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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > いけぬしに関連した英語例文

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いけぬしの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11986



例文

ZnO系化合物半導体結晶の製造方法、及び、ZnO系化合物半導体基板例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF ZnO COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ZnO COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

Ag化合物およびZnO系酸化物を含有する、ZnO系p型半導体結晶。例文帳に追加

The ZnO-based p-semiconductor crystal contains an Ag compound and a ZnO-based oxide. - 特許庁

このn^+型の半導体領域NVkは、溝型の分離部3よりも深い位置まで延在されている。例文帳に追加

The n^+-semiconductor region NVk is extended up to a position deeper than the groove-type isolation part 3. - 特許庁

生化学処理装置、DNA増幅精製装置、該装置を含むDNA検査装置例文帳に追加

BIOCHEMICAL TREATMENT APPARATUS, DNA AMPLIFYING AND REFINING APPARATUS AND DNA INSPECTION APPARATUS CONTAINING THE SAME APPARATUS - 特許庁

例文

このn^+型の半導体領域NVkは、溝型の分離部3よりも深い位置まで延在されている。例文帳に追加

The n^+ type semiconductor region NVk is extended to a position deeper than the trench separated portion 3. - 特許庁


例文

物質担体は壁面に1〜2.5nmの径の開口を備えた内径が2〜5nmのナノ炭素を有する。例文帳に追加

A substance carrier has nanocarbon having an inner diameter of 2-5 nm and an opening having a diameter of 1-2.5 nm in a wall surface. - 特許庁

GaN系半導体結晶の製造方法およびGaN系半導体基材例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GaN-BASED SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR BASIC MATERIAL - 特許庁

米糠ペレットの製造方法及びこれに使用する米糠ペレットの成形装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING RICE BRAN PELLET AND RICE BRAN PELLET-MOLDING APPARATUS FOR USE IN THE METHOD - 特許庁

高強度高減衰能Fe−Mn−Cr−Ni合金、その製造方法及びその成形体例文帳に追加

HIGH-STRENGTH HIGH-DAMPING Fe-Mn-Cr-Ni ALLOY, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND FORMED BODY THEREOF - 特許庁

例文

Neisseria meningitidis血清型B(「MenB」)の独特なエピトープの分子模倣物を提供すること。例文帳に追加

To provide a molecular mimetic of a peculiar epitope of Neisseria meningitidis serotype B ([MenB]). - 特許庁

例文

水系中塗塗料を利用する樹脂鋼板一体塗装工法及び積層塗膜例文帳に追加

INTEGRAL COATING METHOD FOR RESIN-STEEL PANEL UTILIZING AQUEOUS INTERMEDIATE COATING PAINT AND LAMINATED COATING FILM - 特許庁

UTRANはこの測定結果に基づいてE−UTRANへのハンドオフを開始することができる。例文帳に追加

The UTRAN may initiate a handoff to the E-UTRAN on the basis of the measurement results. - 特許庁

切り抜き画像配置部204は、背景画像よりも奥の位置に、星型等の切り抜き画像を配置する。例文帳に追加

A clipping image arrangement part 204 arranges a star-shaped clipping image at a position deeper than that of the background image. - 特許庁

このn^+型の半導体領域NVkは、溝型の分離部3よりも深い位置まで延在されている。例文帳に追加

The n^+ type semiconductor region NVk is extended to a deeper position than the trench type isolation regions 3. - 特許庁

樹脂成形品の抜取り検査方法及びその方法を利用する抜取り検査装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR SAMPLING INSPECTION OF RESIN MOLDED ARTICLE - 特許庁

打ち抜き用刃型及びこれを用いたシート状成形品の打ち抜き加工方法例文帳に追加

PUNCHING BLADE DIE AND METHOD OF PUNCHING SHEET-SHAPED PRODUCT USING THE SAME - 特許庁

微細結晶粒の平均粒径は1nm以上50nm以下の範囲内に制御する。例文帳に追加

The average grain size of the fine crystal grains is controlled to 1-50 nm. - 特許庁

パルス用NbTi超電導多芯線およびパルス用NbTi超電導成形撚線例文帳に追加

NBTI SUPERCONDUCTING MULTI-CORE FOR PULSE, AND NBTI SUPERCONDUTING MOLDED STRANDED WIRE FOR PULSE - 特許庁

ポリエステル系発泡成形体を型抜き用成形体として用いることにより課題を解決した。例文帳に追加

A polyester-based foam molding is used as the molding for mold drawing. - 特許庁

NOx蓄積容量NOxCAP及及び還元率補正係数KPRがNOx除去処理で参照される。例文帳に追加

The NOx accumulation capacity NOxCAP and the reduction ratio correction coefficient KPR are referred to in the NOx removal process. - 特許庁

更に、硫酸化物は、SO_4に対するカウンターイオンが、NH_4、Al、Na、Mg、Ba、K、Ca、Fe、Li、Be、Zr、Cs、Ce、Ti、Mnである。例文帳に追加

Furthermore, in the sulfated product, counterions to SO_4 are NH_4, Al, Na, Mg, Ba, K, Ca, Fe, Li, Be, Zr, Cs, Ce, Ti, and Mn. - 特許庁

脆性材料で作られた被成形物2上に織布または不織布3を置いて、金型11のキャビティー内で被成形物2を直接挟むことなく、織布または不織布3上にゴムを射出により成形する。例文帳に追加

A fabric or nonwoven fabric 3 is placed on the object 2 to be molded formed from a fragile material, and rubber is molded on the fabric or nonwoven fabric 3 by injection without directly holding the object 2 to be molded in the cavity of the mold 11. - 特許庁

スイッチングトランジスタSnに対応して順次一次パルスBnを供給するシフトレジスタDFF−S/Rと、スイッチングトランジスタSnとシフトレジスタDFF−S/Rの間に介在して一次パルスBnを二次パルスΦnに整形する論理ゲート手段NORnとを備えている。例文帳に追加

Moreover, the device is provided with a shift register DFF-S/R which successively supplies primary pulses Bn according to the switching transistors Sn and logical gate means NORn, which are interposed between the shift register DFF-S/R and the transistors Sn and which shape waveforms of the primary pulses Bn to secondary pulse Φn. - 特許庁

同35年9月、河内国に派遣され、高石池や茅渟(ちぬ)池を始め多くの池溝を開く。例文帳に追加

In the ninth month of the 35th year of the same reign, Inishikiiribiko no mikoto was dispatched to Kawachi Province and he developed many irrigation ponds and ditches, including Takashi no ike Pond and Chinu no ike Pond.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置例文帳に追加

CONDITIONER FOR SEMICONDUCTOR POLISHING CLOTH, METHOD FOR MANUFACTURING CONDITIONER FOR SEMICONDUCTOR POLISHING CLOTH, AND SEMICONDUCTOR POLISHING APPARATUS - 特許庁

Ni−Co−Ga系またはCo−Ni−Ga系ホイスラー型磁性形状記憶合金およびその製造方法例文帳に追加

Ni-Co-Ga OR Co-Ni-Ga HEUSLER-TYPE MAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY AND MANUFACTURING METHOD - 特許庁

引抜き成形の開始段階における被成形管の断管を未然に防止することができる管の引抜き成形方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pultrusion method by which the breakage of a tube to be formed in the starting stage of pultrusion is prevented. - 特許庁

ZnTe系化合物半導体結晶において、ZnTe系化合物半導体層の上にn型CdSeとn型ZnTeとが積層されてなる超格子層またはZnCdSeTeの組成勾配層を含むn型コンタクト層を有するようにした。例文帳に追加

A ZnTe-based compound semiconductor crystal is constituted to have a superlattice layer, formed by laminating n-type CdSe and n-type ZnTe upon another or an n-type contact layer containing a ZnCdSeTe graded layer on a ZnTe-based compound semiconductor layer. - 特許庁

ポリゴンミラー5(反射鏡)は、その反射鏡の反射特性に寄与する金属膜の複素屈折率Nを、N(λ)=n(λ)−ik(λ)と定義したとき、k(λ)>√(−n(λ)^2+18n(λ)−1)を満足する反射鏡を用いた。例文帳に追加

A reflecting mirror, satisfying k(λ)>√(-n(λ)^2+18n(λ)-1) when the complex index of refraction N of a metal film contributing to the reflection characteristic of the reflection mirror, is defined as N(λ)=n(λ)-ik(λ), is used as a polygon mirror 5 (reflecting mirror). - 特許庁

NOx吸蔵触媒14がNOx吸蔵能力を有しないかまたは僅かなNOx吸蔵能力を有するにすぎないNOx吸蔵触媒の作動状態において、NOx吸蔵触媒上流側のNOx濃度に対する尺度NOxvKと、NOx吸蔵触媒下流側に配置されているNOxセンサから供給されるNOxセンサ信号との比較が実行される。例文帳に追加

In the operating state of the NOx storage catalyst 14 in which the catalyst has no NOx storage capacity or has a very small NOx storage capacity, a scale NOxvK to an NOx concentration on the upstream side of the NOx storage catalyst is compared with the NOx sensor signals supplied from the NOx sensor disposed on the downstream side of the NOx storage catalyst. - 特許庁

この方法により、押出し成型、加熱成型、溶融成型が可能なDNA組成物が提供される。例文帳に追加

By the method, the DNA composition enabling the extrusion molding, the hot forming and the melt forming is provided. - 特許庁

袋内に残った強酸性電解水2に新たな不織布又は布を浸すことにより、その布で衛生ケアを行ったり、手洗いなどもし得る。例文帳に追加

The non-woven fabric or a fabric immersed in the strongly acidic electrolyzed water 2 remaining in the bag can be used for sanitary care or washing hands or the like. - 特許庁

溶融固化装置2a〜2nを有する委託者A1〜Anはプラスチック廃棄物を所定のブロック3a〜3nに固化成形する。例文帳に追加

Entrusting persons A1 to An having melting and solidifying devices 2a to 2n solidify the plastic wastes into a prescribed blocks 3a to 3n. - 特許庁

リガンドは、mRNP複合体に存在するRNA結合タンパク質またはRNA会合タンパク質を特異的に結合する抗体を含む。例文帳に追加

Ligands includes antibodies specifically bining RNA-binding or RNA-associated proteins present in the mRNP complex. - 特許庁

被塗物に、ベースコート塗膜、上記硬化型溶剤系塗料を用いた塗膜を順次形成して成る。例文帳に追加

The laminated coating film is obtained by successively forming a base coat coating film and a coating film using the curable solvent-based coating material onto an article to be coated. - 特許庁

N^I はNa,KおよびLiからなる群のうちの少なくとも1種、M^V はNbおよびTaからなる群のうちの少なくとも1種を表す。例文帳に追加

The NI represents at least one kind selected from among a group of Na, K and Li, and the MV represents at least one kind selected from between the group of Nb and Ta. - 特許庁

この写真は、小学校の近くの池で私がカヌーをしている様子です。例文帳に追加

This picture is of me canoeing in a pond close to the elementary school.  - Weblio Email例文集

二段突きの突き出しピンを利用した射出成形におけるガス抜き装置例文帳に追加

DEGASSING DEVICE IN INJECTION MOLDING USING EJECTING PIN IN TWO STEPS - 特許庁

そして靴底2を射出成形した後、各布片6、7を切除する。例文帳に追加

After the injection molding of the sole 2, the clothes 6 and 7 are cut and removed. - 特許庁

絹製濾過材は、繭、絹繊維、絹布、絹の屑、絹ゲルといった絹材を、包材内に収容し、液体が前記包材内の絹材を通過することにより、液体内の金属類が前記絹材に吸着されて液体が濾過されるようにした。例文帳に追加

A filtering material made of silk is configured in such a manner that silk material such as cocoon, silk fibers, silk cloth, silk wastes, and silk gel is accommodated in a packaging material, a liquid passes through the silk material, and thereby the metals in the liquid are adsorbed by the silk material while the liquid is filtered. - 特許庁

多結晶体であって、Ni−Mn−Ga系合金の本来的な形状記憶効果を損なわずに脆さの改善を行うことができるNi−Mn−Ga系形状記憶合金とその製造方法とを提供すること。例文帳に追加

To provide a polycrystalline Ni-Mn-Ga series shape memory alloy in which brittleness can be improved without damaging the shape memorizing effect characteristic of an Ni-Mn Ga series alloy, to provide its production method. - 特許庁

GaN層2とGaN成長層3の格子定数が一致し、GaN成長層3はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層3が得られる。例文帳に追加

The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁

窯業系建築材7の表面側75に,下塗り層6,中塗り層5及び上塗り層4からなる塗膜3を形成してなり,塗膜3にレーザ照射により凹状マーク2が付されているマーク付建築材8である。例文帳に追加

The marked building material 8 is a ceramic building material 7 having formed on its front surface 75 a coating 3 comprising an undercoat layer 6, an intermediate coat layer 5 and a finish coat layer 4, with a recessed mark 2 provided on the coating 3 by the application of a laser beam. - 特許庁

積層塗膜は、硬化型水系非露出面用塗料を用い、被塗物に、ベースコート塗膜と硬化型水系非露出面用塗料を用いて形成した非露出面塗膜を順次形成して成る。例文帳に追加

A laminated film given by using the curing-type water-based non-exposed surface coating and sequentially forming a base coat film and a non-exposed surface film which is formed by using the curing-type water-based non-exposed surface coating on a coated material. - 特許庁

自動車の室内等において布と共に樹脂成形品を使用する場合、布が持つ暖かみ等を損ねることのない、布に類似した深み感、ソフト感が得られる布調樹脂成形品を提供することである。例文帳に追加

To provide a cloth-like molded resin article which, when used together with cloth in an automobile room, provides feelings of deepness and softness similar to those of cloth without detriment to the warmness, or the like, inherent in cloth. - 特許庁

積層塗膜は、硬化型溶剤系非露出面用塗料を用い、被塗物に、ベースコート塗膜と硬化型溶剤系非露出面用塗料を用いて形成した非露出面塗膜を順次形成して成る。例文帳に追加

A laminated film given by using the curing-type solvent-based non-exposed surface coating and sequentially forming a base coat film and a non-exposed surface film which is formed by using the curing-type solvent-based non-exposed surface coating on a coated material. - 特許庁

検出入力ノードNA,NBは電圧検出部20によって基準電位Vmに保持されており、入力抵抗RIk,RIk−1には電圧入力ノードNCk,NCk−1の電圧に応じた電流Ina、Inbが流れる。例文帳に追加

The detection input nodes NA and NB are held at a reference potential Vm by a voltage detection section 20, and currents Ina and Inb in response to the voltages of the voltage input nodes NCk and NCk-1 flow in input resistors RIk and RIk-1. - 特許庁

電気化学的二本鎖DNA検出試薬としての新規インターカレータ例文帳に追加

NEW INTERCALATOR AS ELECTROCHEMICAL DOUBLE-STRANDED DNA DETECTION REAGENT - 特許庁

他方、CONSTANS遺伝子とEARモチーフのDNA配列とを含むキメラ遺伝子を含むベクターを、植物に塊茎形成を抑制するための塊茎形成抑制ベクターとして使用する。例文帳に追加

On the other hand, a vector containing a chimera gene containing CONSTANS gene and the DNA sequence of EAR motif is used as a tuber formation-inhibiting vector for inhibiting the tuber formation in the plant. - 特許庁

例文

織機に供給する緯糸を巻付け貯留する緯糸巻付け体と、前記緯糸を前記緯糸巻付け体に案内する緯糸案内経路と、該緯糸案内経路に設けられた複数の糸ガイドとを備えた緯糸貯留装置において、前記糸ガイドのうち少なくとも入口ガイドおよび出口ガイドの緯糸と接する表面をダイヤモンドライクカーボンで被覆したことを特徴とする緯糸貯留装置。例文帳に追加

In this weft storing apparatus equipped with a weft-winding body for winding and storing weft fed to a loom, a weft guiding pathway for guiding the weft to the weft-winding body and plural yarn guides provided in the weft guiding pathway, the surface which comes in contact with weft of at least inlet guide and outlet guide among above yarn guides is coated with diamond-like carbon. - 特許庁

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