「"etching conditions"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Since etching conditions for forming the treatment traces 110, 120 are calculated from the depth of depressions of the treatment traces 110, 120, the etching conditions for the present treatment are presumed by this calculation.例文帳に追加

各処理痕１１０、１２０の凹部の深さから、各処理痕１１０、１２０を形成する際のエッチング条件を算出することができるので、これにより、本処理におけるエッチング条件を推定することができる。 - 特許庁

Hence, temporal deterioration in sensor function during the measurement of the charge-up can be suppressed in an environment of plasma etching conditions.例文帳に追加

よって、プラズマエッチング条件の環境下で、チャージアップの測定中にセンサ機能の経時劣化を抑制できる。 - 特許庁

As etching conditions, an etching rate of the upper electrode 3 is larger than that of the insulating film 2.例文帳に追加

次に、エッチング条件として、絶縁膜２より上部電極３のエッチレートが大きい条件を選択する。 - 特許庁

At this time, etching conditions are regulated so as to form a tapered section at the end part of the pattern of the oxide film (c).例文帳に追加

このときエッチング条件を調整して酸化膜のパターン端部にテーパ部が形成されるようにする（ｃ）。 - 特許庁

Under the aforementioned etching conditions, an etching-resistant deposit is formed except for the region near the spacer projection 2.例文帳に追加

このようなエッチング条件であると、スペーサ突起２に近接した個所を除いて、耐エッチング性の堆積物５が形成される。 - 特許庁

Thereafter, the energy of the argon gas is reduced, and overetching is conducted under etching conditions which can secure a selection ratio with the gate 4.例文帳に追加

その後、アルゴンガスのエネルギを減少させゲート４との選択比の確保できるエッチング条件にてオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

To easily determine etching conditions when transcribing grooves and pits formed in a photo-resist film on a substrate 1 onto the substrate.例文帳に追加

基板上のホトレジスト膜に形成された溝やピットをエッチングにより基板に転写する時に、容易にエッチング条件を求める。 - 特許庁

FABRICATION PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ETCHING CONDITIONS SETTING METHOD, CONDUCTIVE FILM REMOVING CONDITIONS SETTING METHOD, AND RETICLE例文帳に追加

半導体装置の製造方法，半導体装置、エッチング条件の設定方法、導電膜除去条件の設定方法、及びレチクル - 特許庁

Actually, the trench 11 is formed on a semiconductor substrate 10 by adjusting at least a parameter of the etching conditions.例文帳に追加

具体的には、エッチング条件の少なくとも一つのパラメータを調整して、トレンチ１１を半導体基板１０に形成する。 - 特許庁

To provide an etching treatment device capable of treating a sample having different etching areas under optimum etching conditions.例文帳に追加

エッチング面積の異なる試料に対して、最適なエッチング条件で処理を施すことのできるエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, etching is continued for a predetermined time, and the etching conditions are changed appropriately, thus forming the surface shape of the wafer freely.例文帳に追加

その後、エッチングを所定時間継続し、かつエッチング条件を適宜変更することで、ウェーハの表面形状を自由に造り込める。 - 特許庁

The etching conditions at the next treatment unit are determined on the basis of the result of an etching at the previously etching-treated treatment unit under specified conditions.例文帳に追加

所定の条件で既にエッチング処理された処理単位のエッチング結果を基にして、次の処理単位のエッチング条件を決定する。 - 特許庁

Next, the nitride film 16a is removed under first etching conditions, to leave the nitride film 16a only on the sidewall of the collar oxide film 15a.例文帳に追加

次に、第１のエッチング条件により窒化膜１６ａが除去され、カラー酸化膜１５ａの側壁にのみ窒化膜１６ａが残存される。 - 特許庁

A gate electrode 31 is covered with a silicon nitride film 7, which has a larger etching selection ratio than that of an NSG film 14 under prescribed etching conditions.例文帳に追加

ゲート電極３１２が所定のエッチン条件においてＮＳＧ膜１４より選択比の大きなシリコン窒化膜７により覆われている。 - 特許庁

The etching conditions are controlled to obtain specified increase in the reflected light area and when the area reaches the specified value, etching is terminated.例文帳に追加

所定の反射光面積の増加になるようにエッチング条件を制御し所定の反射光面積に達したらエッチングを終了する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to create different etching conditions, depending on the regions on the mask and to improve nonuniformity in the resulting mask pattern.例文帳に追加

したがって、マスク上に領域別に相異なっているエッチング条件を有するようにでき、これによって、マスクパターンの不均一性が改善する。 - 特許庁

An activation thermal processing parameter may be calculated instead of the injection parameter, and the thickness of the alteration layer may be estimated from dry-etching conditions (S107).例文帳に追加

注入パラメータの代わりに活性化熱処理パラメータを算出してもよく、変質層の厚さをドライエッチング条件から推定（Ｓ１０７）してもよい。 - 特許庁

After the photoresist has been removed, the substrate temperature is made high, and the entire oxide film 7 is etched back under etching conditions of a large selection ratio with respect to the nitride film.例文帳に追加

フォトレジストを除去後、基板温度を高温にして、窒化膜に対して選択比の大きなエッチング条件で酸化膜７を全面エッチバックする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can perform etching of prescribe shape under prescribed etching conditions, without depending on the type of a mask.例文帳に追加

マスクの種類に依存することなく、所定のエッチング条件で所定形状のエッチングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The etching stopper film 2 is made of a material which has extremely high selectivity against the transparent substrate 1 under the etching conditions of the transparent substrate 1.例文帳に追加

エッチングストッパ膜２は、透明基板１のエッチング条件において、透明基板１に対して非常に選択性が高い材料で形成されている。 - 特許庁

Then for the purpose of controlling the volume of a seal after etching to a desired value, an image data used when the engraving is carried out is corrected primarily in compliance with etching conditions (S5).例文帳に追加

次のステップＳ５ではエッチング後のセルの体積を所望の値に制御するため、エッチング条件に応じて彫刻時の画像データを予め補正しておく。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus capable of readily performing etching, whose sectional form is vertical and whose in-plane uniformity is superior, even under various etching conditions.例文帳に追加

多種のエッチング条件下においても、断面形状が垂直で面内均一性の良いエッチングを容易に行なうことができる、ドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The selective etching step is performed by a two-step plasma etching method of first anisotropic etching and second isotropic etching having different etching conditions.例文帳に追加

選択食刻工程は食刻条件が異なる第１の異方性食刻と第２の等方性食刻からなる二段階のプラズマ食刻方法で行なう。 - 特許庁

To obtain a method for forming a wiring of a semiconductor device, which can resolve etching conditions at the time of wiring and suppressing a charging damage on a semiconductor device, for example, exploring a cause/ effect relationship between the etching conditions at the time of the wiring and a fluctuation in the threshold voltage of an MOS FET and, on the basis of it.例文帳に追加

配線形成の際のエッチング条件と半導体装置のチャージングダメージ、例えば配線形成の際のエッチング条件とＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧の変動との間の因果関係を解明し、それに基づいてチャージングダメージを抑制できる半導体装置の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Fe-Ni alloy stock free from dispersion of opening diameter caused by abnormal holes even if dispersion of etching conditions occurs at the formation of electron beam transmission holes, and its manufacturing method.例文帳に追加

電子線透過孔形成の際、エッチング条件がばらついても、異常孔に基づく開口部直径のばらつきが生じないFe-Ni系合金素材、製造方法の提供。 - 特許庁

In the upper layer overetching step, as its etching conditions, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 is made to nearly match the etching rate of the AlCu layer 15.例文帳に追加

この上層オーバエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６のエッチングレートとＡｌＣｕ層１５のエッチングレートとがほぼ一致するような条件に変更される。 - 特許庁

Etching is carried out under such etching conditions as the diameter A of an opening in the bottom of the via hole 16 becomes larger than the planar width C of the pad electrode 12.例文帳に追加

ここで、上記エッチングは、ビアホール１６の底部の開口径Ａが、パッド電極１２の平面的な幅Ｃよりも大きくなるようなエッチング条件により行われる。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can fix the gas composition in a reaction chamber so as to always maintain optimum etching conditions, regardless of the area of an object to be etched.例文帳に追加

被エッチング物の面積によらず常に最適なエッチング条件を保つよう反応室内のガス組成を一定に制御可能なドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The second SiN film 32b is formed by changing the film formation conditions of CVD method, so as to grow etching rate larger than that of the first SiN film 32a under the same etching conditions.例文帳に追加

第２のＳｉＮ膜は、同じエッチング条件下でエッチングレートが第１のＳｉＮ膜より大きくなるようにＣＶＤ法の成膜条件を変えて成膜されている。 - 特許庁

To provide a device and a method for etching which enables individual control of parameters relating to etching performances, and thus enables optimization of etching conditions with high precision.例文帳に追加

エッチング性能に関わるパラメータを個別に制御可能で、これによりエッチング条件の最適化を高精度に行うことが可能なエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device in which generated foreign matter hardly adhere onto the surface of a semiconductor wafer, exhaust conductance is good, various etching conditions are accommodated, and structure is made simple.例文帳に追加

半導体ウエハ表面上に発生異物が付着しにくく、排気コンダクタンスが良好で、様々なエッチング条件に対応できる構造が簡単なドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Different etching conditions from each other are set in the conductive layers 15 and 16, and the gate electrodes 5 are formed by etching the second conductive layer 16 and the first conductive layer 15.例文帳に追加

そして、各導電層１５・１６で互いに異なるエッチング条件を設定し、第２導電層１６と第１導電層１５をエッチングすることによりゲート電極５を形成する。 - 特許庁

Two photoresist films 2a, 2b are formed on a quartz substrate 1 and a groove 10 having a large taper angle is formed by using dry etching conditions vastly different from each other in etching rate.例文帳に追加

石英基板１上に２層のホトレジスト膜２ａ，２ｂを形成し、エッチレートが大きく異なるドライエッチング条件を用いることにより、大きなテーパ角の溝１０を形成する。 - 特許庁

To provide a means for observing an etching state of a semiconductor substrate during a dry etching without spending many hours, and a method of reflecting an observation result thereof to the following etching conditions.例文帳に追加

ドライエッチング途中の半導体基板のエッチング状態を時間をかけずに観測する手段を提供し、かつその観測結果を後のエッチング条件に反映する方法を提供すること。 - 特許庁

When gate electrodes 12 and 22 are formed, a first metal layer 31 of low etching rate is formed thin in one of two regions for forming first and second MOSFETs 10 and 20 under predetermined etching conditions and a second metal layer 32 of high etching rate is formed thick in the other region under those predetermined etching conditions, and then the first and second metal layers 31 and 32 are etched simultaneously.例文帳に追加

金属ゲート電極１２，２２を形成する際、第１，第２のＭＯＳＦＥＴ１０，２０を形成する領域に、一方には所定エッチング条件でエッチングレートの低い第１の金属層３１を薄く形成し、他方にはその所定エッチング条件でエッチングレートの高い第２の金属層３２を厚く形成して、第１，第２の金属層３１，３２を同時にエッチングする。 - 特許庁

For instance, a method, by which the type of the etching gas conforming to the dry-etching conditions is selected, is employed as a method for having the dry-etching rate of the plug 10 and the dry-etching rate of the etching stopper film 11 approximately equal to each other.例文帳に追加

前記プラグ１０とエッチストッパ膜１１とのドライエッチングレートをほぼ同一にする手法として、たとえばドライエッチングの条件に適合するエッチングガスの種類を選択する手法を用いる。 - 特許庁

The silicon nitride film 20 is then processed to the lens shape by subjecting the silicon nitride film to isotropic etching under such etching conditions under which the etching rates of a plasma nitride film 20 of a base and the resist patterns 21 are equaled (c).例文帳に追加

次に、下地のプラズマナイトライド膜２０とレジストパターン２１とのエッチング速度が等しくなるようなエッチング条件にて等方性エッチングを行い、シリコンナイトライド膜２０をレンズ形状に加工する（ｃ）。 - 特許庁

To provide a measurement apparatus where the quantitative measurement and control of etching conditions can be performed without being accompanied by risk, and the striking degree of a working liquid against the surface of a gravure cylinder can be grasped.例文帳に追加

危険をともなわず、エッチング条件の定量的な計測および管理を行うことができ、グラビアシリンダーの表面への加工液の当たり具合が分かる計測装置を提供することにある。 - 特許庁

To facilitate the execution of the control of etching conditions such as an etching rate, etching depth and an etching surface smoothening degree in an etching reaction stage on the spot and to enable wet chemical etching of a higher degree.例文帳に追加

エッチング速度、エッチング深さ、および、エッチング表面平滑度などのエッチング条件の制御をエッチング反応過程においてその場で行うことを容易とし、より高度な湿式化学エッチングを可能とする。 - 特許庁

Then, the collar oxide film 15a is removed under second etching conditions, to expose a part of the surface of the semiconductor substrate 11 in the trench 13, to thereby form an opening 17 of an embedded strap.例文帳に追加

次に、第２のエッチング条件によりカラー酸化膜１５ａが除去され、トレンチ１３内の半導体基板１１の表面の一部が露出されることにより、埋め込みストラップの開口部１７が形成される。 - 特許庁

The thickness of the deposited insulating film is decided based on the obtained sidewall width, the insulating film of the decided thickness is deposited, anisotropically etched under predetermined etching conditions, and the sidewall insulating film of the predetermined designed width is retained.例文帳に追加

求めたサイドウォール幅に基いて絶縁膜の堆積膜厚を決定し、決定した膜厚の絶縁膜を堆積し、所定のエッチング条件で異方性エッチングして、所定の設計幅の側壁絶縁膜を残す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving etching precision and etching controllability and for optimizing different etching conditions according to the state of a wafer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング精度とエッチング制御性の向上を図ることができるとともに、ウエハ状態によって異なるエッチング条件の最適化を図ることができる半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To apply the substantially same alkali etching conditions when the texture structure of a solar cell is formed regardless of which of oily slurry or water soluble slurry is used when a semiconductor ingot is sliced.例文帳に追加

半導体インゴットをスライスする際に油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、太陽電池のテクスチャ構造形成においてほぼ同一のアルカリエッチング条件を適用することを可能とする。 - 特許庁

The etching device comprises an etching chamber 11 for etching an object M in gas phase under predetermined etching conditions, means 20 for observing the progressing conditions of etching of the object M, and means 40 for calculating the etching distribution of the object M based on the observation results of the observing means 20 and setting etching conditions based on the etching distribution.例文帳に追加

被処理対象物Ｍに対し気相中において所定のエッチング処理条件によりエッチング処理するエッチング処理室１１と、被処理対象物Ｍのエッチング進行状況を観察する観察手段２０と、観察手段２０による観察結果に基づいて被処理対象物Ｍにおけるエッチング分布を算出し、当該エッチング分布に基づくエッチング処理条件を設定するエッチング処理条件設定手段４０とを有する。 - 特許庁

To provide a resist lower layer film material for a three-layer resist process having an optimal n-value and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching conditions and excellent embedding characteristics on a stepped substrate.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁