「けいかもりぶでん」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、センスアンプ８がメモリセルのデータ出力を確定した後で、かつ、アクティブレベルの電圧を印加してから所定周期が経過する以前に、ワード線ＷＬＣの電圧をノンアクティブレベルとする。例文帳に追加

And after a sense amplifier 8 decides data output of a memory cell and before the prescribed period elapses after voltage of an active level is applied, voltage of the word lines WLC is made to a non-active level. - 特許庁

１５００Ｋ〜２５００Ｋの高温下において、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデン（４）、および、窒素（５）を、多層カーボンナノチューブ（２）に反応させ、配向性を有する多層窒化ホウ素ナノチューブを生成する。例文帳に追加

The multilayer boron nitride nanotube having the orientation property is produced by reacting boron oxide, copper oxide, molybdenum oxide (4) and nitrogen (5) with a multilayer carbon nanotube (2) at a high temperature of 1,500-2,500°K. - 特許庁

アモルファスシリコン系の感光体と磁気ブラシ接触帯電装置を用いた画像形成装置において、画像露光時の光メモリーを防止し、且つ、磁気ブラシ端部からの感光体へのキャリア付着を防止する。例文帳に追加

To provide an image forming device in which an amorphous silicon photoreceptor and a magnetic brush contact electrifying unit are used, the light to be used when an image is exposed is prevented from being memorized and carriers are prevented from being stuck from the tip of a magnetic brush to the photoreceptor. - 特許庁

経路切替部６５は、通常モードから省電力モードへの切替時に、制御部４１の制御に応じて、外部メモリ３４への第１アクセス経路Ｇ１を第２アクセス経路Ｇ２，Ｆ２に切替えることによって、通常モードにおいて外部メモリ用のアドレスがマッピングされていたアドレス空間を、内部メモリ用のアドレス空間に切替る。例文帳に追加

In switching from the normal mode to a power saving mode, the route switching part 65 switches a first access route G1 to the external memory 34 to the second access routes G2, F2 in accordance with control of the control part 41 to switch an address space in which an address for the external memory 34 is mapped in the normal mode to an address space for the internal memory 44. - 特許庁

垂直方向の電気的アイソレーショントレンチにより互いに分離され、かつサポート回路から分離されている個々のメモリセルペアを有する半導体ボディに形成されたダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a dynamic random access memory formed at a semiconductor body comprising individual paired memory cell separated each other by a vertical electric isolation trench and separated from a support circuit. - 特許庁

本発明に係る携帯電話機は、キー操作により入力されて文章の一部として利用された文字列を過去の利用回数と共に蓄積するメモリと、該メモリの動作を制御する制御回路とを具えている。例文帳に追加

The portable telephone set of this invention is provided with a memory that stores character strings entered by key operations and having been used as part of a sentence in cross-reference with number of past utilized times and a control circuit that controls the operation of the memory. - 特許庁

予め外部装置２０から、携帯電話４０を遠隔操作することが可能な携帯電話３０のメモリ３３に通信試験用プログラムをアップロードする。例文帳に追加

A communication test program is uploaded to a memory 33 of a mobile phone 30 which can perform remote operation of a mobile phone 40 in advance from an external device 20. - 特許庁

携帯電話Ｂでは、携帯電話Ａからの名刺データを赤外線を媒体として受信すると、名刺データをメモリに記憶し、確認信号を赤外線を媒体として赤外線発光部から送信させる。例文帳に追加

In a portable telephone B, when the card data from the portable telephone A are received while using infrared rays as a medium, the card data are stored in a memory and a confirmation signal is transmitted from an infrared light emitting part while using infrared rays as a medium. - 特許庁

不揮発性メモリのセルアレイと周辺回路部の高電圧系回路と低電圧系回路の各領域のトランジスタのゲート絶縁膜の製造工程数を削減し、各領域のトランジスタの機能を向上させる。例文帳に追加

To improve the function of each of transistors in the cell array of a nonvolatile memory and in a high voltage circuit and the low voltage circuit of a peripheral circuit section, by reducing the number of manufacturing processes of a gate insulation film of the transistor in each region. - 特許庁

本発明に係る移動通信端末装置としての携帯電話機１００は、ＴＲＸ部（送受信部）１と、暗証番号照合部２と、電話帳メモリ３と、検索部４と、通知部５と、を有して構成される。例文帳に追加

A portable telephone set 100 as the mobile communication terminal device is provided with a TRX part (transmission/reception part) 1, a password number collation part 2, a telephone directory memory 3, a retrieval part 4, and a report part 5. - 特許庁

ピーク検出器９は、位置カウンタ１３がスペクトル拡散符号の１周期分、クロックパルスを計数する時間内で、電流合成回路５が出力する合成電流値が、電流メモリ１０に記憶されていたそれ以前の合成電流値の最大値よりも大きい場合に、電流メモリ１０の記憶電流値を更新するとともに、そのときの計数値を位置出力部１４に出力する。例文帳に追加

A peak detector 9 updates a stored current in a current memory 10 when a resultant current outputted from a current suming circuit 5 is greater than a maximum value of the preceding resultant current stored in the current memory 10 within a time when a position counter 13 counts a clock pulse by one period of a spread spectrum code and provides the output of the count at that time to a position output section 14. - 特許庁

メモリセルトランジスタの素子分離絶縁膜をメモリセル一つおきに、消去ゲート電極の下にのみ形成したフローティングゲート型半導体記憶装置において、フローティングゲート電極やコントロールゲート電極パターン形成時のフォーカスマージンの確保を容易にする。例文帳に追加

To easily ensure a focus margin, when forming a floating gate electrode pattern and a control gate electrode pattern in a floating gate type semiconductor memory device, in which an element isolation insulating film of a memory cell transistor is formed every other memory cell only under an erasing gate electrode. - 特許庁

基体２上に少なくとも下部電極８と強誘電体膜９と上部電極１０とを有してなる強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を酸素雰囲気下にてアニール処理する工程と、を備えた強誘電体メモリ装置の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of a ferroelectric memory device comprises: a process for forming the ferroelectric capacitor 3, having at least a lower electrode 8, a ferroelectric film 9, and an upper electrode 10, on a substrate 2; and a process for annealing the ferroelectric capacitor 3 under an oxygen atmosphere. - 特許庁

（Ａ）特定の構造を有する亜鉛ジチオホスフェート、（Ｂ）特定の構造を有する硫化（オキシ）モリブデンジチオカーバメート、（Ｃ）特定の有機モリブデン化合物、および（Ｄ）アミン系酸化防止剤を配合することを含有するエンジン油組成物。例文帳に追加

This engine oil composition is characterized by containing (A) a zinc dithiophosphate having a specific structure, (B) a (oxy)molybdenum sulfide dithiocarbamate having a specific structure, (C) a specific organic molybdenum compound, and (D) an amine-based anti-oxidizing agent. - 特許庁

球座部６０の最内周面には二硫化モリブデン皮膜６６が形成されており、ジョイント５７と球座部６０との間に潤滑油４４が十分に至らない運転初期には両者が二硫化モリブデン皮膜６６の滑り特性によって潤滑される。例文帳に追加

In this compressor, a molybdenum desulfide film 66 is formed on the innermost peripheral surface of the spherical seat part 60 so that both a joint 57 and the spherical seat part 60 can be lubricated by the sliding characteristics of the molybdenum desulfide film 66 in the beginning of the operation at which a lubrication oil 44 does not reach between the joint 57 and the spherical seat part 60. - 特許庁

また、メモリ部３に、メッセージや電話番号の入力時刻を併せて登録するとともに、タイマ管理部６によって入力時刻を管理させ、所定時間が経過すると、制御部２により、メモリ部３に登録されているメッセージや通知先相手の電話番号を表示部５に表示させるようにする。例文帳に追加

In the memory part 3, the input time data of the messages and telephone numbers are registered together, a timer control part 6 controls the input time, and the control part 2 displays the message and the telephone number of the notification destination registered in the memory part 3 at the display part 5 after the elapse of a specific period. - 特許庁

フラッシュメモリ１に設けられた内部電源電圧ＶＤＤＰを生成する降圧電源部８は、外部から電源電圧ＶＣＣとして、３．３Ｖ程度が供給された場合、通常動作時は、第１降圧電源回路１９によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。例文帳に追加

A step-down power supply part 8 for generating an internal power source voltage VDDP provided in a flash memory 1 outputs the internal power supply voltage VDDP to a control system circuit 5 by a first step-down power supply circuit 19 in a normal operation mode when about 3. 3V is supplied from the outside as a power supply voltage VCC. - 特許庁

Ｓｉ電子デバイスとのカップリングの相性が良くて、結晶性も良好な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a nitride III-V compound semiconductor device easy to couple with an Si electronic device and also having an excellent crystallizability, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

下部電極２１と、下部電極上に形成されたＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯまたはＩＴＯのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層２２と、中間層上に形成されたＮｉＯ層２３と、ＮｉＯ層上に形成された上部電極２４とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。例文帳に追加

The non-volatile memory element contains a variable resistance substance and includes a lower electrode 21, an intermediate layer 22 which is formed on the lower electrode and is composed of one substance selected among HfO, ZnO, InZnO or ITO, an NiO layer 23 formed on the intermediate layer, and an upper electrode 24 formed on the NiO layer. - 特許庁

メモリストリングＭＳは、柱状部３５ａを有するＵ字状半導体層３５と、柱状部３５ａの側面を取り囲むように形成されたメモリゲート絶縁層３４と、メモリゲート絶縁層３４を取り囲むように形成されたワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを備える。例文帳に追加

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a; a memory gate insulating layer 34 formed while surrounding the side of the columnar section 35a; and word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the memory gate insulating layer 34. - 特許庁

周波数計算部１４は、ビットストリームメモリ１０に残っているデータの残量から、クロック周波数を計算し、クロック・電源電圧制御部１６がその周波数のクロックと、その周波数に対応する電源電圧を設定して、エントロピーデコード部１１を駆動する。例文帳に追加

A frequency calculation part 14 calculates a clock frequency from a remaining data amount remaining in a bit stream memory 10, while a clock-power source voltage control unit 16 sets a clock of the frequency and power source voltage corresponding to the frequency and drives an entropy decode part 11. - 特許庁

従来のモリブデン酸塩系赤外発光蛍光体とほぼ同様な励起波長および発光波長を持ちつつ、かつ発光強度が高く、耐水性にも優れた赤外発光蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide an infrared light-emitting fluorescent material which has high emission intensity and also excellent water resistance while having an excitation wavelength and an emission wavelength nearly equal to those of a conventional molybdate-based infrared light-emitting fluorescent material. - 特許庁

金属モリブデン粉末、モリブデン化合物、金属タングステン粉末及びタングステン化合物から選ばれた少なくとも一種の成分と金属コバルト粉末及びコバルト化合物から選ばれた少なくとも一種の成分を含む混合物を支持体に塗布するか、或いは該混合物を圧縮成形した後、還元性雰囲気下で焼結させることを特徴とするアルカリ二次電池用負極材料の製造方法。例文帳に追加

A support is coated with a mixture, containing at least one kind of component selected from among a metal molybdenum powder, molybdenum compound, metal tungsten powder and tungsten compound and at least one kind of component selected in the metal cobalt powder and the cobalt compound, or the mixture is compressed for forming, and sintered in the reduced atmosphere. - 特許庁

１００℃における動粘度が３.６mm^2/s以下、粘度指数が１３０以上のエステル系基油を主成分とし、炭素数６〜１０個のアルキル基及び／又はアルケニル基を有するモリブデンジチオカーバメイトを、全量基準でモリブデン量として０.０３質量％以上含有するエンジン油組成物。例文帳に追加

The engine oil composition uses the ester based base oil having ≤3.6 mm^2/s kinematic viscosity at 100°C and a viscosity index of ≥130, as a main component, and contains ≥0.03 mass% molybdenum dithiocarbamate having a 6-10C alkyl and/or alkenyl group, as an amount of molybdenum based on the total amount. - 特許庁

モリブデン−ビスマス−鉄系複合酸化物触媒の存在下でプロピレンを気相酸化してアクロレインおよびアクリル酸を製造する方法において、モリブデン成分の昇華を抑制して、長期にわたり安定して、かつ高収率でアクロレインおよびアクリル酸を製造する。例文帳に追加

To provide a method for producing acrolein and acrylic acid by oxidizing propylene in the presence of a molybdenum-bismuth-iron based composite oxide catalyst in a gas phase, by which the acrolein and the acrylic acid can stably be produced in high yields over a long period in a state depressing the sublimation of the molybdenum component. - 特許庁

不揮発性メモリセル（６０）は半導体基板（１０）中に形成された、ソース／ドレイン領域（４０ａ、４０ｂ）と、第１部分、第２部分及び第３部分からなるチャンネル領域（７０）と、ゲート電極（５４）と、電荷を蓄積するための導電性又は非導電性の浮遊ゲート（３６ａ、３６ｂ）とを持つ。例文帳に追加

The nonvolatile memory cell (60) has source/drain regions (40a, 40b), a channel region (70) consisting of a first part, a second part and a third part, a control gate electrode (54), and first and second conductive or nonconductive floating gates (36a, 36b) for storing charges formed in a semiconductor substrate (10). - 特許庁

人物紹介サーバ５は、上記セットを携帯メモリ電話帳ＤＢ７に格納し、ユーザに所望の要求人物条件が入力されたら、メモリ電話帳に記録されている登録電話番号を用いて、メモリ電話帳ＤＢ７及び個人情報ＤＢ１１内での検索範囲をそのユーザの知り合いやその知り合いに関連した人物に限定し、要求人物条件を持つような人物の検索を行う。例文帳に追加

The server 5 stores the set in the telephone diary DB7, if conditions of requested person desired by the user are inputted, by using registered telephone numbers recorded in the memory telephone diary, the searching extent in the telephone diary DB7 and the personal information BD11 is limited within acquaintances of the user and the persons related to the acquaintances to search the persons who match with the conditions of requested person. - 特許庁

本装置は、隣接するワード線対ＷＬｋ、ＷＬｋ＋１に電圧を印加して第１のカラム対のメモリセルを駆動し、隣接するワード線対ＷＬｋ＋１、ＷＬｋ＋２に電圧を印加して第１のカラム対に隣接する第２のカラム対のメモリセルを駆動するロウデコーダを備えている。例文帳に追加

The device is further provided with a row decoder that drives the memory cells of a first pair of columns by applying voltages to a pair of adjoining word lines WLk and WLk+1 and drives the memory cells of a second pair of columns adjoining the first pair of columns by applying voltages to a pair of adjoining word lines WLk+1 and WLk+2. - 特許庁

メモリトランジスタの不純物拡散層の上面にシリサイド層を形成することなく、メモリトランジスタのゲート電極の上面にシリサイド層を形成できるようにする。例文帳に追加

To form silicide layers on the top surfaces of memory transistor gate electrodes without forming a silicide layer on the top surface of a memory transistor impurity-diffused layer. - 特許庁

スイッチング素子及びそれに連結されたストレージノードを備える相変化メモリ素子において、ストレージノードは、下部電極と、下部電極上に形成された相変化層と、相変化層の上部に形成された物質層と、物質層周囲の相変化層上に備えられた上部電極と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子を提供する。例文帳に追加

The phase change memory device includes: a switching device and a storage node coupled therewith, wherein the storage node includes a lower electrode; a phase change layer formed on the lower electrode; a material layer formed on the upper of the phase change layer; and an upper electrode provided on the phase change layer surrounding the material layer. - 特許庁

本発明によるプリント回路用銅箔は、製箔工程を経た銅箔の表面に銅ノジュール層を形成する段階と、前記銅ノジュール層上にモリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン（Ｍｏ）合金をメッキしてバリア層を形成する段階と、を含む方法で表面処理されることを特徴とする。例文帳に追加

The copper foil for the printed circuit is surface-treated by the method including a stage of forming a copper nodule layer on a surface of a copper foil after a foil forming stage, and a stage of forming a barrier layer by plating the copper nodule layer with molybdenum (Mo) or Molybdenum (Mo) alloy. - 特許庁

第１の導電膜における開口部の形成は、第１の導電膜における開口部形成後の残存部分が、メモリセルアレイ形成領域の外部領域に位置する半導体基板中の活性領域上にて、活性領域と電気的に接続されるように形成された第２の導電膜と接続されるように行なわれる。例文帳に追加

In formation of the opening in the first conductive film, a remaining part after the opening in the first conductive film is formed is connected to the second conductive film formed to be electrically connected to an active region on the active region in a semiconductor substrate positioned in a region outside the memory cell array forming region. - 特許庁

メモリセルトランジスタＭＴｒは、Ｐ型半導体基板１０の上方に形成され且つ電荷を蓄積する電荷蓄積層２３と、電荷蓄積層２３の上方にブロック絶縁層２４を介して形成された半導体層２５と、半導体層２５の上面に形成されたシリサイド層２６とを備える。例文帳に追加

The memory cell transistor MTr includes: a charge storage layer 23 provided above a P-type semiconductor substrate 10 and storing the electric charge: a semiconductor layer 25 formed on a top surface of the charge storage layer 23 via a block insulating layer 24; and a silicide layer 26 provided on the upper surface of the semiconductor layer 25. - 特許庁

一つ以上の実施形態においては、消去制御部は、ウェル内に形成されたトランジスタによって形成されるｐｎ接合のブレイクダウンを回避する方法で、メモリセルを消去するためウェルに対して電圧を印加する。例文帳に追加

In one or more embodiments, the erase control unit applies voltage to the well to erase the memory cells in a manner that breaking down of p-n junction formed by transistors fabricated in the well is avoided. - 特許庁

カーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデンの混合物を窒素気流中、１８００Ｋ〜２２００Ｋの温度範囲で約２０〜４０分間保持する。例文帳に追加

A mixture of a carbon nanotube, boron oxide, copper oxide, and molybdenum oxide is kept at 1,800-2,200 K in a nitrogen gas flow for about 20-40 min. - 特許庁

森村組にいたのを、伝三郎に呼ばれ、小坂鉱山に赴任、新技術を導入して、藤田組の経営立て直しに功があった。例文帳に追加

When he was working for Morimura Gumi, he was invited by Denzaburo to go to a new post at the Kosaka Mine, where he introduced new technology and contributed to the reconstruction of Fujita Gumi.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

タングステン系金属としてはタングステン金属、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド、窒化タングステン、モリブデンタングステンなどである。例文帳に追加

The tungsten-based metal is tungsten metal, a titanium tungsten alloy, a tungsten silicide, a tungsten nitride, molybdenum tungsten. - 特許庁

原子力燃料再処理プロセスにおいては、主たるスラッジ化学形態がモリブデン酸ジルコニウム（Ｚｒ（ＯＨ）_２Ｍｏ_２Ｏ_７（Ｈ_２Ｏ）_２）である。例文帳に追加

A main sludge chemical form in a nuclear fuel reprocessing process is zirconium molybdate Zr(OH)2Mo2O7(H2O)2. - 特許庁

セラミックヒータ１０の抵抗体インク２０をタングスタンとモリブデンとを混合して形成する。例文帳に追加

This ceramic heater 10 is constituted in such a way that resistance body ink 20 is formed by mixing tungsten and molybdenum. - 特許庁

炭素繊維の含有量を低減しながらも、良好な熱伝導性と成形加工性を持つ樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition with good thermal conductivity and good molding processability while reducing the content of carbon fiber. - 特許庁

電荷トラップメモリセルの構造は、従来とは異なり、アクティブ領域に複数層のドーピング層を適切に形成したことにその特徴がある。例文帳に追加

In the structure of the charge trap memory cell, multi-doped layers are appropriately formed in the active region unlike the conventional structure. - 特許庁

低いフォーミング電圧により抵抗部を形成し、抵抗変化素子およびその他の素子の信頼性を向上する半導体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device that forms a resistance part by a low forming voltage, and improves the reliability of a resistance change element and the other elements. - 特許庁

内部に形成されるキャパシタの特性を向上することができる強誘電体メモリ等の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device such as a ferroelectric memory in which an internally formed capacitor is improved in characteristics. - 特許庁

結晶質物質を含むように形成された電荷トラップ層を備える不揮発性メモリ素子である。例文帳に追加

A nonvolatile memory element is provided with a charge trap layer formed in such a manner that it includes a crystalline material. - 特許庁

半導体記憶装置のメモリブロック終端における強誘電体キャパシタの形状および特性を向上させる。例文帳に追加

To improve the shape and characteristics of a ferroelectric capacitor at the terminal end of a memory block in a semiconductor memory device. - 特許庁