の後部に装着される装着部１０に揺動シリンダ３の伸縮動により左右揺動可能なオフセット機構２０と、この後端部に回動支点Ｏを設けて延びるフレーム部４１を有して回動可能な作業部４０とを有する。 - 特許庁

This automatic adjustment device 4 of the fork pitch is provided with a driving means 5 for moving the fork 2 in a vehicle width direction, a control device 6 mainly constituted of a computer controlling an operation of the driving means 5, and a hole detection means 7 for transmitting a detection signal when detecting the opened holes O at edge parts P1 of the pallets P.例文帳に追加

フォークピッチの自動調整装置４は、フォーク２を車幅方向に移動させる駆動手段５と、駆動手段５の動作を制御するコンピューターを主体とする制御装置６と、パレットＰの縁部Ｐ１に開放された孔Ｏを検出したとき検出信号を送出する孔検出手段７とを備える。 - 特許庁

The leg part 33 is provided with an approximately semi-circular curved part 33a having a predetermined radius R on a point O at its tip part, and a distance from the hinge axis C to a stepped surface 25a of the cap mounting part 25 is determined to permit the rotation of the cap 20 from the fully close condition to at least approximately 90 degrees.例文帳に追加

脚部３３の先端部に、点Ｏを中心とする所定半径Ｒを有する略半円形の曲成部３３ａを形成し、全閉状態から少なくとも略９０度までキャップ２０の回動を許容するようにヒンジ軸線Ｃからキャップ取付部２５の段差面２５ａまでの距離を設定している。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁

The heat treatment for compensating the oxygen defect in the Ta2O5 film is performed in an atmosphere containing N and O at low temperatures while generating nitrogen radials and oxygen radicals, by applying ultraviolet rays to rapidly end dangling bonds on the surface of the Si substrate by the generated nitrogen radicals and to compensate the oxygen defect in the Ta2O5 film by the generated oxygen radicals.例文帳に追加

前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する熱処理を、ＮとＯとを含む雰囲気中において、紫外光照射により窒素ラジカルと酸素ラジカルとを発生させながら低温で行い、発生した窒素ラジカルによりＳｉ基板表面のダングリングボンドを速やかに終端させ、また発生した酸素ラジカルにより、Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices includes a process for forming the compound oxide film containing rare earths that contains rare-earth elements, metal elements that are not rare earths, and O at an upper portion of semiconductor substrates, and an etching process for alternately performing etching by acid without containing fluorine and etching by a solution containing fluorine for dissolving oxides of other metal elements to the compound oxide film containing rare earths a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、希土類元素と、希土類でない他の金属元素と、Ｏとを含む希土類含有複合酸化物膜を形成する工程と、希土類含有複合酸化物膜に対し、フッ素を含まない酸によるエッチングと、他の金属元素の酸化物を溶解するフッ素含有溶液によるエッチングとを、交互に複数回行なうエッチング工程とを有する。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁