「けいかもりぶでん」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

この画素電極と共通電極との形状が近似し、この画素電極と共通電極が互いに平行とされ、しかも、両者が全部滑らかな曲線になっている。例文帳に追加

Figures of the pixel electrodes and the common electrodes are approximated, and the pixel electrodes and the common electrodes are arranged parallel to each other, with all of them formed into smooth curves. - 特許庁

次にこの半導体の柱状部２にチャネル部を持つ縦型電界効果トランジスタを作成することにより、縦型電界効果トランジスタ上に自己整合的に強誘電体メモリセルを形成する。例文帳に追加

Then, a vertical field effect transistor having a channel part is formed at the semiconductor columnar part 2 so that a ferroelectric memory cell can be formed so as to be self-aligned on the vertical field effect transistor. - 特許庁

制御装置１３の振動制御部１３ｅは、乗りかごのかご位置や荷重値をもとに、動吸振器おもりの振動数が振動系の現在の固有振動数と一致するか近い値となるように、蓄電装置１１に蓄電された電力をアクチュエータ１０に放電する。例文帳に追加

A vibration control part 13e of a control device 13 discharges the electric power stored in the electrical storage device 11 to the actuator 10 so that a frequency of a weight of a dynamic vibration absorber coincides with a present natural frequency of a vibration system or becomes a near value based on a car position and a load value of the car. - 特許庁

極細導電繊維を含有する熱可塑性樹脂組成物を通常の射出成形条件で成形しても、良好な表面抵抗率を有する導電性射出成形体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a conductive injection-molded article having good surface resistivity even when a thermoplastic resin composition containing extra fine conductive fibers is molded in a usual extrusion molding conditions. - 特許庁

フローティングゲート用導電膜の表面に保護膜を形成し、素子分離膜の形成およびエッチング工程を行うことにより、導電膜の損失を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a formation method of flash memory element which can suppress loss of a conductive film by forming a protective film on the surface of a conductive film for floating gate and then forming and etching an element isolation film. - 特許庁

中央制御部２は記憶部３内のグループ情報メモリー３３と時計４の情報をもとに、鳴動する電話機グループ８ａを記憶部３から読み出し、時分割スイッチ６と電話機インタフェース部７を操作する。例文帳に追加

The central control part 2 reads a telephone ringer set group 8a from a storage part 3 based on the information of a group information memory 33 in the storage part 3 and a clock 4, and operates a time-division switch 6 and a telephone set interface part 7. - 特許庁

電源電圧が所定値Ｖｄｏｗｎを下回った場合には、ＤＤＲインタフェースのＣＫＥピンを利用して強誘電体メモリに電源ダウンの通知が行われる。例文帳に追加

When a source voltage is less than a predetermined value V down, power-interruption notification is transmitted to the ferroelectric memory by using a CKE pin of a DDR interface. - 特許庁

モリブデン等の端子等の表面に生じた酸化膜を容易に除去でき、端子と電子部品等との電気的接続の信頼性を向上させ、製造コストを軽減できる電気光学装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an electrooptical device capable of easily removing oxide film of molybdenum or the like produced on the surface of a terminal or the like, enhancing reliability of electric connection between the terminal and electronic components or the like, and reducing manufacturing cost. - 特許庁

容量素子は、制御ゲート電極ＣＧと同層のシリコン膜で形成された下部電極と、絶縁膜５と同層の絶縁膜で形成された容量絶縁膜と、メモリゲート電極ＭＧと同層のシリコン膜で形成された上部電極とを有している。例文帳に追加

The capacitative element includes: a lower electrode formed of a silicon film of the same layer as the control gate electrode CG; a capacitative insulator film formed of the insulator film of the same layer as the insulator film 5; and an upper electrode formed of the silicon film of the same layer as the memory gate electrode MG. - 特許庁

携帯電話機１００は、コントローラ１１０６、ディスプレイ１１１０、キー操作部１１０８、メモリ１２３０、メモリカード１１０および再生系回路を含む。例文帳に追加

A portable telephone set 100 includes a controller 1106, a display 1110, a key operation part 1108, a memory 1230, a memory card 110 and a reproduction system circuit. - 特許庁

素子形成面積の増加を抑制し、ビットライトディセーブル時の消費電力を低減し、メモリ設計時間を短縮できる半導体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory in which increment of element forming area can be suppressed, power consumption when bit-write disable can be reduced, and a memory design time can be shortened. - 特許庁

傾斜機能材料からなる閉塞体４の導電性部分の外周面には、モリブデン又はタングステンからなるクリップ状外部端子８が被冠されている。例文帳に追加

The outer surface as a metal part of the blocking body made of a functionally gradient material is covered by a clip-like external terminal 8, made of molybdenum or tungsten. - 特許庁

下部電極と、下部電極上に形成されて２種以上の抵抗パターンを示す第１抵抗層と、第１抵抗層上に形成され、スレショルドスイッチング特性を持つ第２抵抗層と、第２抵抗層上に形成された上部電極と、を備える二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory device including two kinds of resistors comprises a lower electrode, a first resistance layer exhibiting at least two resistance patterns formed on the lower electrode, a second resistance layer having threshold switching characteristics formed on the first resistance layer, and an upper electrode formed on the second resistance layer. - 特許庁

更に、各錘部１４の表裏に形成された電極膜と、各電極膜の少なくとも一部に設けられた無電極部１８と、を有している。例文帳に追加

In addition, the piezoelectric vibration element 1 has electrode films which are formed on front and rear surfaces of the respective weights 14 and no-electrode parts 18 which are provided on at least a part of respective electrode films. - 特許庁

各種盤用部材を適宜取り付けることができて、特殊仕様の分電盤や制御盤を短時間に設計あるいは見積もり可能とする盤用部材取付具を提供すること。例文帳に追加

To provide a fixture for a panel member capable of optionally mounting various kinds of panels, or designing a cabinet panel in special specifications and estimating its cost in a short time. - 特許庁

回転錘の有無にかかわらず、外部操作部材を通じて内部に進入した静電気に対する耐静電気特性に優れ、かつコスト高を引き起こすことのない時計を提供すること。例文帳に追加

To provide a timepiece having excellent static electricity resistance characteristic to static electricity entering the inside through an external operation member regardless of existence of an oscillating weight, and capable of preventing cost increase. - 特許庁

トナー担持体と静電潜像保持体との当接部分における機械的な変動による画像の濃度むら、かぶり及び乱れの発生を防止し、高解像度の画像形成時にも良好な画質の画像を形成する。例文帳に追加

To prevent the occurrence of uneven density, fogging and irregularities in an image due to a mechanical fluctuation at a contact part between a toner carrier and an electrostatic latent image holding body, and to form an image of good quality even at the time of forming an image of high resolution. - 特許庁

この場合、判定部４１は、擬似ノイズ信号の発生時刻から相互相関値にそれらのピークが出現するまでの経過時間と、伝搬時間メモリ３９に記憶されたスピーカ１１−ｋごとの音の伝搬時間ｔ_ｋとを比較することにより、放音されていないスピーカ１１−ｋを決定する。例文帳に追加

In this case, the determination unit 41 determines a speaker 11-k which does not sound by comparing elapsed times from the generation time of the pseudo noise signal to appearance of the peaks in the value of cross correlation with propagation time t_k of sounds by the speakers 11-k which are stored in a propagation time memory 39. - 特許庁

制御部１５０は、充電装置接続検出手段６が携帯電話端末１００の充電装置２００への接続を検出したタイミングで、時計機能部５からの現在時刻を検出し、これを充電開始時刻として制御部１５０のメモリに蓄積する。例文帳に追加

A controlling part 150 detects the present time from a clock functioning part 5 at timing when a charging device connection detecting means 6 detects that the portable telephone terminal 100 is connected to a charging device 200 and stores the present time as charging start time in the memory of the controlling part 150. - 特許庁

フィールド酸化膜１５上において、トレンチ部と自己整合させながら容量素子部の下部電極２０を形成することにより、下部電極２０とメモリセル部の浮遊ゲート電極６０とを同一工程で同時に形成できるようにする。例文帳に追加

By forming a lower electrode 20 of a capacitive element section self-alignedly with a trench section on a field oxide film 15, the lower electrode 20 and a floating gate electrode 60 of a memory cell section can be formed simultaneously in one and the same process. - 特許庁

二電子積分項数見積り部３は、計算対象分子の形状パターンおよび総原子軌道数と、二電子積分項に対するカットオフ値とに基づいて、演算結果を記憶資源に格納する二電子積分項の項数を見積もる。例文帳に追加

A number of bielectronic integrating term estimation part 3 estimates the number of the bielectronic integrating terms whose arithmetic results are stored in a storage resource based on the shape pattern of the computation object molecule and the number of total atomic orbits and a cut-off value for the two electronic integrating terms. - 特許庁

層間絶縁膜５の形成工程以前で異物が付着すると、その部分が盛り上がるので、チェック用電極パターン７ａ，７ｂの形成時にパターン形成が失敗しショートする。例文帳に追加

When contamination is adhered before the step of forming the film 5, its part is raised, and hence a pattern formation is failed to be short-circuited when forming the checking patterns 7a, 7b. - 特許庁

次に、第１のドライエッチングによってメモリセルアレイ形成領域におけるワード線が互いに離間して配置されるように、第１の導電膜に開口部を形成した後、開口部にワード線の側壁絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An opening is formed in the first conductive film so that the word lines in the memory cell array forming region are separated and arranged by first dry etching, and the side wall insulating film of the word lines is formed in the opening. - 特許庁

アース経路を形成する導電性ブラシのブラシ毛が感光体素管とフランジとの間に挟まった状態でもリークを防止できる画像形成装置の提供を目的としている。例文帳に追加

To provide an image forming device capable of preventing leak even in a state where the bristles of a conductive brush forming a ground path are caught in space between a photoreceptor pipe stock and a flange. - 特許庁

画像情報に基づいて画素ごとに外部電界をかけることで、強誘電体の双極子の向きが変わり、画像情報がメモリ層２にデジタルデータとしてして記憶されるとともに、メモリ層２の強誘電体により形成された電界により可視層３に画像が表示される。例文帳に追加

An external electric field is applied to every pixel from image information to alter a direction of a dipole of the ferroelectric material, where the image information is stored as digital data in the layer 2, and the image is displayed on the layer 3 by an electric field formed of the ferroelectric material of the layer 2. - 特許庁

強誘電体メモリ装置は、ｐ型半導体基板１上に、下部電極１０、ペロブスカイト型結晶構造を持つ強誘電体膜からなる容量絶縁膜１１及び上部電極１２がこの順に積層して形成された強誘電体キャパシタを備えている。例文帳に追加

The ferroelectric memory includes a ferroelectric capacitor on which a lower electrode 10, capacitance insulation film 12 composed of the ferroelectric film with a perovskite-type crystal structure, and an upper electrode 13 are formed to be laminated in this order on a p-type semiconductor substrate 1. - 特許庁

ガラス基板１０上に絶縁膜１１を介して形成された多結晶シリコン膜１２と、多結晶シリコン膜１２上に形成されたシリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３上に形成されたモリブデン電極１５を備えた薄膜トランジスタにおいて、シリコン酸化膜１３とモリブデン電極１５との間に、タンタルからなる反応防止膜１４を介在させた。例文帳に追加

A thin film transistor is equipped with a polycrystalline silicon film 12 formed on a glass substrate 10 through the intermediary of an insulating film 11, a silicon oxide film 13 formed on the polycrystalline silicon film 12, and a molybdenum electrode 15, where a reaction stop film 14 of tantalum is interposed between the silicon oxide film 13 and the molybdenum electrode 15. - 特許庁

スパッタ係数の小さいモリブデン、タングステンまたはこれらのニッケル合金を基材１０とし、この表面に二次電子放出係数が大きい金属酸化物１２を点在化させる。例文帳に追加

A molybdenum, tungsten or nickel alloy having a small spatter coefficient is used as a base material 10, and a metal oxide 12 having a large secondary electron emission coefficient is scattered on the surface thereof. - 特許庁

ソース及びドレイン電極をモリブデンで形成して工程時間を短縮し、テスト配線をゲート物質で形成することにより、乾式エッチングの間テスト配線が断線されないようにしてテスト誤りを防止する。例文帳に追加

To prevent a test wire from being broken during dry etching and to prevent a test error by shortening a process time by forming source and drain electrodes of molybdenum and forming the test wire of a gate substance. - 特許庁

携帯電話Ａの制御部では、その赤外線受光部を通して携帯電話Ｂからの名刺データを赤外線を媒体として受信して、メモリに記憶する。例文帳に追加

In the control part of the portable telephone A, the card data from the portable telephone B are received through an infrared light receiving part thereof while using infrared rays as a medium and stored into the memory. - 特許庁

ホスト電子装置の中央演算装置が転送割り込みを検知し、応答的に手動部分転送オペレーションを調整し、ビデオ・メモリから転送矩形の矩形データをホスト電子装置のディスプレー装置に転送する。例文帳に追加

A central processing unit of a host electronic device detects the transfer interrupt and responsively adjusts the manual partial transfer operation and transfers a rectangle data of the transfer rectangle from the video display to the display device of the host electronic device. - 特許庁

メモリセル列に対応して電源制御回路（ＰＣＫ０−ＰＣＫｎ）を設け、各列単位で、リードアクセスとライトアクセスの並行実行時のアクセス態様に応じてセルソース線（ＶＤＭ，ＶＳＭ）の電圧レベルを設定する。例文帳に追加

A power supply control circuit (PCK0-PCKn) is provided corresponding to a memory cell array, and the voltage level of a cell source line (VDM, VSM) is set according to an access mode during the parallel execution of the read access and the write access. - 特許庁

ＡＧＣ目標値決定部１０７は、実機による伝送実験や、計算機シミュレーションにより、様々なパターンの伝送形式に対する最適なＡＧＣ目標値を算出し、あらかじめ内部のメモリに保持している。例文帳に追加

An AGC target value determining section 107 calculates optimal AGC target values for the transmission system of various patterns by transmission experiment through an actual machine or computer simulation and holds them previously in an internal memory. - 特許庁

この外形寸法が大きくなって増えた体積部分に、カードスロット１６と補助電池室２４とを形成し、メモリカード１５と補助電池２３とをセットできるようにする。例文帳に追加

A card slot 16 and an auxiliary battery space 24 are formed at an extra volume section provided through increase in overall dimension so that a memory card 15 and an auxiliary battery 23 can be set. - 特許庁

１はメモリの装着時とは裏返しの状態のメモリの図で、内部の素子に繋がる電極１ａ部が片面に露出しており、１ｂ部が取り出し用の窪み、１ｃ部が面取り形状である。例文帳に追加

A caption 1 shows a view of a memory in a turned back state from a mounting state, an electrode 1a connecting to internal components is exposed to one face, a caption 1b is a notch for extraction purpose and a caption 1c is a chamfered shape. - 特許庁

圧電型加速度センサ１が、軸直角断面の１／２以上が圧電体４で形成された梁部と、この梁部の一端側によって支持された錘３と、梁部の他端側を支持する支持台２と、圧電体４に発生する分極電圧を取り出すための電極５とを備える。例文帳に追加

This piezoelectric pressure sensor 1 is equipped with a beam part wherein a half or more of an axially perpendicular cross section is formed of a piezoelectric body 4, a weight 3 supported by one end side of the beam part, a support stand 2 for supporting the other end side of the beam part, and an electrode 5 for taking out a polarization voltage generated in the piezoelectric body 4. - 特許庁

機器制御装置１００が動作停止した後に再起動信号８を受信すると、電文判別部２０は電文メモリ３に記憶される電文６のうち、処理済みでなく、かつ処理期限が経過していないものに限り、電文処理部１５に処理させる。例文帳に追加

When an apparatus control device 100 receives a restart signal 8 after stopping its operation, a telegram determination part 20 makes the processing part 15 process the telegrams, out of the telegrams 6 stored in the telegram memory 3, not having been processed and having unexpired processing time limits. - 特許庁

少なくともリチウム及びリンを含有する硫化物系固体電解質の表面が、フッ素含有シラン化合物又はフッ素含有アクリル樹脂でコーティングされてなるリチウム電池用被コーティング固体電解質。例文帳に追加

The coated solid electrolyte for the lithium battery has a surface of sulfide-based solid electrolyte at least containing lithium and phosphorus coated with a fluorine containing silane compound or fluorine containing acrylic resin. - 特許庁

減圧溶融法によって、シリカガラスからなるモリブデン金属箔の気密箔シール部を形成した放電ランプにおいて、気密の耐久性が高くて長い使用寿命がえられる放電ランプを提供すること。例文帳に追加

To provide a discharge lamp of an airtight durability and a long use-life, in a type with an airtight foil sealing part of a molybdenum metal foil made of silica glass formed by a evacuated fusion method. - 特許庁

少なくともモリブデン、リンおよびＸ（Ｘは、カリウム、ルビジウム、セシウムおよびタリウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を表す。）を含む固形物Ａと、少なくともモリブデンおよびリンを含みＸを含まない固形物Ｂを乾式混合した後、成形し、得られた成形物を３００〜５００℃で焼成する。例文帳に追加

A solid material A, which contains at least molybdenum, phosphorus and X (wherein, X represents at least one kind of element selected from the group consisting of potassium, rubidium, cesium and thallium), and a solid material B, which contains at least molybdenum and phosphorus, and doesn't contain X, are dry-mixed and thereafter formed, and an obtained formed material is fired at 300 to 500°C. - 特許庁

高さ／直径比が大きいアルミニウム電解コンデンサケースに成形する場合であっても、良好な成形性及び十分な耐食性を備えるアルミニウム電解コンデンサケース用樹脂被覆アルミニウム合金板材を提供する。例文帳に追加

To provide a resin coating aluminum alloy plate material for an aluminum electrolytic capacitor case, having a good formability and a sufficient corrosion resistance, even if it is a case of molding to the aluminum electrolytic capacitor case whose height/diameter ratio is large. - 特許庁

立ち基板５の面状銅箔パターン５２の全面に半田盛り層５３を形成し、電子部品３の主部３１から突き出した放熱片の突出部分３３を半田盛り層５３に半田付けすることによってその主部３１を半田盛り層５３に重ね合わせる。例文帳に追加

A solder heaping layer 53 is formed all over the surface-like copper foil pattern 52 of the standing substrate 5, and the projector 33 of the heat sink piece projected from the main part 31 of the electronic part 3 is soldered to the solder heaping layer 53, thereby superposing the main part 31 on the solder heating layer 53. - 特許庁

スイッチ部１３、１５は、各メモリ層を形成する全メモリセルの行方向又は列方向の電極に接続され且つ制御信号に応じてオンオフする電子スイッチを備える。例文帳に追加

The switch sections 13 and 15 are provided with electronic switches which are connected to the row- or column-direction electrodes of all memory cells forming each memory layer and are turned on/off in accordance with control signals. - 特許庁

各メモリセルを流れる電流は、各電流経路でそれぞれ、メモリセルの記憶状態「００」「０１」「１０」「１１」に応じて図中に示す分布９３〜９６を示す。例文帳に追加

A current flowing in each memory cell indicates distribution 93 to 96 shown in a figure in accordance with memory states [00][01][10][11] of the memory cell in each current path. - 特許庁

次に発振周波数自動調整モードにて電源をＯＮし、フラッシュメモリ３４から発振周波数値を計算部３１ａに読出して最適な発振周波数を求め、フラッシュメモリ３４に保存して電源をＯＦＦする。例文帳に追加

The source is then turned ON in an oscillation frequency automatic regulating mode, the optimal oscillation frequency is found by reading an oscillation frequency value in the section 31a from the memory 34 and is stored in the memory 34, and the source is turned OFF. - 特許庁